一種氧化物tft及其制備方法、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化物TFT，包括：源極、漏極、氧化物有源層、柵絕緣層和柵極，以及遮光層；遮光層形成于所述基板上；所述柵極形成于所述遮光層上，所述柵絕緣層覆蓋于形成有柵極的基板上，所述氧化物有源層形成于所述柵絕緣層上；所述遮光層的圖形尺寸大于所述柵極的圖形尺寸。本發(fā)明還同時(shí)公開(kāi)了一種氧化物TFT的制備方法以及相應(yīng)的顯示面板和顯示裝置，本發(fā)明可避免顯示面板的背部入射光對(duì)氧化物TFT特性的影響，提高氧化物TFT的穩(wěn)定性。
【專利說(shuō)明】一種氧化物TFT及其制備方法、顯示面板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種氧化物薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OxideTFT)及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，氧化物TFT主要為氧化鋅基薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其遷移率比非晶硅晶體管高一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，且對(duì)可見(jiàn)光的透明度大于80%，是最有前途的下一代薄膜晶體管之一。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，制約氧化物TFT產(chǎn)量發(fā)展的重要原因?yàn)?氧化物TFT中的金屬氧化物材料，如銦鎵鋅氧化物(IGZO)等不夠穩(wěn)定，受外界的影響較大。外界光的照射會(huì)影響金屬氧化物的電學(xué)性能，造成漏電流的增加。
[0004]現(xiàn)有氧化物TFT包括:源極2、漏極6、氧化物有源層3和柵極4。其中，所述氧化物有源層3所采用的材料具體為上文所述的金屬氧化物材料，如IGZO等。如圖1所示，當(dāng)設(shè)有氧化物TFT的顯示面板進(jìn)行顯示時(shí)，存在一部分光從顯示面板的背部入射，通過(guò)源極2和漏極6的坡度角折射到柵極4的表面，再反射至氧化物有源層3上。這樣將嚴(yán)重影響氧化物TFT的整體性能，從而降低了顯示面板的穩(wěn)定性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種氧化物TFT及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，可避免顯示面板的背部入射光對(duì)氧化物TFT特性的影響，提高氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0007]本發(fā)明提供了一種氧化物TFT，形成于基板上，所述氧化物TFT包括:源極、漏極、氧化物有源層、柵絕緣層和柵極，以及遮光層；遮光層形成于所述基板上；所述柵極形成于所述遮光層上，所述柵絕緣層覆蓋于形成有所述柵極的基板上，所述氧化物有源層形成于所述柵絕緣層上；
[0008]所述遮光層的圖形尺寸大于所述柵極的圖形尺寸。
[0009]其中，所述遮光層的圖形尺寸大于或者等于所述源極和漏極的圖形尺寸。
[0010]其中，所述遮光層和所述柵極之間設(shè)有絕緣層。
[0011]其中，所述遮光層為不透光的金屬，所述遮光層的厚度為:1000埃?5000埃。
[0012]其中，所述遮光層為不透光的非金屬，所述遮光層的厚度為:1000埃?10000埃。
[0013]進(jìn)一步地，所述氧化物TFT還包括形成于所述氧化物有源層上，且位于所述源極和漏極之間的阻擋層。
[0014]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，所述陣列基板中的TFT采用如上所述的氧化物TFT。
[0015]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。
[0016]本發(fā)明還提供了一種氧化物TFT的制備方法，該方法還包括:[0017]在基板上形成遮光層；
[0018]在所述遮光層上形成柵極；所述遮光層的圖形尺寸大于所述柵極的圖形尺寸；
[0019]順序形成氧化物有源層以及源極、漏極。
[0020]其中，所述遮光層的圖形尺寸大于或者等于所述源極和漏極的圖形尺寸。
[0021]其中，所述遮光層為不透光的金屬，采用磁控濺射方法沉積金屬材料，使用掩模板進(jìn)行曝光，并采用濕法刻蝕形成遮光層的圖形，在遮光層上形成絕緣層，然后再形成柵極。
