一種印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及印刷線路板蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及尤其涉及一種印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置，包括：蝕刻缸、復(fù)合導(dǎo)電高分子膜電解槽及再生缸，復(fù)合導(dǎo)電高分子膜電解槽包括由復(fù)合導(dǎo)電高分子膜分隔的陽(yáng)極室和陰極室，陰極室與蝕刻缸連通，再生缸的溶液與蝕刻缸循環(huán)連通，再生缸的溶液與陰極室溶液連通、再生缸的氣體與陽(yáng)極室氣體連通，再生缸后至少串聯(lián)一二次再生缸。本實(shí)用新型通過串聯(lián)二次再生缸，二次再生缸內(nèi)對(duì)再生缸內(nèi)未來得及反應(yīng)的氯氣進(jìn)一步吸收，提高氯氣利用率從而降低后續(xù)廢氣處理壓力。
【專利說明】
一種印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及印刷線路板蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置。【背景技術(shù)】
[0002]全球PCB產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占電子元件產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的四分之一，是各個(gè)電子元件細(xì)分產(chǎn)業(yè)中比重最大的產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)400億美元。同時(shí)，由于其在電子基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的獨(dú)特地位，已經(jīng)成為當(dāng)代電子元件業(yè)中最活躍的產(chǎn)業(yè)。
[0003]蝕刻作為PCB制程中的重要工藝，酸性蝕刻液因?yàn)榫哂袀?cè)蝕小，速率易于控制和易再生等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用。在蝕刻過程中，Cu2+與Cu作用生成Cu+。隨著蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行，Cu+ 數(shù)量越來越多，Cu2+減少，蝕刻液蝕刻能力很快下降，為了保持穩(wěn)定蝕刻能力，需要加入氧化劑使Cu+盡快轉(zhuǎn)化為Cu2+;同時(shí)當(dāng)蝕刻缸內(nèi)Cu2+濃度達(dá)到一定數(shù)值時(shí)或蝕刻缸的溶液超過一定體積時(shí)，需要及時(shí)排除部分蝕刻液以保證蝕刻工序的正常運(yùn)轉(zhuǎn)，該排除蝕刻液稱之為蝕刻廢液。
[0004]為了對(duì)環(huán)境減少污染和達(dá)到一定的經(jīng)濟(jì)效益，通常使用循環(huán)再生的方法來代替之前直接處理回收銅的方法，而由于技術(shù)的不成熟，大部分循環(huán)再生方法沒有廣泛被使用，目前最主要的循環(huán)再生方法是離子膜電解再生法:此方法是用陰離子膜使陰極與陽(yáng)極相隔開，利用電解時(shí)離子迀移的原理使氯離子迀移到陽(yáng)極，陽(yáng)極液與蝕刻缸循環(huán)生成氧化亞銅離子從而再生。但此方法在電解再生的過程中能耗大，離子膜的成本高且易破損，產(chǎn)生的氯氣也不能回收，既造成資源的浪費(fèi)又污染環(huán)境。
[0005]現(xiàn)有離子膜電解再生法在氯氣利用率上，僅僅通過再生缸的方式實(shí)現(xiàn)氯氣的再次吸收利用，氯氣利用率較低，同時(shí)影響后續(xù)廢氣處理的壓力問題?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種用于印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)氯氣利用率較低而影響廢氣處理壓力的問題。
[0007]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置，包括:蝕刻缸、復(fù)合導(dǎo)電高分子膜電解槽及再生缸，所述復(fù)合導(dǎo)電高分子膜電解槽包括由復(fù)合導(dǎo)電高分子膜分隔的陽(yáng)極室和陰極室，所述陰極室與蝕刻缸連通，所述再生缸的溶液與蝕刻缸循環(huán)連通，再生缸的溶液與陰極室溶液連通、再生缸的氣體與陽(yáng)極室氣體連通，其特征在于:所述再生缸后至少串聯(lián)一二次再生缸。
