專(zhuān)利名稱(chēng)：：蝕刻液的再生方法，蝕刻方法及蝕刻裝置的制作方法吝，通過(guò)循環(huán)過(guò)濾蝕刻液，一iil^去蝕刻液中的廢棄物等異物，一i^續(xù)進(jìn)行蝕刻液的再生方法，蝕刻方法及蝕刻裝置絲領(lǐng)域本發(fā)明涉及蝕刻氮^^所使用的蝕刻液(磷酸水溶液)的再生方法，蝕刻方法及蝕刻裝置，特別是，涉及有效除去在蝕刻處理產(chǎn)生的蝕刻液中含有的硅^^(氮^^^酸的>^產(chǎn)物)的技術(shù)。背景狄在^t^J^等的批量生產(chǎn)線上的蝕刻處理中，為了^##內(nèi)的蝕刻液的清潔，蝕刻，循環(huán)i^慮蝕刻液，使蝕刻液中析出的硅4b^和^W物""^iti！1，^ft，并由M續(xù)進(jìn)行^k^(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。但是，在上i^r法中，用同樣的蝕刻^J^進(jìn)行處理時(shí)，存在蝕刻液中的硅^^的濃度升高、蝕刻^下降的問(wèn)題。為解決該問(wèn)題，提出了在it慮嶺環(huán)蝕刻液時(shí)，佳月具有冷卻功能的過(guò)濾器，通過(guò)^H卩iti慮器本身而有效除去蝕刻液中的硅^^的方法(專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。另外，作為其它方法，提出了向出慮蝕刻液的&慮11#^水，絲除去在過(guò)濾器中蓄積的珪^^物的方法(專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。更進(jìn)一步，作為其它方法，提出了在it^慮蝕刻液時(shí)，在即將ii)慮前添加水，使作為蝕刻液的^的溫^^布不均，以提高除去效率的方法，在該方法中，提出了將ii;慮蝕刻液的&慮器并^BU，在磷^^>換時(shí)，#-方的^慮器用于清洗，有效^W^I過(guò)濾器的方法(專(zhuān)利文獻(xiàn)O。特公平3-20895號(hào)[專(zhuān)利文獻(xiàn)2]特開(kāi)平9-219388號(hào)[專(zhuān)利文獻(xiàn)3]特開(kāi)平6-310487號(hào)[專(zhuān)利文獻(xiàn)4]特開(kāi)2005-260179號(hào)
發(fā)明內(nèi)容然而，對(duì)于上述專(zhuān)利文獻(xiàn)l，2及3所記載的蝕刻液的再生方法和裝置，在it)慮器的^^中，由于珪^^蓄積，引起堵塞，因此需要臨時(shí)停止裝置，用7jC洗等方法除去i^慮器內(nèi)蓄積的硅4^^。因此必須定期停止裝置，非常沒(méi)有效率。另一方面，才娥專(zhuān)利文獻(xiàn)4記載的方法，在并^BU多個(gè)近慮器，在&慮器內(nèi)硅^^蓄積，引起堵塞時(shí)，通過(guò)閥而切換i^慮器，將堵塞的itJ慮器用7jC洗滌，同時(shí)，蝕刻';^t過(guò)郝的i^慮器^t，不停止裝置，進(jìn)^it^慮。然而，才^&發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)，證實(shí)錄A慮器中硅^^蓄積量的增加，通iii^慮器而進(jìn)行的硅^^的除去量上升。即證實(shí)，通過(guò)新的沒(méi)有蓄積v^^物的iij應(yīng)4t料，或剛剛通過(guò)洗滌而除去了蓄積的硅"f^i^的剛洗滌后沒(méi)有硅化，蓄積的ii;慮材料而進(jìn)行的硅4^^的除去Wi少，M"iiii^f吏用時(shí)間的延長(zhǎng)，硅^^的除去M加，除去量iif'Jio倍以上。但是，如絲續(xù)4M—定時(shí)間以上，逸慮器;^A堵塞，不能<^1。因此，在專(zhuān)利文獻(xiàn)l-4記載的以往的蝕刻液的再生方法中，在iii慮l^f^J開(kāi)始及洗'M理后的再使用開(kāi)始的一定時(shí)間內(nèi)，常常不得不^^除去效剩氐的it)慮器。錄臨時(shí)停止裝置、洗、;^^慮器時(shí)，還是在并^B^多個(gè)濾器，不停止裝置、而切^fM時(shí)，^P;1—樣的。