專利名稱：：一種測量晶體硅體少子壽命的化學(xué)鈍化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及測試晶體硅體少子壽命的化學(xué)溶液鈍化晶體硅表面的方法。技術(shù)背景少數(shù)載流子壽命(簡稱體少子壽命)是半導(dǎo)體晶體硅材料的一項重要參數(shù)，它對半導(dǎo)體器件的性能、晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率都有重要的影響。當(dāng)載流子連續(xù)產(chǎn)生時，在太陽能電池中，壽命的值決定了電子和空穴的穩(wěn)定數(shù)量。這些數(shù)目決定了器件產(chǎn)生的電壓，因此要求使用的硅材料的晶體硅體少子壽命應(yīng)該盡可能的高。正是由于使用的晶體硅的體少子壽命與制備成的太陽電池的效率直接相關(guān)，因此測試晶體硅體內(nèi)的載流子壽命(體少子壽命)是在生產(chǎn)之前對硅原材料進行質(zhì)量檢測和在研究過程中進行性能分析的首選方法和重要手段。在測試的少子壽命中，實際上是不同復(fù)合機制的綜合結(jié)果，測試的少子壽命實際上是整個樣品的有效壽命，它是發(fā)生在Si片或者太陽能電池不同區(qū)域(體內(nèi)、表面)的所有復(fù)合疊加的凈結(jié)果。定義Si片前后表面的復(fù)合速度為Sfront,Sbaek，Si片的厚度為W，在認(rèn)為載流子的濃度在整個片子中分布均勻的假設(shè)下，可以得到測試樣品的有效壽命的表達(dá)式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，Teff為有效壽命，Tb為體硅材料的體壽命。為了得到材料的真實的體壽命值Tb，需要對表面進行有效的鈍化，從而消除或者減少表面復(fù)合，也就是需要使表面復(fù)合速度的值盡可能的降低。對于晶體硅的鈍化，在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件技術(shù)中，常在其表面生長高質(zhì)量的Si02薄膜，這層Si02形成了完美的表面鈍化薄膜，幾乎消除了在Si-Si02界面處存在的所有界面態(tài)，對測試晶體硅的體少子壽命提供了較好的表面鈍化。但是這層氧化物薄膜的生長一般需要一個高溫氧化工藝步驟(高于1000。C)(M.M.Atalla,E.Tannenbaum，andE.J.Scheibner,Bell.Sys.Tech.J.,749(May,1959))。這個晶體硅的高溫氧化過程是一個昂貴的耗能過程，另外硅片在經(jīng)過這么高的溫度之后，容易發(fā)生由摻雜原子和雜質(zhì)原子的遷移而引起的硅片質(zhì)量的下降，這種現(xiàn)象對于晶體硅太陽電池的制備是非常有害的，特別是對于那些低質(zhì)量的片子，例如多晶硅片。在晶體硅太陽電池的生產(chǎn)和研究中，另外一種常用的和有效的鈍化方法為等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)SiNx:H薄膜，這種薄膜一般在低溫下(《400°C)使用SiH4和其他反應(yīng)氣體，例如NH3和N2。薄膜的鈍化效果與其薄膜的成分或者光學(xué)折射系數(shù)存在直接的聯(lián)系，要求達(dá)到較好的鈍化效果的同時也要求具有較好的減反射效果。盡管這種方法在生產(chǎn)上和研究上已經(jīng)比較成熟，但是同樣存在制備過程中的高能耗以及使用SiH4和NH3等環(huán)境不友好性氣體，另外如果需要刻蝕掉SiNx:H薄膜還得使用酸性溶液，刻蝕速率較慢。在測試晶體硅體少子壽命中，有采用兒種化學(xué)鈍化的方法。