專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，尤其涉及通過(guò)熔合料(frit)封裝的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括在其上提供了像素區(qū)域和非像素區(qū)域的基板，以及安排成與該基板相對(duì)并用諸如環(huán)氧樹(shù)脂之類的密封劑附著到該基板上來(lái)進(jìn)行封裝的一個(gè)容器或另一個(gè)基板。
在基板的像素區(qū)域上，在掃描線和數(shù)據(jù)線之間形成按矩陣形式連接的多個(gè)發(fā)光元件，發(fā)光元件包括陽(yáng)極和陰極，以及形成在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)薄膜層，有機(jī)薄膜層包括空穴輸送層、有機(jī)發(fā)光層和電子輸送層。
配置如上的發(fā)光元件因其包含有機(jī)材料而易受暴露于氧的影響。它們還因陰極是由金屬材料制成而容易受到空氣中的潮氣的氧化，因而使其電氣和發(fā)光特性變差。為了減輕上述問(wèn)題，在用金屬材料罐或金屬材料罐杯的形式制造的容器上或用玻璃、塑料等制造的襯底上，提供了粉末型吸潮劑或薄膜型吸潮劑，用以除去從外界滲透進(jìn)來(lái)的潮氣、氧氣和氫氣。
然而，這種涂覆粉末型吸潮劑的方法需要復(fù)雜的加工工藝，并且增加了材料和加工的成本。此外，該方法還導(dǎo)致顯示設(shè)備的厚度增加，并且該方法還難于應(yīng)用于屏幕發(fā)光型設(shè)備。此外，附加薄膜型吸潮劑的方法對(duì)于除去所有潮氣的能力有限，并且耐久性和可靠性較差，因此，限制了大量生產(chǎn)中的應(yīng)用。上述討論簡(jiǎn)單地描述了有機(jī)發(fā)光顯示器的一般領(lǐng)域，不是對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的討論。
人們已經(jīng)通過(guò)用熔合料來(lái)形成側(cè)壁而封裝發(fā)光元件的一些方法來(lái)克服上述問(wèn)題國(guó)際專利申請(qǐng)第PCT/KR2002/000994號(hào)(2002年5月24日)揭示了用使用玻璃熔合料的側(cè)壁構(gòu)成的一種封裝容器及其制造方法。
美國(guó)專利申請(qǐng)第10/414,794號(hào)(2003年4月16日)中揭示了通過(guò)熔合料來(lái)安裝第一、第二玻璃板而封裝的一種玻璃封裝及其制造方法。
韓國(guó)專利公開(kāi)公報(bào)第2001-0084380號(hào)(2001年9月6日)中揭示了一種使用激光的熔合料框架封裝方法。
韓國(guó)專利公開(kāi)公報(bào)第2002-0051153號(hào)(2002年6月28日)中揭示了使用激光使熔合料封裝上基板和下基板的一種封裝方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，該設(shè)備通過(guò)避免熔合下側(cè)的金屬導(dǎo)線和與熔合交界部分直接暴露于因激光束導(dǎo)致的熱而防止由于熱引起的金屬導(dǎo)線損壞。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括用有機(jī)電致發(fā)光元件構(gòu)成的第一基板(該有機(jī)電致發(fā)光元件包含第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極以及用于把信號(hào)傳送到有機(jī)電致發(fā)光元件的金屬導(dǎo)線)，安置在第一基板上側(cè)的第二基板，提供于第一基板和第二基板之間的熔合料，以及在金屬導(dǎo)線和熔合料之間用第一電極材料形成的保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是與第一電極分隔開(kāi)的。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括用有機(jī)電致發(fā)光元件構(gòu)成的第一基板(該有機(jī)電致發(fā)光元件包含第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極、用于控制有機(jī)電致發(fā)光元件的操作的晶體管以及用于把信號(hào)傳送到有機(jī)電致發(fā)光元件的金屬導(dǎo)線)，安置在第一基板上側(cè)的第二基板，提供于第一基板和第二基板之間的熔合料，以及在金屬導(dǎo)線和熔合料之間用第一電極材料形成的保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是與第一電極分隔開(kāi)的。
根據(jù)再一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括用有機(jī)電致發(fā)光元件(該有機(jī)電致發(fā)光元件包含第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極)限定其像素區(qū)域以及用把信號(hào)從外部傳送到有機(jī)電致發(fā)光元件的金屬導(dǎo)線形成并限定的非像素區(qū)域而構(gòu)成的第一基板，安置在第一基板上側(cè)的第二基板、提供于第一基板和第二基板之間的熔合料，以及在金屬導(dǎo)線和熔合料之間以迭層結(jié)構(gòu)形式提供的第一、第二保護(hù)膜，其中第一基板和第二基板通過(guò)熔合料而相互安裝在一起。
根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括第一基板、安置在第一基板上側(cè)的第二基板、提供于第一基板和第二基板之間的熔合料、以及在金屬導(dǎo)線和熔合料之間以迭層結(jié)構(gòu)形式提供的第一、第二保護(hù)膜，其中，第一基板和第二基板通過(guò)熔合料而相互安裝在一起，其中，第一基板包括用有機(jī)電致發(fā)光元件(有機(jī)電致發(fā)光元件包含第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極以及連接到第一電極的晶體管，晶體管包括源極、漏極和柵極)構(gòu)成的像素區(qū)域，以及由用于把信號(hào)從外部傳送到有機(jī)電致發(fā)光元件的金屬導(dǎo)線形成的非像素區(qū)域。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法包括下列步驟在包括像素區(qū)域和非像素區(qū)域的第一基板上提供緩沖層，在像素區(qū)域的緩沖層上提供半導(dǎo)體層以及在非像素區(qū)域的上表面上提供柵極絕緣膜，在像素區(qū)域的柵極絕緣膜上提供柵極和第一金屬導(dǎo)線以及在非像素區(qū)域的柵極絕緣膜上提供從像素區(qū)域的第一金屬導(dǎo)線延伸的第一金屬導(dǎo)線，在像素區(qū)域和非像素區(qū)域的上表面上提供層間絕緣膜以及提供接觸孔以致暴露了一部分半導(dǎo)體層，在像素區(qū)域的層間絕緣膜上提供源極和漏極以及通過(guò)接觸孔連接到半導(dǎo)體層的第二金屬導(dǎo)線以及在非像素區(qū)域的層間絕緣膜上提供從像素區(qū)域的第二金屬導(dǎo)線延伸的第二金屬導(dǎo)線，在像素區(qū)域的上表面上提供扁平層以及提供一個(gè)通孔以致暴露了源極和漏極，在像素區(qū)域和非像素區(qū)域的上表面上提供無(wú)機(jī)電極層，然后形成無(wú)機(jī)電極層的圖案，而在像素區(qū)域上形成第一電極，第一電極通過(guò)通孔連接到源極或漏極，在非像素區(qū)域上形成保護(hù)膜，在第一電極上提供有機(jī)薄膜層和第二電極，沿第二基板的周圍形成熔合，以及把第二基板安置在第一基板的上表面上，然后把熔合料賦予第一基板。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法包括下列步驟在像素區(qū)域和非像素區(qū)域的第一基板上形成緩沖層，在像素區(qū)域的緩沖層上形成半導(dǎo)體層以及然后在像素區(qū)域和非像素區(qū)域的上表面上形成柵極絕緣膜，在像素區(qū)域的柵極絕緣膜上形成柵極和第一金屬導(dǎo)線以及在非像素區(qū)域的柵極絕緣膜上形成從像素區(qū)域的第一金屬導(dǎo)線延伸的第一金屬導(dǎo)線和焊盤(pán)(pad)，在像素區(qū)域的上表面上形成層間絕緣膜以及然后形成接觸孔以致暴露了一部分半導(dǎo)體層，在像素區(qū)域的層間絕緣膜上形成源極和漏極以及通過(guò)接觸孔連接到半導(dǎo)體層的第二金屬導(dǎo)線以及在非像素區(qū)域的柵極絕緣膜上形成從像素區(qū)域的第二金屬導(dǎo)線延伸的第二金屬導(dǎo)線和焊盤(pán)，在包括第一、第二金屬導(dǎo)線的非像素區(qū)域的上表面上形成第一保護(hù)膜，在像素區(qū)域的上表面上形成扁平層以及然后形成一個(gè)通孔以致暴露了源極和漏極，在像素區(qū)域和非像素區(qū)域的上表面上形成無(wú)機(jī)電極層，然后形成無(wú)機(jī)電極層的圖案，而在像素區(qū)域上形成第一電極(第一電極通過(guò)通孔連接到源極或漏極)，以及在非像素區(qū)域上形成第二保護(hù)膜，在第一電極上形成有機(jī)薄膜層和第二電極以形成有機(jī)電致發(fā)光元件，制備沿第二基板的周圍形成帶有熔合料的第二基板，以及把第二基板安置在第一基板的上表面上，然后把熔合料附到第一基板上。


讀者在參照附圖閱讀了優(yōu)選實(shí)施例的描述以后，將會(huì)清楚地了解和理解本發(fā)明的各個(gè)方面及其優(yōu)點(diǎn)。圖中，圖1是說(shuō)明通過(guò)照射激光束使金屬導(dǎo)線受損的示圖。