[0008]其中，優(yōu)選方案為:所述二次再生缸的氣體通過引流裝置與再生缸連通。
[0009]其中，優(yōu)選方案為:所述再生缸通過氣體引流裝置與陽(yáng)極室連通。
[0010]其中，優(yōu)選方案為:該裝置還包括尾氣吸收缸，所述二次再生缸通過氣體引流裝置與尾氣吸收缸連通。
[0011]其中，優(yōu)選方案為:所述氣體引流裝置為射流器或噴射裝置。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果在于，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型通過至少一個(gè)二次再生缸，所述二次再生缸內(nèi)的溶液和陰極室的溶液一致，而陰極室內(nèi)的溶液的0RP氧化還原電位低，含有亞銅離子多，對(duì)氯氣吸收效果好，這樣可對(duì)再生缸內(nèi)未來得及反應(yīng)的氯氣進(jìn)一步吸收，提高氯氣利用率從而降低后續(xù)廢氣處理壓力。【附圖說明】
[0013]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0014]圖1是本實(shí)用新型印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本實(shí)用新型印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3是本實(shí)用新型印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖中主要標(biāo)號(hào)說明:1、蝕刻缸，2、再生缸，3、復(fù)合導(dǎo)電高分子膜電解槽，4、尾氣吸收缸，5、廢氣噴淋塔，31、陰極室，32、陽(yáng)極室、61、第一氣體導(dǎo)流裝置，62、第二氣體倒流裝置，63、第三氣體倒流裝置，7、二次再生缸?！揪唧w實(shí)施方式】
[0018]現(xiàn)結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例作詳細(xì)說明。
[0019]圖1是本實(shí)用新型印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]如圖1所示，本實(shí)施例的印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置包括蝕刻缸1、再生缸2、復(fù)合導(dǎo)電高分子膜電解槽3、以及尾氣吸收缸4,電解槽3通過復(fù)合導(dǎo)電高分子膜分成陽(yáng)極室31和陰極室32,再生缸2和蝕刻缸1循環(huán)連通，另一端借由第一氣體引流裝置61與復(fù)合導(dǎo)電高分子膜電解槽的陽(yáng)極室31連通，借由第一氣體引流裝置61將陽(yáng)極室31中的氯氣引流進(jìn)入再生缸2,再生缸2的溶液來自于陰極液;本實(shí)施例的印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝還包括一二次再生缸7，二次再生缸7通過第二氣體引流裝置62和再生缸2的氣體連通，從而將再生缸2的剩余氯氣借由第二氣體引流裝置62引流進(jìn)入二次再生缸7進(jìn)行氯氣的二次利用，二次再生缸7的剩余氣體借由第三氣體引流裝置63將其引入尾氣吸收缸4中，尾氣吸收缸4的尾氣借由與其連接的廢氣噴淋塔5收納并且進(jìn)行廢氣吸收處理。[0021 ]其中，蝕刻缸1與陰極室32連接并向其提供蝕刻液體，再生缸2和二次再生缸7都和陰極室32的溶液連通，利用陰極液體進(jìn)行反應(yīng)。
[0022]其中，陰極室32和蝕刻缸1的蝕刻液相連通，該蝕刻液在陰極室32里析出單質(zhì)銅， 具體反應(yīng)式表示為:Cu2++2e = Cu，使蝕刻液中的銅離子濃度大幅度降低，陰極室32中的氯離子在電流作用下向陽(yáng)極室迀移，并在陽(yáng)極失去電子，生成氯氣，具體反應(yīng)式表示為:2CL--2e = C12,由于氯氣的強(qiáng)氧化作用，將陽(yáng)極室31中的氯氣通過第一氣體引流裝置61導(dǎo)入再生缸與亞銅離子反應(yīng)生成二價(jià)銅離子，具體反應(yīng)式表示為:(312+2(:11(:1 = 2(:11(:12，從而實(shí)現(xiàn)了酸性蝕刻液的再生。
