專利名稱：常溫接合裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種常溫接合裝置，特別是使用常溫接合而大量生產(chǎn)制品的常溫接合
直O(jiān)
背景技術(shù)：
公知的MEMS是把微細(xì)的電氣部品或機(jī)械部品集成化。以微型繼電器、壓力傳感器、加速度傳感器作為該MEMS的示例。公知的常溫接合是，在真空環(huán)境下，活性化的晶片表面相互接觸，兩片晶片接合。這樣的常溫接合適合該MEMS的制作。這樣的常溫接合中，防止污染晶片的接合面是非常重要的。另外，必須提高該常溫接合的常溫接合裝置的量產(chǎn)性， 提高信賴性，降低成本，小型化，減少維修。專利第3970304號公報(bào)公開了擁有長壽命的常溫接合裝置。該常溫接合裝置包括接合室、上側(cè)臺階、承載器、彈性導(dǎo)軌、定位臺階、第1機(jī)構(gòu)、第2機(jī)構(gòu)和承載器支承臺。 該接合室內(nèi)生成真空環(huán)境，為了使上側(cè)基板與下側(cè)基板常溫接合。該上側(cè)臺階設(shè)置于所述接合室內(nèi)部，在所述真空環(huán)境下支承所述上側(cè)基板。該承載器設(shè)置于所述接合室內(nèi)部，在所述真空環(huán)境下支承所述下側(cè)基板。該彈性導(dǎo)軌與所述承載器接合為一體。該定位臺階設(shè)置于所述接合室內(nèi)部，支承所述彈性導(dǎo)軌使其在水平方向上可以移動。該第1機(jī)構(gòu)驅(qū)動所述彈性導(dǎo)軌，使所述承載器在所述水平方向上移動。該第2機(jī)構(gòu)使所述上側(cè)臺階在垂直于所述水平方向的上下方向上移動。該承載器的支承臺設(shè)置于所述接合室的內(nèi)部，當(dāng)所述下側(cè)基板和所述上側(cè)基板壓接時(shí)，在所述上側(cè)臺階的移動方向上支承所述承載器。所述彈性導(dǎo)軌在所述下側(cè)基板和所述上側(cè)基板不接觸時(shí)，支承所述承載器，以使所述承載器與所述承載器支承臺不接觸，在所述下側(cè)基板和所述上側(cè)基板壓接時(shí)，所述彈性導(dǎo)軌發(fā)生彈性變形， 以使所述承載器與所述承載器支承臺接觸。特開2004-207606號公報(bào)公開了一種晶片支承板，該晶片支承板使操作薄的半導(dǎo)體晶片容易，并且總是可以認(rèn)識結(jié)晶方位。該晶片支承板具備支承半導(dǎo)體晶片的支承面，其中，具有以下特征，形成結(jié)晶方位標(biāo)識，該結(jié)晶方位標(biāo)識表示被支承的半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利第3970304號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2004-207606號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題提供一種常溫接合裝置，該常溫接合裝置可以防止接合基板的位置偏移。本發(fā)明的其它課題提供一種常溫接合裝置，該常溫接合裝置可以防止污染接合基板。本發(fā)明的其它課題提供一種常溫接合裝置，該常溫接合裝置可以防止污染基板結(jié)合的環(huán)境。本發(fā)明的其它課題提供一種常溫接合裝置，該常溫接合裝置可以使制造成本更小。本發(fā)明的其它課題提供一種常溫接合裝置，該常溫接合裝置可以減少維修。本發(fā)明的其它課題提供一種常溫接合裝置，該常溫接合裝置可以防止接合基板的破損。本發(fā)明的其它課題提供一種常溫接合裝置，該常溫接合裝置適合搬送、接合更薄的基板。本發(fā)明的其它課題提供一種常溫接合裝置，該常溫接合裝置適合搬送、接合各種形狀的基板。利用本發(fā)明的常溫接合裝置包括內(nèi)部氣體被減壓的負(fù)載固定室和設(shè)置于該負(fù)載固定室內(nèi)部的卡盤。這時(shí)，在該基板承載于該卡盤上時(shí)，該卡盤形成有與該基板接觸的島部分。在承載該基板時(shí)，該島部分形成有使該卡盤與該基板間夾著的空間與外部連接的流路。 在該負(fù)載固定室的內(nèi)部氣壓減壓時(shí)，該卡盤與該基板間夾著的空間內(nèi)填充的氣體通過該流路向外部排氣。因此，這樣的常溫接合裝置能夠防止在該氣壓減壓時(shí)該氣體使該基板相對于該卡盤移動。利用本發(fā)明的常溫接合裝置具備有接合室；閘閥，開關(guān)該負(fù)載固定室與該接合室的閥門；搬送裝置，當(dāng)該閥門開放時(shí)從該負(fù)載固定室向該接合室搬送該卡盤。這時(shí)，當(dāng)該基板設(shè)置于該接合室內(nèi)部時(shí)，該接合室使該基板與其它基板接合。優(yōu)選的是該卡盤適用于該常溫接合裝置。該卡盤形成法蘭盤。這時(shí)，該搬送裝置通過與該法蘭盤中向下的支承面接觸，保持該卡盤。這樣的常溫接合裝置是，該搬送裝置不直接與基板接觸，能夠更加可靠地保持該基板。因此，該常溫接合裝置能夠防止污染該基板。該卡盤在該法蘭盤上形成有手柄定位手段。這時(shí)，該搬送裝置形成有其它手柄定位部，在搬送該卡盤時(shí)，該其它手柄定位部嵌合于該手柄定位部中。這樣的常溫接合裝置能夠使該搬送裝置保持該卡盤，以使其相對于該搬送裝置的該卡盤的位置恒定相等。因此，這樣的常溫接合裝置能夠更高精度的搬送該基板。優(yōu)選的是該手柄定位部是銷，其它手柄定位部是切口。該接合室具備有下側(cè)臺階，該下側(cè)臺階保持該卡盤。這時(shí)，該卡盤設(shè)置有臺階定位手段。該下側(cè)臺階形成有其它臺階定位部，在該下側(cè)臺階保持該卡盤時(shí)，該其它臺階定位部嵌合于該臺階定位部。