圖2a、3a和4是平面圖，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一種實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。
圖2b和3b是用于說(shuō)明圖2a和3a的橫截面圖。
圖5a到5g和圖7是平面圖，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一種實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法。
圖6a和6b是用于說(shuō)明圖5a和5e的平面圖。
圖8a和8b是圖7中圈出的區(qū)域“A”的放大橫截面圖和平面圖。
圖9a、10a和11是平面圖，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二種實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。
圖9b和10b是用于說(shuō)明圖9a和10a的橫截面圖。
圖12a到12h和圖14是平面圖，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二種實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法。
圖13a和13b是用于說(shuō)明圖12a和12g的平面圖。
圖15a和15b是圖14中圈出的區(qū)域“B”的放大橫截面圖。
圖16是根據(jù)一種實(shí)施例的無(wú)源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示器的示意分解圖。
圖17是根據(jù)一種實(shí)施例的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示器的示意分解圖。
圖18是根據(jù)一種實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意俯視圖。
圖19是圖18所示有機(jī)發(fā)光顯示器沿線19-19截取的橫截面圖。
圖20是示意透視圖，說(shuō)明根據(jù)一種實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的大規(guī)模生產(chǎn)。
具體實(shí)施例方式
使用熔合料封裝發(fā)光元件的一種方法，所述熔合料把涂覆了熔合料的一個(gè)基板安裝在于其上形成有發(fā)光元件的另一個(gè)基板上，然后通過(guò)照射激光束使熔合料熔化和附于基板上，這種方法的局限性在于當(dāng)使激光束照射到熔合料上時(shí)，由激光束引起的熱量可能直接照射到熔合料20下部的金屬導(dǎo)線10以及與熔合料交叉的一部分(區(qū)域“A”)，這有可能導(dǎo)致熱損傷。受熱損傷的金屬導(dǎo)線可能發(fā)生裂縫，和/或可能改變它們自身的電阻和電氣特性，因此會(huì)影響元件的電氣特性和可靠性。
某些實(shí)施例提供了著手解決這些局限性的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。下文種將參考附圖以更詳細(xì)的方式來(lái)描述本發(fā)明的一些實(shí)施例。應(yīng)該理解，所提供的下列實(shí)施例將使熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人員充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例，可以對(duì)這些實(shí)施例作出各種修改。
有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)是包括有機(jī)發(fā)光二極管陣列的一種顯示設(shè)備。有機(jī)發(fā)光二極管是包括有機(jī)材料的固態(tài)器件，并且適用于在施加適當(dāng)?shù)碾娢粫r(shí)產(chǎn)生、發(fā)射光。
根據(jù)所提供的激勵(lì)電流的配置，一般可以把OLED分成兩種基本類型。圖16示意說(shuō)明了無(wú)源矩陣型OLED 1000的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)的分解圖。圖17示意說(shuō)明了有源矩陣型OLED 1001的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)圖。在兩種結(jié)構(gòu)中，OLED 1000、1001都包括構(gòu)建于基板1002上的OLED像素，并且OLED像素包括陽(yáng)極1004、陰極1006和有機(jī)層1010。當(dāng)把適當(dāng)?shù)碾娏魇┘佑陉?yáng)極1004時(shí)，電流流過(guò)像素，并且從有機(jī)層發(fā)射可見(jiàn)光。
參考圖16，無(wú)源矩陣OLED(PMOLED)設(shè)計(jì)包括一般與陰極1006的細(xì)長(zhǎng)帶相垂直的陽(yáng)極1004的細(xì)長(zhǎng)帶，在它們之間插入有機(jī)層。陰極帶1006和陽(yáng)極帶1004的交叉處限定了在適當(dāng)?shù)丶?lì)相應(yīng)陽(yáng)極帶1004和陰極帶1006時(shí)產(chǎn)生和發(fā)射光的各個(gè)OLED像素。PMOLED提供了制造相當(dāng)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
參考圖17，有源矩陣OLED(AMOLED)包括安置在基板1002和OLED像素陣列之間的本地驅(qū)動(dòng)電路1012。在公共陰極1006和與其它陽(yáng)極電氣隔離的一個(gè)陽(yáng)極1004之間限定了AMOLED的各個(gè)像素。每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路1012都與OLED像素的陽(yáng)極1004耦合，并且進(jìn)一步與數(shù)據(jù)線1016和掃描線1018耦合。在一些實(shí)施例中，掃描線1018提供選擇驅(qū)動(dòng)電路的行的掃描信號(hào)，而數(shù)據(jù)線1016提供用于特定驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描信號(hào)激勵(lì)本地驅(qū)動(dòng)電路1012(這些本地驅(qū)動(dòng)電路激勵(lì)陽(yáng)極1004)，以致從它們相應(yīng)的像素發(fā)射光。
在所說(shuō)明的AMOLED中，在插在像素陣列和基板1002之間的平面層1014中埋入本地驅(qū)動(dòng)電路1012、數(shù)據(jù)線1016和掃描線1018。平面層1014提供在其上形成有機(jī)發(fā)光像素陣列的平面頂表面。可以用有機(jī)或無(wú)機(jī)材料來(lái)形成平面層1014，并且可以形成兩層或更多層，雖然所示出的是單層的。一般用薄膜晶體管(TFT)來(lái)形成本地驅(qū)動(dòng)電路1012，并且按網(wǎng)格或陣列的形式安置在OLED像素陣列下。至少部分可以用有機(jī)材料來(lái)制造本地驅(qū)動(dòng)電路1012，包括有機(jī)TFT。AMOLED具有響應(yīng)時(shí)間快的優(yōu)點(diǎn)，可以提高顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的使用要求。此外，AMOLED具有功耗比無(wú)源矩陣OLED小的優(yōu)點(diǎn)。
涉及PMOLED和AMOLED設(shè)計(jì)的共同特征，基板1002提供OLED像素和電路的結(jié)構(gòu)支撐。在各種實(shí)施例中，基板1002可以包括剛性的或柔性的材料以及不透明的或透明的材料，諸如塑料、玻璃和/或箔。如上所述，每個(gè)OLED像素或二極管形成為具有陽(yáng)極1004、陰極1006和插在它們之間的有機(jī)層1010。當(dāng)把合適的電流施加于陽(yáng)極1004時(shí)，陰極1006注射電子，而陽(yáng)極1004注射空穴。在某些實(shí)施例中，陽(yáng)極1004和陰極1006是相反的；即，在基板1002上形成陰極，而陽(yáng)極是相對(duì)立地設(shè)置的。
插在陰極1006和陽(yáng)極1004之間的是一層或多層有機(jī)層。更具體地說(shuō)，在陰極1006和陽(yáng)極1004之間插入至少一層發(fā)射層或發(fā)光層。發(fā)光層可以包括一種或多種發(fā)光有機(jī)化合物。通常，配置的發(fā)光層使之發(fā)射單色的可見(jiàn)光，如藍(lán)色、綠色、紅色或白色。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，在陰極1006和陽(yáng)極1004之間形成一層有機(jī)層1010，其作用為發(fā)光層?？梢栽陉?yáng)極1004和陰極1006之間形成的其它層可以包括空穴輸送層、空穴注射層、電子輸送層、和電子注射層。
可以在發(fā)光層1010和陽(yáng)極1004之間插入空穴輸送和/或注射層。可以在陰極1006和發(fā)光層1010之間插入電子輸送和/或注射層。通過(guò)減少?gòu)年帢O1006注射電子的功函數(shù)，電子注射層促使從陰極1006向發(fā)光層1010注射電子。相似地，空穴注射層促使從陽(yáng)極1004向發(fā)光層1010注射空穴?？昭ㄝ斔蛯雍碗娮虞斔蛯哟偈箯母鱾€(gè)電極注射的載流子向發(fā)光層運(yùn)動(dòng)。
