專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，更具體地，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā) 光顯示設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器中，有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有亮度高和驅(qū)動(dòng)電壓低的特性。此外，由 于是自發(fā)光的，因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有出色的對(duì)比度和超薄的厚度。有機(jī)電致發(fā)光 顯示器的響應(yīng)時(shí)間是幾微秒，并且在顯示運(yùn)動(dòng)圖像方面具有優(yōu)勢(shì)。所述有機(jī)電致發(fā)光顯示 器的視角很寬，并且在低溫下也很穩(wěn)定。由于有機(jī)電致發(fā)光顯示器是用5V-15V的低直流 (DC)電壓驅(qū)動(dòng)的，因此，驅(qū)動(dòng)電路易于設(shè)計(jì)和制造。由于所需要的只是沉積和封裝步驟，因 此，有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造工藝非常簡(jiǎn)單。有機(jī)電致發(fā)光顯示器分成無(wú)源矩陣型和有源矩陣型。在無(wú)源矩陣型中，掃描線和 信號(hào)線相互交叉形成二極管，信號(hào)線則被按順序掃描，以便驅(qū)動(dòng)像素。為了得到所需要的平 均亮度，即時(shí)亮度必須是平均亮度與線數(shù)目的乘積。另一方面，在有源矩陣型中，在每個(gè)子像素中都形成作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管。 與薄膜晶體管相連的第一電極被逐子像素地導(dǎo)通/截止，面對(duì)第一電極的第二電極則充當(dāng) 公共電極。另外，施加到子像素的電壓保存在存儲(chǔ)電容器中，并且在施加下一個(gè)幀的信號(hào)之 前會(huì)一直保持該電壓。相應(yīng)地，無(wú)論掃描線的數(shù)量是多少，子像素都會(huì)在一個(gè)幀中被連續(xù)驅(qū) 動(dòng)。即使施加的電流很低，均勻的亮度也是可以得到的。因此，有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯 示器近來(lái)已經(jīng)因?yàn)槠涔牡汀⑶逦雀咭约翱删哂写蟪叽缍粡V泛使用。圖1是示出了依照相關(guān)技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的等效電路圖。在圖1中，有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的像素包括開(kāi)關(guān)薄膜晶體管STrjg 動(dòng)薄膜晶體管DTr、存儲(chǔ)電容器StgC以及有機(jī)電致發(fā)光二極管E。更具體地，在第一方向形成柵線GL。在與第一方向交叉的第二方向形成數(shù)據(jù)線 DL。該柵線GL與數(shù)據(jù)線DL定義像素區(qū)域P。用于供應(yīng)電源電壓的電源線PL與數(shù)據(jù)線DL 是間隔的。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管STr是在柵線GL與數(shù)據(jù)線DL的交叉部分形成的。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體 管DTr與開(kāi)關(guān)薄膜晶體管STr電連接。有機(jī)電致發(fā)光二極管E包括與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr 的漏電極相連的第一電極以及接地的第二電極。電源線PL向有機(jī)電致發(fā)光二極管E提供 電源電壓。而在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的柵電極與源電極之間則形成了存儲(chǔ)電容器StgC。掃描信號(hào)通過(guò)柵線GL施加到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管STr，該開(kāi)關(guān)薄膜晶體管STr導(dǎo)通。 然后，來(lái)自數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的柵電極，并且驅(qū)動(dòng)薄膜晶體 管DTr導(dǎo)通。相應(yīng)地，有機(jī)電致發(fā)光二極管E發(fā)光。在這里，當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，來(lái)自電源線PL并在有機(jī)電致發(fā)光二極管E中流動(dòng)的電流的大小被確定。有機(jī)電 致發(fā)光二極管E根據(jù)電流的大小產(chǎn)生灰度等級(jí)。當(dāng)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管STr截止時(shí)，存儲(chǔ)電容 器StgC保持驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的柵電壓恒定。即使開(kāi)關(guān)薄膜晶體管STr處于截止?fàn)顟B(tài)， 在有機(jī)電致發(fā)光二極管E中流動(dòng)的電流的大小在下一幀之前會(huì)保持不變。依照有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)出的光的方向，有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備分為頂部發(fā)光 型和底部發(fā)光型。底部發(fā)光型的缺陷是孔徑比很低，近來(lái)廣泛使用的是頂部發(fā)光型。圖2是依照現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的平面示意圖，并且圖 3是在圖2中沿著線條III-III得到的截面圖。在圖2和圖3中，相關(guān)技術(shù)中的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括第一基底 10和第二基底70，并且這二者被設(shè)置成是彼此面對(duì)的。第一基底10和第二基底70的周邊 用密封圖案80密封。在第一基底10上的每一個(gè)像素區(qū)域P內(nèi)都形成了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管 DTr0在該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr上形成了鈍化層40，并且該鈍化層具有漏接觸孔43。在鈍 化層40上形成了第一電極47，所述第一電極通過(guò)漏接觸孔43與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的電 極(未顯示)相接觸。在第一電極47上形成了有機(jī)發(fā)光層55。