其中較早的采用F原子對晶體硅表面進行鈍化，鈍化與測試是同時進行的(Weinbergeretal.,UnitedStatesPatent,Patentnumber4608097)，將經(jīng)過氟化氫(HF)溶液或者含有F原子的氣體處理的硅片置入密封的通入惰性氣體或者真空的容器中，或者在F鈍化的表面覆蓋阻擋空氣的薄膜，這種方法需要設(shè)計合適的容器，并且操作復(fù)雜。采用碘酒化學(xué)鈍化(GyorgyFerenczi,TamasHoranyi,UnitedStatesPatent，patentnumber5580828)具有標(biāo)準(zhǔn)的尺寸的硅片(硅片厚度高于500微米)，能夠使表面復(fù)合速度降低到低于10cm/s。在碘酒鈍化之前，需要使用氟化氫(HF)溶液去除表面的氧化物，在測試之后，需要將附著在硅片表面的碘酒溶液去掉，一般采用無水乙醇溶液進行浸泡清洗，然后利用去離子水沖洗，而這個清洗過程很有可能對片子帶來污染而使其對回收利用帶來問題。晶體硅太陽電池制備過程中形成的帶著氧化硅玻璃的PN結(jié)對于測試晶體硅的體壽命也是一種常用的鈍化方法，而且經(jīng)常在工業(yè)化的生產(chǎn)線中作為硅片質(zhì)量和擴散工藝檢測的一個手段。但是這個工藝一般都要經(jīng)過清洗，制絨工藝，然后進行高溫擴散，整個過程持續(xù)的時間比較長，一般得需要3-4個小時。在這個工藝之后再對硅片的體少子壽命和工藝情況進行分析比較滯后，特別是對大量已經(jīng)投入生產(chǎn)硅片的質(zhì)量的檢測，比較浪費和耗能。因此鈍化和測試最好能夠在擴散之前進行。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的以下缺點前期復(fù)雜的化學(xué)清洗過程，高能耗的和有可能使晶體硅的體性能降低的高溫氧化過程和等離子體沉積薄膜過程，以及其它化學(xué)鈍化方法存在的操作復(fù)雜性和對測試晶體硅帶來的污染，提供一種對晶體硅化學(xué)鈍化的方法。本發(fā)明能夠降低或者消除在測試晶體硅體少子壽命時表面復(fù)合帶來的影響，提高測試的可信度。本發(fā)明采用的化學(xué)鈍化溶液為市售的高濃度的氟化氫HF溶液，該溶液的濃度為39%或者49%，其中39M的氟化氫HF溶液為分析純級，而49。/。的氟化氫HF溶液為電子級。用于本發(fā)明的晶體硅片一般是P型晶體硅片，包括單晶片以及多晶片。本發(fā)明還適用于N型晶體硅片，同樣包括單晶片以及多晶片。單面、雙面拋光的硅片一般已經(jīng)去掉由于切割硅片引起的一定厚度的損傷層。而對于切割之后未進行去損傷的晶體硅片，也就是未進行拋光的晶體硅片，損傷層的存在使少子復(fù)合比較嚴(yán)重，降低甚至掩蓋了鈍化的作用，從而使測試的晶體硅體壽命值存在較大的偏差。因此必須對未進行去損傷層的晶體硅片進行測試之前的去損傷處理。工業(yè)化的太陽電池生產(chǎn)中使用的單晶硅或者多晶硅片是采用線切割的方法從硅錠上切割而成的。這種硅片的厚度一般在200微米左右。在切割的過程中，會在硅片表面或者邊緣引入損傷及玷污。在這層損傷層中，很容易發(fā)生光生載流子的復(fù)合。因此在晶體硅太陽電池生產(chǎn)和研究中，這層損傷層是必須清除干凈。清除這層損傷層可以采用NaOH或KOH堿性溶液，溶液的濃度可以在1%-30%范圍，刻蝕溫度可以從室溫到90°C，而具體的腐蝕時間卻決定于溶液的濃度和溫度，例如，對于30Q/。的KOH溶液，在80。C刻蝕15分鐘即可，而對于20%的KOH溶液，在80。C刻蝕則需刻蝕20分鐘?；蛘哚娪孟♂尩腍F:HN03混合溶液進行，例如可以采用拋光溶液HF(39。/。):HN03(75°/。):H20=1:3:3在室溫下進行刻蝕10-20min。堿性或者酸性溶液對單晶硅或者多晶硅去損傷層都適用。