在一些實(shí)施例中，單個(gè)層可起到電子注射和輸送兩個(gè)作用或空穴注射和輸送兩種作用。在一些實(shí)施例中，缺少這些層中的一層或多層。在一些實(shí)施例中，在一層或多層有機(jī)層中，用對(duì)載流子的注射和輸送有幫助的一種或多種材料來(lái)?yè)诫s。在陰極和陽(yáng)極之間只形成一層有機(jī)層的一些實(shí)施例中，有機(jī)層不但可以包括有機(jī)發(fā)光化合物，還可以包括對(duì)該層中的載流子的注射或輸送有幫助的某些功能性材料。
至今人們已經(jīng)研發(fā)了用于包括發(fā)光層的這些層的許許多多種有機(jī)材料。同樣，人們還在開(kāi)發(fā)用于這些層的許許多多種其它的有機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，這些有機(jī)材料可以是包括低聚物和聚合物的高分子材料。在一些實(shí)施例中，用于這些層的有機(jī)材料可以是相當(dāng)小的分子。在特殊設(shè)計(jì)中，考慮到各個(gè)層所要求的功能以及相鄰層的材料，熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人員能夠?yàn)檫@些層中的每一層選擇合適的材料。
在操作中，一個(gè)電路提供陰極1006和陽(yáng)極1004之間的合適電位。這導(dǎo)致電流經(jīng)由所插入的有機(jī)層從陽(yáng)極1004流到陰極1006。在一個(gè)實(shí)施例中，陰極1006把電子提供給相鄰的有機(jī)層1010。陽(yáng)極1004把空穴注射入到有機(jī)層1010內(nèi)。空穴和電子在有機(jī)層1010中復(fù)合，并且產(chǎn)生稱之為“激發(fā)子”的能量粒子。激發(fā)子把它們的能量傳遞給有機(jī)層1010中的有機(jī)發(fā)光材料，并且使用該能量從有機(jī)發(fā)光材料發(fā)射可見(jiàn)光。OLED 1000、1001所產(chǎn)生和發(fā)射的光的光譜特性取決于有機(jī)層中有機(jī)分子的特性和成分。熟悉本領(lǐng)域普通技術(shù)的人員可以選擇一層或多層有機(jī)層的成分以適應(yīng)特定應(yīng)用的需要。
還可以根據(jù)光發(fā)射的方向?qū)LED設(shè)備進(jìn)行分類。在稱之為“頂部發(fā)射”型的一種類型中，OLED設(shè)備通過(guò)陰極或頂部電極而發(fā)射光并顯示圖像。在這些實(shí)施例中，用相對(duì)于可見(jiàn)光為透明的材料或至少是部分透明的材料來(lái)制造陰極1006。在某些實(shí)施例中，為了避免損失可以通過(guò)陽(yáng)極或底部電極1004的任何光，可以用大體上反射可見(jiàn)光的材料來(lái)制造陽(yáng)極。第二類OLED設(shè)備通過(guò)陽(yáng)極或底部電極1004發(fā)射光，并且把它稱為“底部發(fā)射”型。在底部發(fā)射型OLED設(shè)備中，用相對(duì)于可見(jiàn)光至少是部分透明的材料來(lái)制造陽(yáng)極1004。經(jīng)常，在底部發(fā)射型OLED設(shè)備中，用大體上反射可見(jiàn)光的材料來(lái)制造陰極1006。第三類OLED設(shè)備在兩個(gè)方向上發(fā)射光，例如，通過(guò)陽(yáng)極1004和陰極1006兩者。根據(jù)光發(fā)射的方向，可以用對(duì)可見(jiàn)光為透明的、不透明的或反射的材料來(lái)形成基板。
在許多實(shí)施例中，在基板1002上安置包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光像素的OLED像素陣列1021，如圖18中所示。在一些實(shí)施例中，通過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)來(lái)控制陣列1021中的像素的導(dǎo)通和截止，并且多個(gè)像素作為一個(gè)整體在陣列1021上顯示信息或圖像。在某些實(shí)施例中，相對(duì)于其它部件(諸如驅(qū)動(dòng)和控制電子線路)來(lái)安排OLED像素陣列1021，以限定顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。在這些實(shí)施例中，顯示區(qū)域指的是基板1002上形成OLED像素陣列1021的區(qū)域。非顯示區(qū)域指的是基板1002上的其余區(qū)域。在一些實(shí)施例中，非顯示區(qū)域可以包含邏輯和/或電源電路。應(yīng)當(dāng)理解，顯示區(qū)域中安置了至少部分控制/驅(qū)動(dòng)電路元件。例如，在PMOLED中，導(dǎo)電部件將延伸到顯示區(qū)域以把合適的電位提供給陽(yáng)極和陰極。在AMOLED中，本地驅(qū)動(dòng)電路和與驅(qū)動(dòng)電路耦合的數(shù)據(jù)/掃描線將延伸到顯示區(qū)域內(nèi)以驅(qū)動(dòng)并控制AMOLED的各個(gè)像素。
OLED設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造中的一個(gè)考慮在于OLED設(shè)備的某些有機(jī)材料層在暴露于水、氧氣或其它有害氣體中時(shí)會(huì)遭到損傷或質(zhì)量加速變差。因此，一般可理解，要對(duì)OLED設(shè)備進(jìn)行密封或封裝，以防止暴露于在制造或操作環(huán)境中所發(fā)現(xiàn)的潮氣和氧氣或其它有害氣體。圖19示意說(shuō)明具有圖18的布置的、經(jīng)封裝的OLED設(shè)備1011沿圖18中的線19-19截取的橫截面。在這個(gè)實(shí)施例中，一般為平面的頂板或基板1061與密封材料1071連結(jié)，密封材料又與底板或基板1002連結(jié)以圍住或封裝OLED像素陣列1021。在其它實(shí)施例中，在頂板1061上或底板1002上形成一層或多層，并且密封材料1071通過(guò)這種層與底部或頂部基板1002、1061耦合。在圖示的實(shí)施例中，密封材料1071沿OLED像素陣列1021或底板或頂板1002、1061的外圍延伸。
在一些實(shí)施例中，密封材料1071是由將在下面進(jìn)一步討論的熔合材料制成的。在各種實(shí)施例中，頂板和底板1061、1002包括諸如塑料、玻璃和/或金屬箔等材料，這些材料可以對(duì)氧氣和/或水的通路提供障礙，從而保護(hù)OLED像素陣列1021不致暴露于這些物質(zhì)。在一些實(shí)施例中，用大體上透明的材料來(lái)形成頂板1061和底板1002中的至少一個(gè)。
為了延長(zhǎng)OLED設(shè)備1011的壽命，一般要求密封材料1071和頂板和底板1061、1002大體上提供對(duì)于氧氣和水蒸氣的非滲透性密封以及實(shí)質(zhì)上提供與外界隔絕的、圍住的空間1081。在某些應(yīng)用中表明，熔合材料的密封材料1071結(jié)合頂板和底板1061、1002提供了每天小于約10-3cc/m2的對(duì)于氧氣的屏障以及每天小于約10-6g/m2的對(duì)于水的屏障。假定一些氧氣和潮氣可以滲透到圍住的空間1081內(nèi)，在一些實(shí)施例中，在圍住的空間1081中形成可以吸收氧氣和/或潮氣的材料。
密封材料1071具有寬度W，寬度W是密封材料在平行于頂板或底板1061、1002的表面方向上的厚度，如圖19中所示。寬度隨實(shí)施例的不同而不同，范圍從約300μm到約3000μm，也可以是從約500μm到約1500μm。同樣，寬度可以隨密封材料1071位置的不同而不同。在一些實(shí)施例中，在密封材料1071接觸底部和頂部基板1002、1061中之一處或接觸在其上形成的層處，密封材料1071的寬度可以取最大。在密封材料1071與其它物體接觸處，寬度可以取最小。密封材料1071的單個(gè)橫截面中的寬度變化與密封材料1071的橫截面形狀和其它設(shè)計(jì)參數(shù)有關(guān)。
密封材料1071具有高度H，高度是密封材料在垂直于頂部或底部基板1061、1002的表面的方向上的厚度，如圖19中所示。高度隨實(shí)施例的不同而不同，范圍從約2μm到約30μm，也可以是從約10μm到約15μm。一般，高度并不隨密封材料1071的不同位置而出現(xiàn)顯著的變化。然而，在某些實(shí)施例中，在密封1071不同位置處，密封材料會(huì)有不同的高度。
在所說(shuō)明的實(shí)施例中，密封材料1071一般具有矩形的橫截面。然而，在其它實(shí)施例中，密封1071可以具有其它各種橫截面形狀，如一般為正方形的橫截面、一般為梯形的橫截面、具有一個(gè)或多個(gè)圓形邊緣的橫截面或給定應(yīng)用所需要的其它結(jié)構(gòu)。為了提高密封性，一般要求增大交界區(qū)域，在該交界區(qū)域處，密封材料1071直接接觸底部和頂部基板1002、1061，或接觸形成于其上的層。在一些實(shí)施例中，可以將密封材料的形狀設(shè)計(jì)成可以增加交界區(qū)域。
可以安置密封材料1071使之緊靠OLED陣列1021，在其它實(shí)施例中，密封材料1071與OLED陣列1021隔開(kāi)一些距離。在某些實(shí)施例中，密封材料1071一般包括連接在一起圍住OLED陣列1021的線性分段。密封材料1071的這種線性分段是可以延伸的，在某些實(shí)施例中，一般平行于OLED陣列1021的各個(gè)邊界。在其它實(shí)施例中，安置密封材料1071的一個(gè)或多個(gè)線性分段使之與OLED陣列1021的各個(gè)邊界具有不平行的關(guān)系。在又一種實(shí)施例中，至少一部分密封材料1071按曲線方式在頂板1061和底板1002之間延伸。