這樣的常溫接合裝置能夠使該下側(cè)臺階保持該卡盤，以使其相對于該下側(cè)臺階的該卡盤的位置恒定相等。因此，這樣的常溫接合裝置能夠使該基板更高精度接合。優(yōu)選的是，該臺階定位部是孔。其 它臺階定位部是嵌入該孔的突起。利用本發(fā)明的常溫接合裝置還具備有，攝影裝置和校準(zhǔn)裝置。這時(shí)，該卡盤上形成有校準(zhǔn)用孔。在該基板承載于該卡盤的情況下，在該下側(cè)臺階保持該卡盤時(shí)，該攝影裝置經(jīng)由該校準(zhǔn)用孔對該基板的圖像攝影。該校準(zhǔn)裝置以該圖像為基準(zhǔn)驅(qū)動該下側(cè)臺階。在該基板承載于該卡盤的狀態(tài)下，這樣的常溫接合裝置能夠使該基板高精度定位。因此，在該基板承載于該卡盤的狀態(tài)下，這樣的常溫接合裝置能夠使該基板更高精度的接合。
該島部分形成有與所述基板的一側(cè)的面大致全部接觸的接觸面。這時(shí)，該接觸面上形成有作為該流路的槽。在該基板承載于該卡盤的狀態(tài)下與該基板接合時(shí)，這樣的常溫接合裝置能夠防止該基板的破損，能夠通過基板施加大的負(fù)荷。該卡盤設(shè)置有多個(gè)基板定位銷。這時(shí)，該多個(gè)基板定位銷被形成當(dāng)該基板承載于該卡盤上時(shí)，該基板的邊緣與該多個(gè)基板定位銷全部接觸。這樣的常溫接合裝置能夠使該基板承載于 該卡盤上，以使相對于該卡盤的該基板的位置恒定相等。因此，這樣的常溫接合裝置能夠更高精度的搬送基板。該多個(gè)基板定位銷被形成為在該基板承載于該卡盤上時(shí)，該多個(gè)基板定位銷的前端不從該基板表面中的與該卡盤接觸的面的背面突出，而該多個(gè)基板定位銷的前端被形成在該基板表面中的與該卡盤接觸的面與該面的背面之間。當(dāng)與該下側(cè)臺階相對的上側(cè)臺階接近于基板接近時(shí)，這樣的常溫接合裝置能夠防止該上側(cè)臺階與該多個(gè)基板定位銷接觸，能夠使該上側(cè)臺階與該基板更可靠的接觸。當(dāng)該基板與其它基板接合時(shí)，這樣的常溫接合裝置能夠防止該多個(gè)基板定位銷對其接合的妨害，能夠使該基板更可靠的接合。該島部分不與該基板的一側(cè)的面的中央部分接觸，而與該基板的一側(cè)的面的外周部分接觸。這樣的卡盤用于承載一個(gè)上側(cè)基板，當(dāng)二個(gè)基板接合時(shí)，該一個(gè)上側(cè)基板是該二個(gè)基板中被在該上側(cè)臺階保持的一個(gè)。這時(shí)，這樣的常溫接合裝置能夠防止污染該上側(cè)基板的接合面。利用本發(fā)明的常溫接合方法具備有減壓步驟，對設(shè)置有承載了基板的卡盤的負(fù)載固定室的內(nèi)部進(jìn)行減壓；搬送步驟，該負(fù)載固定室的內(nèi)部減壓后，從該負(fù)載固定室的內(nèi)部向接合室搬送該卡盤。當(dāng)該基板承載于該卡盤上時(shí)，該卡盤形成有與該基板接觸的島部分。 當(dāng)該基板承載于該卡盤上時(shí)，該島部分設(shè)置有流路，該流路使該卡盤與該基板夾著的空間與外部連接。在該負(fù)載固定室的內(nèi)部氣壓減壓時(shí)，該卡盤與該基板夾著的空間內(nèi)填充的氣體通過該流路向外部排氣。因此，在該氣壓減壓時(shí)，利用這樣的常溫接合方法能夠防止該氣體使該基板相對于該卡盤移動。該接合室包括上側(cè)臺階和下側(cè)臺階。該基板包括上側(cè)基板和下側(cè)基板。該卡盤包括上側(cè)卡盤和下側(cè)卡盤。這時(shí)，利用本發(fā)明的常溫接合方法還包括保持步驟和接合步驟，該保持步驟是，在該上側(cè)基板承載于該上側(cè)卡盤上的情況下，并且當(dāng)該下側(cè)臺階保持該上側(cè)卡盤時(shí)，通過該上側(cè)臺階與該下側(cè)臺階的接近，該上側(cè)基板保持在該上側(cè)臺階上；該接合步驟是，該上側(cè)基板保持在該上側(cè)臺階上后，在該下側(cè)基板承載于下側(cè)卡盤的情況下，并且， 當(dāng)該下側(cè)臺階保持該下側(cè)卡盤時(shí)，通過該上側(cè)臺階與該下側(cè)臺階的接近，該上側(cè)基板與該下側(cè)基板接合。即，優(yōu)選的是，該卡盤適用于該常溫接合方法。利用本發(fā)明的常溫接合裝置，能夠防止接合基板的位置偏移。利用本發(fā)明的常溫接合裝置更能夠使搬送裝置不直接接觸基板并且搬送基板，能夠防止污染將被接合的基板。利用本發(fā)明的常溫接合裝置更能夠防止污染基板接合的環(huán)境。利用本發(fā)明的常溫接合裝置更能夠減小制造的成本。利用本發(fā)明的常溫接合裝置更能夠減少維修。利用本發(fā)明的常溫接合裝置更能夠防止接合基板的破損。利用本發(fā)明的常溫接合裝置更適合搬送、接合更薄的基板。
利用本發(fā)明的常溫接合裝置更適合搬送、接合各種形狀的基板。


圖1是表示常溫接合裝置的剖視圖；圖2是表示常溫接合裝置的剖視圖；圖3是表示臺階承載器的側(cè)視圖；圖4是表示搬送裝置的手柄的俯視圖；圖5是表示上側(cè)卡盤的俯視圖；圖6是表示上側(cè)卡盤的剖視圖；圖7是表示晶片定位銷的剖視圖；圖8是表示定位銷的剖視圖；圖9是表示下側(cè)卡盤的俯視圖；圖10是表示下側(cè)卡盤的剖視圖；圖11是表示晶片承載于卡盤的狀態(tài)的剖視圖；圖12是表示搬送上側(cè)晶片的動作；圖13是表示搬送下側(cè)晶片的動作。