[0022]本發(fā)明提供的氧化物TFT及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，在形成柵極4之前，先設(shè)置一層遮光層1，且所述遮光層I的圖形尺寸大于所述柵極4的圖形尺寸，因此所述遮光層I可遮擋從顯示面板背部入射的光線，避免對(duì)氧化物TFT中源極2和漏極6的坡度角的直接照射，進(jìn)而減少了從所述坡度角反射到氧化物TFT的氧化物有源層3上的光線，因此，作為氧化物有源層3的金屬氧化物的穩(wěn)定性得到保證，從而改善了氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0023]此外，本發(fā)明所述遮光層I的圖形尺寸具體可以大于或等于所述源極2和漏極6的圖形尺寸，這樣，遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2和漏極6的全部光線，避免光線入射到源極2、漏極6后，經(jīng)多次反射而最終入射到氧化物有源層3的情況，從而保護(hù)了氧化物有源層3，因此可進(jìn)一步保證氧化物TFT的穩(wěn)定性，也相應(yīng)提高了顯示面板的品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為現(xiàn)有氧化物TFT被顯示面板背部入射光照射時(shí)的示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明氧化物TFT第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為本發(fā)明氧化物TFT第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明氧化物TFT第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為本發(fā)明氧化物TFT第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0030]1、遮光層；2、源極；3、氧化物有源層；4、柵極；5、柵絕緣層；6、漏極；7、基板；8、絕緣層。
【具體實(shí)施方式】
[0031]本發(fā)明的基本思想是:在形成柵極4之前，先設(shè)置一層遮光材料形成的遮光層I ;所述遮光層I的圖形尺寸大于所述柵極4的圖形尺寸。
[0032]下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0033]如圖2所示，圖2為本發(fā)明氧化物TFT第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]本發(fā)明第一實(shí)施例氧化物TFT形成于基板7上，所述氧化物TFT包括:源極2、漏極6、氧化物有源層3、柵絕緣層5和柵極4，以及遮光層I。當(dāng)然，本發(fā)明中所述源極2和漏極6的位置可以互換。
[0035]遮光層I形成于所述基板7上；所述柵極4形成于所述遮光層I上，所述柵絕緣層5覆蓋于形成有柵極4的基板7上，所述氧化物有源層3形成于所述柵絕緣層5上。
[0036]所述遮光層I的圖形尺寸大于所述柵極4的圖形尺寸。[0037]所述遮光層I可以采用不透光的金屬材料或不透光的非金屬材料形成。
[0038]由于遮光層I采用金屬材料時(shí)，遮光層I與柵極4接觸時(shí)，可能會(huì)與其它層形成電容，為了避免上述問(wèn)題，本發(fā)明第一實(shí)施例氧化物TFT的遮光層I可以采用的不透光的非金屬材料。例如:二氧化硅，樹(shù)脂，染色材料等不透光材料。
[0039]本發(fā)明第一實(shí)施例氧化物TFT的遮光層I的圖形尺寸大于所述柵極4的圖形尺寸，從圖2中可以看出，遮光層I可遮擋從顯示面板的背部直接入射到源極2、漏極6的坡度角的光線，進(jìn)而減少了從所述坡度角反射到氧化物TFT的氧化物有源層3上的光線，保護(hù)了氧化物有源層3，提高了氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0040]本發(fā)明第一實(shí)施例氧化物TFT的遮光層I的圖形大小的設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)為:遮光層I必須能夠遮擋從顯示面板背部射向源極2、漏極6的坡度角的光線，即遮光層I的圖形尺寸大于柵極4的圖形尺寸，在不影響開(kāi)口率的情況下遮光層I的圖形越大越好。
[0041]從圖2中還可以看出，遮光層I的圖形尺寸大于柵極4的圖形尺寸時(shí)，可能存在遮光層I的圖形尺寸小于源極2和漏極6的圖形尺寸的情況，那么，從顯示面板的背部還會(huì)有部分光線入射到源極2、漏極6的兩側(cè)(源極2、漏極6的底邊處)，光線經(jīng)多次反射后，最終可能入射到氧化物有源層3，從而影響氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0042]為了避免這種現(xiàn)象的發(fā)生，本發(fā)明提供了第二實(shí)施例。
[0043]如圖3所示，該圖為本發(fā)明氧化物TFT第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]本發(fā)明氧化物TFT第二實(shí)施例相對(duì)第一實(shí)施例的區(qū)別在于，所述遮光層I的圖形尺寸大于或等于所述源極2和漏極6的圖形尺寸。
