本發(fā)明涉及濕式制程領(lǐng)域，特別是涉及一種蝕刻噴灑模塊及使用該蝕刻噴灑模塊之濕式蝕刻裝置。

背景技術(shù)：

在面板產(chǎn)業(yè)中，濕式制程的發(fā)展已經(jīng)相當(dāng)成熟。然而現(xiàn)有濕式制程機(jī)臺(tái)中，使用上具有維修困難、耗液量大、均勻性不佳、漏夜、及背面臟污等等問題，上述問題在細(xì)線寬(finepitch)的情況下特別嚴(yán)重。

現(xiàn)有濕式制程機(jī)臺(tái)中的蝕刻噴灑模塊包括若干個(gè)噴嘴，蝕刻液直接通過噴嘴噴灑于一基板上以對(duì)該基板進(jìn)行蝕刻，然而無論噴嘴的口徑大小，由于并未對(duì)蝕刻液進(jìn)行任何處理，因此蝕刻液噴灑在基板上時(shí)，會(huì)發(fā)生均勻性不佳的問題，進(jìn)而影響蝕刻效果。

因此需要針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中蝕刻液噴灑在基板上時(shí)均勻性不佳的問題提出解決方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種蝕刻噴灑模塊及使用該蝕刻噴灑模塊之濕式蝕刻裝置，其能解決現(xiàn)有技術(shù)中蝕刻液噴灑在基板 上時(shí)均勻性不佳的問題。

本發(fā)明之濕式蝕刻裝置包括一腔體以及一蝕刻噴灑模塊。該腔體包括一進(jìn)氣口、一出氣口、以及一蝕刻液入口。該進(jìn)氣口用于導(dǎo)入一蝕刻所需氣體。該出氣口用于導(dǎo)出該蝕刻所需氣體。該蝕刻液入口用于導(dǎo)入一蝕刻液。該蝕刻噴灑模塊設(shè)置于該腔體中以對(duì)一基板進(jìn)行蝕刻。該蝕刻噴灑模塊包括一本體以及若干個(gè)噴嘴。該本體連接至該進(jìn)氣口及該蝕刻液入口。這些噴嘴設(shè)置于該本體朝向該基板之一表面上。各噴嘴呈一上寬下窄的形狀且包括一第一入口、一第二入口、以及一噴嘴出口。該第一入口用于導(dǎo)入經(jīng)由該本體之該蝕刻液。該第二入口用于導(dǎo)入經(jīng)由該本體之該蝕刻所需氣體。該噴嘴出口之一口徑小于該第一入口之一口徑且小于該第二入口之一口徑。

在一較佳實(shí)施例中，該濕式蝕刻裝置進(jìn)一步包括一附加電路板。該附加電路板設(shè)置于該腔體中并用于承載該基板。

在一較佳實(shí)施例中，該濕式蝕刻裝置進(jìn)一步包括一抽風(fēng)模塊。該抽風(fēng)模塊連接至該出氣口且用于將該腔體內(nèi)部之蝕刻所需氣體從該出氣口抽出。

在一較佳實(shí)施例中，該第一入口之該口徑為10公厘至55公厘。

在一較佳實(shí)施例中，該第二入口之該口徑為10公厘至55公厘。

在一較佳實(shí)施例中，該噴嘴出口之該口徑為0.5公厘至2公厘。

在一較佳實(shí)施例中，該蝕刻噴灑模塊與該基板之間的距離為10公分至25公分。

本發(fā)明之刻噴灑模塊用于一濕式蝕刻裝置，該蝕刻噴灑模塊包括一本體以及若干個(gè)噴嘴。這些噴嘴設(shè)置于該本體朝向該基板之一表面上。各噴嘴呈一上寬下窄的形狀且包括一第一入口、一第二入口、以及一噴嘴出口。該第一入口用于導(dǎo)入一蝕刻液。該第二入口用于導(dǎo)入一蝕刻所需氣體。該噴嘴出口之一口徑小于該第一入口之一口徑且小于該第二入口之一口徑。

在一較佳實(shí)施例中，該第一入口之該口徑為10公厘至55公厘。

在一較佳實(shí)施例中，該第二入口之該口徑為10公厘至55公厘。

在一較佳實(shí)施例中，該噴嘴出口之該口徑為0.5公厘至2公厘。

本發(fā)明之濕式蝕刻裝置及蝕刻噴灑模塊能將蝕刻液均勻地噴灑在基板上。再者，蝕刻所需氣體經(jīng)由抽風(fēng)模塊抽出后可進(jìn)一步再生使用，對(duì)蝕刻液進(jìn)行加壓的功能，因此能節(jié)省氣體使用量。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例之濕式蝕刻裝置之示意圖。

圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例之噴嘴之示意圖。

具體實(shí)施方式

請參閱圖1至圖2，圖1顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例之濕式蝕刻裝置1之示意圖，圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例之噴嘴102之示意圖。