具體實(shí)施例方式參考圖紙，記載了利用本發(fā)明的常溫接合裝置的實(shí)施形態(tài)。如圖1所表示，該常溫接合裝置1具備有接合室2和負(fù)載固定室3。接合室2與負(fù)載固定室3是自環(huán)境將內(nèi)部密閉的容器，一般由不銹鋼、鋁合金等構(gòu)成。常溫接合裝置1還具備有閘閥5。閘閥5設(shè)置于接合室2與負(fù)載固定室3之間，關(guān)閉或開放連接接合室2內(nèi)部與負(fù)載固定室3內(nèi)部的閥門。負(fù)載固定室3內(nèi)部具備有上側(cè)卡盤臺6、下側(cè)卡盤臺7和搬送裝置8。上側(cè)卡盤臺6設(shè)置有上側(cè)卡盤11。下側(cè)卡盤臺7設(shè)置有下側(cè)卡盤12。負(fù)載固定室3還包括未圖示的真空泵和蓋子。該真空泵把負(fù)載固定室3內(nèi)部的氣體排出。以渦輪分子泵做為該真空泵的示例，該渦輪分子泵利用內(nèi)部多個(gè)金屬制的葉片把氣體分子彈飛進(jìn)行排氣。該蓋子可以關(guān)閉連接負(fù)載固定室3外部和內(nèi)部的閥門，也可以開放閥門使之變?yōu)榇髿鈿鈮?。該閥門的大小大于上側(cè)卡盤11和下側(cè)卡盤12。搬送裝置8具備有第1臂部15、第2臂部16、手柄17、第1關(guān)節(jié)18、第2關(guān)節(jié)19 和第3關(guān)節(jié)20。第1臂部15、第2臂部16和手柄17分別形成棒狀。第1關(guān)節(jié)18支承于負(fù)載固定室3的臺板，可以以旋轉(zhuǎn)軸22為中心旋轉(zhuǎn)，并支承第1臂部15。旋轉(zhuǎn)軸23平行于垂直方向。第2關(guān)節(jié)19支承于第1關(guān)節(jié)18，可以以旋轉(zhuǎn)軸23為中心旋轉(zhuǎn)，并支承第2臂部16。旋轉(zhuǎn)軸23平行于垂直方向，即平行于旋轉(zhuǎn)軸22。第3關(guān)節(jié)20支承于第2關(guān)節(jié)19， 可以以旋轉(zhuǎn)軸24為中心旋轉(zhuǎn)，并支承手柄17。旋轉(zhuǎn)軸24平行于垂直方向，即平行于旋轉(zhuǎn)軸 23。搬送裝置8還包括未圖示的升降機(jī)構(gòu)和伸縮機(jī)構(gòu)。該升降機(jī)構(gòu)通過使用者的操作，升降第1臂部15和手柄17。該伸縮機(jī)構(gòu)通過使用者的操作，控制第1關(guān)節(jié)18使手柄 17旋轉(zhuǎn)，控制第1關(guān)節(jié)18、第2關(guān)節(jié)19和第3關(guān)節(jié)20使手柄17沿手柄17長度方向的平行方向平行移動。
搬送裝置8被用于經(jīng)由閘閥5從負(fù)載固定室3向接合室2搬送上側(cè)卡盤11或下側(cè)卡盤12，或者，經(jīng)由閘閥5從接合室2向負(fù)載固定室3搬送上側(cè)卡盤11或下側(cè)卡盤12。接合室2具備有真空泵31、離子槍32和電子槍33。接合室2在形成容器的壁 34局部形成有排氣口 35。真空泵31設(shè)置于接合室2外部，經(jīng)由排氣孔35把接合室2內(nèi)部的空氣排出。以渦輪分子泵做為該真空泵的示例，該渦輪分子泵利用內(nèi)部多個(gè)金屬制的葉片把氣體分子彈飛進(jìn)行排氣。離子槍32朝向一個(gè)照射方向36設(shè)置，朝向照射方向36釋放加速帶電粒子。該帶電粒子以氬離子為示例。離子槍32可以置換成其它的表面活性化裝置，該其它的活性裝置使作為接合對象的晶片的表面活性化。該表面活性化裝置以等離子槍、高速原子束源等為示例。電子槍33被設(shè)置為朝向由離子槍32進(jìn)行的帶電粒子照射的對象，朝向該對象釋放加速電子。壁34的一部分被設(shè)置成門37。門37具有樞軸38。樞軸38支承門37，并使門37 可以相對于壁34旋轉(zhuǎn)。壁34的另一部分還形成有窗39。窗39由氣體不通過而可視光透過的材料構(gòu)成。窗39設(shè)置于壁34上的任意地方都是可以的，只要能讓使用者從接合室2 的外部可以觀察到由離子槍32進(jìn)行的帶電粒子照射的對象或者接合狀態(tài)就可以了。

如圖2所表示，接合室2的內(nèi)部還具備有上側(cè)臺階41和下側(cè)臺階42。下側(cè)臺階 42設(shè)置于接合室2的下部。上側(cè)臺階41設(shè)置于接合室2的上部，并且具備有試料臺43-1 和壓接機(jī)構(gòu)43-2。上側(cè)臺階41支承試料臺43-1，使其可以在相對于接合室2的垂直方向上平行移動。試料臺43-1的下端具備有電介層，在該電介層與晶片之間施加電壓，利用靜電力將晶片吸附在電介層上。通過使用者的操作，壓接機(jī)構(gòu)43-2使試料臺43-1在相對于接合室2的垂直方向上平行移動。當(dāng)支承于上側(cè)臺階41的基板和支承于下側(cè)臺階42的基板分開時(shí)，離子槍32朝向支承于上側(cè)臺階41的基板與支承于下側(cè)臺階42的基板之間的空間。即離子槍32的照射方向36穿過支承于上側(cè)臺階41的基板與支承于下側(cè)臺階42的基板之間，交差于接合室2 的內(nèi)側(cè)表面。如圖3所表示，下側(cè)臺階42具有臺階承載器45。臺階承載器45大致為圓盤狀。 臺階承載器45被設(shè)置為平行于該圓盤的軸的垂直方向，該圓盤的上側(cè)面形成有平坦的支承面46。臺階承載器45的支承面46上形成有多個(gè)校準(zhǔn)用孔47。臺階承載器45的支承面 46的外周部還形成有多個(gè)定位銷48-1 48-2。多個(gè)定位銷48_1 48_2分別形成為圓形的頭細(xì)的突起。下側(cè)臺階42還包括未圖示的2個(gè)攝影裝置和定位機(jī)構(gòu)。該攝影裝置設(shè)置于臺階承載器45的正下方。通過使用者的操作，該攝影裝置經(jīng)由臺階承載器45的多個(gè)校準(zhǔn)用孔 47，對支承于下側(cè)臺階42的基板的圖像攝影。