[0045]這樣，本發(fā)明第二實(shí)施例的氧化物TFT的遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2、漏極6的全部光線，避免光線入射到源極2、漏極6后，經(jīng)多次反射入射到氧化物有源層3的情況，從而保護(hù)了氧化物有源層3，因此可以保證氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0046]本發(fā)明第二實(shí)施例氧化物TFT的遮光層I的圖形大小的設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)為:遮光層I必須能夠遮擋從顯示面板背部射向源極2、漏極6的全部光線，即遮光層I的圖形尺寸大于或者等于源極2和漏極6的圖形尺寸，在不影響開(kāi)口率的情況下遮光層I的圖形越大越好。
[0047]如圖4所示，該圖為本發(fā)明氧化物TFT第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]本發(fā)明氧化物TFT第三實(shí)施例相對(duì)第一實(shí)施例的區(qū)別在于，在遮光層I上還形成有絕緣層8。
[0049]本發(fā)明第三實(shí)施例的氧化物TFT，在所述柵極4下層設(shè)有遮光層I。遮光層I可以采用不透光的金屬材料。
[0050]由于采用不透光的金屬材料制成的遮光層I與柵極4接觸時(shí)，可能會(huì)與其它層形成電容，為了避免這種現(xiàn)象的發(fā)生，在遮光層I上形成有絕緣層8。
[0051]所述絕緣層8可以與氧化物TFT中已有的絕緣層(例如柵絕緣層、鈍化層)的材料相同，例如二氧化硅等。
[0052]所述不透光的金屬材料可為:鑰，鋁，鋁釹合金等。
[0053]本發(fā)明第三實(shí)施例氧化物TFT的遮光層I的圖形尺寸大于所述柵極4的圖形尺寸，從圖4中可以看出，遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2和漏極6的坡度角的光線，保護(hù)了氧化物有源層3，提高了氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0054]本發(fā)明第三實(shí)施例氧化物TFT的遮光層I的圖形大小的設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)為:遮光層I必須能遮擋從顯示面板背部射向源極2、漏極6的坡度角的光線，即遮光層I的圖形尺寸大于柵極的圖形尺寸。當(dāng)然，在不影響開(kāi)口率的情況下遮光層I的圖形越大越好。
[0055]從圖4中還可以看出，遮光層I的圖形尺寸大于柵極4的圖形尺寸時(shí)，可能存在遮光層I的圖形尺寸小于源極2、漏極6的圖形尺寸的情況，那么，從顯示面板的背部還會(huì)部分光線入射到源極2、漏極6的兩側(cè)(源極2、漏極6的底邊處)，光線經(jīng)多次反射后，最終可能入射到氧化物有源層3，從而影響氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0056]為了避免這種情況的發(fā)生，本發(fā)明提供了進(jìn)一步的方案，即第四實(shí)施例，如下:
[0057]如圖5所示，該圖為本發(fā)明氧化物TFT第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0058]本發(fā)明氧化物TFT第四實(shí)施例相對(duì)第三實(shí)施例的區(qū)別在于，所述遮光層I的圖形尺寸具體可以大于或等于所述源極2和漏極6的圖形尺寸。
[0059]這樣，本發(fā)明第四實(shí)施例的氧化物TFT的遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2、漏極6的全部光線，避免光線入射到源極2、漏極6后，經(jīng)多次反射入射到氧化物有源層3的情況，從而保護(hù)了氧化物有源層3，因此可以保證氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0060]本發(fā)明第四實(shí)施例氧化物TFT的遮光層I的圖形大小的設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)為:遮光層I必須能夠遮擋從顯示面板背部射向源極2、漏極6的全部光線，即遮光層I的圖形尺寸大于或者等于源極2和漏極6的圖形尺寸，在不影響開(kāi)口率的情況下遮光層I的圖形越大越好。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例所述的遮光層I選用不透光的金屬材料時(shí)，如果遮光層I設(shè)置的太薄，就不能達(dá)到遮光的目的，有可能會(huì)透光；如果遮光層I設(shè)置的太厚，則制備工藝復(fù)雜、且對(duì)基板7的應(yīng)力太大，容易發(fā)生碎裂，影響器件性能。因此，本發(fā)明遮光層I的厚度選為1000埃?5000埃，不僅可避免應(yīng)力過(guò)大的問(wèn)題，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)遮光的目的。