因此，本發(fā)明要解決的問(wèn)題是，消除上述以往的方法中的鐵存、，提^-"種通it^常使用通常已使用一定時(shí)間以上，具有已蓄積了一定量以上硅^^物的>&^^復(fù)高的過(guò)濾材料的過(guò)濾器，通常能夠以高除去效率除去蝕刻液中的硅4b^物，蝕刻液中生成的硅^^物的除去極為有效，可更適合工業(yè)生產(chǎn)，使蝕刻液的再生處體費(fèi)減少的^^液的再生方法，蝕刻方法及蝕刻裝置。本發(fā)明，為解決上述問(wèn)題，提^-種蝕刻液的再生方法，該方法是在處理槽內(nèi)，^^J包含磷酸7K^液的蝕刻液蝕刻氮^^,將該含有蝕刻所生成的硅4b^的蝕刻、^Mt理槽中取出，^^1&慮器^^斤出的蝕刻液中除去所述的硅4^物，再生所述的蝕刻液的方法，其特征在于，所逸取出的蝕刻液皿的管線^W^多個(gè)iU慮器并聯(lián)、串聯(lián)交互切換i^k^接，,旨始時(shí)所述多個(gè)it)慮器的最初并^i^接情yL^卜，通常，通過(guò)將所出的蝕刻液，供給至至少一個(gè)具有已蓄積了硅^^的硅^^的>^^去^高的出慮材料的^慮器，由》^#硅^^的>*1^^1一邊^(qū)#在高的狀態(tài)，一iii^去硅^^。jt(^卜，第二個(gè)要解決的問(wèn);1|^提#^種蝕刻液的再生方法，該方法是在處理槽內(nèi)，^^l包含^7JC^液的蝕刻液蝕刻氛4t^，#^有通過(guò)該蝕刻所生成的硅^^b的蝕刻^^t理槽中取出，^^逸慮器^^斤#出的蝕刻液中除去所述的硅^^;，而再生所述的^#液的方法，^#絲于1)在所述取出的蝕刻液皿的管線^^上并聯(lián)、串聯(lián)交互切換ilfe^接多個(gè)膽器，2)在所述多個(gè)過(guò)濾器串^i^接的情況下，將剛剛洗滌除去了蓄積的硅化^后或具有未4吏用的無(wú)廟^^蓄積的i^慮材料的一方的逸慮器^j:在所述;的上游，將硅^^蓄積在所述的一方的i^慮器的iti慮材料上直J^J^去狄變高，同時(shí)，在所述一方的i^慮器的i^慮材料的下游，^J^具有已蓄積了硅^^/的>^^^1高的逸慮材料的其它選慮器，^將所跳出的蝕刻液，串聯(lián)供給至所述的多個(gè)選慮器，3)在所述多個(gè)i^慮器并^i4接的情況下，將所出的蝕刻液供給至具有已蓄積了硅^^的>^1^去狄高的±1>慮材料的一方的選慮器，同時(shí)，>^斤3i^出的蝕刻液的循環(huán)回路中取下^i^慮器，用于洗滌，,轉(zhuǎn)開(kāi)始時(shí)所迷的多個(gè)過(guò)濾器的最初的并^i^接的情》"卜，通常，通過(guò)將所i^L出的蝕刻液，供給至至少一個(gè)具有已蓄積了硅4^l^的珪4^^的硅除去逸變高的i^慮材料的&慮器，由此一邊將珪^^的^(^^1維持在高的狀態(tài)，一5i)^去硅^^。iH^卜，第三個(gè)要解決的問(wèn)M，提^^種^^U'J^求1或2所記載的淑寸液的再生方法，其特征為，所述多個(gè)過(guò)濾器的管線流路處于串聯(lián)情形的使用時(shí)間，相當(dāng)于ii^在it^器Ji^^^堵塞時(shí)的蓄積最大量的1/10至1/2的時(shí)間。itW卜，第四個(gè)要解決的問(wèn)題是，提#-~種蝕刻方法，該方法包括在處理槽內(nèi)，^^J包含磷酸水溶液的蝕刻液蝕刻氮^^的蝕刻工序，M理槽中取出含有由該蝕刻所生成的硅^^的蝕刻液，將其it^、而循環(huán)至處理槽的循環(huán)過(guò)濾工序，^^斤述循環(huán)^±>慮工序中取出-^鋒刻液，向所錄出的一"^雑刻液中加水，通ititJ慮除去該蝕刻液中析出的硅^^，再生所述蝕刻液的磷酸7JCig:液再生工序，^#棘于，具有通過(guò)^M，J^"求1-3^""項(xiàng)所記載的方法的工序。Jj^卜，第5個(gè)解決的問(wèn)M,提#-種蝕刻裝置，該裝置包掩含有^^|包^酸7K^的蝕刻液蝕刻氣^^的處,1的燭刻部分，>^斤*理槽中取出含有由所述蝕刻部分的蝕刻所生成的硅^^的蝕刻液，通iti^慮器過(guò)濾，循環(huán)至所i^I:^1的循環(huán)itid部分，^^斤述循環(huán)i^慮部分中取出1分所述蝕刻液，除去所述硅^^物，再生所述蝕刻液的磷酸7iC^液再生部分，其特征在于，在所述磷酸7jC溶液再生部分的^'J液^it的管線流路中，設(shè)置多個(gè)過(guò)濾器與用于將所述多個(gè)過(guò)濾器的管線流路交互切M并聯(lián)、串聯(lián)的多個(gè)閥，自動(dòng)將所述蝕刻液^it的管線^^切換為并聯(lián)、串聯(lián)，由此，始時(shí)所述多個(gè)iti慮器最初為并^^接情^卜，將所#出的蝕刻液供給至至少一個(gè)具有已蓄積了硅^^的硅^^^M^^i^高的i^慮材料的i^慮器，通常，將^^^^的^)^^H維持在高的狀態(tài)而進(jìn)行蝕刻。