如上所述，在某些實(shí)施例中，使用熔合材料或簡(jiǎn)稱為“熔合料”或包括細(xì)玻璃顆粒的“玻璃熔合料”來(lái)形成密封材料1071。熔合料顆粒包括氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鋰(Li2O)、氧化鈉(Na2O)、氧化鉀(K2O)、氧化硼(B2O3)、氧化釩(V2O5)、氧化鋅(ZnO)、氧化碲(TeO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鉛(PbO)、氧化錫(SnO)、氧化磷(P2O5)，氧化釕(Ru2O)、氧化銣(Rb2O)、氧化銠(Rh2O)、氧化鐵(Fe2O3)、氧化銅(CuO)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎢(WO3)、氧化鉍(Bi2O3)、氧化銻(Sb2O3)、鉛-硼酸鹽玻璃、錫-磷酸鹽玻璃、釩酸鹽玻璃以及硼硅酸鹽等中的一種或多種。在一些實(shí)施例中，這些顆粒的尺寸范圍從約2μm到約30μm，也可以是從約5μm到約10μm，雖然不僅僅限于此。顆粒可以大到約和頂部和底部基板1061、1002之間的距離一樣大，或約與形成在熔合料密封材料1071接觸的這些基板上所形成的任何層之間的距離一樣大。
用于形成密封材料1071的熔合材料還可以包括一種或多種填充料或添加劑材料?？梢蕴峁┨畛淞匣蛱砑觿┎牧蟻?lái)調(diào)節(jié)密封材料1071的總熱膨脹特性和/或調(diào)節(jié)密封材料1071對(duì)于入射發(fā)光能量頻率的選擇吸收特性。填充料或添加劑材料還可以包括轉(zhuǎn)化的和/或添加劑填充料，以調(diào)節(jié)熔合料的熱膨脹系數(shù)。例如，填充料或添加劑材料可以包括過(guò)渡金屬，如鉻(Cr)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鈷(Co)、銅(Cu)和/或和/或釩。作為填充劑或添加劑的其它材料包括ZnSiO4、PbTiO3、ZrO2、鋰霞石。
在一些實(shí)施例中，作為干的成分的熔合材料包含從約20到90wt％的玻璃顆粒，其余包括填充料和/或添加劑。在一些實(shí)施例中，熔合料膏包含約10-30wt％的有機(jī)材料和約70-90％的無(wú)機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，熔合料膏包含約20wt％的有機(jī)材料和約80wt％的無(wú)機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，有機(jī)材料可以包括約0-30wt％的粘結(jié)劑和約70-100wt％的溶劑。在一些實(shí)施例中，有機(jī)材料中約10wt％是粘結(jié)劑，而約90wt％是溶劑。在一些實(shí)施例中，無(wú)機(jī)材料可以包括約0-10wt％的添加劑、約20-40wt％的填充劑和約50-80wt％的玻璃粉末。在一些實(shí)施例中，無(wú)機(jī)材料中約0-5wt％是添加劑、約25-30wt％是填充劑，而約65-75wt％是玻璃粉末。
在形成熔合料密封材料時(shí)，把液體材料添加到干的熔合材料中以形成熔合料膏?？梢允褂糜谢驔](méi)有添加劑的任何有機(jī)或無(wú)機(jī)溶劑作為液體材料。在一些實(shí)施例中，溶劑包括一種或多種有機(jī)化合物。例如，可以應(yīng)用的有機(jī)化合物為乙基纖維素、硝基纖維素、羥丙基纖維素(hydroxyl propyl cellulose)、二甘醇丁醚醋酸酯(butyl carbitol acetate)、松油醇(terpineol)、乙二醇單丁醚(butyl cellusolve)、丙烯酸酯(鹽)化合物(acrylate compounds)。然后，可以應(yīng)用如此形成的熔合料膏以在頂板和底板1061、1002上形成密封材料1071的形狀。
在一個(gè)示例實(shí)施例中，一開(kāi)始從熔合料膏形成密封材料1071的形狀，并且把它插在頂板1061和底板1002之間。在某些實(shí)施例中，可以把密封材料1071預(yù)先固化或預(yù)先燒結(jié)在頂板和底板1061、1002中之一上。接著組裝有密封材料1071插在中間的頂板1061和底板1002，選擇性地對(duì)密封材料1071的一些部分加熱，從而形成密封材料1071的熔合材料至少部分熔化。隨后使密封材料1071再凝固以形成頂板1061和底板1002之間堅(jiān)固的連結(jié)，從而防止所圍住的OLED像素陣列1021暴露在氧氣或水中。
在一些實(shí)施例中，通過(guò)諸如激光或定向紅外燈等的光輻射來(lái)執(zhí)行對(duì)熔合料密封材料的選擇性加熱。如上所述，形成密封材料1071的熔合材料可以與一種或多種添加劑或填充料組合，如為提高對(duì)照射光的吸收來(lái)促進(jìn)熔合材料的加熱和熔化以形成密封材料1071而選擇的種類的添加劑或填充料。
在一些實(shí)施例中，OLED設(shè)備1011是大批量生產(chǎn)的。在圖20所示的一個(gè)實(shí)施例中，在公共底板1101上形成多個(gè)分立的OLED陣列1021。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，定形的熔合料包圍每個(gè)OLED陣列1021以形成密封材料1071。在一些實(shí)施例中，在公共底板1101上放置公共頂板(未示出)，并且在其上形成一些結(jié)構(gòu)以致使OLED陣列1021和定形的熔合料膏插在公共底板1101和公共頂板之間。對(duì)OLED陣列1021進(jìn)行封裝和密封，如通過(guò)前述的單個(gè)OLED顯示設(shè)備的封裝過(guò)程。所產(chǎn)生的產(chǎn)品包括通過(guò)公共底板和頂板保持在一起的多個(gè)OLED設(shè)備。然后，把所產(chǎn)生的產(chǎn)品切割成多個(gè)塊，每一塊構(gòu)成圖19中的一個(gè)OLED設(shè)備1011。在某些實(shí)施例中，再進(jìn)一步對(duì)各個(gè)OLED設(shè)備1011進(jìn)行附加的封裝操作，以進(jìn)一步提高熔合料密封材料1071和頂板和底板1061、1002形成的密封。
圖2a、3a和4是平面圖，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。圖2b和3b是用于說(shuō)明圖2a和3a的橫截面圖。
參考圖2a，基板200限定像素區(qū)域210和非像素區(qū)域220。非像素區(qū)域220可以是包圍像素區(qū)域210的區(qū)域或像素區(qū)域210的外圍區(qū)域。在基板200的像素區(qū)域210上的掃描線104b和數(shù)據(jù)線106c之間形成多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件100，并且在基板200的非像素區(qū)域220上形成分別從像素區(qū)域210的掃描線104b和數(shù)據(jù)線106c延伸的掃描線104b和數(shù)據(jù)線106c，用于產(chǎn)生有機(jī)電致發(fā)光元件100的電源線(未示出)，以及用于處理從外部通過(guò)焊盤(pán)104c和106d而來(lái)的信號(hào)和把信號(hào)提供給掃描線104b和數(shù)據(jù)線106c的掃描驅(qū)動(dòng)器410和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器420。
參考圖2b，有機(jī)電致發(fā)光元件100包括陽(yáng)極108a和陰極111以及形成在陽(yáng)極108a和陰極111之間的有機(jī)薄膜層110。使有機(jī)薄膜層110形成為一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中淀積空穴輸送層、有機(jī)發(fā)光層和電子輸送層，并且可以進(jìn)一步包括空穴注射層和電子注射層。
在無(wú)源矩陣型顯示中，按矩陣形式把配置如上的有機(jī)電致發(fā)光元件100連接在掃描線104b和數(shù)據(jù)線106c之間，而在有源矩陣型中，按矩陣形式把有機(jī)電致發(fā)光元件100連接在掃描線104b和數(shù)據(jù)線106c之間，有源矩陣型還包括用于控制有機(jī)電致發(fā)光元件100的薄膜晶體管(TFT)，以及用于維持信號(hào)的電容器。薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極。半導(dǎo)體層102提供源極區(qū)和漏極區(qū)，其上有源極和漏極106a和106b，還有溝道區(qū)，在其上側(cè)是通過(guò)柵極絕緣膜103與半導(dǎo)體層102電絕緣的柵極104a。
參考圖3a和3b，在封裝基板300上沿封裝基板300周圍形成熔合料320。熔合料320封裝像素區(qū)域210以防止氧氣或潮氣滲入，把它形成為包圍包含像素區(qū)域210的至少一部分非像素區(qū)域220，例如，可以用諸如摻雜了至少一種可以被激光束或紅外線熔化的過(guò)渡金屬的玻璃熔合料之類的材料來(lái)形成它。