[0062]所述遮光層I選用不透光的非金屬材料時(shí)，同樣的理由，如果遮光層I設(shè)置的太薄，有可能會(huì)透光；如果太厚，則制備工藝復(fù)雜、且對(duì)基板7的應(yīng)力太大，容易發(fā)生碎裂，影響器件性能。因此，本發(fā)明遮光層的厚度選為1000埃?10000埃，不僅可避免應(yīng)力過(guò)大的問(wèn)題，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)遮光的目的。
[0063]為了保護(hù)氧化物TFT的氧化物有源層3，本發(fā)明實(shí)施例所述氧化物TFT還包括形成于所述氧化物有源層3上，且位于所述源極2和漏極6之間的阻擋層。
[0064]本發(fā)明還提供了一種顯示面板,所述顯示面板可以為OLED面板或IXD面板。
[0065]所述顯示面板中的TFT采用如上文所述的任何一種氧化物TFT，具體的，
[0066]所述氧化物TFT的基板7上形成一層遮光層1，在所述遮光層I上形成柵極4 ;所述遮光層I的圖形尺寸大于所述柵極4的圖形尺寸。這樣，遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2、漏極6的坡度角的光線，保護(hù)了氧化物有源層3，提高了氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0067]進(jìn)一步地，所述遮光層I的圖形尺寸大于或者等于所述源極2、漏極6的圖形尺寸。這樣，遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2、漏極6的全部光線，避免光線入射到源極2、漏極6后，經(jīng)多次反射入射到氧化物有源層3的情況，從而保護(hù)了氧化物有源層3，因此可以保證氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0068]所述遮光層I可以采用不透光的金屬材料或不透光的非金屬材料，
[0069]所述遮光層I為不透光的金屬材料時(shí)，所述遮光層I上還可以設(shè)置有絕緣層8，能避免遮光層I與柵極4接觸時(shí)，遮光層I可能與其它層形成電容的情況。[0070]所述遮光層為不透光的金屬,所述遮光層的厚度可為:1000埃?5000埃。
[0071]所述遮光層為不透光的非金屬,所述遮光層的厚度可為:1000埃?10000埃。
[0072]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。所述顯示面板可以為OLED面板或IXD面板。
[0073]所述顯示裝置中的TFT可以采用如上文所述的任何一種氧化物TFT，具體的，
[0074]所述氧化物TFT的基板7上形成一層遮光層1，在所述遮光層I上形成柵極4 ;所述遮光層I的圖形尺寸大于所述柵極4的圖形尺寸。這樣，遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2、漏極6的坡度角的光線，保護(hù)了氧化物有源層3，提高了氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0075]進(jìn)一步地，所述遮光層I的圖形尺寸大于或者等于所述源極2、漏極6的圖形尺寸。這樣，遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2、漏極6的全部光線，避免光線入射到源極2、漏極6后，經(jīng)多次反射入射到氧化物有源層3的情況，從而保護(hù)了氧化物有源層3，因此可以保證氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0076]所述遮光層I可以采用不透光的金屬材料或不透光的非金屬材料，
[0077]所述遮光層I為不透光的金屬材料時(shí)，所述遮光層I上還可以設(shè)置有絕緣層8，能避免遮光層I與柵極4接觸時(shí)，遮光層I可能與其它層形成電容的情況。
[0078]所述遮光層為不透光的金屬，所述遮光層的厚度可為:1000埃?5000埃。
[0079]所述遮光層為不透光的非金屬，所述遮光層的厚度可為:1000埃?10000埃。
[0080]下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所述的氧化物TFT的實(shí)現(xiàn)流程進(jìn)行描述，包括如下步驟:
[0081]步驟一:在基板7上形成遮光層I ;
[0082]具體為:在基板7上沉積一層不透光的金屬或非金屬材料。
[0083]如果遮光層I選用金屬材料，則該金屬材料的沉積方式可與現(xiàn)有柵極4的沉積方式相同，如:磁控濺射方法；
[0084]如果遮光層I選用非金屬材料，則該非金屬材料的沉積方式可與現(xiàn)有絕緣層的沉積方式相同，如:化學(xué)汽相沉積方法。
[0085]通過(guò)構(gòu)圖工藝形成遮光層I的圖形，即:使用掩模板通過(guò)曝光和刻蝕工藝形成遮光層I的圖形。這里，如果選用金屬材料，則采用濕法刻蝕；如果選用非金屬材料，則采用干法刻蝕。