通過使用者的操作，該定位機(jī)構(gòu)使臺階承載器45沿水平方向的平行方向進(jìn)行平行移動，使臺階承載器45以與垂直方向平行的旋轉(zhuǎn)軸為中心旋轉(zhuǎn)移動。圖4表示搬送裝置8的手柄17。手柄17在與第3關(guān)節(jié)20接合端相對的一端，形成有爪21-1和21-2。爪21-1、21-2分別形成為板狀。爪21_1、21_2被設(shè)置于一個(gè)水平面上。爪21-1具有直線狀的邊緣25-1。爪21-2具有直線狀的邊緣25-2。爪21_1、21_2的邊緣25-1和邊緣25-2相對，并且邊緣25-1、邊緣25_2平行設(shè)置。爪21_1的邊緣25_1的一部分形成有切口 49-1，爪21-2的邊緣25-2的一部分形成有切口 49_2。切口 49_2被形成為與切口 49-1相對。圖5表示上側(cè)卡盤11。上側(cè)卡盤11由鋁或不銹鋼構(gòu)成，大致為圓盤狀，用于承載上側(cè)晶片。上側(cè)卡盤11包括多個(gè)定位孔53-1 53-2和多個(gè)校準(zhǔn)用孔54。多個(gè)定位孔 53-1 53-2設(shè)置為圓形，位于該圓盤的外周的附近。多個(gè)定位孔53-1 53_2的徑分別與臺階承載器45的定位銷48-1 48-2的徑大致相等。多個(gè)定位孔53_1 53_2被形成為，定位孔53-1與定位孔53-2之間的距離與定位銷48-1與定位銷48_2之間的距離一致。 艮口，在上側(cè)卡盤11位于臺階承載器45上時(shí)，多個(gè)定位孔53-1 53-2被設(shè)置為嵌入多個(gè)定位銷48-1 48-2中。即，在以使多個(gè)定位銷48-1 48_2嵌入多個(gè)定位孔53_1 53_2 中的方式上側(cè)卡盤11設(shè)置于臺階承載器45上時(shí)，上側(cè)卡盤11承載于臺階承載器45上的固定位置。多個(gè)校準(zhǔn)用孔54被形成為貫通孔。多個(gè)校準(zhǔn)用孔54被形成為，當(dāng)上側(cè)卡盤11位于臺階承載器45上時(shí)，與臺階承載器45的多個(gè)校準(zhǔn)用孔47分別連接。另外，多個(gè)校準(zhǔn)用孔54被形成為，當(dāng)上側(cè)晶片承載于上側(cè)卡盤11上時(shí)，與形成于該上側(cè)晶片上的校準(zhǔn)標(biāo)記一致。下側(cè)臺階42的兩個(gè)攝影裝置被設(shè)置為，當(dāng)上側(cè)卡盤11位于臺階承載器45上時(shí)，可以經(jīng)由多個(gè)校準(zhǔn)用孔54，對該校準(zhǔn)標(biāo)記攝影。另外，上側(cè)卡盤11的其圓盤的上側(cè)面上設(shè)置有多個(gè)島部分51-1 51-4和多個(gè)晶片定位銷52-1 52-3。多個(gè)島部分51-1 51-4被形成為從該圓盤的上側(cè)面突出的突起，沿承載于上側(cè)卡盤11的上側(cè)晶片的外周而形成，上端形成為沿著一個(gè)平面。多個(gè)晶片定位銷52-1 52-3被形成為從該圓盤的上側(cè)面突出的突起，沿承載于上側(cè)卡盤11的上側(cè)晶片的外周而形成。特別是晶片定位銷52-2 52-3被形成為沿承載于上側(cè)卡盤11的上側(cè)晶片的定向平面。這時(shí)，當(dāng)上側(cè)晶片承載于上側(cè)卡盤11上時(shí)，上側(cè)晶片以定向平面與晶片定位銷52-2 52-3相接的方式，并且以上側(cè)晶片的外周與晶片定位銷52-1相接的方式承載于上側(cè)卡盤11的固定位置。另外，當(dāng)上側(cè)晶片承載于上側(cè)卡盤11的固定位置時(shí)，上側(cè)卡盤11與上側(cè)晶片50-1之間夾著的空間形成有與外部相通的流路，從而形成有多個(gè)島部分51-1 51-4。即，多個(gè)島部分被形成為51-1 51-4相互之間不連接。另外，多個(gè)晶片定位銷52-1 52-3被形成為高于多個(gè)島部分51_1 51_4，并且被形成為低于多個(gè)島部分51-1 51-4的高度和該上側(cè)晶片的厚度的和。即，如圖6所表示，多個(gè)島部分51-1 51-4被形成為，當(dāng)上側(cè)晶片50-1承載于上側(cè)卡盤11上時(shí)，與上側(cè)晶片50-1的相對于上側(cè)卡盤11的面的外周接觸。多個(gè)晶片定位銷52-1 52-3被形成為， 當(dāng)上側(cè)晶片50-1承載于上側(cè)卡盤11上時(shí)，與上側(cè)晶片50-1的側(cè)面接觸。多個(gè)晶片定位銷 52-1 52-3被形成為，當(dāng)上側(cè)晶片50-1承載于上側(cè)卡盤11上時(shí)，不從上側(cè)晶片50_1的相對于上側(cè)卡盤11的面的背面突出。如圖7所表示，上側(cè)卡盤11由法蘭盤部分56和本體部分57構(gòu)成。本體部分57 被形成為圓柱體狀。該圓柱的直徑小于手柄17的邊緣25-1和邊緣25-2的間隔。法蘭盤部分56被形成為從本體部分57的圓柱的側(cè)面伸出，并且形成為圓盤狀。該圓盤的直徑大于手柄17的邊緣25-1和邊緣25-2的間隔。即，通過法蘭盤部分56放置于爪21_1 21_2 上，上側(cè)卡盤11被搬送裝置8把持。如圖8所表示，上側(cè)卡盤11還形成有定位銷59。定位銷59被形成為從法蘭盤部分56的朝向下側(cè)的面突出的突起。定位銷59的徑大致等于切口 49-1 49-2的直徑。定位銷59被形成為二個(gè)，位于沿法蘭盤部分56的圓盤中心相互對稱的二部分。S卩，定位銷59 被形成為，當(dāng)上側(cè)卡盤11被搬送裝置8把持時(shí)，分別嵌入爪21-1 21-2的切口 49-1 49-2中。