在工業(yè)化的晶體硅太陽電池生產(chǎn)中，一般采用堿性溶液(NaOH或者KOH的溶液)對單晶硅去損傷層，然后在堿性溶液中進行制絨的工藝過程，經(jīng)過這步工藝之后，晶體硅表面的損傷層己經(jīng)被去除，滿足了測試的要求。而對于多晶硅片，生產(chǎn)上常在HF:HN03的酸性混合溶液中同時完成去損傷和制絨工藝，因此對于工業(yè)化的晶體硅太陽電池生產(chǎn)來說，可以利用制絨工藝過程來對晶體硅進行測試之前的去損傷層處理。針對未去損傷層的晶體硅的鈍化，除了在工業(yè)化的生產(chǎn)線中之外，本發(fā)明的鈍化方法同樣適用于非生產(chǎn)線。首先采用堿性或者酸性溶液去除損傷層，可以采用濃度為30%的NaOH或者KOH溶液在80。C刻蝕15min，或者在HF:HN03:H20(CH3COOH)=l:3:3溶液中，室溫下刻蝕20min,使晶體硅的兩個表面分別被刻蝕掉約20ftm，確保完全去除了損傷層。經(jīng)過去損傷層處理之后的硅片，以及對于單面或者雙面拋光硅片，按照以下步驟進行鈍化工藝1)將經(jīng)過去損傷層處理之后的硅片在常溫下漂洗，去除硅片表面的自然氧化物，直到硅片表面脫水為止。此漂洗溶液為用去離子水稀釋的濃度為39%或49%的氟化氫溶液，漂洗溶液中氟化氫溶液的濃度范圍為1°/。39%或1%49%(體積比)。決定漂洗時間的主要因素在于溶液的濃度，溶液的濃度越高，對氧化硅的腐蝕速度越快，因此依據(jù)漂洗溶液濃度從1%變化到最高濃度39%或者49%，漂洗時間范圍可為60s-10s。2)將硅片上殘留的氟化氫HF用氮氣吹掉，使表面不再殘留氟化氫溶液。3)將硅片放入透明的耐氟化氫HF的塑料袋中，在晶體硅前后表面用塑料滴管分別滴上幾滴高濃度的氟化氫HF,濃度39%(分析純)，49%(電子級)這兩種的任何一種都可以。然后在塑料袋外面將硅片上的氟化氫(HF)溶液均勻抹平，使表面的氟化氫溶液的厚度在幾百pm左右，低于lmm。滴入的氟化氫溶液的數(shù)量只要滿足這個厚度范圍即可。不可在硅片上殘留氣泡，最后使用塑料封口機對塑料袋密封，以防止氟化氫(HF)揮發(fā)。整個操作過程應(yīng)該在具有良好通風(fēng)的環(huán)境或者在通風(fēng)櫥中進行。4)將密封好的塑料袋放入測試設(shè)備的樣品臺中進行測試。測試過程一般不超過15分鐘，在這段時間之內(nèi)測試的有效少子壽命的重復(fù)性比較好。本發(fā)明相對于其它沉積薄膜的鈍化方法，包括熱氧化Si02薄膜和PECVD沉積SiNx:H薄膜，減少了清洗片子之后再沉積薄膜的工藝，實現(xiàn)了快速處理和低成本的測試方法。而且在測試之后，只需要用去離子水就能夠?qū)⑵由系姆瘹?HF)沖洗干凈，對于片子沒有任何損傷和污染，可以直接再次使用，而對于沉積薄膜的方法則需要去掉片子上的薄膜，一般都會使用氟化氫(HF)或者H3P04等溶液，對環(huán)境造成污染和增加了一道工序。本發(fā)明相對于其它化學(xué)鈍化的方法，包括碘酒鈍化，盡管對于高質(zhì)量的晶體硅片(半導(dǎo)體級和電子級)，碘酒鈍化的結(jié)果高于HF鈍化的結(jié)果，但是在鈍化之后，殘留的碘酒溶液附著在硅片上，需要使用酒精溶液、去離子水等進行清洗，容易在片子上留下痕跡，因此后期的清洗工序也很必要，而氟化氫HF鈍化方法則相對簡單。而且對于太陽電池生產(chǎn)商常用的太陽能級單晶硅片，測試的結(jié)果則顯示氟化氫HF鈍化的結(jié)果好于碘酒，因此本發(fā)明更適用于對用量較大的太陽能級硅片的檢測。