專利名稱：一種負片直接蝕刻線路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及線路制作領(lǐng)域，特別是涉及一種板面銅一次曝光負片直接蝕刻線路制作方法。
背景技術(shù)：
目前，當(dāng)線路板在制作線路，只是要有孔內(nèi)銅和線路銅，由于電鍍藥水對干膜的影響會滲鍍蝕刻短路，孔粗糙度大易有孔無銅，錫缸深鍍力不足，難以保證銅的均勻和孔銅，高速信號傳輸線路，線的寬度難以保證?，F(xiàn)有的正片由于銅厚均勻性要求較高，所以不能做精細線路。負片(Negatave):是指各種底片上(如黑白軟片、掠色軟片)導(dǎo)體線路的圖案是以透明區(qū)呈現(xiàn)，而無導(dǎo)體之基材部分則呈現(xiàn)為暗區(qū)(即軟片上的黑色或棕色部分)，以阻止紫外光的透過此種底片謂之負片。板子壓膜后曝光菲林透明部分光化學(xué)反應(yīng)，顯影所需線路，所用的蝕刻液為堿性蝕刻液。例如申請?zhí)枮镃N201010537301.X，公開號為CN102006728A的中國發(fā)明專利“一種新型的板面深凹陷線路制作方法”，公開了一種新型的板面深凹陷線路制作方法，包括步驟:A)使用負片蝕刻的方法，對線路板基板進行開料、內(nèi)層棕化、內(nèi)層圖形轉(zhuǎn)移及壓板處理后，對其進行鉆孔；B)全板沉銅電鍍或加板電鍍；C)整板電鍍后使用干膜蓋孔；D)通過線路菲林進行第二次曝光及顯影處理；E)對顯影后的外層線路進行酸性蝕刻處理；F)將步驟E)所得線路板進行退錫處理，檢測合格，制得成品。本發(fā)明的目的在于提供一種新型的板面深凹陷線路制作方法，使用負片蝕刻的方法，整板電鍍后使用干膜蓋孔，并通過絲印濕膜(一種液態(tài)感光油墨)或者涂布濕膜；通過兩次曝光顯影，制得板面深凹陷線路，解決現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷。此專利流程時間較長，需兩次曝光和顯影，還需印濕膜和電鍍錫，并且銅的使用量大，這樣的方法不僅工藝復(fù)雜，而且生產(chǎn)成本也高，不適用于大批量生產(chǎn)。綜上所述，現(xiàn)有的負片蝕刻線路制造方法存在生產(chǎn)流程時間長，生產(chǎn)效率低，需要鍍錫，還需要對錫廢液進行處理，投資成本高，環(huán)保污染嚴(yán)重的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，提出一種負片直接蝕刻線路的制作方法。本發(fā)明只采用一次曝光克服了現(xiàn)有負片需要做兩次曝光和顯影的技術(shù)問題，縮短了生產(chǎn)流程時間，提高了生產(chǎn)效率，并且不需鍍錫，減少錫廢液的處理，節(jié)約成本，而且環(huán)保，適用于大批量生產(chǎn)。本發(fā)明采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于包括以下步驟:
A、對PC B基板依次進行開料、磨邊、圓角、鉆孔；
B、經(jīng)A步驟后先對PC B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;再對P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為18-25um ；C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進行一次曝光；曝光后經(jīng)過顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移；
D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進行堿性蝕刻處理，直達PCB基板的PH值為8-9；
E、經(jīng)D步驟后對PC B基板進行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板；
F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為12-18萬轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ;孔的直徑為0.2-6.0mm,公差為±0.03mm。所述步驟 B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;電鍍銅的厚度為18-25um。所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以牢固貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P c B基板板面烘干；磨板速度為2.0-2.5m/min，烘干溫度為80_90°C，烘干時間為30-60秒。所述步驟C中，壓膜時采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38-42um ;壓膜速度為1.0-1.5/min ;壓力3-5kg/cm2，壓膜溫度110-120°C，壓膜時間為15-25秒。所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對，進行一次曝光；曝光時進行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級曝光尺測量在6-8級，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力彡680mmhg/cm2。所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為0.8-1.2%的Na2CO3溶液將沒有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0-2.5m/min，壓力1.5-1.8kg/cm2，顯影點為 50-70%。所述步驟D中，經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為13-16%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為135-155g/l。所述步驟E中，采用濃度為4-6%NaOH溶液進行退膜，退膜速度為2.5-4.5m/min，得到半成品線路圖形板。還包括用于檢測線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對于對步驟E中的半成品線路圖形進行檢測和對步驟F中的成品線路圖形進行檢測；經(jīng)檢測合格后的半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測合格后的成品線路圖形板包裝入庫。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點在于:
1、本發(fā)明采用一次曝光的負片直接蝕刻方法，在實際生產(chǎn)中，與現(xiàn)有技術(shù)相比減少了工序，節(jié)約了時間和生產(chǎn)成本，同時提高了生產(chǎn)效率,適用于大批量生產(chǎn)。2、本發(fā)明的制造方法不需鍍錫和退錫，節(jié)約成本的前提下，避免了對錫廢液進行處理的時間和成本，還避免了錫廢液對環(huán)境的污染；因此，本發(fā)明具有高效、環(huán)保，并且適用于大批量生產(chǎn)的優(yōu)點。3、本發(fā)明操作簡化，而且對蝕刻后工序無任何影響，也節(jié)約表面處理成本；如現(xiàn)有技術(shù)噴錫時對錫的浪費，沉金時對金的浪費。4、本發(fā)明采用主軸轉(zhuǎn)速為12-18萬轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ;后工序的品質(zhì)更有保證，是評估鉆孔質(zhì)量的重要參數(shù)之一；孔的直徑0.2-6.0mm,公差為±0.03mm ;是鉆孔機的自身能力要求，在實際鉆孔時用此參數(shù)評估鉆孔或做鉆孔質(zhì)量檢驗，達到以上的要求，產(chǎn)品在以后工序的質(zhì)量有保證。5、本發(fā)明采用分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;電鍍銅的厚度為18-25um ;可增加導(dǎo)電層的厚度，達到客戶要求，也增加導(dǎo)電層的導(dǎo)電性。6、本發(fā)明采用壓膜前將P C B基板板面進行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以牢固貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.0-2.5m/min，烘干溫度為80_90°C，烘干時間為30-60秒；可以去除板面銅的氧化層，粗化板面，并使干燥的板子增加與干膜的結(jié)合力。7、本發(fā)明采用壓膜時光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38-42um;壓膜速度為1.0-1.5/min ;壓力3-5kg/cm2，壓膜溫度110-120°C，壓膜時間為15-25秒；溫度、壓力達到要求才使干膜軟化并具有流動性和填平性，即與板面貼合，在要求的速度范圍即壓膜時間內(nèi)才可確保干膜與板面有良好的結(jié)合力。8、本發(fā)明采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對，進行一次曝光；曝光時進行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級曝光尺測量在6-8級，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力> 680mmhg/cm2 ;以適合的能量對干膜曝光,使干膜產(chǎn)生光聚合反應(yīng)，適合的能量是用曝光尺級數(shù)來評估，必須抽真空并達到要求才能使要求的線寬符
入
口 o9、本發(fā)明采用顯影處理是指采用濃度為0.8-1.2%的Na2CO3溶液將沒有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0-2.5m/min，壓力1.5-1.8kg/cm2，顯影點為50-70% ;以確保顯影后的板面無殘膜，或顯影過度影響板面線路邊緣的不平整或短路、開路。10、本發(fā)明采用經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為13-16%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為135-155g/l。堿性CuCl2溶液溶銅量高，與圖形轉(zhuǎn)移后的圖形外的銅置換速度較快，易制得精細的線路。

11、本發(fā)明采用濃度為4_6%NaOH溶液進行退膜，退膜速度為2.5-4.5m/min,退膜溫度為50±5°C ;得到半成品線路圖形板。以確保在退膜后板面無殘膜，影響外觀。12、本發(fā)明采用還包括用于檢測線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對于對步驟E中的半成品線路圖形進行檢測和對步驟F中的成品線路圖形進行檢測；經(jīng)檢測合格后的半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測合格后的成品線路圖形板包裝入庫。所有成品圖形板包裝前100%進行功能性和外觀檢測，以確保合格的產(chǎn)品給客戶。


圖1為本發(fā)明工藝流程2為本發(fā)明實施例2工藝流程圖。
具體實施例方式實施例1:
一種負片直接蝕刻線路的制作方法，包括以下步驟:
A、對PC B基板依次進行開料、磨邊、圓角、鉆孔；
B、經(jīng)A步驟后先對P C B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為0.5um ;再對P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為18um ；
C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進行一次曝光；曝光后經(jīng)過顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移；
D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進行堿性蝕刻處理，直達PCB基板的PH值為8;
E、經(jīng)D步驟后對PC B基板進行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板；
F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。本發(fā)明所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為12萬轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ；孔的直徑為0.2mm,公差為±0.03mm。本發(fā)明所述步驟B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.5um ;電鍍銅的厚度為18um。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以粘貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.0m/min，烘干溫度為80°C，烘干時間為60秒。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜時采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38um ;壓膜速度為1.0/min ;壓力3kg/cm2，壓膜溫度110°C，壓膜時間為25秒。本發(fā)明所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對，進行一次曝光；曝光時進行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級曝光尺測量在6級，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力> 680mmhg/cm2。本發(fā)明所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為0.8%的Na2CO3溶液將沒有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0m/min，壓力1.5kg/cm2,顯影點為 50%o本發(fā)明所述步驟D中，經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為13%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為 135g/l。本發(fā)明所述步驟E中，采用濃度為4%的NaOH溶液進行退膜，退膜速度為2.5m/min，得到半成品線路圖形板。本發(fā)明在使用時，