這時(shí)，當(dāng)爪21-1 21-2的切口 49_1 49_2中分別嵌入定位銷59而上側(cè)卡盤 11被搬送裝置8把持時(shí)，上側(cè)卡盤被把持在手柄17的固定位置。圖9表示下側(cè)卡盤12。下側(cè)卡盤12由鋁形成，大致形成為圓盤狀，用于承載下側(cè)晶片。下側(cè)卡盤12形成有多個(gè)定位孔63-1 63-2和多個(gè)校準(zhǔn)用孔64。多個(gè)定位孔63_1 63-2形成為圓形，并且形成于該圓盤的外周的附近。多個(gè)定位孔63-1 63-2的直徑分別與臺階承載器45的定位銷48-1 48-2的直徑大致相等。另外，多個(gè)定位孔63_1 63_2 被形成為，定位孔63-1與定位孔63-2之間的距離等于定位銷48-1與定位銷48_2之間的距離。即，多個(gè)定位孔63-1 63-2被設(shè)置為，當(dāng)下側(cè)卡盤12放置于臺階承載器45上時(shí)，嵌入多個(gè)定位銷48-1 48-2。即，當(dāng)以多個(gè)定位孔63-1 63_2中嵌入多個(gè)定位銷48_1 48-2的方式將下側(cè)卡盤12放置于臺階承載器45上時(shí)，下側(cè)卡盤12放置于臺階承載器45 的固定位置。
多個(gè)校準(zhǔn)用孔64被形成為貫通孔。多個(gè)校準(zhǔn)用孔64被形成為，當(dāng)下側(cè)卡盤12放置于臺階承載器45上時(shí)，與臺階承載器45的多個(gè)校準(zhǔn)用孔47分別接觸。另外，多個(gè)校準(zhǔn)用孔64被形成為，當(dāng)下側(cè)晶片承載于下側(cè)卡盤12時(shí)，與形成于下側(cè)晶片的校準(zhǔn)標(biāo)記一致。 下側(cè)臺階42的兩個(gè)攝影裝置被設(shè)置為，當(dāng)下側(cè)卡盤12放置于臺階承載器45上時(shí)，經(jīng)由多個(gè)校準(zhǔn)用孔64，能夠?qū)υ撔?zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行攝影。另外，下側(cè)卡盤12還在其圓盤的上側(cè)面形成有島部分61和多個(gè)晶片定位銷 62-1 62-3。島部分61被形成為從該圓盤的上側(cè)面突出的突起，并且形成為與承載于下側(cè)卡盤12上的下側(cè)晶片的形狀大致相同，上端形成為沿著一個(gè)平面。島部分61的上端形成有槽65。槽65的上端被形成為格子狀。另外，槽65被設(shè)置為與島部分61的側(cè)面相連接。多個(gè)晶片定位銷62-1 62-3被形成為從該圓盤上側(cè)面突出的突起，并且形成為位于承載于下側(cè)卡盤12的下側(cè)晶片的外周。特別是，晶片定位銷62-2 62-3沿承載于下側(cè)卡盤12的下側(cè)晶片的定向平面而形成。這時(shí)，定向平面與晶片定位銷62-2 62-3相接， 并且下側(cè)晶片的外周與晶片定位銷62-1相接，當(dāng)下側(cè)晶片承載于下側(cè)卡盤12上時(shí)，下側(cè)晶片載于下側(cè)卡盤12的固定位置。另外，多個(gè)晶片定位銷62-1 62-3被形成為高于島部分61，并且被形成為低于島部分61的高度和該下側(cè)晶片的厚度的和。即，島部分61被形成為，當(dāng)下側(cè)晶片承載于下側(cè)卡盤12上時(shí)，與該下側(cè)晶片的相對于下側(cè)卡盤12的面的大部分接觸。多個(gè)晶片定位銷 62-1 62-3被形成為，當(dāng)下側(cè)晶片承載于下側(cè)卡盤12上時(shí)，與該下側(cè)晶片的側(cè)面接觸。當(dāng)下側(cè)晶片承載于下側(cè)卡盤12上時(shí)，多個(gè)晶片定位銷62-1 62-3不從該下側(cè)晶片的相對于下側(cè)卡盤12的面的背面突出。如圖10所表示，下側(cè)卡盤12被形成為由法蘭盤部分66和本體部分67構(gòu)成。本體部分67被形成為圓柱體狀。該圓柱的直徑小于邊緣25-1和邊緣25-2的間隔。法蘭盤部分66被形成為從本體部分67的圓柱側(cè)面伸出，并且被形成為圓盤狀。該圓盤的直徑大于邊緣25-1和邊緣25-2的間隔。即通過法蘭盤部分66放置于爪21_1 21_2，下側(cè)卡盤 12被搬送裝置8把持。
另外，下側(cè)卡盤12與上側(cè)卡盤11相同，形成有該定位銷。該定位銷被形成為從法蘭盤部分66的朝向下側(cè)的面突出的突起。該定位銷的直徑大致等于切口 49-1 49-2的直徑。該定位銷被形成為二個(gè)，位于相對于法蘭盤部分66的圓盤中心相互對稱的二部分。 艮口，該定位銷被形成為，當(dāng)下側(cè)卡盤12被搬送裝置8把持時(shí)，分別嵌入爪21-1 21-2的切口 49-1 49-2中。這時(shí)，當(dāng)以爪21-1 21_2的切口 49_1 49_2中分別嵌入該定位銷的方式下側(cè)卡盤12被搬送裝置8把持時(shí)，下側(cè)卡盤12被把持在手柄17的固定位置。