參考圖4，把封裝基板300安置在基板200的上側(cè)。把封裝基板300安置在基板200的上側(cè)以使它重疊在像素區(qū)域210和一部分非像素區(qū)域220上。在熔合料320和掃描線104、數(shù)據(jù)線106c和電源線之間提供保護(hù)膜108b(在一種實(shí)施例中是用與陽(yáng)極108a相同的無(wú)機(jī)材料制成的，并且與陽(yáng)極108a是分開(kāi)的)。在前表面發(fā)光型的情況中，可以用不透明無(wú)機(jī)電極材料來(lái)制造陽(yáng)極108a和保護(hù)膜108b，在后表面發(fā)光型的情況中，可以用透明無(wú)機(jī)電極材料。不透明無(wú)機(jī)電極材料可以是從，例如，包括ACX(鋁合金)、銀(Ag)和金(Au)或它們的混合物的一組材料中選擇出來(lái)的無(wú)機(jī)材料，而透明無(wú)機(jī)電極可以是從，例如，包括ITO、IZO和ITZO或它們的混合物的一組材料中選擇出來(lái)的無(wú)機(jī)材料。在把封裝基板300附加到基板200的情況下，用激光束和/或紅外線照射，從而使熔合料320熔化并結(jié)合到基板200上。
下面將參考圖5a到5g和圖6a和6b來(lái)描述根據(jù)一種實(shí)施例的、配置如上的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法。參考圖5a和6a，準(zhǔn)備基板200，在基板200上限定像素區(qū)域210和非像素區(qū)域220。可以將非像素區(qū)域220限定為包圍像素區(qū)域210的區(qū)域或像素區(qū)域210的外圍區(qū)域。在基板200的像素區(qū)域210和非像素區(qū)域220上緩沖層101。形成用作絕緣膜(如氧化硅膜SiO2和/或氮化硅膜SiNx)的緩沖層101，緩沖層的作用是防止基板200由于熱而損壞，并且隔絕從基板200到外部的離子擴(kuò)散。
參考圖5b，在像素區(qū)域210的緩沖層101上形成提供有源層的半導(dǎo)體層102，并且在包括半導(dǎo)體層102的像素區(qū)域210和非像素區(qū)域220的上表面上形成柵極絕緣膜103。半導(dǎo)體層102為薄膜晶體管提供源極和漏極區(qū)以及溝道區(qū)。
參考圖5c，在放置在半導(dǎo)體層102的上側(cè)的柵極絕緣膜103上形成柵極104a。在像素區(qū)域210上形成連接到柵極104a的掃描線，并且在非像素區(qū)域220上形成從像素區(qū)域210的掃描線104延伸的掃描線104和焊盤(pán)104c，以接收來(lái)自外部的信號(hào)。由諸如Mo、W、Ti、Al和/或它們的合金之類的金屬來(lái)制造柵極104a、掃描線104b和焊盤(pán)104c，并且可以構(gòu)成為迭層結(jié)構(gòu)。圖5所示的非像素區(qū)域220是與掃描線104b一起形成的部分的橫截面表面。
參考圖5d，在像素區(qū)域210和包括柵極104a的非像素區(qū)域220的上表面上形成層間絕緣膜105。通過(guò)在層間絕緣膜105和柵極絕緣膜103上形成圖案而形成接觸孔，通過(guò)接觸孔暴露部分半導(dǎo)體層102，并且形成的源極106a和漏極106b通過(guò)接觸孔連接到半導(dǎo)體層102。在像素區(qū)域210上形成連接到柵極106a的掃描線，并且在非像素區(qū)域220上形成從像素區(qū)域210的掃描線106和焊盤(pán)104c延伸的掃描線106，以接收來(lái)自外部的信號(hào)。由諸如Mo、W、Ti、Al和/或它們的合金之類的金屬來(lái)制造源極和漏極106a和106b、數(shù)據(jù)線106c和焊盤(pán)106d，并且可以構(gòu)成為迭層結(jié)構(gòu)。圖5d中的非像素區(qū)域220是與數(shù)據(jù)線106c一起形成的部分的橫截面表面。
參考圖5e和5f以及圖6b，在像素區(qū)域210的上表面上形成扁平層107以使表面平整。通過(guò)對(duì)像素區(qū)域210的扁平層107形成圖案而形成通孔，通過(guò)通孔暴露源極或漏極106a或106b的一些部分。在像素區(qū)域210和非像素區(qū)域220的上表面上形成用無(wú)機(jī)材料制成的電極材料層。形成圖案，從而在像素區(qū)域210上形成陽(yáng)極108a，它通過(guò)通孔連接到源極或漏極106a或106b，并且在非像素區(qū)域220上形成保護(hù)膜108b。形成圖案，從而為了掃描電極104b和數(shù)據(jù)線106c和陽(yáng)極108a之間的電氣絕緣，陽(yáng)極108和保護(hù)膜108b具有分隔的結(jié)構(gòu)。圖5e的非像素區(qū)域220是與數(shù)據(jù)線104b一起形成的部分的橫截面表面，而圖5f的非像素區(qū)域220是與數(shù)據(jù)線106c一起形成的部分的橫截面表面。
在前表面發(fā)光型的情況中，用無(wú)機(jī)材料制造的電極材料層可以用不透明無(wú)機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料的混合物來(lái)制造，而在后表面發(fā)光型的情況中，用透明無(wú)機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料的混合物來(lái)制造。例如，可以從包括ACX(鋁合金)、Ag和Au的一組材料中選擇不透明無(wú)機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料的混合物，并且例如，可以從包括ITO、IZO和ITZO的一組材料中選擇透明無(wú)機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料的混合物。
在一種實(shí)施例中，在像素區(qū)域210和非像素區(qū)域220的上側(cè)形成扁平層107，然后在扁平層107上形成圖案從而暴露連接到數(shù)據(jù)線106c的焊盤(pán)106d。在另一個(gè)實(shí)施例中，只在像素區(qū)域210上形成扁平層107，由于在用有機(jī)材料制造扁平層107的情況中，至數(shù)據(jù)線106的連結(jié)的堅(jiān)固性較差。#參考圖5g，在扁平層107上形成像素限定膜109從而暴露一部分陽(yáng)極108a，然后在暴露的陽(yáng)極108a上形成有機(jī)薄膜110，并且在包括有機(jī)薄膜層110的像素限定膜109上形成陰極111。
本實(shí)施例建議一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，用無(wú)機(jī)材料制成的保護(hù)膜108b不使掃描線104b、數(shù)據(jù)線106c和電源線暴露。雖然建議了在包括掃描線104b、數(shù)據(jù)線106c和電源線的非像素區(qū)域220的表面上形成保護(hù)膜108b的一種結(jié)構(gòu)，但是也可以實(shí)現(xiàn)一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，只在非像素區(qū)域220的掃描線104b、數(shù)據(jù)線106c和電源線上形成保護(hù)膜108b。
再回到圖3a和3b，提供封裝基板300，它具有如此的大小范圍以致一部分像素區(qū)域210與一部分非像素區(qū)域220重疊。將如玻璃之類的透明材料制成的基板用作封裝基板300，并且在一種實(shí)施例中，使用由氧化硅SiO2制成的基板。
沿封裝基板300的周圍形成熔合材料320。熔合材料320封裝像素區(qū)域210以防止氧氣或潮氣滲入，把它形成得圍住包括像素區(qū)域210的一部分非像素區(qū)域220。在某些實(shí)施例中，熔合料是一種粉末狀的玻璃材料。在其它實(shí)施例中，膏狀熔合料中包括了激光或紅外線吸收劑、有機(jī)粘合劑、用于減小熱膨脹系數(shù)的填充料等，以促進(jìn)烘烤過(guò)程之后的固化。例如。熔合料可以摻雜至少一種過(guò)渡金屬。
參考圖7，把封裝基板300安置在通過(guò)圖5a到5g所示的過(guò)程制造的基板200的上側(cè)。在把封裝基板300安置在要重疊到像素區(qū)域210和一部分非像素區(qū)域220上的基板200的上側(cè)的情況下，通過(guò)沿熔合料320照射激光束或紅外線使熔合料320附于基板200上。熔合料吸收至少一部分激光束或紅外線，接著生成熱量，從而使熔合料320熔化和附于基板200上。
在使用激光束的一個(gè)實(shí)施例中，以36瓦到38瓦數(shù)量級(jí)的功率照射激光束，并且使激光束以大體恒定的速度沿熔合料320移動(dòng)以維持更均勻的熔化溫度和粘合強(qiáng)度。在一種實(shí)施例中，激光束或紅外線的移動(dòng)速度是在10到30毫米/秒的數(shù)量級(jí)，最好是20毫米/秒。
對(duì)于把柵極絕緣膜103和層間絕緣膜105形成在像素區(qū)域210和非像素區(qū)域220上的一種情況的一個(gè)實(shí)施例中，還可以將它們只形成在像素區(qū)域210上。上文中已經(jīng)描述了對(duì)于形成熔合料320只密封像素區(qū)域210的情況的一種實(shí)施例，但是不局限于此，而是可以形成包括掃描驅(qū)動(dòng)器410。在該實(shí)施例中，還應(yīng)該適當(dāng)?shù)馗淖兎庋b基板300的尺寸。此外，上文中已經(jīng)描述了在封裝基板300上形成熔合料320的一種實(shí)施例，但是不局限于此，而是還可以形成在基板200上。
根據(jù)一種實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備使得可以用無(wú)機(jī)電極材料來(lái)制造保護(hù)膜108b，在形成像素區(qū)域210的陽(yáng)極108a的過(guò)程中，形成在諸如掃描線104b、數(shù)據(jù)線106c和電源線等的金屬導(dǎo)線的上側(cè)。因此，當(dāng)照射激光束使熔合料320熔化和附于基板200上時(shí)，放置在熔合料320和與熔合料320交叉的部分的下側(cè)的諸如掃描線104b、數(shù)據(jù)線106c和電源線等的金屬導(dǎo)線不會(huì)直接暴露在激光束引起的熱量下，如圖8a和8b所示。