本發(fā)明采用密封的氟化氫(HF)化學(xué)鈍化方法避免了氟化氫(HF)的揮發(fā)性對人和設(shè)備帶來的影響，同時具有操作簡單，樣品的后期處理工藝簡單，適合于N型，P型的硅片，以及單晶或者多晶硅，鈍化之后測試的少子壽命能夠與碘酒鈍化的結(jié)果相近，但是沒有片子污染的問題，對于多晶硅片的鈍化，結(jié)果顯示與擴散之后的結(jié)果符合得也很好，而這種方法減少了高溫擴散工藝，能夠較為方便地得出材料的有效壽命。使用本發(fā)明的方法對晶體硅的體少子壽命進行測試，能夠得到均勻的表面鈍化效果，使其表面復(fù)合速度能夠降低到100cm/s以下。本發(fā)明所提供的方法具有成本低，易操作和整個過程不費時等特點。本發(fā)明不需要復(fù)雜的前期化學(xué)清洗過程，不需要高溫氧化或者等離子體沉積薄膜過程，不會在鈍化過程中對片子引起污染，并且測試完后的片子經(jīng)過簡單的沖洗就可以回收使用，避免了復(fù)雜的后期清洗過程。因此該方法可以直接借助傳統(tǒng)的晶體硅太陽電池生產(chǎn)線，而不需要添加額外的設(shè)備。表1是采用本發(fā)明的化學(xué)鈍化方法與UnitedStatesPatent，patentnumber5580828中1%(M/V)碘酒鈍化方法的比較結(jié)果；圖1是經(jīng)本發(fā)明對多晶硅鈍化測試的有效少子壽命分布圖；圖2是采用晶體硅太陽電池制備中的PN結(jié)+磷硅玻璃的鈍化方法測試的多晶硅片子的有效少子壽命分布圖，其中的多晶硅樣品與圖1的為近鄰片；圖3是采用UnitedStatesPatent，patentnumber5580828中1%(M/V)碘酒鈍化工業(yè)化生產(chǎn)使用的單晶硅片的有效少子壽命分布結(jié)果。圖4是采用本發(fā)明鈍化工業(yè)化生產(chǎn)使用的單晶硅片的有效少子壽命分布結(jié)果，其中的晶體硅片與圖3中的為近鄰片。圖5是采用本發(fā)明鈍化方法中采用49%的氟化氫漂洗單晶硅片然后進行鈍化測試的結(jié)果具體實施方式以下所有的具體實施例涉及到的測試都在同一個微波光電導(dǎo)衰減少子壽命測試儀上進行，使用的激光波長為904nm，步進長度為lmm。實施例1取韓國進口P型直拉單晶硅片，電阻率為15歐姆厘米，厚度700微米，雙面拋光。在同一個硅片上切割了A，B兩片，A,B兩片由于是拋光片，因此沒有去損傷處理過程。分別對A，B兩片分別進行直接測量本發(fā)明的氟化氫鈍化測量，以及UnitedStatesPatent，patentnumber5580828中的碘酒鈍化測試。片子直接測試兩個片子不經(jīng)過任何處理，直接放在微波光電導(dǎo)衰減少子壽命測試儀的樣品臺上，然后進行少子壽命的測試，得到少子壽命的平面分布，最終得出這個晶體硅的平均少子壽命。本發(fā)明中的高濃度HF鈍化1)將需要測試的晶體硅片在1%的氫氟酸溶液中漂洗603;2)取出晶體硅片，用N2氣將表面殘留的氟化氫溶液吹掉；3)將晶體硅片放入透明的塑料袋中，在硅片上前后表面分別滴上2滴濃度為39%的氟化氫溶液，然后在塑料袋外面用手將氟化氫均勻抹平在硅片表面，表面均勻覆蓋一層幾百微米厚的氟化氫溶液；4)使用塑料封口機將塑料袋密封；5)將密封好的塑料袋放在測試儀的樣品臺上進行少子壽命分布的平面掃描，鈍化和測試是同時進行的，最后得出的仍然為平均值。碘酒鈍化測試將氟化氫(HF)測試的片子取出之后，用去離子水將沖洗晶體硅片4-5min，N2氣吹干表面的水珠，然后采用UnitedStatesPatent,patentnumber5580828中的1%的碘酒溶液(lg碘放入100ml的無水乙醇中)進行鈍化測試，同樣進行晶體硅少子壽命分布的平面掃描，最后得出少子壽命的平均值。由表1可見對于這種較高質(zhì)量的片子，碘酒鈍化的效果明顯高于氟化氫(HF)鈍化，所有的值都為進行面掃描之后的平均值，單位微秒。