與臺階承載器45 —樣，上側(cè)卡盤臺6與下側(cè)卡盤臺7形成有多個(gè)定位銷，該多個(gè)定位銷與多個(gè)定位銷48-1 48-2相同。即，當(dāng)以多個(gè)定位孔53-1 53_2內(nèi)嵌入上側(cè)卡盤臺6的多個(gè)定位銷的方式將上側(cè)卡盤11放置于上側(cè)卡盤臺6上時(shí)，上側(cè)卡盤11承載于上側(cè)卡盤臺6的固定位置。當(dāng)以多個(gè)定位孔63-1 63-2內(nèi)嵌入下側(cè)卡盤臺7的多個(gè)定位銷的方式將下側(cè)卡盤12放置于下側(cè)卡盤臺7上時(shí)，下側(cè)卡盤12承載于下側(cè)卡盤臺7的固定位置。本發(fā)明的常溫接合方法的實(shí)施形態(tài)利用常溫接合裝置1進(jìn)行實(shí)施。作業(yè)者首先關(guān)閉閘閥5，利用真空泵31使接合室2的內(nèi)部形成真空環(huán)境，負(fù)載固定室3的內(nèi)部變成大氣壓環(huán)境。作業(yè)者打開負(fù)載固定室3的蓋子，把上側(cè)卡盤11設(shè)置于上側(cè)卡盤臺6上，把下側(cè)卡盤12設(shè)置于下側(cè)卡盤臺7上。作業(yè)者以把定向平面與晶片定位銷52-2 52-3相接的方式，并且以上側(cè)晶片的外周與晶片定位銷52-1相接的方式把上側(cè)晶片放置于上側(cè)卡盤11 上。作業(yè)者以把定向平面與晶片定位銷62-2 62-3相接的方式，并且以下側(cè)晶片50-2的外周與晶片定位銷62-1相接的方式把下側(cè)晶片50-2放置于下側(cè)卡盤12上。接著，作業(yè)者關(guān)閉負(fù)載固定室3的蓋子，使負(fù)載固定室3內(nèi)部變成真空狀態(tài)。如圖11所表示，上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2的示例的晶片70有時(shí)發(fā)生變形。 當(dāng)晶片70放置于卡盤71上時(shí)，該卡盤71是上側(cè)卡盤11與下側(cè)卡盤12的示例，晶片70與卡盤71之間形成空間72?？臻g72中所填充的空氣托起晶片70，晶片70在卡盤71的上方移動。S卩，由上側(cè)卡盤11與上側(cè)切片50-1所夾著的空間中填充的氣體是通過多個(gè)島部分51-1 51-4的間隙向外部排氣。這樣的排氣可以防止上側(cè)卡盤11與上側(cè)切片50-1所夾著的氣體托起上側(cè)晶片50-1，并且防止上側(cè)晶片50-1在卡盤17的上方移動。另外，由下側(cè)卡盤12與下側(cè)晶片50-2所夾著的空間中填充的氣體通過槽65向外部排氣。這樣的排氣防止下側(cè)卡盤12與下側(cè)晶片50-2所夾著的氣體托起下側(cè)晶片50-2，并且防止下側(cè)晶片 50-2在下側(cè)卡盤12的上方移動。負(fù)載固定室3內(nèi)部形成真空環(huán)境后，作業(yè)者開放閘閥5。作業(yè)者首先把上側(cè)晶片 50-1保持在試料臺43-1上。圖12表示上側(cè)晶片50-1保持在試料臺43_1的動作。如圖 12(a)所表示，作業(yè)者首先使用搬送裝置8把承載有上側(cè)晶片50-1的上側(cè)卡盤11從上側(cè)卡盤臺6搬送到臺階承載器45上。如圖12(b)所表示，作業(yè)者使搬送裝置8的手柄17下降。這時(shí)，上側(cè)卡盤11的多個(gè)定位孔53-1 53-32與臺階承載器45的多個(gè)定位銷48_1 48-2分別嵌入，把上側(cè)卡盤11保持在臺階承載器45上。如圖12(c)所表示，作業(yè)者使搬送裝置8的手柄17避讓到負(fù)載固定室3的內(nèi)部。 接著，作業(yè)者使試料臺43-1沿垂直向下方向下降，試料臺43-1的電介層與上側(cè)晶片50-1 接觸，把上側(cè)晶片50-1保持在試料臺43-1上。這時(shí)，因?yàn)樯蟼?cè)卡盤11的多個(gè)晶片定位銷52-1 52-3形成為不從上側(cè)晶片50-1突出，上側(cè)卡盤11的多個(gè)晶片定位銷52_1 52_3 不與試料臺43-1接觸。因此，常溫接合裝置1能夠使上側(cè)晶片50-1與試料臺43-1更可靠地接觸，也能夠使上側(cè)晶片50-1更可靠地保持在試料臺43-1上。如圖12(d)所表示，作業(yè)者使試料臺43-1沿垂直向上方向上升，上側(cè)晶片50-1從上側(cè)卡盤11離開。上側(cè)晶片50-1 從上側(cè)卡盤11離開后，作業(yè)者利用搬送裝置8把沒有承載上側(cè)晶片50-1的上側(cè)卡盤11從臺階承載器45向上側(cè)卡盤臺6搬送。 上側(cè)晶片50-1保持在試料臺43-1上后，作業(yè)者使下側(cè)晶片50_2保持在臺階承載器45之上。圖13表示下側(cè)晶片50-2保持在臺階承載器45上的動作。如圖13(a)所表示， 作業(yè)者首先使用搬送裝置8把承載有下側(cè)晶片50-2的下側(cè)卡盤12從下側(cè)卡盤臺7搬送到臺階承載器45上。如圖13(b)所表示，作業(yè)者使搬送裝置8的手柄17下降。這時(shí)，下側(cè)卡盤12的多個(gè)定位孔63-1 63-32與臺階承載器45的多個(gè)定位銷48_1 48_2分別嵌入， 把下側(cè)卡盤12保持在臺階承載器45上。如圖13(c)所表示，作業(yè)者使搬送裝置8的手柄 17退避到負(fù)載固定室3的內(nèi)部。作業(yè)者關(guān)閉閘閥5，使保持在試料臺43-1上的上側(cè)晶片50-1與保持在臺階承載器 45上的下側(cè)晶片50-2常溫接合。即，保持在試料臺43-1上的上側(cè)晶片50_1與保持在臺階承載器45上的下側(cè)晶片50-2保持為離開狀態(tài)，作業(yè)者使離子槍32向上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2之間釋放粒子。該粒子照射上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2，除去形成于該表面的氧化物，除去附著在該表面上的雜質(zhì)。作業(yè)者操作壓接機(jī)構(gòu)43-2，使試料臺43-1沿鉛直向下方向下降，使上側(cè)晶片50-1向下側(cè)晶片50-2接近。