予以說(shuō)明的是，本發(fā)明中，將所i^L出的燭刻液，供給至至少一個(gè)具有已蓄積了硅^^的硅^^的的>^1^去逸變高的過(guò)濾材料的過(guò)濾器，但只在最初的運(yùn)轉(zhuǎn)建立時(shí)的一定時(shí)間內(nèi)，僅多個(gè)過(guò)濾器中的一^HE液，而頭他的過(guò)濾器停止，因此只在該時(shí)間段內(nèi)，所狄出的蝕刻液，無(wú)法供給至至少一個(gè)已蓄積了硅>[^^的珪^^的>^1^去逸復(fù)高的選慮材料的:^慮器，^^發(fā)明并科卜除這種情況。才娘本發(fā)明，以^JH磷^^^的氮^^^蝕刻紗對(duì)象，通敗常翻通常已^JU—段時(shí)間以上，具有已蓄積了一定量以上硅^^的^I^^H高的it^材料的必慮器，由此，通常能夠以好的除去效率除去蝕刻液中的硅^^物，對(duì)蝕刻液中生成的硅^^的除去^有效，因此更適合工業(yè)化生產(chǎn)，使蝕刻液的再生處理經(jīng)費(fèi)綠。圖1是凈Mt本發(fā)明的蝕刻^^置的I^N^莫^J成圖。圖2表示實(shí)施例1中的晶片蝕刻時(shí)間^^中硅的M的關(guān)系以及過(guò)濾器8a和過(guò)濾器8b的4M狀況的圖。圖3表示實(shí)施例1中的晶片蝕刻時(shí)間與^±>慮器8a和it)慮器8b中硅蓄積量之間的關(guān)系的圖。圖4表示實(shí)施例2中的晶片蝕刻時(shí)間與^中的^復(fù)的關(guān)系以及過(guò)濾器8a和過(guò)濾器8b的使用狀況的圖。圖5表示實(shí)施例2中的#^時(shí)間和處理槽內(nèi)的^1以及與>*1^去^4^之間的關(guān)系的圖。圖6表示&，〗&慮器堵塞時(shí)的最大硅蓄積量的圖。圖7表示>^蓄積*^^1^*^1的關(guān)系的圖。符號(hào)的說(shuō)明1:處理槽la:內(nèi)槽lb:面加熱器lc:溢流部分ld:排出口le:^f^口2:泵3:it;慮器4:加熱器5:熱交換器6:結(jié)晶槽7:泵8a:出慮器8b:載器9a:鱗液9b:加熱器10:泵11:晶片12:蝕刻部分13:循環(huán)iti慮部分14:^7j^i^^再生部分16:分流管線17:分^t泉19:分敲20:分流管線21:狄計(jì)V-l、V-2、V-3、V-4a、V-4b、V-5a、V-5b、V-6、V-7、V-8、V-9a、V-9b、V-10a、V-10b、V-ll、V-lla、V-llb、V-12、V-13、V—14:閥M實(shí)施方式下面，參照作為實(shí)施方錄示的本發(fā)明。圖1為本發(fā)明的蝕刻裝置的^NMt式構(gòu)成圖，其由蝕刻部分12、循環(huán)過(guò)濾管線部分13、以及^^7jC^L液再生部分14構(gòu)成。蝕刻部分12以處理槽1為主體，該處理槽1目的在于，將多個(gè)晶片11i^^p熱至150'C-180X:的^7j^^(蝕刻液)中，在晶片11表面存在的氮^^、氧<^^、硅等中，選棒l^k^k^氮^^。循環(huán)過(guò)濾管線部分13;M于將城理槽1中溢流出的^^K^液i^慮、加熱，以賤it^加純水工序再返回處理槽l的。磷^7J^^液再生部分14，用于^#環(huán)&慮管線部分13中分流出磷^;K溶液，斷氐該磷酸7K^液中作為硅^^存在的硅濃度，再生于可用于該蝕刻液中的^1的磷酸7K溶夜中，經(jīng)由加熱器4，返回至處理槽l的底部。下面，詳i^Ut蝕刻部分12、循環(huán)&慮管線部分13轉(zhuǎn)酸絲液再生部分14。(蝕刻部分12)蝕刻部分12中，配置有自動(dòng)移送的;^l手(robot)(圖中未示出)和處理槽l，晶片11在處理槽l的槽本體內(nèi)^ii取出，進(jìn)行御'j處理。處理槽l是由內(nèi)槽la和溢流郎分lc構(gòu)iMt本體的溢出槽，從內(nèi)槽la上端溢出的磷酸7條液被jJtA^外周形成的溢流部分lc中.