該有機(jī)發(fā)光層55包括紅色、綠色和藍(lán)色 發(fā)光圖案55a、55b和55c，每一個(gè)圖案都與像素區(qū)域P相對(duì)應(yīng)。遍及第一基底10的表面在 有機(jī)發(fā)光層55上形成了第二電極58。所述第一電極47和第二電極58提供電子和空穴。第一基底10和第二基底70是通過(guò)密封圖案80附著的，并且第一基底10上的第 二電極58與第二基底70是間隔開(kāi)的。在相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1中，在像素區(qū)域P的邊界區(qū)域 中形成了緩沖圖案50。該緩沖圖案50與第一電極47的邊緣重疊。在緩沖圖案50上形成 了沿著柵線方向(未顯示)的提壩形狀的襯墊51，其中所述柵線方向即為紅色、綠色和藍(lán)色 發(fā)光圖案55a、55b和55c的連續(xù)交替排列方向。所述襯墊51支撐用于形成有機(jī)發(fā)光層55 的蔭罩(未顯示)。圖4A和4B是顯示了在制造相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的過(guò)程 中，通過(guò)使用蔭罩來(lái)形成有機(jī)發(fā)光層的步驟的平面圖。圖5A是沿著圖4A中的線條VA-VA 得到的截面圖，圖5B是沿著圖4B中的線條VB-VB得到的截面圖。圖6是沿著圖4B中的線 條VI-VI得到的截面圖。有機(jī)發(fā)光層55是在第一基底10上利用蔭罩90形成的，其中該蔭罩90包括與像 素區(qū)域P相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 OA以及與排除了像素區(qū)域P的其他區(qū)域相對(duì)應(yīng)的阻隔部分BA。首先，蔭罩90被設(shè)置在將會(huì)形成有機(jī)發(fā)光層55的基底10上方。該蔭罩90被校 準(zhǔn)，以使蔭罩90的開(kāi)口 OA與在基底10的像素區(qū)域P中的用于形成有機(jī)發(fā)光層55的區(qū)域 相對(duì)應(yīng)。這時(shí)，蔭罩90非常接近于基底10。由于蔭罩90是用金屬材料制成的，因此，在蔭 罩90的表面有可能形成突起(未顯示)，或者在蔭罩90的表面上有可能附著有顆粒。所述 突起或顆粒可以具有1微米到6微米的大小。相應(yīng)地，當(dāng)具有突起或顆粒的蔭罩90與基底10校準(zhǔn)時(shí)，所述突起或顆粒有可能接 觸第一像素區(qū)P中的第一電極47，并且有可能導(dǎo)致劃痕或凹坑之類的問(wèn)題。蔭罩90是用金屬材料制成的，并且用于制造大尺寸有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的蔭 罩90是下垂的。特別地，即使蔭罩90得到襯墊51的支撐，所述蔭罩90也會(huì)在相鄰襯墊51之間的像素區(qū)域P中下垂。襯墊51具有2. 5微米到3微米的厚度。緩沖圖案50和襯墊51 的總厚度即襯墊51的頂面與第一電極47的表面之間的距離約為6微米，而蔭罩90則會(huì)下 垂1微米到2微米。相應(yīng)地，在將蔭罩90設(shè)置于基底10上方并與基底10校準(zhǔn)時(shí)，所述顆 ?；蛲黄饘?huì)導(dǎo)致產(chǎn)生劃痕或凹坑。為了防止出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題，蔭罩90可以被調(diào)整成不接觸基底10，在這種情況下，蔭 罩90可以盡可能接近基底10，以便精確校準(zhǔn)蔭罩90和基底10。蔭罩90與基底之間的距 離可以是1微米到2微米。但在這種情況下，由于蔭罩90沒(méi)有得到任何支撐，因此，蔭罩90 的下垂要比蔭罩90在得到襯墊51支撐時(shí)更大，并且在形成有機(jī)發(fā)光層55的像素區(qū)域P中， 在第一電極47的表面上將會(huì)因?yàn)轭w?；蛲黄鸲鴮?dǎo)致產(chǎn)生劃痕或凹點(diǎn)。這些劃痕或凹點(diǎn)在 顯示圖像中會(huì)被顯示為暗點(diǎn)，由此降低顯示質(zhì)量。為了解決這個(gè)問(wèn)題，增大襯墊51的厚度的方案已被提出。但是，襯墊51有可能是 通過(guò)使用旋涂方法涂覆透明有機(jī)絕緣材料以及將其圖案化而在基底的幾乎整個(gè)表面形成 的。為了在基底的幾乎整個(gè)表面上均勻涂覆有機(jī)絕緣材料，有機(jī)絕緣材料的粘性是非常重 要的。如果通過(guò)提升有機(jī)絕緣材料的粘性來(lái)增大襯墊51的厚度，那么有機(jī)絕緣材料的噴涂 性質(zhì)將會(huì)降低，并且在基底的中心和周邊部分，所涂覆的有機(jī)絕緣材料的厚度將會(huì)存在差 異。因此，襯墊51的最大厚度約為3微米，以使襯墊51在整個(gè)基底上的厚度均勻。此外， 當(dāng)襯墊51的厚度超出3微米時(shí)，將會(huì)因?yàn)橐r墊51而出現(xiàn)陰影問(wèn)題，并且有可能導(dǎo)致出現(xiàn)步 距(st印distance)問(wèn)題或顏色不準(zhǔn)的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及的是基本排除了因?yàn)橄嚓P(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或多 個(gè)問(wèn)題的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種在形成有機(jī)發(fā)光層時(shí)防止因?yàn)槭a罩所引發(fā)的問(wèn)題 的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種改進(jìn)顯示質(zhì)量和提高生產(chǎn)率的頂部發(fā)光型有機(jī) 電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。在后續(xù)描述中將會(huì)闡述本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)，從該描述中可以清楚了解這其 中的部分特征和優(yōu)點(diǎn)，此外也可以通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明來(lái)獲知這些特征和優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的目標(biāo) 和其他優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)在書(shū)面描述、權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)或獲得的。