作業(yè)者操作臺階承載器45的定位機(jī)構(gòu)，使上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2按設(shè)計(jì)接合，移動到保持在臺階承載器45上的下側(cè)晶片50-2的位置上。作業(yè)者操作試料臺43-1的壓接機(jī)構(gòu)43-2，使試料臺43_1沿鉛直向下方向下降，使上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2接觸。上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2通過該接觸接合，生成一塊接合基板。這時(shí)，因?yàn)橄聜?cè)卡盤12的多個(gè)晶片定位銷62-1 62-3 形成為不從下側(cè)晶片50-2突出，所以下側(cè)卡盤12的多個(gè)晶片定位銷62-1 62-3不與試料臺43-1或上側(cè)晶片50-1接觸。因此，常溫接合裝置1能夠使下側(cè)晶片50-2與上側(cè)晶片 50-1更加可靠的接觸，也能夠使上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2更加可靠的接合。另外，這時(shí)，下側(cè)卡盤12的島部分61大致與下側(cè)晶片50-2全部接觸。因此，防止接合時(shí)由施加的壓力使下側(cè)晶片50-2破損，常溫接合裝置1能夠向上側(cè)晶片50-1和下側(cè)晶片50-2施加更大的壓力。該接合基板從試料臺43-1脫離后，作業(yè)者使試料臺43-1沿鉛直向上方向上升。接著，作業(yè)者開放間閥5，使用搬送裝置8把承載有該接合基板的下側(cè)卡盤12從臺階承載器 45向下側(cè)卡盤臺7搬送。作業(yè)者關(guān)閉閘閥5，使負(fù)載固定室3的內(nèi)部變?yōu)榇髿鈮涵h(huán)境。作業(yè)者打開負(fù)載固定室3的蓋子，從設(shè)置于下側(cè)卡盤臺7的下側(cè)卡盤12取出接合基板。利用這樣的常溫接合方法，上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2不接觸搬送裝置8，防止接合面的污染，可以進(jìn)行更可靠的常溫接合。因此，更加提高常溫接合裝置1的信賴性。用于常溫接合的臺階與搬送裝置之間進(jìn)行晶片的傳遞，一般使用設(shè)置于接合室內(nèi)的上升銷。使用這樣的常溫接合方法，常溫接合裝置1不用必須設(shè)置該上升銷，可以降低制造成本，減少維修。驅(qū)動該物體的驅(qū)動系統(tǒng)一般是釋放氣體，設(shè)置于室內(nèi)時(shí)，污染該室內(nèi)的環(huán)境。因此，常溫接合裝置1不設(shè)置驅(qū)動該上升銷的驅(qū)動系統(tǒng)，所以可以減少釋放的氣體，防止污染接合晶片的環(huán)境。結(jié)果是，常溫接合裝置1可以防止污染上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2的接合面，進(jìn)行更可靠的常溫接合，更加提高了信賴性。晶 片為大口徑化和極薄化。這時(shí)，當(dāng)晶片直接保持在搬送裝置8上時(shí)，可能出現(xiàn)變形、脫落和破損。使用這樣的常溫接合方法，下側(cè)晶片50-2的一側(cè)的面幾乎全部與下側(cè)卡盤12接觸，保持在下側(cè)卡盤12上進(jìn)行搬送，可以減少變形、脫落和破損可能性。結(jié)果是，常溫接合裝置1能夠進(jìn)行更可靠的常溫接合，更加提高信賴性。另外，上側(cè)晶片50-1也可以置換成形成為與圓盤狀不同的異形晶片。這時(shí)，上側(cè)卡盤11與上側(cè)晶片50-1 —樣，通過減壓時(shí)不移動該異形晶片，上側(cè)卡盤11可以承載該異形晶片。因此，常溫接合裝置1可以防止該異形晶片接合面的污染，使該異形晶片進(jìn)行更可靠的常溫接合。下側(cè)卡盤12也可以根據(jù)每個(gè)該異形晶片進(jìn)行制作。另外，下側(cè)晶片50-2也可以置換成形成為與圓盤狀不同的異形晶片。這時(shí)，下側(cè)卡盤12與下側(cè)晶片50-2 —樣，通過減壓時(shí)不移動該異形晶片，下側(cè)卡盤12可以承載該異形晶片。結(jié)果是，常溫接合裝置1可以防止該異形晶片接合面的污染，使該異形晶片進(jìn)行更可靠的常溫接合。下側(cè)卡盤12也可以根據(jù)每個(gè)該異形晶片進(jìn)行制作。這時(shí)，常溫接合裝置 1不必要根據(jù)每個(gè)該異形晶片制作臺階承載器45，能夠更加便宜地制作。另外，形成于下側(cè)卡盤12的槽65也可以是不同于格子狀的其它形狀。以放射狀作為該形狀的示例。為了提高下側(cè)卡盤12與下側(cè)晶片50-2所夾著氣體的排氣的效率，優(yōu)選的是多個(gè)槽65，并且優(yōu)選的是寬的槽65。另外，當(dāng)上側(cè)晶片50-1與下側(cè)晶片50-2接合時(shí)，因?yàn)橄聜?cè)晶片50-2產(chǎn)生變形，優(yōu)選的是窄的槽65，并且優(yōu)選的是數(shù)量少的槽65。因此， 根據(jù)下側(cè)晶片50-2的屬性，優(yōu)選適宜的設(shè)計(jì)槽65的形狀。
權(quán)利要求
1.一種常溫接合裝置，其特征在于，包括 負(fù)載固定室，內(nèi)部環(huán)境被減壓；卡盤，設(shè)置于所述負(fù)載固定室內(nèi)部；所述卡盤在所述基板承載于所述卡盤上時(shí)，形成與所述基板接觸的島部分； 所述島部分設(shè)置有流路，在所述基板承載于所述卡盤上時(shí)，該流路使所述卡盤與所述基板夾著的空間與外部連接。