表l韓國Cz單晶硅片，電阻率為15歐姆厘米左右，厚度700微米，雙面拋光<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>實施例2對P型(100),電阻率為lQcm，厚度為220,的鑄造多晶硅片進行磷擴散鈍化和本發(fā)明的鈍化方法進行比較。首先對多晶硅片進行去損傷的前處理用氟化氫(HF)(39%):HN03(75%):CH3COOH(99°/。)=1:3:3(體積比)的混合溶液在室溫下對同一個鑄造多晶硅片上切取的兩片多晶硅片進行去損傷層的處理，溶液的刻蝕時間為20min。然后兩片分別進行擴散鈍化和本發(fā)明中的氟化氫(HF)溶液鈍化測試。其中的一個去損傷之后的多晶硅片按照本發(fā)明中的鈍化方法進行鈍化測試1)將沖洗過的片子在20Q/。濃度的稀釋氟化氫(HF)溶液中漂洗30s;2)取出晶體硅片，用N2氣將表面殘留的氟化氫溶液吹掉；3)將晶體硅片放入透明的塑料袋中，在硅片前后表面分別上滴上3滴濃度為39%的氟化氫溶液，然后在塑料袋外面用手將氟化氫均勻抹平在硅片表面，表面均勻覆蓋一層幾百微米厚的氟化氫溶液；4)使用塑料封口機將塑料袋密封；5)將密封好的塑料袋放在測試儀的樣品臺上進行少子壽命分布的平面掃描，鈍化和測試是同吋進行的，最后得到少子壽命的平面分布圖和少子壽命的強度分布圖。在測試之后，用去離子水沖洗硅片上的氟化氫溶液4-5min，然后用N2氣吹干即可保存樣品或者進行下一道工藝。另外一片去損傷之后的多晶硅片在850°C下P0Cl3氣氛中擴散30分鐘，最后得到方塊電阻為45歐姆(帶著磷硅玻璃測試的值)，將帶著磷硅玻璃的多晶硅放在測試儀的樣品臺上進行測試，同樣對整個晶體硅進行少子壽命分布的平面掃描，最后得到的結(jié)果為少子壽命的平面分布圖和少子壽命的強度分布圖。由圖1可見使用氟化氫(HF)鈍化的少子壽命結(jié)果，平均少子壽命6.8ps，而圖2中經(jīng)過磷擴散之后的少子壽命分布圖，平均少子壽命6.8ns，說明本發(fā)明中的氟化氨(HF)鈍化效果與擴散相同，但是此方法減少了工藝步驟同時也降低了成本和所用時間。實施例3利用本發(fā)明的鈍化方法與UnitedStatesPatent,patentnumber5580828中的1°/。的碘酒溶液分別對工業(yè)化太陽電池生產(chǎn)上使用的單晶硅片進行少子壽命的測試比較，P型(100)單晶硅，電阻率為lQcm，厚度220nm。這種片子在表面也存在10-20nm厚的損傷層，因此也需要去損傷層的前處理。將此單晶硅片投放到工業(yè)化生產(chǎn)線中的去損傷和制絨的設(shè)備中，按照常規(guī)的生產(chǎn)工藝進行去損傷和制絨，將制絨后的片子取出。然后分別按照本發(fā)明和UnitedStatesPatent，patentnumber5580828中的1%的碘酒溶液(lg碘放入100ml的無水乙醇中)鈍化，兩種方法中的晶體硅片都為同一個晶體硅片上切割的近鄰片。本發(fā)明中的高濃度HF鈍化1)將需要測試的品體硅片在39%的氫氟酸溶液中漂洗15s;2)取出晶體硅片，用N2氣將表面殘留的氟化氫溶液吹掉；3)將晶體硅片放入透明的塑料袋中，在硅片前后表面分別上滴上2滴濃度為39%的氟化氫溶液，然后在塑料袋外面用手將氟化氫均勻抹平在硅片表面，表面均勻覆蓋一層幾百微米厚的氟化氫溶液；4)使用塑料封口機將塑料袋密封；5)將密封好的塑料袋放在測試儀的樣品臺上進行少子壽命分布的平面分布測試，鈍化和測試是同時進行的，最后得出少子壽命的平面分布圖和少子壽命的強度分布圖。在測試之后，用去離子水沖洗硅片上的氟化氫溶液4-5min，然后用N2氣吹干即可保存樣品或者進行下一道工藝。碘酒鈍化測試將氟化氫(HF)測試的片子取出之后，用去離子水將沖洗晶體硅片4-5分鐘，N2氣吹干表面的水珠，然后采用UnitedStatesPatent,patentnumber5580828中的1%的碘酒溶液(lg碘放入100ml的無水乙醇中)進行鈍化測試，同樣進行晶體硅少子壽命分布的平面掃描，最后得出少子壽命的平面分布圖和少子壽命強度分布圖。