為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體表示和概括描述的， 頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括包含像素區(qū)域的第一基底，在第一基底上的像素 區(qū)域中的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，覆蓋開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管并且 暴露了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極的鈍化層，位于鈍化層上并與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極相 連的第一電極，位于像素區(qū)域邊界中并與第一電極的邊緣重疊的緩沖圖案，在緩沖圖案上 沿著第一方向的第一襯墊，該第一襯墊具有第一厚度和提壩形狀，在緩沖圖案上沿著第二 方向的第二襯墊，該第二襯墊具有第二厚度和提壩形狀，在緩沖圖案上位于第一襯墊與第 二襯墊的交叉部分的第三襯墊，該第三襯墊具有第三厚度和圓柱形狀，其中第三厚度比第 一厚度或第二厚度厚，在第一電極上介于相鄰緩沖圖案之間的有機(jī)發(fā)光層，在有機(jī)發(fā)光層 以及第一襯墊、第二襯墊和第三襯墊上的第二電極，面對(duì)第一基底的第二基底，以及介于第一基板與第二基底的周邊之間的密封圖案。在另一個(gè)方面中，制造頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法包括在第一基 底上的像素區(qū)域中形成開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，在開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜 晶體管上方形成鈍化層，該鈍化層具有暴露驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極的漏接觸孔，在鈍化 層上形成連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極的第一電極，在像素區(qū)域邊界中形成緩沖圖案， 并且將該緩沖圖案與第一電極的邊緣相重疊，在緩沖圖案上沿著第一方向形成第一襯墊， 該第一襯墊具有第一厚度和提壩形狀，在緩沖圖案上沿著第二方向形成第二襯墊，該第二 襯墊具有第二厚度和提壩形狀，在緩沖圖案上的第一襯墊與第二襯墊的交叉部分形成第三 襯墊，該第三襯墊具有第三厚度和圓柱形狀，其中第三厚度比第一厚度或第二厚度厚，在相 鄰緩沖圖案之間的第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層，在有機(jī)發(fā)光層以及第一襯墊、第二襯墊和 第三襯墊上形成第二電極，以及在第一基底上方設(shè)置透明的第二基底，并且將第一基底和 第二基底附著在一起，以便在第一基底與第二基底之間沿著第一基底和第二基底的周邊形 成密封圖案。應(yīng)該理解的，以上的概括描述和后續(xù)的詳細(xì)描述都是例示性和說(shuō)明性的，這些描 述旨在提供關(guān)于所要保護(hù)的本發(fā)明的更進(jìn)一步的說(shuō)明。


附圖是為了進(jìn)一步理解本發(fā)明而被包含的，這些附圖將被引入并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的 一部分，其中所述附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是示出了依照相關(guān)技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的等效電路圖；圖2是依照相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的平面示意圖；圖3是沿著圖2中的線條III-III得到的截面圖；圖4A和4B是顯示了在制造相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的過(guò)程 中，通過(guò)使用蔭罩來(lái)形成有機(jī)發(fā)光層的步驟的平面圖；圖5A是沿著圖4A中的線條VA-VA得到的截面圖，并且圖5B是沿著圖4B中的線 條VB-VB得到的截面圖；圖6是沿著圖4B中的線條VI-VI得到的截面圖；圖7是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明例示實(shí)施例的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè) 備的平面圖；圖8是沿著圖7中的線條VIII-VIII得到的截面圖；圖9是沿著圖7中的線條IX-IX得到的截面圖；圖10A-10G是示出了在制造根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的 過(guò)程中的所述顯示設(shè)備基底的截面圖；以及圖IlA和IlB是示出了在根據(jù)本發(fā)明而使用蔭罩形成有機(jī)發(fā)光層的過(guò)程中的頂部 發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備基底的平面具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將對(duì)附圖中示出的本發(fā)明的圖示實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖7是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明例示實(shí)施例的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè) 備的平面圖。圖7顯示了有機(jī)電致發(fā)光二極管、緩沖圖案和襯墊。圖8是沿著圖7中的線 條VIII-VIII得到的截面圖，圖9是沿著圖8的線條IX-IX得到的截面圖。圖8和9顯示 了包含驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管的第一基底。為了便于說(shuō)明，在這里將驅(qū)動(dòng) 薄膜晶體管DTr所在的區(qū)域定義為驅(qū)動(dòng)區(qū)域，并且雖然在圖中沒(méi)有顯示，但是在這里將開(kāi) 關(guān)薄膜晶體管所在的區(qū)域定義為開(kāi)關(guān)區(qū)域。如圖所示，根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備101包括第一基底 110和第二基底(未顯示)，其中驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(未顯示)以及有機(jī) 電致發(fā)光二極管E是在第一基底110上形成的，第二基底則用于封裝。更具體地，形成了相互交叉的柵線(未顯示)和數(shù)據(jù)線(未顯示)，這些柵線和數(shù) 據(jù)線定義了像素區(qū)域P。像素區(qū)域P包括開(kāi)關(guān)區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA。所述柵線沿著第一方向 延伸，數(shù)據(jù)線則沿著第二方向延伸。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(未顯示)是在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉 部分形成的。