2.如權(quán)利要求1所述的常溫接合裝置，其特征在于，還包括接合室；閘閥，開關(guān)所述負(fù)載固定室與所述接合室的閥門； 搬送裝置，當(dāng)所述閥門開放時(shí)從所述負(fù)載固定室向所述接合室搬送所述卡盤； 所述接合室在所述基板設(shè)置于所述接合室內(nèi)部時(shí)，所述基板與其它基板接合。
3.如權(quán)利要求2所述的常溫接合裝置，其特征在于， 所述卡盤形成法蘭盤；所述搬送裝置通過與所述法蘭盤中向下的支承面接觸，保持所述卡盤。
4.如權(quán)利要求3所述的常溫接合裝置，其特征在于， 所述卡盤在所述法蘭盤上形成有手柄定位部；所述搬送裝置形成有其它手柄定位部，該其它手柄定位部在搬送所述卡盤時(shí)與所述手柄定位部嵌合。
5.如權(quán)利要求4所述的常溫接合裝置，其特征在于， 所述手柄定位部是銷；所述其它的手柄定位部是切口。
6.如權(quán)利要求2 5的任意一項(xiàng)所述的常溫接合裝置，其特征在于， 所述接合室具備保持所述卡盤的下側(cè)臺階，所述卡盤形成有臺階定位部，所述下側(cè)臺階形成有其它臺階定位部，該其它臺階定位部在所述下側(cè)臺階保持所述卡盤時(shí)，與所述臺階定位部嵌合。
7.如權(quán)利要求6所述的常溫接合裝置，其特征在于， 所述臺階定位部是孔，所述其它臺階定位部是嵌入所述孔中的突起。
8.如權(quán)利要求6或權(quán)利要求7的任意一項(xiàng)所述的常溫接合裝置，其特征在于，還包括 攝影裝置和校準(zhǔn)裝置，在所述卡盤上形成有校準(zhǔn)用孔，所述攝影裝置，在所述基板承載于所述卡盤的情況下，在所述下側(cè)臺階保持所述卡盤時(shí)，經(jīng)由所述校準(zhǔn)用孔對所述基板的圖像攝影；所述校準(zhǔn)裝置以所述圖像為基準(zhǔn)驅(qū)動所述下側(cè)臺階。
9.如權(quán)利要求8所述的常溫接合裝置，其特征在于，所述島部分形成有與所述基板的一側(cè)的面大致全部接觸的接觸面， 所述接觸面上形成有作為所述流路的槽。
10.如權(quán)利要求1 9的任意一項(xiàng)所述的常溫接合裝置，其特征在于，所述卡盤設(shè)置有多個(gè)基板定位銷；所述多個(gè)基板定位銷被設(shè)置為，在所述基板承載于所述卡盤上時(shí)，所述基板的邊緣與所述多個(gè)基板定位銷的全部接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的常溫接合裝置，其特征在于，所述多個(gè)基板定位銷被設(shè)置為以下形態(tài)在所述基板承載于所述卡盤上時(shí)，所述多個(gè)基板定位銷的前端設(shè)置于，所述基板表面中的與所述卡盤接觸的面與所述面的背面之間。
12.如權(quán)利要求1 7的任意一項(xiàng)所述的常溫接合裝置，其特征在于，所述島部分不與所述基板的一側(cè)的面的中央部分接觸，而與所述基板的一側(cè)的面的外周部分接觸。
13.—種常溫接合方法，其特征在于，包括以下步驟減壓步驟，對設(shè)置有承載了基板的卡盤的負(fù)載固定室的內(nèi)部進(jìn)行減壓；搬送步驟，所述負(fù)載固定室的內(nèi)部減壓后，從所述負(fù)載固定室的內(nèi)部向接合室搬送所述卡盤；在所述基板承載于所述卡盤上時(shí)，所述卡盤形成有與所述基板接觸的島部分；所述島部分形成有流路，在所述基板承載于所述卡盤上時(shí)，該流路使所述卡盤與所述基板夾著的空間與外部連接。
14.如權(quán)利要求13所述的常溫接合方法，其特征在于，所述接合室具備上側(cè)臺階和下側(cè)臺階；所述基板具備上側(cè)基板和下側(cè)基板；所述卡盤具備上側(cè)卡盤和下側(cè)卡盤，常溫接合方法還具備以下步驟保持步驟，在所述上側(cè)基板承載于所述上側(cè)卡盤上的情況下，并且在所述下側(cè)臺階保持所述上側(cè)卡盤時(shí)，通過所述上側(cè)臺階與所述下側(cè)臺階的接近，將所述上側(cè)基板保持在所述上側(cè)臺階上；接合步驟，所述上側(cè)基板保持在所述上側(cè)臺階上后，在所述下側(cè)基板承載于所述下側(cè)卡盤的情況下，并且，在所述下側(cè)臺階保持所述下側(cè)卡盤時(shí)，通過所述上側(cè)臺階與所述下側(cè)臺階的接近，將所述上側(cè)基板與所述下側(cè)基板接合。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種常溫接合裝置，該常溫接合裝置包括負(fù)載固定室，內(nèi)部氣壓被減壓；卡盤，設(shè)置于該負(fù)載固定室內(nèi)部。這時(shí)，該卡盤在該基板承載于該卡盤上時(shí)，形成與該基板接觸的島部分。該島部分形成有流路，該流路在該基板承載于該卡盤上時(shí)，使該卡盤與該基板夾著的空間與外部連接。在該負(fù)載固定室內(nèi)部的氣壓減壓時(shí)，該卡盤和該基板夾著的空間內(nèi)填充的氣體通過該流路向外部排氣。因此，這樣的常溫接合裝置，在該氣壓減壓時(shí)，該氣體可以防止該基板相對于該卡盤移動。
文檔編號H01L21/677GK102246266SQ200980149748
公開日2011年11月16日 申請日期2009年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月11日
發(fā)明者井手健介, 內(nèi)海淳, 后藤崇之, 木內(nèi)雅人, 津野武志, 田原諭, 鈴木毅典 申請人:三菱重工業(yè)株式會社