內(nèi)槽la中，內(nèi)設(shè)有作為發(fā)熱體的面加熱器(surfaceheater)lb。另外，液體的導(dǎo)X/排出構(gòu)造包括有，iU在溢流部分lc的上側(cè)、在蜂N(xiāo)^^^^時(shí)進(jìn)^f情關(guān)的自動(dòng)閥V-14，#^線在溢流部分lc的底部、將溢流的磷酸7Kii^排出到循環(huán)i^慮管線部分13的排出口ld,^^X在內(nèi)槽la的底面、將循環(huán)A慮管線部分13中處理過(guò)的^7jc^^導(dǎo)入處理槽1的本體內(nèi)的供給口le。作為控制系統(tǒng)，設(shè)有測(cè)量溢流部分lc的>#^^溶M面的多個(gè)液面?zhèn)鞲衅?圖中未示出)和檢測(cè)內(nèi)槽la的^7j^l的液體溫度的溫^^傳感器，以^于該溫度傳感器檢出的溫;1控制所迷面加熱器lb,使磷酸7jc^液維持在一定的^:溫度的加熱控制器。(循環(huán)雄管線部分13)循環(huán)i^慮管線部分13M，用于將從溢流部分lciU的排出口ld排出的磷酸7j^^液由內(nèi)槽la底面iU的^^口le返回到處理槽1的槽本體的泵2，過(guò)濾該磷酸水溶液的i^慮器3,作為將該i^慮后的磷酸7JC^^熱至一定的規(guī)定溫度的加熱器的加熱器4，iM在內(nèi)槽la內(nèi)的用于控制該加熱器4的溫度傳感器和加熱控制器，用于向加溫到一定溫度的磷^7jc溶液中添;^5定量純水的自動(dòng)閥V-2即，這里，從溢流部分lc排出的蝕刻液即鱗酸7jc^:液，首^:iii^慮器3##酸7^^液&慮。接著，磷^7K^li^熱器4加溫到一定溫^，通過(guò)自動(dòng)閥V-2的開(kāi)關(guān)以添加適量的純水，進(jìn)行調(diào)整，以使4f/吏磷^7j^夜的濃度^#一定，返回到處理槽l本體內(nèi)。予以說(shuō)明的是，由于從溢流部分lc排出的^7KM的溫度稍許下降，因此用加熱器4進(jìn)行加溫，自動(dòng)閥V-2對(duì)由于蒸發(fā)引起的^7Ki^^變的變^i^tf務(wù)正，&慮器3除去4^^^液中的雜質(zhì)(含析出的氧^)。因此，樹(shù)從溢流部分lc排出的磷酸7jCii^a溫之前，j^^it)慮器3的iti^l重要的。(磷酸7條液再生裝置14)^^7jCi^液再生部分14，^Mt環(huán)i^慮管線部分13中，通itf^流J^節(jié)裝置(自動(dòng)閥V-8)用控制了流量的純水，稀釋經(jīng)由泵2和it^慮器3之間的管線部分所設(shè)置的分支管16和流量調(diào)節(jié)裝置(雙向閥V-l和自動(dòng)閥V-3)而流過(guò)循環(huán)i^慮管線部分13的適量^K^，^^1熱交換器5將^PHP到IOO匸以下后，通過(guò)結(jié)晶槽6回收。在結(jié)晶槽6中回收的#^^良，用泵7^iii^過(guò)濾器8a或8b中。銜逸的^7自良，通過(guò)稀釋?zhuān)⑦M(jìn)一步冷卻而使飽和濃度1^氐，由此而使硅4^l^作為結(jié)晶^f斤出，通iti^慮器8a、8b從磷^7jci^中除去。如果一定量的硅^^^作為結(jié)晶體大:W積，則過(guò)濾阻力增加，液體變得無(wú)法通過(guò)。城'器8a，8b通過(guò)自動(dòng)閥V-4a、V-4b、V-5a、V-5b、V-lla、V-llb連接，以4吏得交互切#^并聯(lián)、串聯(lián)的方式而^^1。過(guò)濾器8a和8b，^M始前，以并^i^接，最初，僅^JD—個(gè)過(guò)濾器8a，不4M過(guò)濾器8b直到過(guò)濾器8a的過(guò)濾阻力增大到一定禾級(jí)。如果向it;慮器8a中^Tili的磷^7j^^液中的硅4b^7的^^過(guò)^^M，則其作為結(jié)晶體析出，成長(zhǎng)，如^it)慮器8a中硅^^;蓄積，則容易變得以jtbft為晶核，而析出硅4緣，硅^^^Mi^^i^口快。當(dāng)it)應(yīng)、器8a內(nèi)硅^^蓄積，^il^去iltt高時(shí)，通過(guò)自動(dòng)閥V-4a、V-4b、V-5a、V-5b、V-lla、V-llb，將i^慮器8a、8b切^串聯(lián)。