一般用作電極或?qū)Ь€的金屬的反射率是Cr(0.632)、Mo(0.550)、Ti(0.557)和W(0.500)，但是用于本實(shí)施例的不透明無(wú)機(jī)電極材料的反射率是相當(dāng)高的，諸如Al(0.868)、Ag(0.969)、Au(0.986)等。因此，因?yàn)橛捎诟叻瓷渎识鵁嵛章实?，可以降低傳遞到下側(cè)的金屬導(dǎo)線的熱。
此外，用于本實(shí)施例的透明無(wú)機(jī)電極材料(ITO、IZO、ITZO等)是金屬氧化物，它們與金屬材料相比甚至具有更低的熱傳導(dǎo)性，因此對(duì)傳遞到下側(cè)的金屬導(dǎo)線的熱可以起到隔絕的作用，并且可以作為緩沖層，因此使之可以防止金屬導(dǎo)線的熱損傷。保護(hù)膜108b隔絕熱傳遞，因此可以阻止熱對(duì)金屬導(dǎo)線的損傷，這依次又防止了金屬導(dǎo)線的斷裂或自身電阻和電氣特性的實(shí)質(zhì)性變化，從而可以維持元件的電氣特性和可靠性。
如上所述，一種實(shí)施例使得可以用無(wú)機(jī)材料制成的保護(hù)膜在形成陽(yáng)極的過(guò)程中形成在諸如掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線等的金屬導(dǎo)線的上側(cè)。熔合料的下側(cè)的和與熔合料交叉的部分金屬導(dǎo)線沒(méi)有直接暴露于激光束或紅外線引起的熱量下，隔絕了熱傳遞，因此防止了對(duì)金屬導(dǎo)線的任何熱損傷。因此，防止了金屬導(dǎo)線的斷裂或自身電阻和電氣特性的實(shí)質(zhì)性變化，從而可以維持元件的電氣特性和可靠性。
此外，由于通過(guò)非像素區(qū)域的金屬導(dǎo)線上與熔合料具有杰出粘合強(qiáng)度的無(wú)機(jī)材料來(lái)形成保護(hù)膜而無(wú)需另外的獨(dú)立處理或掩模，所以可以提供甚至比熔合料直接附于金屬導(dǎo)線上的情況更突出的粘合強(qiáng)度。因此，增強(qiáng)了熔合料和基板之間的粘合強(qiáng)度，這依次又有效地阻止了氧氣或潮氣的滲入，從而提高了顯示設(shè)備的可靠性。
圖9a、10a和11是平面圖，說(shuō)明根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。圖9b和10b是用于說(shuō)明圖9a和10a的橫截面圖。參考圖9a，基板600被限定成像素區(qū)域610和非像素區(qū)域620。非像素區(qū)域620可以是包圍像素區(qū)域610的區(qū)域或像素區(qū)域610的外圍區(qū)域。在基板600的像素區(qū)域610上的掃描線504b和數(shù)據(jù)線506c之間形成多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件500，并且在基板600的非像素區(qū)域620上形成分別從像素區(qū)域610的掃描線504b和數(shù)據(jù)線506c延伸的掃描線504b和數(shù)據(jù)線506c；用于產(chǎn)生有機(jī)電致發(fā)光元件500的電源線(未示出)；以及掃描驅(qū)動(dòng)器810和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器820，用于處理從外部通過(guò)焊盤(pán)504c和506d而來(lái)的信號(hào)和把信號(hào)提供給掃描線504b和數(shù)據(jù)線506c。
參考圖9b，有機(jī)電致發(fā)光元件500包括陽(yáng)極509a和陰極512以及形成在陽(yáng)極509a和陰極511之間的有機(jī)薄膜層512。使有機(jī)薄膜層511形成為一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中淀積空穴輸送層、有機(jī)發(fā)光層和電子輸送層，并且可以進(jìn)一步包括空穴注射層和電子注射層。
在無(wú)源矩陣型顯示器中，按矩陣形式把配置如上的有機(jī)電致發(fā)光元件500連接在掃描線504b和數(shù)據(jù)線506c之間，而在有源矩陣型顯示器中，按矩陣形式把有機(jī)電致發(fā)光元件500連接在掃描線504b和數(shù)據(jù)線506c之間，有源矩陣型還包括用于控制有機(jī)電致發(fā)光元件500的薄膜晶體管(TFT)，以及用于維持信號(hào)的電容器。薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極。半導(dǎo)體層502提供源極區(qū)和漏極區(qū)，其上有源極和漏極506a和506b，還提供溝道區(qū)，在其上側(cè)是通過(guò)柵極絕緣膜502與半導(dǎo)體層503電絕緣的柵極504a。
參考圖10a和10b，在封裝基板700上沿封裝基板700周圍形成熔合料720。熔合料720封裝像素區(qū)域610以防止氧氣或潮氣滲入，并把它形成為包圍包含像素區(qū)域610的至少一部分非像素區(qū)域620，例如，可以用諸如摻雜了可以被激光束或紅外線熔化的、至少一種過(guò)渡金屬的玻璃熔合料之類的材料來(lái)形成它。
參考圖11，把封裝基板700安置在基板600的上側(cè)。把封裝基板700安置在基板600的上側(cè)從而使它重疊在像素區(qū)域610和一部分非像素區(qū)域620上。在形成于非像素區(qū)域620上的熔合料720和掃描線504b、數(shù)據(jù)線506c和電源線之間提供迭層結(jié)構(gòu)的第一保護(hù)膜507和第二保護(hù)膜509b。在前表面發(fā)光型的情況中，用從包括SiOx、SiNx、SiOxNy的一組材料中選擇出來(lái)的硅化合物來(lái)形成第一保護(hù)膜507，并且可以用不透明無(wú)機(jī)電極材料來(lái)形成第二保護(hù)膜509b，而在后表面發(fā)光型的情況中，可以用透明無(wú)機(jī)電極材料。不透明無(wú)機(jī)電極材料可以是從，例如，包括ACX(鋁合金)、銀(Ag)和金(Au)或它們的混合物的一組材料中選擇出來(lái)的無(wú)機(jī)材料，而透明無(wú)機(jī)電極可以是從，例如，包括ITO、IZO和ITZO或它們的混合物的一組材料中選擇出來(lái)的無(wú)機(jī)材料。
可以在非像素區(qū)域620的表面上形成第一保護(hù)膜507和第二保護(hù)膜509b，并且可以用與陽(yáng)極509a相同的無(wú)機(jī)電極材料來(lái)形成第二保護(hù)膜509b。在用與陽(yáng)極509a相同的無(wú)機(jī)電極材料來(lái)形成第二保護(hù)膜509b的情況中，為了在掃描線504b和數(shù)據(jù)線506c和陽(yáng)極509a之間的電絕緣而應(yīng)當(dāng)與陽(yáng)極509a分開(kāi)。在把封裝基板700附于基板600上的情況下，照射激光束或紅外線從而熔合料720熔化和粘結(jié)到基板600上。
下面將參考圖12a到12h和圖13a和13b來(lái)描述根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的、配置如上的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法。參考圖12a和13a，準(zhǔn)備基板600，在基板600上限定像素區(qū)域610和非像素區(qū)域620?？梢韵薅ǚ窍袼貐^(qū)域620作為包圍像素區(qū)域610的區(qū)域或像素區(qū)域610的外圍區(qū)域。在基板600的像素區(qū)域610和非像素區(qū)域620上形成緩沖層501。緩沖層501的作用是防止基板600由于熱而損壞，并且隔絕從基板600到外部的離子擴(kuò)散，該緩沖層形成為如氧化硅膜SiO2和/或氮化硅膜SiNx之類的絕緣膜。
參考圖12b，在像素區(qū)域610的緩沖層502上形成提供有源層的半導(dǎo)體層501，并且在包括半導(dǎo)體層503的像素區(qū)域610和非像素區(qū)域620的上表面上形成柵極絕緣膜502。半導(dǎo)體層502為薄膜晶體管提供源極區(qū)和漏極區(qū)以及溝道區(qū)。
參考圖12c，在放置在半導(dǎo)體層503的上側(cè)的柵極絕緣膜502上形成柵極504a。在像素區(qū)域610上形成連接到柵極504a的掃描線，并且在非像素區(qū)域620上形成從像素區(qū)域610的掃描線504b延伸的掃描線504b和焊盤(pán)504c，以接收來(lái)自外部的信號(hào)。由諸如Mo、W、Ti、Al或它們的合金之類的金屬來(lái)制造柵極504a、掃描線504b和焊盤(pán)504c，并且可以構(gòu)成為迭層結(jié)構(gòu)。圖12c的非像素區(qū)域620是與掃描線504b一起形成的部分的橫截面表面。
參考圖12d，在包括柵極504a的像素區(qū)域610的上表面上形成層間絕緣膜505。通過(guò)在層間絕緣膜505和柵極絕緣膜502上形成圖案而形成接觸孔，通過(guò)接觸孔暴露部分半導(dǎo)體層503，并且形成要通過(guò)接觸孔連接到半導(dǎo)體層502的源極506a和漏極506b。此時(shí)，在像素區(qū)域610上形成連接到源極和漏極506a、506b的數(shù)據(jù)線506c，并且在非像素區(qū)域620上形成從像素區(qū)域610的數(shù)據(jù)線506c延伸的數(shù)據(jù)線506c和焊盤(pán)506d，以接收來(lái)自外部的信號(hào)。由諸如Mo、W、Ti、Al或它們的合金之類的金屬來(lái)制造源極和漏極506a和506b、數(shù)據(jù)線506c和焊盤(pán)506d，并且可以構(gòu)成為迭層結(jié)構(gòu)。圖12d的非像素區(qū)域620是與數(shù)據(jù)線506c一起形成的部分的橫截面表面。
