專利名稱：單面腐蝕酸制絨設備的制作方法
技術領域：
本實用新型 涉及硅電池片制作技術領域，特別是一種單面腐蝕酸制絨設備。
背景技術：
目前的制絨方法和制絨設備是硅片完全浸泡在腐蝕藥液內(nèi)，達到去除硅片損傷 層及制絨的效果。但是擴散使用的是單面擴散，所以只對擴散面的絨面形態(tài)有要求，即 只需要對擴散面制絨，而且雙邊腐蝕降低了硅片的厚度，從良率和效率來看，都有所損 失。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題是對現(xiàn)有制絨設備進行改進，進行單面腐蝕 制絨。本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是一種單面腐蝕酸制絨設備， 包括制絨槽，在制絨槽的上料端具有用于控制藥液高度的上料端擋板，在制絨槽內(nèi)具有 輸送硅片的下滾輪，降低制絨槽的上料端擋板的高度，該高度為使藥液的液面剛好沒過 硅片下滾輪的高度。本實用新型的有益效果是使用本設備進行單面制絨，一個面達到了制絨的效 果，另一個面仍是硅片本身的性能，這有利于絲網(wǎng)背電場的印刷及電流的收集，從而提 高效率；同時單面制絨也降低了機碎率。
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明；

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1.制絨槽，2.上料端擋板，3.下滾輪，4.硅片，5.液面。
具體實施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖1對本實用新型作進一步詳細的說明。該附圖均為簡化的示意 圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關的構(gòu) 成。一種單面腐蝕酸制絨設備，包括制絨槽1，在制絨槽1的上料端具有用于控制藥 液高度的上料端擋板2，在制絨槽1內(nèi)具有輸送硅片4的下滾輪3，降低制絨槽1的上料 端擋板2的高度，減小循環(huán)流量，使液面5剛好沒過滾輪，硅片4漂浮在液面5上。 以RENA Intex的制絨設備為例，RENA Intex的制絨方法是將硅片4完全浸沒在 藥液里，上表面也被腐蝕并制絨。在下滾輪3上還具有上滾輪，上滾輪的目的是下壓硅 片4，使硅片4不漂浮，保持前進方向。采用本設計來改造該制絨設備，去除上滾輪， 降低制絨槽上料端擋板2的高度，減小循環(huán)流量，使液面5剛好沒過下滾輪3，硅片4漂浮在液面5上；或者直接將Intex制絨槽更換成Inoxside刻蝕槽，形成對制絨槽的單面腐 蝕。
權(quán)利要求1. 一種單面腐蝕酸制絨設備，包括制絨槽(1)，在制絨槽(1)的上料端具有用于控制 藥液高度的上料端擋板(2)，其特征是在所述的制絨槽(1)內(nèi)具有輸送硅片(4)的下滾 輪(3)，降低制絨槽(1)的上料端擋板(2)的高度，該高度為使藥液的液面(5)剛好沒過 下滾輪(3)的高度。
專利摘要本實用新型涉及硅電池片制作技術領域，特別是一種單面腐蝕酸制絨設備，包括制絨槽，在制絨槽的上料端具有用于控制藥液高度的上料端擋板，在制絨槽內(nèi)具有輸送硅片的下滾輪，降低制絨槽的上料端擋板的高度，該高度為使藥液的液面剛好沒過硅片下滾輪的高度。使用本設備進行單面制絨，硅片漂浮在液面上，一個面達到了制絨的效果，另一個面仍是硅片本身的性能，這有利于絲網(wǎng)背電場的印刷及電流的收集，從而提高效率；同時單面制絨也降低了機碎率。
文檔編號H01L31/18GK201796935SQ201020547499
公開日2011年4月13日 申請日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者劉彬 申請人:常州天合光能有限公司