如圖1所示，本發(fā)明之濕式蝕刻裝置1包括一蝕刻噴灑模塊10、一腔體20、一附加電路板40、以及一抽風(fēng)模塊50。

該蝕刻噴灑模塊10用于該濕式蝕刻裝置1且設(shè)置于該腔體20中以對(duì)一基板30進(jìn)行蝕刻，該基板30可以為目前濕式制程中需要進(jìn)行蝕刻的基板，例如但不限于為一玻璃基板。該附加電路板40設(shè)置于該腔體20中并用于承載該基板30。

該腔體20主要包括一進(jìn)氣口200、一出氣口202、以及一蝕刻液入口204。于本實(shí)施例中，該進(jìn)氣口200及該出氣口202分別設(shè)置于該腔體20之兩相對(duì)的側(cè)壁上，然而本發(fā)明并不限于此，該進(jìn)氣口200及該出氣口202可設(shè)置于該腔體20之相同或不同側(cè)壁上。

該進(jìn)氣口200用于導(dǎo)入一蝕刻所需氣體，該抽風(fēng)模塊50連接至該出氣口202，該抽風(fēng)模塊50用于將該腔體20內(nèi)部之蝕刻所需氣體從該出氣口202抽出，抽出之蝕刻所需氣體可以再透過該進(jìn)氣口200導(dǎo)入，達(dá)到再生使用的目的，節(jié)省蝕刻所需氣體之使用量。

要說明的是，蝕刻所需氣體為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所熟知，此不多加贅述。

該蝕刻液入口204用于導(dǎo)入一蝕刻液，該蝕刻液入口204可設(shè)置于該腔體20之任一側(cè)壁上。

該蝕刻噴灑模塊10設(shè)置于該腔體20中對(duì)應(yīng)于該基板30之上方，該蝕刻噴灑模塊10包括一本體100以及若干個(gè)噴嘴102，這些噴嘴102設(shè)置于該本體100朝向該基板30之一表面上。該本體100連接至該進(jìn)氣口200及該蝕刻液入口204，蝕刻液經(jīng)由該蝕刻液入口204導(dǎo)入該本體100，再經(jīng)由這些噴嘴102噴灑于該基板30上以對(duì)該基板30進(jìn)行蝕刻。

于一較佳實(shí)施例中，該蝕刻噴灑模塊10與該基板30之間的距離為10公分至25公分。

圖2所示為圖1之其中一個(gè)噴嘴102的放大示意圖，該噴嘴102包括一第一入口1020、一第二入口1022、以及一噴嘴出口1024。該噴嘴102大致呈一上寬下窄的形狀，該第一入口1020及該第二入口1022設(shè)置于較寬的上半部，該噴嘴出口1024設(shè)置于較窄的下半部。該第一入口1020用于導(dǎo)入經(jīng)由該本體100之蝕刻液。該第二入口1022用于導(dǎo)入經(jīng)由該本體100之蝕刻所需氣體。該噴嘴出口1024之一口徑小于該第一入口1020之一口徑及該第二入口1022之一口徑。

于一較佳實(shí)施例中，該第一入口1020之口徑為10公厘(millimeter；mm)至55公厘，該第二入口1022之口徑為10公厘至55公厘，該噴嘴出口之口徑為0.5公厘至2公厘。

要說明的是，該第一入口1020之口徑、該第二入口1022之口徑、及該噴嘴出口之口徑的范圍為特殊設(shè)計(jì)，并非僅是本領(lǐng)域 的普通技術(shù)人員可輕易得知的范圍。

本發(fā)明之一特點(diǎn)在于噴嘴102的特殊設(shè)計(jì)，更明確地說，該第二入口1022所導(dǎo)入的蝕刻所需氣體經(jīng)過加壓后與該第一入口1020所導(dǎo)入的蝕刻液混合后再經(jīng)由口徑較小的噴嘴出口1024噴灑于該基板30上以對(duì)該基板30進(jìn)行蝕刻，噴灑出的蝕刻液會(huì)形成高壓微?；囊后w，因此能均勻的噴灑于該基板30上，蝕刻液噴灑的范圍如虛線所示。

于一較佳實(shí)施例中，對(duì)該蝕刻所需氣體加壓的范圍為1至7公斤/平方公分。

此外，圖1之本體100也包括對(duì)應(yīng)于該第一入口1020及該第二入口1022的孔洞(未圖示)。

綜上所述，本發(fā)明之濕式蝕刻裝置及蝕刻噴灑模塊能將蝕刻液均勻地噴灑在基板上。再者，蝕刻所需氣體經(jīng)由抽風(fēng)模塊抽出后可進(jìn)一步再生使用，對(duì)蝕刻液進(jìn)行加壓的功能，因此能節(jié)省氣體使用量。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。