參考圖12e和12f，在包括掃描線504b和數(shù)據(jù)線506c的非像素區(qū)域620的上表面上形成第一保護(hù)膜507。用從包括SiOx、SiNx、SiOxNy等(例如，硅化合物)的一組材料中選擇出來(lái)的材料來(lái)形成第一保護(hù)膜507。圖12e的非像素區(qū)域620是與掃描線504b一起形成的部分的橫截面表面，而圖12f的非像素區(qū)域620是與數(shù)據(jù)線506c一起形成的部分的橫截面表面。
參考圖12g和13b，在像素區(qū)域610的上表面上形成扁平層508以使表面平整。通過(guò)在像素區(qū)域610的扁平層508上形成圖案而形成通孔，通過(guò)通孔暴露源極或漏極106a或106b的一些部分。在像素區(qū)域610和非像素區(qū)域620的上側(cè)上形成用無(wú)機(jī)材料制成的電極材料層。形成圖案，以便在像素區(qū)域610上形成陽(yáng)極509a，它通過(guò)通孔連接到源極或漏極506a或506b，并且在非像素區(qū)域620上形成第二保護(hù)膜509b。
在前表面發(fā)光型的情況中，用無(wú)機(jī)材料制成的電極材料層可以用不透明的無(wú)機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料的混合物制成，而在后表面發(fā)光型的情況中，用透明的無(wú)機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料的混合物制成。例如，可以從包括ACX(鋁合金)、Ag和Au的一組材料中選擇不透明的無(wú)機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料的混合物，并且例如，可以從包括ITO、IZO和ITZO的一組材料中選擇透明的無(wú)機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料的混合物。
在一種實(shí)施例中，在形成陽(yáng)極509a的過(guò)程中形成第二保護(hù)膜509b，從而不需要另外的處理和掩模。在其它實(shí)施例中，還可以通過(guò)分別的過(guò)程來(lái)形成陽(yáng)極509a和第二保護(hù)膜509b。在同時(shí)的過(guò)程步驟中，在形成陽(yáng)極509a和第二保護(hù)膜509b作為無(wú)機(jī)電極材料層的情況中，陽(yáng)極509a和第二保護(hù)膜509b具有用作掃描線504b和數(shù)據(jù)線506c以及陽(yáng)極509a之間的電絕緣的分隔的結(jié)構(gòu)。
參見(jiàn)圖12h，在扁平層508上形成像素限定膜510從而暴露一部分陽(yáng)極509a，然后在暴露的陽(yáng)極509a上形成有機(jī)薄膜511，并且在包括有機(jī)薄膜層512的像素限定膜510上形成陰極511。本實(shí)施例建議一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，第一保護(hù)膜507和第二保護(hù)膜509b不使掃描線504b、數(shù)據(jù)線506c和電源線暴露。雖然建議了在包括掃描線504b、數(shù)據(jù)線506c和電源線的非像素區(qū)域620的表面上形成具有迭層結(jié)構(gòu)的第一保護(hù)膜507和第二保護(hù)膜509b的一種結(jié)構(gòu)，但是也可以采用這樣一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，只在非像素區(qū)域620的掃描線504b、數(shù)據(jù)線506c和電源線上形成第一保護(hù)膜507和第二保護(hù)膜509b。
再回到圖10a和10b，提供封裝基板700，其大小范圍使得至少一部分像素區(qū)域610與一部分非像素區(qū)域620重疊。使用用諸如玻璃之類的透明材料制成的基板作為封裝基板700。在一種實(shí)施例中，使用用氧化硅SiO2制成的基板。
沿封裝基板700的周圍形成熔合料720。熔合料720封裝像素區(qū)域610以防止氧氣或潮氣滲入，把它形成得圍住包括像素區(qū)域610的至少一部分非像素區(qū)域620。在一種實(shí)施例中，熔合料一般是粉末狀的玻璃材料。另一種實(shí)施例提供一種膏狀熔合料，其中可包括激光或紅外線吸收劑、有機(jī)粘合劑、用于減小熱膨脹系數(shù)的填充料等，以促進(jìn)烘烤過(guò)程之后的固化。例如。熔合料可以摻雜至少一種過(guò)渡金屬。
參考圖14，把封裝基板700安置在通過(guò)圖12a到12h所示的過(guò)程制造的基板600的上側(cè)。在把封裝基板700安置在要疊加到像素區(qū)域610和一部分非像素區(qū)域620上的基板600的上側(cè)的情況下，通過(guò)沿熔合料720照射激光束或紅外線使熔合料720附于基板700上。激光束或紅外線至少部分被熔合料720吸收，因而產(chǎn)生熱量，從而使熔合料720熔化和附于基板600上。
在使用激光束的一些實(shí)施例中，用36瓦到38瓦功率數(shù)量級(jí)的激光束照射，并且使激光束以通常為恒定的速度沿熔合料720移動(dòng)從而維持更均勻的熔化溫度和粘合強(qiáng)度。在一種實(shí)施例中，激光束或紅外線的移動(dòng)速度是在10到30毫米/秒的數(shù)量級(jí)，最好是20毫米/秒。
上文中描述了形成熔合料720以僅僅密封像素區(qū)域610的一種實(shí)施例，但是不局限于此，而是可以在其它實(shí)施例中形成而包括掃描驅(qū)動(dòng)器810。在這些實(shí)施例中，應(yīng)該適當(dāng)?shù)馗淖兎庋b基板700的尺寸。此外，上文中已經(jīng)描述了在封裝基板700上形成熔合料720的實(shí)施例，但是不局限于此，而是還可以形成于基板600上。
根據(jù)一種實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備在諸如非像素區(qū)域620的掃描線504b、數(shù)據(jù)線506c和電源線等的金屬導(dǎo)線上形成第一保護(hù)膜507和第二保護(hù)膜509b使之具有迭層結(jié)構(gòu)。當(dāng)照射激光束使熔合料720熔化和附于基板600上時(shí)，熔合料720和與熔合料720交叉的部分的下側(cè)的金屬導(dǎo)線504b、506c不會(huì)直接暴露于激光束產(chǎn)生的熱量中，如圖15a和15b所示。由無(wú)機(jī)電極材料制成的第二保護(hù)膜509b至少部分反射掉激光束以防止吸收熱。由硅化合物制成的第一保護(hù)膜507大體上隔絕從第二保護(hù)膜509b傳遞到金屬導(dǎo)線504b、506c的熱量。
一般用作電極或?qū)Ь€的金屬的反射率是Cr(0.632)、Mo(0.550)、Ti(0.557)和W(0.500)。用于一些實(shí)施例的不透明的無(wú)機(jī)電極材料的反射率相當(dāng)高，如A1(0.868)、Ag(0.969)、Au(0.986)等。因此，因?yàn)橛捎诟叻瓷渎识鵁嵛章实?，可以顯著地降低傳遞到下側(cè)金屬導(dǎo)線的熱。此外，用于某些實(shí)施例的透明無(wú)機(jī)電極材料(ITO、IZO、ITZO等)是金屬氧化物，它們與金屬材料相比甚至具有更低的熱傳導(dǎo)率，因此對(duì)傳遞到下側(cè)的金屬導(dǎo)線的熱可以起到隔絕的作用，并且可以用作緩沖層，因此使之可以顯著減小金屬導(dǎo)線的熱損傷。因此，作為雙層結(jié)構(gòu)形成的第一保護(hù)膜507和第二保護(hù)膜509b有效地隔絕熱傳導(dǎo)，因此可以減小熱對(duì)金屬導(dǎo)線的損傷，這又防止金屬導(dǎo)線的斷裂或自身電阻和電氣特性的實(shí)質(zhì)性變化，從而使之可以維持元件的電氣特性和可靠性。
此外，由于通過(guò)與非像素區(qū)域620的金屬導(dǎo)線504b、506c上的熔合料具有杰出粘合強(qiáng)度的無(wú)機(jī)材料來(lái)形成第二保護(hù)膜509b而無(wú)需另外獨(dú)立的加工過(guò)程或掩模，所以可以提供甚至比熔合料直接附于金屬導(dǎo)線504b、506c的情況更突出的粘合強(qiáng)度。因此，增強(qiáng)了熔合料720和基板之間的粘合強(qiáng)度，這又更有效地阻止了氧氣或潮氣的滲入，從而提高了顯示設(shè)備的可靠性。
一種實(shí)施例在非像素區(qū)域的金屬導(dǎo)線上形成具有雙層結(jié)構(gòu)的保護(hù)膜。因此，通過(guò)用于反射激光束以隔絕熱量不被吸收的無(wú)機(jī)層和用于隔絕熱傳遞的硅化合物層，熔合料和與熔合料交叉部分的下側(cè)的金屬導(dǎo)線是不直接暴露于激光束或紅外線引起的熱的，因此減少了金屬導(dǎo)線的熱損傷可能性。這又防止了金屬導(dǎo)線的斷裂或自身電阻和電氣特性的實(shí)質(zhì)性變化，從而使之可以維持元件的電氣特性和可靠性。
此外，由于在形成陽(yáng)極期間通過(guò)與非像素區(qū)域的金屬導(dǎo)線上的熔合料具有杰出粘合強(qiáng)度的無(wú)機(jī)材料來(lái)形成保護(hù)膜而無(wú)需另外獨(dú)立的工藝過(guò)程或掩模，所以可以提供甚至比熔合料直接附于金屬導(dǎo)線的情況更突出的粘合強(qiáng)度。因此，增強(qiáng)了熔合料的粘合強(qiáng)度，因此阻止了氧氣或潮氣的滲入，使之可以提高顯示設(shè)備的可靠性。