在將ib慮器8a、8b切M串聯(lián)的情況下，如下連接，即以未使用的沒(méi)有硅^^/蓄積的過(guò)濾器8b為上游端，以〗更能夠蓄積v!i化^;直至該i^慮器8b內(nèi)的^^J^去i4^高，使已蓄積了硅<^#的>^1^去狄變高的A慮器8a為下游端。而且，在it;慮器8b內(nèi)硅蓄積、^^J^i"ii^高的階段，通過(guò)自動(dòng)閥V-4a、V-4b、V-5a、V-5b、V-lla、V-llb將艦'器8a、8b切M并聯(lián)，在i^慮器8a中，供給洗滌液，將其用于洗滌。另一方面，僅向蓄積了硅^^^Mil^fcit^高的i^慮器8b中，供給所錄出的蝕刻液，僅通過(guò)該&慮器8b除去所ii^R^。下面，^t^^7j^^再生裝置14的#^的一>^'〗子進(jìn)^^^運(yùn)#^始前，首先，在開(kāi)啟自動(dòng)閥V-4a，V-5a，關(guān)閉務(wù)他泵V-4b、V-5b、V-lla、V-Ub的情況下，使磷酸7K^液皿過(guò)濾器8a，進(jìn)^it濾。如果過(guò)濾器8a中硅^^;蓄積，則it;慮阻力增大。在泵7中絲傳感器，以便能夠檢測(cè)出IMtiH，通過(guò)該傳感絲測(cè)硅^^的蓄積量，或者，通iti^慮時(shí)間或晶片蝕刻時(shí)間推測(cè)蓄積量，當(dāng)i^慮器8a的硅蓄積量WJ—定量以上時(shí)，開(kāi)啟V-4b、V-llb，關(guān)閉V-4a，使過(guò)濾器8a和過(guò)濾器8b串聯(lián)連接，開(kāi)始運(yùn)轉(zhuǎn)。由jH^吏磷^7j^UUt濾器8b中通it^，^JH過(guò)濾器8a過(guò)濾，即使過(guò)濾器8b的>^1^^1低，通過(guò)已經(jīng)蓄積^^^^;的>^|^^復(fù)高的過(guò)諒器8&進(jìn)#^±濾，由此包能一iiiW高的^J^^1,一邊使硅^^在&慮器8b中蓄積。由于過(guò)濾器8a中硅^^的蓄積量多，因此如^ii一步運(yùn)轉(zhuǎn)，則過(guò)濾阻力變得過(guò)大，液體無(wú)M過(guò)。因此，用于^i^慮器8a中除去硅^i^物的洗滌變得必要，由于串^i^接，硅^^在it)慮器8b中蓄積，>^^1^*1^^高，因M過(guò)關(guān)閉自動(dòng)閥V-5a、V-llb，打開(kāi)V-5b將過(guò)濾器8a排除在過(guò)濾管線^Jt，使磷^7J^^5Utiiii濾器8b,另一方面，通過(guò)打開(kāi)自動(dòng)閥V-9a、V-10a，并用HF對(duì)過(guò)濾器8a進(jìn)fr洗滌。通itil樣的操怍，可以不中斷^^^r^物的除去，維持高的^^i^^1,并J^過(guò)濾器8b的硅蓄積量變多前，可以從過(guò)濾器8a中除去硅^^以便能夠再連接。&慮器8a的洗輛^^t說(shuō)明4i^ll'略，使用HF使過(guò)濾器8a內(nèi)的珪^^r溶解，然后用DIW(純7jc)清洗HF成分。洗;^^，在iti!l器8b內(nèi)的硅蓄積:tit大，在無(wú)法通it^^^前打開(kāi)自動(dòng)閥V-4a、V-lla，關(guān)閉V-4b,使&慮器8a和A慮器8b再次串^i^接進(jìn)行過(guò)濾。當(dāng)過(guò)濾器8a中硅^t^蓄積，鞋馀"^1增高后，打開(kāi)自動(dòng)閥V-5a，關(guān)閉V-lla、V-5b,將過(guò)濾器8b排除在外，而使磷酸7jCig^^5UUt濾器8a中^it，另一方面，通過(guò)開(kāi)啟自動(dòng)閥V-9b、V-10b，用HF';fe^H^慮器8b。反復(fù)如jtblMt。流出&慮器8a或1±>慮器8b的磷^7K^液、在,槽9的液面水平不到滿液時(shí)，通過(guò)開(kāi)啟自動(dòng)閥V-7，關(guān)閉V-6，^ili磷酸;^^當(dāng),槽9的液面水平達(dá)到滿液以上時(shí)，關(guān)閉自動(dòng)閥V-7，打開(kāi)V-6，返回到結(jié)晶槽6中，進(jìn)4灘環(huán)出慮。^^加熱器9b對(duì)i^絲槽中的磷,熱，直至接狄理槽1的磷^7K溶液的溫度160n的溫度，使通過(guò)自動(dòng)閥V—8添加的純水蒸發(fā)，打開(kāi)V-12向循環(huán)過(guò)濾管線部分13銜逸已除去了硅^^的^7K^液。