圖3結(jié)果顯示碘酒鈍化測試的平均少子壽命為4.5ns，而在氟化氫(HF)鈍化的少子壽命測試結(jié)果，平均少子壽命7.6ps,分布也相對均勻。對于這種低壽命的晶體硅來說，本發(fā)明的鈍化效果優(yōu)于碘酒鈍化的效果，并且沒有片子污染的問題。實施例4利用本發(fā)明對P型未去損傷層的(100)單晶硅片進行鈍化測試，硅片的電阻率為0.5Qcm，厚度為220nm。去損傷層采用的溶液為20%的NaOH溶液(重量/體積比)，在80°C溫度下刻蝕20min。然后按照以下步驟進行鈍化測試1)將需要測試的晶體硅片在49%的氫氟酸溶液中漂洗10s;2)取出晶體硅片，用N2氣將表面殘留的氟化氫溶液吹掉；3)將晶體硅片放入透明的塑料袋中，在硅片前后表面分別滴上2滴濃度為49%的氟化氫溶液，然后在塑料袋外面用手將氟化氫均勻抹平在硅片表面，表面均勻覆蓋一層幾百微米厚的氟化氫溶液；4)使用塑料封口機將塑料袋密封；5)將密封好的塑料袋放在測試儀的樣品臺上進行少子壽命分布的平面分布測試，鈍化和測試是同時進行的。在測試之后，用去離子水沖洗硅片上的氟化氫溶液4-5min，然后用N2氣吹干即可保存樣品或者進行下一道工藝。圖5的結(jié)果顯示采用49%的氫氟酸溶液鈍化的單晶硅片的少子壽命分布結(jié)果，中心區(qū)域的少子壽命能夠到13ps，從右圖中的少子壽命強度分布結(jié)果來看，少子壽命大部分都分布在數(shù)值較高的范圍(10-13ps)，這滿足太陽電池制備的要求(一般要求大于10ps)，而在邊緣的地方由于存在更多的復(fù)合中心而使測試的少子壽命偏低。權(quán)利要求1、一種測量晶體硅少子壽命的化學(xué)鈍化方法，其特征在于工藝步驟如下1)將經(jīng)過去損傷層處理之后的硅片在常溫下漂洗，去除硅片表面的自然氧化物，直到硅片表面脫水為止；漂洗溶液為用去離子水稀釋的濃度為39％或49％(質(zhì)量比)的氟化氫溶液，漂洗溶液中氟化氫溶液的濃度范圍為1％～39％或1％～49％(體積比)，漂洗時間為60s-10s；2)將硅片上殘留的氟化氫HF用氮氣吹掉，使表面不再殘留氟化氫溶液；3)將硅片放入耐氟化氫HF，對電信號無干擾的透明塑料袋中，在硅片上的晶體硅前后表面用塑料滴管滴幾滴濃度39％或49％的氟化氫HF溶液，然后在塑料袋外面將硅片上的氟化氫(HF)溶液均勻抹平，使表面的氟化氫溶液的厚度低于1mm；去除在硅片上殘留的氣泡，最后用塑料封口機對塑料袋密封；整個操作過程在通風(fēng)良好的環(huán)境或在通風(fēng)櫥中進行；4)將密封好的塑料袋放入測試設(shè)備的樣品臺中進行測試。全文摘要一種測量晶體硅少子壽命的化學(xué)鈍化方法，將經(jīng)過去損傷層處理后的硅片在常溫下用去離子水稀釋39％或49％的高濃度氟化氫溶液漂洗，去除硅片表面的自然氧化物，將硅片放入透明的，耐氟化氫HF，對電信號無干擾的塑料袋中，然后在晶體硅前后表面滴幾滴濃度39％或49％的氟化氫HF溶液，再在塑料袋外面將硅片上的氟化氫(HF)溶液均勻抹平，使表面的氟化氫溶液的厚度低于1mm；去除在硅片上殘留的氣泡。用塑料封口機對塑料袋密封后，將塑料袋放入測試設(shè)備的樣品臺中進行測試。本發(fā)明僅可以達(dá)到對硅片表面均勻的鈍化效果，使表面復(fù)合速度降低到100cm/s以下。而且成本低，易操作，測量不費時，尤其適用于太陽電池生產(chǎn)和研究單位對硅片原材料的檢測和分析。文檔編號H01L21/02GK101162694SQ20071017755公開日2008年4月16日申請日期2007年11月16日優(yōu)先權(quán)日2007年11月16日發(fā)明者周春蘭,煜唐,李海玲,王文靜申請人:中國科學(xué)院電工研究所