上文中，雖然已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但是熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人員應(yīng)該理解，可以作出一些變更而不偏離本發(fā)明的原理和精神，權(quán)利要求書(shū)和其等效技術(shù)方案中限定了本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，包括用有機(jī)電致發(fā)光元件形成的第一基板，每個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件包含第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極以及用于把信號(hào)傳送到有機(jī)電致發(fā)光元件的金屬導(dǎo)線；安置在第一基板上側(cè)的第二基板；提供于第一基板和第二基板之間的熔合料；以及在金屬導(dǎo)線和熔合料之間用第一電極材料形成的保護(hù)膜，所述保護(hù)膜與各第一電極分隔開(kāi)。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板中的至少一個(gè)包括一種透明材料。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述金屬導(dǎo)線包括掃描線、數(shù)據(jù)線以及電源線。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，還在除了形成有所述有機(jī)電致發(fā)光元件的區(qū)域之外的其余區(qū)域中形成保護(hù)膜。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一電極材料是從包括ACX、Ag和Au的一組材料中選擇出來(lái)的一種或多種材料。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一電極材料是從包括ITO、IZO和ITZO的一組材料中選擇出來(lái)的一種或多種材料。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述熔合料包含由過(guò)渡金屬制成的至少一種摻雜劑。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，還包括用于控制所述有機(jī)電致發(fā)光元件工作的晶體管。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述熔合料包括從包含氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鋰(Li2O)、氧化鈉(Na2O)、氧化鉀(K2O)、氧化硼(B2O3)、氧化釩(V2O5)、氧化鋅(ZnO)、氧化碲(TeO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鉛(PbO)、氧化錫(SnO)、氧化磷(P2O5)，氧化釕(Ru2O)、氧化銣(Rb2O)、氧化銠(Rh2O)、氧化鐵(Fe2O3)、氧化銅(CuO)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎢(WO3)、氧化鉍(Bi2O3)、氧化銻(Sb2O3)、鉛-硼酸鹽玻璃、錫-磷酸鹽玻璃、釩酸鹽玻璃以及硼硅酸鹽的一組材料中選擇出來(lái)的一種或多種材料。
10.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，包括第一基板，所述第一基板限定用有機(jī)電致發(fā)光元件形成的像素區(qū)域，所述有機(jī)電致發(fā)光元件包含第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極；以及所述第一基板限定用把信號(hào)從外部傳送到有機(jī)電致發(fā)光元件的金屬導(dǎo)線形成的非像素區(qū)域；安置在第一基板上側(cè)的第二基板；提供于第一基板和第二基板之間的熔合料；以及在金屬導(dǎo)線和熔合料之間以迭層結(jié)構(gòu)提供的第一、第二保護(hù)膜，其中，所述第一基板和第二基板通過(guò)熔合料而相互連結(jié)。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，還包括連接到所述第一電極的晶體管，所述晶體管包括源極、漏極和柵極。
12.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述金屬導(dǎo)線包括掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線。
13.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，在所述非像素區(qū)域的表面上形成所述第一、第二保護(hù)膜。
14.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，從包括SiOx、SiNx和SiOxNy的一組材料中選擇出來(lái)的一種硅化合物來(lái)形成所述第一保護(hù)膜。
15.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二保護(hù)膜是用第一電極材料來(lái)形成的，并且與所述第一電極隔開(kāi)。
16.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法，其特征在于，包括在第一基板上提供緩沖層以限定像素區(qū)域和非像素區(qū)域；在像素區(qū)域的緩沖層上提供半導(dǎo)體層以及在非像素區(qū)域的上表面上提供柵極絕緣膜；在像素區(qū)域的柵極絕緣膜上提供柵極和第一金屬導(dǎo)線以及在非像素區(qū)域的柵極絕緣膜上提供從像素區(qū)域的第一金屬導(dǎo)線延伸的第一金屬導(dǎo)線；在像素區(qū)域和非像素區(qū)域的上表面上提供層間絕緣膜以及提供接觸孔從而致暴露一部分所述半導(dǎo)體層；在像素區(qū)域的層間絕緣膜上提供源極和漏極以及通過(guò)接觸孔連接到半導(dǎo)體層的第二金屬導(dǎo)線，以及在非像素區(qū)域的層間絕緣膜上提供從像素區(qū)域的第二金屬導(dǎo)線延伸的第二金屬導(dǎo)線；在像素區(qū)域的上表面上提供扁平層以及提供一個(gè)通孔從而暴露源極和漏極；在像素區(qū)域和非像素區(qū)域的上表面上提供無(wú)機(jī)電極層，以及形成無(wú)機(jī)電極層的圖案，而在像素區(qū)域上形成第一電極，第一電極通過(guò)通孔連接到源極或漏極，并在非像素區(qū)域上提供保護(hù)膜；在第一電極上提供有機(jī)薄膜層和第二電極；沿第二基板的周圍形成熔合料；以及把第二基板安置在第一基板的上表面上，然后把熔合料附于第一基板上。
17.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法，其特征在于，形成所述無(wú)機(jī)電極層的圖案從而使所述第一電極與所述保護(hù)膜分隔開(kāi)。
18.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法，其特征在于，從包括ACX、Ag和Au的一組材料中選擇出的一種或多種材料來(lái)形成所述無(wú)機(jī)電極層。
19.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法，其特征在于，從包括ITO、IZO和ITZO的一組材料中選擇出的一種或多種材料來(lái)形成無(wú)機(jī)電極層。
20.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法，其特征在于，用激光束和紅外線中的至少一種使所述熔合料熔化和附于所述基板上。
21.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法，其特征在于，所述熔合料包括用過(guò)渡金屬制成的至少一種摻雜劑。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括第一基板，它具有用有機(jī)電致發(fā)光元件形成的像素區(qū)域以及用金屬導(dǎo)線形成的非像素區(qū)域，該金屬導(dǎo)線用于把信號(hào)從外部傳送到有機(jī)電致發(fā)光元件，而所述有機(jī)電致發(fā)光元件包括第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極；安置在第一基板上側(cè)的第二基板；提供于第一基板和第二基板之間的熔合料，以及在金屬導(dǎo)線和熔合料之間以迭層結(jié)構(gòu)提供的第一、第二保護(hù)膜，其中，第一基板和第二基板通過(guò)熔合料而相互連結(jié)。非像素區(qū)域的金屬導(dǎo)線具有用形成在其上的硅化合物制成的第一保護(hù)膜。
文檔編號(hào)H01L23/02GK101022123SQ200710007750
公開(kāi)日2007年8月22日 申請(qǐng)日期2007年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月14日
發(fā)明者金得鐘, 宋升勇 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社