為了將M的磷酸7i^i^的溫度維持高的溫度，通iWi!Mlt槽的流量調(diào)整閥11，使其,分從分流泉19返回到i!M^槽9。#卜，通過(guò)^^流管20綠以防止溫度下降。實(shí)施例1以下，說(shuō)明*#的實(shí)施例。在半科晶片等表面上形成氧^^^作為元件分離膜。在形成工序中，在晶片表面^^W氧^i^Jii^^氮^^，為it捧It蝕刻氮4t^，^^1M約85-90質(zhì)量％的^7條液，作為蝕刻液。扭iih述^^i^t氮^^進(jìn)行蝕刻時(shí)，氮4b^l中的結(jié)^^分溶于磷酸，生威在^^物，該硅^^在磷酸7jc絲中慢lt蓄積。即，扭過(guò)磷酸的蝕刻中，iiJ,J氧^^^被保留，只有氮4bii^被蝕刻的目的，但是，|Ut^^t>J，雖粉ib^微，但如果^中有>^^入，則城為氧^J^的蝕刻抑制劑，并且當(dāng)絲60ppm以Jii^入時(shí)，氧^^不會(huì)再被蝕刻，在該制造itf呈中，為使氧^^;f^^i^，^to^磷酸中的a度，通:!±^1計(jì)21測(cè)量為6(^^11以上的>^下進(jìn)行磷^理'即，當(dāng)在60ppm以Jiii行實(shí)施時(shí)，可以J4^削減氧^M，而^5t^t'j氮^^。因此，在測(cè)定磷^7jc驗(yàn)中i^^JL在60ppm以下時(shí)，停止向磷酸再生部^^酸，在^J^^1計(jì)21測(cè)定為60ppm以上時(shí)，進(jìn)行磷酸再生，以控制自中的M度，以使^^中的^i^M^l計(jì)21測(cè)^;60ppm以上。因此，由于只有t/f鵬蝕刻所增加的成分在過(guò)濾器中蓄積，因此可通過(guò)測(cè)定在濃度計(jì)21測(cè)定iii，J60ppm以Ji^開(kāi)始的氮4繼的蝕刻時(shí)間，御'jit^、器內(nèi)蓄積的硅的量。卞以劃的是，圖1中，^!計(jì)21被iitS^it;慮器3的附近，^限于此，也可以設(shè)計(jì)在處理槽1或熱交換器5的后面或其它位置。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>在實(shí)施例1中，##泵2，控制加熱器4和處理槽的加熱器lb,通過(guò)自動(dòng)閥V-2添加純水，由jtM吏^7J^^沸騰，同時(shí)控制溫yl在160lC。在該狀態(tài)下，將附著氮^^的1500A的6英寸氮^J^晶片11;^h理槽1中，小時(shí))。^，控制再生處理以使^^中的^ML^1^^計(jì)21測(cè)定達(dá)到60ppm以上，開(kāi)始^^Ji^慮器8a,從^^1開(kāi)始到1260*，即到21小時(shí)，i^慮l^f吏用開(kāi)始后，&慮器8a的^J^^1緩漫升高。^間，約6g在it^慮器中蓄積。^將過(guò)濾器8b設(shè)X^Et濾器8a的上游端。1470分"^后即累積蝕刻時(shí)間為2730^4中后即約50小時(shí)后，it^慮器8b中約有6g硅蓄積，J^J^^^大。然后，切斷過(guò)濾器8a，進(jìn)"f1iJt滌，僅^^過(guò)濾器8b。在過(guò)濾器8a中約有12g硅蓄積。近慮器8a的洗滌時(shí)間約6小時(shí)，通常，由于不進(jìn)行晶片的蝕刻，因此考慮到有沒(méi)有蝕刻的時(shí)間，在累積蝕刻時(shí)間為3030分鐘(約50小時(shí))后，完成過(guò)濾器的洗滌。此后，將過(guò)濾器8a設(shè)A^it濾器8b的上游端，鞋^it濾器8a中蓄積。1470分鐘后即累積蝕刻時(shí)間為4500^#|后，iti^器8a中約有6g珪蓄積，>^1^^大。因此切斷it^器8b，進(jìn)#，^f5lf^Ii^慮器8a。在i^慮器8b中約有12g硅蓄積。晶片蝕刻時(shí)間^H^中^W^的關(guān)系以^Ut^器8a和ita器8b的4捐狀況，如圖2所示，晶片獨(dú)刻時(shí)間和頓器8a和it^、器8b中的硅蓄積量的關(guān)系，如圖3所示。通itil樣^X操怍，始時(shí)的所述多個(gè)ita器最初以并^ri(^接的情;;^卜，通常，可以將所#出的蝕刻液供i^至至少一個(gè)具有已蓄積了^^^^的^^f^^的^J^^變高的it^t料的i^慮器，通tT以較高iW^^^再生部分中的^i^^L。