在每一個(gè)像素區(qū)域P處都形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr，并且該晶體管與開(kāi)關(guān)薄膜 晶體管以及平行于數(shù)據(jù)線的電源線(未顯示)相連。在每一個(gè)像素區(qū)域P中都形成了第一電極147，并且該第一電極147與驅(qū)動(dòng)薄膜晶 體管DTr的漏電極136相接觸。在每一個(gè)像素區(qū)域P的邊界，也就是在相鄰像素區(qū)域P之 間形成了緩沖圖案150，該緩沖圖案與第一電極147的邊緣接觸。有機(jī)發(fā)光層155是在每一 個(gè)像素區(qū)域P中形成并被緩沖圖案150圍繞的。該有機(jī)發(fā)光層155包括紅色、綠色和藍(lán)色 發(fā)光圖案，按照順序，這些圖案被重復(fù)地設(shè)置成分別對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域P。具有提壩形狀的第一襯墊151是沿著像素區(qū)域P的寬度方向即第一方向形成的， 并且該襯墊沿著第二方向被設(shè)置在彼此相鄰的像素區(qū)域P之間。具有提壩形狀的第二襯墊 152沿著像素區(qū)域P的長(zhǎng)度方向也就是第二方向形成的，它被沿著第一方向設(shè)置在彼此相 鄰的像素區(qū)域P之間。第一襯墊151與柵線平行，第二襯墊152則與數(shù)據(jù)線平行。第一襯 墊151和第二襯墊152圍繞著每一個(gè)像素區(qū)域P。與緩沖圖案相似，第一襯墊151和第二襯 墊152在顯示區(qū)域中具有點(diǎn)陣形狀。所述第一襯墊151具有第一厚度，第二襯墊152則具 有第二厚度。第一厚度可以與第二厚度相同。此外，在第一襯墊151和第二襯墊152的交 叉部分形成了圓柱形狀的第三襯墊153。該第三襯墊153具有比第一和第二厚度厚的第三 厚度。第三厚度可以相當(dāng)于第一襯墊151和第二襯墊152的第一和第二厚度的總和，并且 可以是第一或第二厚度的兩倍。這樣一來(lái)，在本發(fā)明中，在相鄰像素區(qū)域P之間形成了分別具有第一和第二厚度 的第一襯墊151和第二襯墊152，而具有第三厚度的第三襯墊153則是在第一襯墊151和 第二襯墊152的交叉部分形成的。相應(yīng)地，在校準(zhǔn)用于形成有機(jī)發(fā)光層155的蔭罩(未顯 示)時(shí)，諸如因?yàn)轭w?；蛲黄鹚鶎?dǎo)致的劃痕或凹點(diǎn)之類的缺陷將被阻止或是最小化。在這里，第一厚度和第二厚度可以在2. 5微米到3微米的范圍以內(nèi)。因?yàn)樵龃筇?壩形狀的第一襯墊151和第二襯墊152的第一和第二厚度而可能出現(xiàn)的陰影問(wèn)題是不存在 的。此外，第三襯墊153具有比第一和第二厚度更厚的第三厚度，并且具有圓柱形狀。該第 三厚度可以在5微米到6微米的范圍以內(nèi)。相應(yīng)地，蔭罩可以由第三襯墊153支撐，并且第 一電極147與蔭罩之間的距離可以在7. 5微米到9微米的范圍以內(nèi)。即使蔭罩下垂1微米 到2微米，也至少可以保持一個(gè)在5. 5微米到8微米的范圍以內(nèi)的距離。由此可以阻止大小為5. 5微米到8微米的顆?；蛲黄鹚鶎?dǎo)致的劃痕或凹點(diǎn)之類的缺陷。參考圖8，在用透明絕緣材料制成的第一基底110上形成了與驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA和開(kāi)關(guān) 區(qū)域相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體層113。該半導(dǎo)體層113包括本征多晶硅的第一部分113a以及由高 度雜質(zhì)摻雜的多晶硅制成的第二部分113b。第二部分113b設(shè)置在第一部分113a的兩邊。 第一部分113a充當(dāng)薄膜晶體管的溝道。在第一基底110與半導(dǎo)體層113之間可以進(jìn)一步 形成緩沖層(未顯示)。該緩沖層可以用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)之類的無(wú)機(jī)絕 緣材料制成。在結(jié)晶半導(dǎo)體層113時(shí)，該緩沖層可以防止半導(dǎo)體層113因?yàn)閬?lái)自第一基底 110的堿離子而變質(zhì)。柵絕緣層116是在第一基底110的幾乎整個(gè)表面上形成的，并且它覆蓋了半導(dǎo)體 層113。柵電極120是在每一個(gè)開(kāi)關(guān)區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA中的柵絕緣層116上形成的。柵電 極120對(duì)應(yīng)于第一部分113a。柵線(未顯示)是在柵絕緣層116上形成的。所述柵線沿著 與像素區(qū)域P的寬度平行的第一方向延伸，并且與開(kāi)關(guān)區(qū)域中的柵電極相連。中間絕緣層123是在柵電極120和柵線上形成的。該中間絕緣層123和柵絕緣層 116具有在第一部分113a的兩邊暴露了各自的第二部分113b的半導(dǎo)體接觸孔125。數(shù)據(jù)線(未顯示)和電源線(未顯示)是在具有半導(dǎo)體接觸孔125的中間絕緣層 123上形成的。該數(shù)據(jù)線沿著與像素區(qū)域P的長(zhǎng)度平行的第二方向延伸，并且與柵線交叉。 該電源線與數(shù)據(jù)線是隔開(kāi)的，并且是平行的。源電極133和漏電極136是在每一個(gè)開(kāi)關(guān)區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA中的中間絕緣層123 上形成的。所述源電極133和漏電極135分別通過(guò)半導(dǎo)體接觸孔125與第二部分113b接 觸。源電極133和漏電極136、包含了與源電極133和漏電極136相接觸的第二部分113b的 半導(dǎo)體層113、柵絕緣層116、柵電極120以及中間絕緣層123構(gòu)成了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr。 雖然在圖中沒(méi)有顯示，但在開(kāi)關(guān)區(qū)域中形成了與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr具有相同結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān) 薄膜晶體管。該開(kāi)關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr、柵線以及數(shù)據(jù)線電連接。也就是 說(shuō)，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的柵電極與柵線相連，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的源電極與數(shù)據(jù)線相連，開(kāi)關(guān)薄 膜晶體管的漏電極與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的柵電極相連。依照摻入半導(dǎo)體層113的第二部分113b的雜質(zhì)，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr和開(kāi)關(guān)薄膜 晶體管可以是ρ型或η型的。