[0086]其中，所述遮光層I的圖形尺寸大于所述柵極4的圖形尺寸，因此遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2、漏極6坡度角的光線，保護(hù)了氧化物有源層3，提高了氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0087]進(jìn)一步地，如果本發(fā)明的遮光層I選用金屬材料，還包括:在遮光層I上形成一層絕緣層8，其沉積和構(gòu)圖方式與現(xiàn)有絕緣層的形成工藝相同，此處不再詳述。
[0088]步驟二:順序形成柵極4、氧化物有源層3以及源極2和漏極6 ；
[0089]這里，在所述柵極4與氧化物有源層3之間設(shè)有柵絕緣層5，在源極2、漏極6之上還可以設(shè)有鈍化層。
[0090]其實(shí)現(xiàn)如下:
[0091]在遮光層I上沉積一層?xùn)艠O4的材料，之后，通過(guò)光刻和刻蝕等構(gòu)圖工藝形成柵極4；[0092]再在柵極4之上沉積一層非金屬材料，并通過(guò)光刻和刻蝕等構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層5 ；
[0093]再在柵絕緣層5之上通過(guò)沉積、光刻和刻蝕等構(gòu)圖工藝形成氧化物有源層3 ；
[0094]最后，通過(guò)沉積、光刻和刻蝕等構(gòu)圖工藝形成源極2和漏極6;當(dāng)然，在氧化物有源層3和源極2、漏極6之間還通過(guò)沉積、光刻和刻蝕等構(gòu)圖工藝形成阻擋層。在源極2、漏極6上形成鈍化層。
[0095]需要說(shuō)明的是，步驟一中所形成的遮光層I的圖形尺寸可以大于或等于所述源極
2、漏極6的圖形尺寸，因此，遮光層I可遮擋從顯示面板的背部入射到源極2、漏極6的全部光線，避免光線入射到源極2、漏極6后，經(jīng)多次反射而最終入射到氧化物有源層3的情況，保護(hù)了氧化物有源層3，因此可保證氧化物TFT的穩(wěn)定性。
[0096]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種氧化物TFT，形成于基板上，其特征在于，所述氧化物TFT包括:源極、漏極、氧化物有源層、柵絕緣層和柵極，以及遮光層；遮光層形成于所述基板上；所述柵極形成于所述遮光層上，所述柵絕緣層覆蓋于形成有所述柵極的基板上，所述氧化物有源層形成于所述柵絕緣層上； 所述遮光層的圖形尺寸大于所述柵極的圖形尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物TFT，其特征在于，所述遮光層的圖形尺寸大于或者等于所述源極和漏極的圖形尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于，所述遮光層和所述柵極之間設(shè)有絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化物TFT，其特征在于，所述遮光層為不透光的金屬，所述遮光層的厚度為:1000埃?5000埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于，所述遮光層為不透光的非金屬，所述遮光層的厚度為:1000埃?10000埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于，所述氧化物TFT還包括形成于所述氧化物有源層上，且位于所述源極和漏極之間的阻擋層。
7.—種顯示面板，其特征在于，所述陣列基板中的TFT采用如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的氧化物TFT。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求6所述的顯示面板。
9.一種氧化物TFT的制備方法，其特征在于，該方法還包括: 在基板上形成遮光層； 在所述遮光層上形成柵極；所述遮光層的圖形尺寸大于所述柵極的圖形尺寸； 順序形成氧化物有源層以及源極、漏極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氧化物TFT的制備方法，其特征在于，所述遮光層的圖形尺寸大于或者等于所述源極和漏極的圖形尺寸。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的氧化物TFT的制備方法，其特征在于，所述遮光層為不透光的金屬，采用磁控濺射方法沉積金屬材料，使用掩模板進(jìn)行曝光，并采用濕法刻蝕形成遮光層的圖形，在遮光層上形成絕緣層，然后再形成柵極。
【文檔編號(hào)】H01L29/786GK103579356SQ201210285337
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】李田生, 閻長(zhǎng)江, 徐少穎, 謝振宇, 陳旭 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司