實(shí)施例2僅將過(guò)濾器8a和it;慮器8b的切換時(shí)間:fe照?qǐng)D4所示*變化，完全同實(shí)施例l，實(shí)総^L^2和圖5所示，該結(jié)果，與實(shí)施例l相同，絲轉(zhuǎn)開(kāi)始時(shí)的所述多個(gè)過(guò)濾器最初以并^r^^接的情;X^卜，通常，可以將所述取出的蝕刻液供給至至少一個(gè)具有已蓄積了珪4t^的硅^^的;^^^1高的iij凌浙料的it;慮器，通常，可以較高^(guò)##^^再生部分中的^1^^^,表2<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>實(shí)施例3如圖2和圖4所示，過(guò)濾器8a和過(guò)濾器8b串聯(lián)連接的時(shí)間最大，由于各it;慮器在用于2;^^蓄積殺l次絲時(shí)間之內(nèi)^^，因jH^^E比ii^it^器堵塞時(shí)的珪蓄積量的1/2躲的時(shí)間內(nèi)切換。另一方面，如果該時(shí)間艦，則i^慮器中的硅蓄積量不)tA，硅^^在^慮器中的蓄積不能^'』>^^^變高的程度，因此必須在一定私變以上使用。ii^it^器堵塞時(shí)的最大硅蓄積量如圖6所示，確i^人其量為29g-43g。因此，M當(dāng)it^器內(nèi)的珪蓄積量iiJ!]14.5g-21.5g時(shí)，將過(guò)濾器8a和過(guò)濾器8b的串^i^^切^并^i^接。圖7顯示硅蓄積J^rt^J^^JL，可知硅蓄積量超過(guò)5g時(shí)，>^^iHiiJ'J25mg/^4中，^:大。5g的量為ii^it)慮器堵塞時(shí)的最大珪蓄積量29g一43g的0.17-0.11。因此，&慮器8a和&慮器8b串^i^接的時(shí)間^N當(dāng)于ii^近慮器中硅^^堵塞時(shí)最大蓄積量的1/10—1/2的時(shí)間。本發(fā)明不限于Jiii實(shí)施例，可以對(duì)其進(jìn)行^t變形，展開(kāi)。在Jiit實(shí)施例中，舉凈'j說(shuō)明it;慮器8a、8b這兩個(gè)i^慮器相互以并聯(lián)、串聯(lián)的形^U^接，但作為本發(fā)明范圍內(nèi)的絲實(shí)財(cái)式，可以將3個(gè)或3個(gè)以上的逸慮器組^^接，才Wf吏用的晶片的大小，片數(shù)、蝕刻時(shí)間、蝕刻量等，在洗涂時(shí)間變^il蓄積量多時(shí)，可以適當(dāng)?shù)孛疃鴁^J。以上實(shí)施例表明，本發(fā)明中，以^^^W^t的氮^^J^fck^絲對(duì)象，通it^常使用通常e/f^l—段時(shí)間以上，具有已蓄積了一定量以Ji^^^的^i^^變高的過(guò)濾材料的i^慮器，通常，能夠以高除去效率除^k刻液中的硅4^物，蝕刻液中生成的磁:^^物的除去極為有效，可更適合工業(yè)生產(chǎn)，使蝕刻液的再生處理經(jīng)費(fèi)減少。權(quán)利要求1、一種蝕刻液的再生方法，該方法是在處理槽內(nèi)，使用包含磷酸水溶液的蝕刻液蝕刻氮化硅膜，將含有該蝕刻所生成的硅化合物的蝕刻液從處理槽中取出，使用過(guò)濾器從所述取出的蝕刻液中除去所述的硅化合物，再生所述的蝕刻液的方法，其特征在于，所述取出的蝕刻液流經(jīng)的管線流路與多個(gè)過(guò)濾器并聯(lián)、串聯(lián)交互切換地連接，除運(yùn)轉(zhuǎn)開(kāi)始時(shí)所述多個(gè)過(guò)濾器的最初并聯(lián)連接情況外，通常，通過(guò)將所述取出的蝕刻液，供給至至少一個(gè)具有已蓄積了硅化合物的硅化合物的硅除去速度高的過(guò)濾材料的過(guò)濾器，由此一邊將硅化合物的硅除去速度維持在高的狀態(tài)，一邊除去硅化合物。