在ρ型薄膜晶體管中，在第二部分113b中可以摻入國(guó)際理論 和應(yīng)用化學(xué)聯(lián)合會(huì)(IUPAC)周期表中的群組13的元素，例如硼(B)，并且可以使用空穴作為 載流子。在η型薄膜晶體管中，在第二部分113b中可以摻入IUPAC周期表中的群組15的 元素，例如磷(P)，并且可以使用電子作為載流子。因此，依照驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的類型， 與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的漏電極136相連的第一電極147可以充當(dāng)陽(yáng)極電極或陰極電極。 當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr是ρ型時(shí)，第一電極147充當(dāng)陽(yáng)極電極。當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr是 η型時(shí)，第一電極147充當(dāng)陰極電極。在本發(fā)明中，舉例來(lái)說(shuō)，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr可以是ρ型的，與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr 的漏電極136相連的第一電極147可以充當(dāng)陽(yáng)極電極。但是，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr也 可以被構(gòu)造成是η型的，在這種情況下可以形成充當(dāng)陰極電極的第一電極147。在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr和開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(未顯示)上形成了鈍化層140。該鈍 化層140具有暴露了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的漏電極136的漏接觸孔143。第一電極147是 在每一個(gè)像素區(qū)域P中的鈍化層140上形成的，并且通過(guò)漏接觸孔143與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的漏電極136相連。所述第一電極147可以是用具有較高功函數(shù)的透明傳導(dǎo)材料制成 的，例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。雖然在圖中沒(méi)有顯示，但是為了將頂部發(fā)光 型的發(fā)光效率最大化，在使用具有較高功函數(shù)的透明傳導(dǎo)材料制成的第一電極147的下方 可以進(jìn)一步形成使用具有較高反射率的材料制成的反射板?；蛘?，第一電極147可以具有 雙層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含了使用具有較高反射率的金屬材料制成的下層和使用透明傳導(dǎo)材料 制成的上層。如上所述，第一電極147充當(dāng)?shù)氖顷?yáng)極電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O147充當(dāng)陰極電極 時(shí)，第一電極147可以用具有較低功函數(shù)的金屬材料制成，例如鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、鎂 (Mg)或金(Au)。在每一個(gè)像素區(qū)域P的邊界中，也就是在相鄰像素區(qū)域P之間，緩沖圖案150是在 具有單層或雙層結(jié)構(gòu)的第一電極147上形成的。該緩沖圖案150圍繞每一個(gè)像素區(qū)域P，并 且與第一電極147的邊緣重疊。緩沖圖案150具有點(diǎn)陣形狀，該形狀在包含像素區(qū)域P的 顯示區(qū)域中具有開(kāi)口。第一襯墊151和第二襯墊152是在具有圍繞顯示區(qū)域中的每個(gè)像素區(qū)域的點(diǎn)陣形 狀的緩沖圖案150上形成的。第一襯墊151和第二襯墊152具有提壩形狀，其寬度窄于緩 沖圖案150的寬度，由此，第一襯墊151和第二襯墊152的邊緣被設(shè)置在緩沖圖案150的邊 緣以內(nèi)。第一襯墊151沿著第一方向延伸，并且與柵線(未顯示)平行，第二襯墊152沿著 第二方向延伸，并且與數(shù)據(jù)線(未顯示)平行。第一襯墊151具有第一厚度，第二襯墊152 具有第二厚度。在第一襯墊151和第二襯墊152的交叉部分形成了圓柱形狀的第三襯墊 153。由于第一襯墊151與第二襯墊152重疊，因此，第三襯墊153具有比第一或第二厚度 更厚的第三厚度。所述第一和第二厚度可以在2.5微米到3微米的范圍以內(nèi)。而第三厚度 則可以在5微米到6微米的范圍以內(nèi)。有機(jī)發(fā)光層155是在緩沖圖案150圍繞的每個(gè)像素區(qū)域中的第一電極147上形成 的。如圖所示，有機(jī)發(fā)光層155可以是有機(jī)發(fā)光材料制成的單層。為了提高發(fā)光效率，有機(jī) 發(fā)光層155可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層。在 這里，根據(jù)第一電極147和第二電極158的功能，空穴注入層和電子注入層以及空穴傳輸層 和電子傳輸層可以具有不同的位置。在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于第一電極147充當(dāng)陽(yáng)極電 極，因此，有機(jī)發(fā)光層155可以按順序包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸 層和電子注入層。第二電極158是遍及第一基底110的表面在有機(jī)發(fā)光層155、緩沖圖案150以及 第一襯墊151、第二襯墊152和第三襯墊153上形成的。第二電極158可以用具有較低功 函數(shù)的金屬材料制成，例如鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、鎂(Mg)或金(Au)，由此，第二電極158 充當(dāng)陰極電極。另一方面，當(dāng)?shù)诙姌O158充當(dāng)陽(yáng)極電極時(shí)，第二電極158可以用具有較高功函數(shù) 的透明傳導(dǎo)材料制成，例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。第一電極147、有機(jī)發(fā)光層155和第二電極158構(gòu)成了有機(jī)電致發(fā)光二極管E。雖然圖中沒(méi)有顯示，但是用透明材料制成的第二基底被設(shè)置為面對(duì)其上包含了上 述元件的第一基底110。在第一基底110與第二基底之間沿著它們的周邊形成了密封圖案， 以便使這兩個(gè)基底附著在一起。這時(shí)，在第一基底110和第二基底之間有可能因?yàn)榈谌r 墊153而具有均勻間隙。此外，在密封圖案內(nèi)可以設(shè)置吸濕劑，以便消除滲入第一基底Iio與第二基底之間的空間的濕氣。