[0023]電解過程中生成的lmol氯氣，本實(shí)用新型利用第一氣體引流裝置61將陽(yáng)極室31中的氯氣導(dǎo)入再生缸2,再生缸2的陰極液和陽(yáng)極室31多余的氯氣進(jìn)行二次反應(yīng)，應(yīng)具體反應(yīng)式表示為:Cl 2+2CuCl = 2CuCl 2，再生缸2再串聯(lián)一二次再生缸7，二次再生缸7借由第二氣體引流裝置62將再生缸多余的氯氣導(dǎo)入二次再生缸7內(nèi)，二次再生缸7的溶液引自陰極液，這樣，二次再生缸7對(duì)再生缸2內(nèi)多余的氯氣再次進(jìn)行蝕刻反應(yīng)，由于二次再生缸7內(nèi)的溶液和陰極室32的溶液一致，而陰極室32內(nèi)溶液的0RP氧化還原電位低，含有亞銅離子多，對(duì)氯氣吸收效果好，這樣可對(duì)再生缸2內(nèi)未來得及反應(yīng)的氯氣進(jìn)一步吸收，提高氯氣利用率從而降低后續(xù)廢氣處理壓力。
[0024]圖2是本實(shí)用新型印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示:實(shí)施例1中的第一氣體引流裝置61，第二氣體引流裝置62,以及第三氣體引流裝置63可以是射流器或噴射裝置等氣體倒流裝置，當(dāng)然，陽(yáng)極室31和再生缸2、再生缸2和二次再生缸7、二次再生缸7和尾氣吸收缸4也可以通過氣體溢流的方式達(dá)到氣體引流的目的。
[0025]圖3是本實(shí)用新型印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，本實(shí)施例包括第一二次再生缸71，該第一二次再生缸71通過第二氣體引流裝置62和再生缸2的氣體連通;還包括第二二次再生缸72，該第二二次再生缸72通過第三氣體引流裝置63和第一二次再生缸71串聯(lián)。這樣，再生缸2的剩余氯氣借由第二氣體引流裝置 62引流進(jìn)入第一二次再生缸71進(jìn)行氯氣的二次利用，第一二次再生缸71的剩余氣體借由第三氣體引流裝置63將其引入第二二次再生缸72再次利用反應(yīng)，第二二次再生缸72的剩余氣體再借由第四氣體引流裝置64將其引入尾氣吸收缸4中，尾氣吸收缸4的尾氣借由與其連接的廢氣噴淋塔5收納并且進(jìn)行廢氣吸收處理。
[0026]本實(shí)施例中，再生缸2多余的氯氣經(jīng)過第一二次再生缸71以及第二二次再生缸72 的吸收，且第一二次再生缸71和第二二次再生缸72內(nèi)的溶液和陰極室32的溶液一致，而陰極室32內(nèi)的溶液的0RP氧化還原電位低，含有亞銅離子多，對(duì)氯氣吸收效果好，這樣可對(duì)再生缸2內(nèi)未來得及反應(yīng)的氯氣進(jìn)行兩次二次再生缸的吸收，提高氯氣利用率從而更進(jìn)一步降低后續(xù)廢氣處理壓力。
[0027]為了滿足更好的氯氣利用率以及廢氣的處理壓力的要求，可以在再生缸2后面串聯(lián)更多的二次再生缸來解決上述問題。[〇〇28]以上所述者，僅為本實(shí)用新型最佳實(shí)施例而已，并非用于限制本實(shí)用新型的范圍， 凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍所作的等效變化或修飾，皆為本實(shí)用新型所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種印刷線路板酸性蝕刻液循環(huán)再生裝置，包括:蝕刻缸、復(fù)合導(dǎo)電高分子膜電解槽 及再生缸，所述復(fù)合導(dǎo)電高分子膜電解槽包括由復(fù)合導(dǎo)電高分子膜分隔的陽(yáng)極室和陰極 室，所述陰極室與蝕刻缸連通，所述再生缸的溶液與蝕刻缸循環(huán)連通，再生缸的溶液與陰極 室溶液連通、再生缸的氣體與陽(yáng)極室氣體連通，其特征在于:所述再生缸后至少串聯(lián)一二次 再生缸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述二次再生缸的氣體通過引流裝置與再 生缸連通。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述再生缸通過氣體引流裝置與陽(yáng)極室連通。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于:該裝置還包括尾氣吸收缸，所述二次再生 缸通過氣體引流裝置與尾氣吸收缸連通。5.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一所述的裝置，其特征在于:所述氣體引流裝置為射流器或噴射裝置。
【文檔編號(hào)】C23F1/46GK205576284SQ201620280553
【公開日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年4月6日
【發(fā)明人】查長(zhǎng)虹, 林得發(fā), 吳超
【申請(qǐng)人】深圳市新銳思環(huán)?？萍加邢薰?br>