2、才Mt才W漆求1記栽的蝕刻液的再生方法，該方法是在處理槽內(nèi)，使用包含磷酸7jc^液的蝕刻液蝕刻IU^^，將含有該蝕刻所生成的硅4^物的蝕刻^Ub理槽中取出，^^it;慮器A/斤錄出的蝕刻液中除去所述的硅^^，再生所述的蝕刻'液的方法，^##于，1)在所#出的蝕刻:^危經(jīng)的管線流路上并聯(lián)、串聯(lián)交互切m^接多個(gè)順、器，2)在所述多個(gè)過(guò)濾器串聯(lián)連接的情況下，將剛剛洗滌除去了蓄積的硅^^物后或具有未4^J的iL^^^蓄積的i^慮材^H方的i^慮器iU在所述i^的上游，將硅^^蓄積v^所迷一方的i^慮器的i^慮浙料上J^J^去iH變高，同時(shí)，在所述一方的&慮器的&慮材料的下游，i^具有已蓄積了珪4^物的>^^1高的選慮材料的其它選慮器，^:將所錄出的蝕刻液，串聯(lián)供給至所述的多個(gè)選慮器，3)在所述多個(gè)過(guò)濾器并^i^接的情況下，將所i^出的蝕刻液^^至^T已蓄積了硅^^的^Ji馀去i^L高的A慮射^H方的A慮器，同時(shí)，>^斤#出的蝕刻液的循環(huán)回路中取下^i^慮器，用于洗滌，R^t轉(zhuǎn)開(kāi)始時(shí)所述的多個(gè)過(guò)濾器的最初的并^i^接的情》;^卜，通常，通過(guò)將所，出的蝕刻液，^i^至至少一個(gè)具有已蓄積了硅^^物的硅^^物的硅除去逸復(fù)高的^1>慮材料的^^慮器，由此一邊將^^^^的^J^i^L維持在高的狀態(tài)，一iil^去硅^^。3、^L^M，J^求1或2記載的蝕刻液的再生方法，其特征在于，所述多個(gè)過(guò)濾器處于串聯(lián)的使用時(shí)間，相當(dāng)于iii'J所述多個(gè)過(guò)濾器上硅^^堵塞時(shí)的蓄積最大量的1/10至1/2的時(shí)間。4、一種蝕刻方法，該方法包^^在處理槽內(nèi)，包^^7JCM的蝕刻'液蝕刻氮^^的蝕刻工序，M理槽中取出含有該蝕刻所生成的硅^^的蝕刻液，將其it)慮而循環(huán)至處理槽的循環(huán)i^慮工序，^y^斤述循環(huán)i^慮工序中取出^分蝕刻液，向所#出的"~^分蝕刻液中加水，通過(guò)itj慮除去該蝕刻液中析出的珪^^，再生所述蝕刻液的磷^7K溶液再生處理工序，^##于，具有通過(guò):fc^U'漆求l-3^—項(xiàng)所記載的方法再生蝕刻液的工序和將該再生后的蝕刻液返回到所述蝕刻工序的所i^t理槽中的工序。5、一種蝕刻裝置，該裝置包括含有^^包^酸7K^的WJ液蝕刻氮4b^的處理槽的蝕刻部分，v^^斤i^t理槽中取出含有由所述蝕刻部分的蝕刻所生成的硅4b^物的蝕刻液，通itit濾器過(guò)濾，循環(huán)至所^理槽的循環(huán)&慮部分，^^斤述循環(huán)1±>慮部分中取出~"^分所述蝕刻液，除去所ii^^^，再生所述蝕刻液的磷i^7jc溶液再生部分，^#絲于，在所述磷^7Ki^液再生部分的蝕刻液M的管線流路中，設(shè)置多個(gè)過(guò)濾器與用于將所述多個(gè)過(guò)濾器的管線流路可交互切換為并聯(lián)、串聯(lián)的多個(gè)閥，自動(dòng)將所述蝕刻液i^it的管線流路交互切換為并聯(lián)、串聯(lián)，由此，^#^始時(shí)所述多個(gè)&慮器最初的并^^接情況外，將所述取出的蝕刻液#^至具有至少一個(gè)已蓄積了珪^^吻的硅^^物的v^I^^i;l高的出慮材料的&慮器，通常，將硅^^的^iJ^去歧維持在高的狀態(tài)而it行^'J。全文摘要以使用磷酸水溶液的氮化硅膜蝕刻液為對(duì)象，且能夠以極高的效率除去該蝕刻液中生成的硅化合物，更適合工業(yè)生產(chǎn)，夠減少蝕刻液的再生處理經(jīng)費(fèi)。在再生所述蝕刻液的方法中，在從蝕刻槽中取出的蝕刻液流經(jīng)的管線流路中，多個(gè)過(guò)濾器以并聯(lián)、串聯(lián)形式交互切換地連接，在所述多個(gè)過(guò)濾器以并聯(lián)或串聯(lián)的任一種方式連接時(shí)，通過(guò)將所述取出的蝕刻液供給至具有已蓄積了硅化合物的硅化合物的硅除去速度高的過(guò)濾材料的過(guò)濾器，通常能夠?qū)⒐杌衔锏墓璩ニ俣染S持在高的狀態(tài)。文檔編號(hào)H01L21/00GK101303976SQ200710169160公開(kāi)日2008年11月12日申請(qǐng)日期2007年10月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月12日發(fā)明者伊豆田信彥,渡津春留申請(qǐng)人:M·Fsi株式會(huì)社