在下文中將會(huì)參考附圖來(lái)更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光 顯示設(shè)備的制造方法。圖10A-10G是示出了在制造根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的 過(guò)程中的所述顯示設(shè)備基底的截面圖。圖IOA到IOG對(duì)應(yīng)于圖7中的線條VIII-VIII。圖 IlA和IlB是示出了根據(jù)本發(fā)明使用蔭罩形成有機(jī)發(fā)光層的過(guò)程中的頂部發(fā)光型有機(jī)電致 發(fā)光顯示設(shè)備基底的平面圖。在圖IOA中，在絕緣基底110上通過(guò)沉積本征非晶硅形成了本征非晶硅層(未顯 示)。通過(guò)照射激光束或是通過(guò)執(zhí)行熱處理結(jié)晶該本征非晶硅層來(lái)形成多晶硅層(未顯 示)。所述多晶硅層是通過(guò)包括下列步驟的掩模處理而被圖案化的涂覆光致抗蝕劑，使用 掩模來(lái)將光致抗蝕劑暴露于光線，顯影被曝光的光致抗蝕劑，執(zhí)行蝕刻以及剝離處理，而使 用本征多晶硅制成的半導(dǎo)體層113則是在每一個(gè)開(kāi)關(guān)區(qū)域(未顯示)和驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA中形 成的。在這里，在形成本征非晶硅層之前，在基底110的幾乎整個(gè)表面上可以進(jìn)一步通過(guò)沉 積二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)之類的無(wú)機(jī)絕緣材料來(lái)形成第一緩沖層(未顯示)。柵絕緣層116是通過(guò)沉積二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNX)之類的無(wú)機(jī)絕緣材料 而在用多晶硅制成的半導(dǎo)體層113上形成的。在柵絕緣層116上通過(guò)沉積金屬材料例如 鋁(Al)、氮化鋁(AlNd)之類的鋁合金、銅(Cu)、銅合金或鉻(Cr)形成了第一金屬層(未顯 示)。第一金屬層通過(guò)掩模處理而被圖案化，并且形成了與半導(dǎo)體層113的中心部分相對(duì)應(yīng) 的柵電極120。柵線(未顯示)同樣是沿著第一方向形成的，并且與開(kāi)關(guān)區(qū)域的柵電極(未 顯示)相連。接下來(lái)，通過(guò)使用柵電極120作為阻隔掩模(blocking mask)，在其上包含半導(dǎo) 體層113的基底110中摻入了雜質(zhì)，從而形成半導(dǎo)體層113的第一部分113a和第二部分 113b。第一部分113a對(duì)應(yīng)的是柵電極120并且不包含雜質(zhì)，第二部分113b則設(shè)置在第一 部分113a的兩邊并摻入了雜質(zhì)。該雜質(zhì)可以是IUPAC周期表中的組13的元素或組15的元素。中間絕緣層123是通過(guò)沉積二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)之類的無(wú)機(jī)絕緣材 料而在包含半導(dǎo)體層113的第一部分113a和第二部分113b的基底110的幾乎整個(gè)表面上 形成的。中間絕緣層123和柵絕緣層116是通過(guò)掩模處理一起或同時(shí)圖案化的，由此將會(huì) 形成暴露了半導(dǎo)體層113的相應(yīng)第二部分113b的半導(dǎo)體接觸孔125。第二金屬層(未顯示)是通過(guò)沉積金屬材料例如鋁(Al)、鋁合金(AlNd)之類的鋁 合金、銅(Cu)、銅合金、鉻(Cr)和鉬(Mo)中的一種材料而在中間絕緣層123上形成的。第 二金屬層通過(guò)掩模處理而被圖案化，并且形成了源電極133和漏電極136。所述源電極133 和漏電極136彼此間隔，并且通過(guò)半導(dǎo)體接觸孔125與第二部分113b相連。同時(shí)，在中間絕緣層123上形成了數(shù)據(jù)線(未顯示)和電源線(未顯示)。數(shù)據(jù)線 與開(kāi)關(guān)區(qū)域中的源電極(未顯示)相連。該數(shù)據(jù)線沿著第二方向延伸并與柵線交叉。所述 電源線與數(shù)據(jù)線隔開(kāi)并與之平行。半導(dǎo)體層113、柵絕緣層116、柵電極120、中間絕緣層123以及源電極133和漏電 極136構(gòu)成了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr。在開(kāi)關(guān)區(qū)域中則形成了與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr具有相 同結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(未顯示)。
鈍化層140是通過(guò)沉積二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)之類的無(wú)機(jī)絕緣材料或 是通過(guò)涂覆光丙烯酸或苯并環(huán)丁烯(BCB)之類的有機(jī)絕緣材料而在源電極133和漏電極 136上形成的。該鈍化層140通過(guò)掩模處理而被圖案化，從而形成暴露了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管 DTr的漏電極136的漏接觸孔143。在圖IOB中，通過(guò)沉積氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的具有較高功函數(shù) 的透明傳導(dǎo)材料以及通過(guò)圖案化所述透明傳導(dǎo)材料，在鈍化層140上形成了第一電極147。 該第一電極147通過(guò)漏接觸孔143與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的漏電極136相連。所述第一電 極147具有單層結(jié)構(gòu)。同時(shí)，可以形成具有雙層結(jié)構(gòu)的第一電極147。在這種情況下，在鈍化層140上可 以沉積具有較高反射率的鋁(Al)或氮化鋁(AlNd)之類的鋁合金，并且可以沉積氧化銦錫 (ITO)或氧化銦鋅(IZO)這類具有較高功函數(shù)的透明傳導(dǎo)材料，由此形成雙層(未顯示)。 所述雙層可以通過(guò)掩模處理而被圖案化，并且第一電極147可以具有雙層結(jié)構(gòu)。同時(shí)，在第一電極147充當(dāng)陰極電極時(shí)，第一電極147可以用具有較低功函數(shù)的金 屬材料制成，例如鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)，并且它可以具有單層結(jié)構(gòu)。在圖IOC中，在第一電極147上通過(guò)涂覆有機(jī)絕緣材料或是通過(guò)沉積無(wú)機(jī)絕緣材 料以及將其圖案化來(lái)形成緩沖圖案150。該緩沖圖案150圍繞每一個(gè)像素區(qū)域P。所述有機(jī) 絕緣材料可以是光丙烯酸或苯并環(huán)丁烯(BCB)，而無(wú)機(jī)絕緣材料則可以是二氧化硅(SiO2) 或氮化硅(SiNx)。在圖IOD中，通過(guò)使用旋涂設(shè)備，在整個(gè)表面上涂覆感光有機(jī)絕緣材料而在包含 緩沖圖案150的基底110上形成了第一襯墊層(未顯示)。所述第一襯墊層可以具有在2. 5 微米到3微米的范圍以內(nèi)的第一厚度。第一襯墊層通過(guò)掩模處理而被圖案化，并且第一襯 墊151是沿著第一方向而在緩沖圖案150上形成并設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)域P的邊界上的。第 一襯墊151具有提壩形狀。該感光有機(jī)絕緣材料可以是聚酰亞胺、光丙烯酸或苯并環(huán)丁烯 (BCB)。在圖IOE中，通過(guò)在整個(gè)表面上涂覆感光有機(jī)絕緣材料，在包含第一襯墊151的基 底110上形成了第二襯墊層(未顯示)。該第二襯墊層可以具有在2. 5微米到3微米的范 圍以內(nèi)的第二厚度。該感光有機(jī)絕緣材料可以是聚酰亞胺、光丙烯酸或苯并環(huán)丁烯(BCB)。 第二襯墊層與第一襯墊既可以用相同材料制成，也可以用不同材料制成。所述第二襯墊層 與第一襯墊層可以具有相同的感光特性。例如，在用負(fù)性聚酰亞胺制成第一襯墊層并且用光丙烯酸或苯并環(huán)丁烯制成第二 襯墊層時(shí)，由于第二襯墊層是通過(guò)不同于聚酰亞胺的顯影劑圖案化的，因此，此時(shí)是不存在 問(wèn)題的。同時(shí)，在用聚酰亞胺制成第一襯墊層和第二襯墊層時(shí)，聚酰亞胺最好是負(fù)性的，其 中被曝光的一部分會(huì)保留到顯影步驟之后。更具體地，當(dāng)用負(fù)性聚酰亞胺制成第一襯墊層 時(shí)，被曝光的部分會(huì)在顯影步驟之后變成第一襯墊151。接下來(lái)，在第一襯墊151上將會(huì)形 成用負(fù)性聚酰亞胺制成的第二襯墊層。所述第二沉淀層將被有選擇曝光，然后則被顯影。之 后，一部分未被曝光的第二襯墊層將被清除，并且將會(huì)形成經(jīng)過(guò)曝光的第二襯墊152。此時(shí)， 由于第一襯墊151已被曝光，因此，第一襯墊151不會(huì)與用于第二襯墊152的顯影劑發(fā)生反 應(yīng)。因此，在形成第二襯墊152時(shí)不會(huì)出現(xiàn)去除第一襯墊151的問(wèn)題。在使用不同材料形成第一襯墊151和第二襯墊152時(shí)將會(huì)使用不同的顯影劑，并且這時(shí)是不存在問(wèn)題的。第二襯墊152是沿著第二方向形成并設(shè)置在每一個(gè)像素區(qū)域P的邊界上的。所述 第二襯墊152具有提壩形狀。在這里，第二襯墊152可以具有比第一襯墊151窄的寬度。此外，第一襯墊151和第二襯墊152在所述第一襯墊151和第二襯墊152的交叉 部分相互重疊，由此形成第三襯墊153。該第三襯墊153具有范圍在5到6微米的第三厚 度，并且具有圓柱形狀。在圖10F、圖IlA和圖IlB中，在其上包含第二襯墊152和第三襯墊153的基底110 上設(shè)置了蔭罩190。該蔭罩190具有與像素區(qū)域P相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 OA以及與排除了像素區(qū)域 P的其他區(qū)域相對(duì)應(yīng)的阻隔區(qū)域BA。所述蔭罩190被設(shè)置成接近基底110。接下來(lái)，蔭罩190將會(huì)與基底110校準(zhǔn)，以便將蔭罩190的開(kāi)口 OA設(shè)置在像素區(qū) 域P的中心部分的正上方。此時(shí)，即使在蔭罩190的阻隔部分BA的底面形成并且在像素區(qū)域P中的第一電極 147上方設(shè)置了顆?；蛲黄?，蔭罩190也會(huì)被具有5微米到6微米的第三厚度的第三襯墊 153所支撐，由此，大小為1微米的顆?；蛲黄鸩粫?huì)接觸第一電極147。相應(yīng)地，在第一電極 147上不會(huì)形成劃痕或凹點(diǎn)，并且當(dāng)在第一電極147上形成有機(jī)發(fā)光層時(shí)不會(huì)出現(xiàn)暗點(diǎn)。接下來(lái)，在第一電極147上利用經(jīng)由蔭罩190的開(kāi)口 OA熱沉積有機(jī)發(fā)光材料來(lái)形 成有機(jī)發(fā)光層155。如圖所示，該有機(jī)發(fā)光層155可以具有單層結(jié)構(gòu)?；蛘撸袡C(jī)發(fā)光層155 可以按順序形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層以及電子注入層而具有 多層結(jié)構(gòu)。在圖IOG中，遍及基底110的表面在有機(jī)發(fā)光層155上，通過(guò)熱沉積具有較低功 函數(shù)的金屬材料形成第二電極158，其中所述金屬材料可以是鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、鎂 (Mg)和金(Au)中的一種。第二電極158具有5人到50人的較薄厚度，由此，來(lái)自有機(jī)發(fā)光 層155的光將會(huì)通過(guò)第二電極158。相應(yīng)地，完成了用于有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的基底。同時(shí)，當(dāng)?shù)诙姌O158充當(dāng)陽(yáng)極電極時(shí)，第二電極158可以用具有較高功函數(shù)的透 明傳導(dǎo)材料制成，例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。然后，在面對(duì)其上包含上述元件的基底110的位置將會(huì)設(shè)置一個(gè)透明基底。在基 底110與透明基底之間將會(huì)沿它們的周邊形成密封圖案。此外，在基底110與透明基底之 間的密封圖案內(nèi)可以設(shè)置氧化鋇或氧化鈣的吸濕圖案。接下來(lái)，基底110和透明基底會(huì)在惰性氣體或真空中被附著到一起，以便完成根 據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。在根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備中，在使用蔭罩形成有機(jī)發(fā)光 層時(shí)可以避免劃痕或凹點(diǎn)之類的問(wèn)題，并且顯示質(zhì)量將會(huì)得到改善。更進(jìn)一步，生產(chǎn)率也會(huì) 得到提高。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，很明顯，在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，在本發(fā) 明中是可以進(jìn)行各種修改和變更的。因此，如果針對(duì)本發(fā)明的修改和變更落入所附權(quán)利要 求及其等價(jià)物的范圍，那么本發(fā)明將會(huì)涵蓋這些修改和變更。
權(quán)利要求
一種頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，包括包含像素區(qū)域的第一基底；在第一基底上的像素區(qū)域中的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；覆蓋開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管并且暴露了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極的鈍化層；位于鈍化層上并與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極相連的第一電極；位于像素區(qū)域邊界中并與第一電極邊緣重疊的緩沖圖案；在緩沖圖案上沿著第一方向的第一襯墊，該第一襯墊具有第一厚度和堤壩形狀；在該緩沖圖案上沿著第二方向的第二襯墊，該第二襯墊具有第二厚度和堤壩形狀；在該緩沖圖案上位于第一襯墊與第二襯墊的交叉部分的第三襯墊，該第三襯墊具有第三厚度和圓柱形狀，其中第三厚度比第一厚度或第二厚度厚；在第一電極上介于相鄰緩沖圖案之間的有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層以及第一襯墊、第二襯墊和第三襯墊上的第二電極；面對(duì)第一基底的第二基底；以及在第一基板與第二基底的周邊之間的密封圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中第一厚度和第二厚度在2.5微米到3微米的范圍 以內(nèi)，并且第三厚度在5微米到6微米的范圍以內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中第一厚度等于第二厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中第一襯墊的寬度窄于緩沖圖案而寬于第二襯墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，還包括與開(kāi)關(guān)薄膜晶體管相連并且相互交叉的柵線和數(shù)據(jù)線； 與數(shù)據(jù)線平行并且與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管相連的電源線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中有機(jī)發(fā)光層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材 料層、電子傳輸層以及電子注入層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中第一襯墊、第二襯墊和第三襯墊是用有機(jī)絕緣材 料制成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的顯示設(shè)備，其中第一襯墊、第二襯墊和第三襯墊是用負(fù)性感光材 料制成的。
9.一種制造頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括 在第一基底上的像素區(qū)域中形成開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；在開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管上方形成鈍化層，該鈍化層具有暴露驅(qū)動(dòng)薄膜晶 體管的漏電極的漏接觸孔；在鈍化層上形成連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極的第一電極； 在像素區(qū)域邊界中形成緩沖圖案，并且將該緩沖圖案與第一電極的邊緣重疊； 在該緩沖圖案上沿著第一方向形成第一襯墊，該第一襯墊具有第一厚度和提壩形狀； 在該緩沖圖案上沿著第二方向形成第二襯墊，該第二襯墊具有第二厚度和提壩形狀； 在該緩沖圖案上的第一襯墊與第二襯墊的交叉部分形成第三襯墊，該第三襯墊具有第 三厚度和圓柱形狀，其中第三厚度比第一厚度或第二厚度厚； 在相鄰緩沖圖案之間的第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層以及第一襯墊、第二襯墊和第三襯墊上形成第二電極；以及在第一基底上方設(shè)置透明的第二基底，并且將第一基底和第二基底附著在一起，以便 在第一基底與第二基底之間沿著第一基底和第二基底的周邊形成密封圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中形成第三襯墊是與形成第二襯墊同時(shí)進(jìn)行的。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中形成第一襯墊包括以下步驟通過(guò)涂覆具有感光特性 的第一有機(jī)絕緣材料在緩沖圖案上形成第一襯墊層；以及通過(guò)圖案化該第一襯墊層來(lái)形成 第一襯墊，以及其中形成第二襯墊和形成第三襯墊包括以下步驟通過(guò)涂覆具有感光特性 的第二有機(jī)絕緣材料在第一襯墊上形成第二襯墊層；以及通過(guò)圖案化該第二襯墊層來(lái)形成 第二襯墊和第三襯墊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中第一有機(jī)絕緣材料和第二有機(jī)絕緣材料是通過(guò)旋涂 方法涂覆的。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中第一有機(jī)絕緣材料和第二有機(jī)絕緣材料中的每一個(gè) 是聚酰亞胺、光丙烯酸以及苯并環(huán)丁烯之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中第一襯墊和第二襯墊包括不同的有機(jī)絕緣材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中第一襯墊和第二襯墊包括具有相同感光特性的相同 有機(jī)絕緣材料。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。設(shè)備包括第一基底，在第一基底上的像素區(qū)域中的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，覆蓋開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管并且暴露驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極的鈍化層，位于鈍化層上并與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極相連的第一電極，位于像素區(qū)域邊界中并與第一電極的邊緣重疊的緩沖圖案，在緩沖圖案上沿著第一方向的第一襯墊，在緩沖圖案上沿著第二方向的第二襯墊，在緩沖圖案上位于第一與第二襯墊的交叉部分的第三襯墊，在第一電極上介于相鄰緩沖圖案之間的有機(jī)發(fā)光層，在有機(jī)發(fā)光層以及第一、第二和第三襯墊上的第二電極，面對(duì)第一基底的第二基底，以及介于第一與第二基底的周邊之間的密封圖案。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101924120SQ20091026239
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2009年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月9日
發(fā)明者吳慶鐸, 李柄浚, 楊美淵 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司