用鉆孔機鉆出需要的孔，轉(zhuǎn)速:12萬轉(zhuǎn)/min，將孔徑控制在0.2mm ;公差0.03mm ；
在鉆孔后的PCB基板的絕緣樹脂上以化學(xué)反應(yīng)沉積一層銅形成化學(xué)銅，化學(xué)銅厚度為0.5um，縱橫比為8:1。再在銅的基礎(chǔ)上以電沉積的方式加厚形成電鍍銅，以達到成品銅厚的要求，電鍍銅的厚度為18um ；
采化學(xué)法或機械法處理PCB基板的板面，以增加板面上電鍍銅的粗糙度，達到可將光致抗蝕干膜粘貼在電鍍銅的程度，再將其烘干；磨板速度為2.0m/min，烘干溫度80°C ；采用膠轆以機械法將光致抗蝕干膜貼在電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38um ;壓膜速度為1.0/min ;壓力3kg/cm2，壓膜溫度110°C，壓膜時間為？；
采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對，采用5kw的曝光機進行一次曝光；曝光時進行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級曝光尺測量在6級，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力> 68Ommhg/cm2 ；
顯影處理是指采用濃度為0.8%的Na2CO3溶液將沒有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0m/min，壓力1.5kg/cm2，顯影點為50% ；經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用堿性CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為135-155g/l。以堿性氯化銅溶液將顯影后板面單質(zhì)銅進行化學(xué)置換反應(yīng)溶解而留下基材，同時顯影后板面光致抗蝕干膜即線路圖形可以抗蝕刻藥水攻擊，從而保護了光致抗蝕干膜下的銅不被蝕刻掉，也就形成了蝕刻后的線路，氯離子的量為180-210g/l，銅離子的量為135-155g/l，PH 值為 8，溶解速度為 3.0-4.0m/min，壓力為 1.8-2.2kg/cm2 ；
采用濃度為4%的NaOH溶液進行退膜，退膜速度為2.5m/min，得到半成品線路圖形板； 在半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板；
采用在成品線路圖形板的裸銅線路上涂覆防焊層，防焊層的厚度為銅面> ISum ;線拐角的厚度為彡10um。實施例2:``
一種負片直接蝕刻線路的制作方法，包括以下步驟:
A、對PC B基板依次進行開料、磨邊、圓角、鉆孔；
B、經(jīng)A步驟后先對PC B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為0.8um ;再對P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為20um ；
C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進行一次曝光；曝光后經(jīng)過顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移；
D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進行堿性蝕刻處理，直達PCB基板的PH值為8;
E、經(jīng)D步驟后對PC B基板進行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板；
F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。本發(fā)明所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為15萬轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ；孔的直徑為3mm,公差為±0.03mm。本發(fā)明所述步驟B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.Sum ;電鍍銅的厚度為20um。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以粘貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.2m/min，烘干溫度為85°C，烘干時間為40秒。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜時采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為40um ;壓膜速度為1.2/min ;壓力4kg/cm2，壓膜溫度115°C，壓膜時間為20秒。本發(fā)明所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對，進行一次曝光；曝光時進行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級曝光尺測量在7級,菲林重合度< 0.05mm,真空壓力彡680mmhg/cm2。本發(fā)明所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為1.0%的Na2CO3溶液將沒有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.2m/min，壓力1.5kg/cm2,顯影點為 60%o經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為14%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為145g/l。本發(fā)明所述步驟E中，采用濃度為5%的NaOH溶液進行退膜，退膜速度為3.5m/min，得到半成品線路圖形板。本發(fā)明還包括用于檢測線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對于對步驟E中的半成品線路圖形進行檢測和對步驟F中的成品線路圖形進行檢測；經(jīng)檢測合格后的半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測合格后的成品線路圖形板包裝入庫。本發(fā)明在使用時，采用以通、斷路測試機測試，測試半成品線路圖形板不可以有短路、斷路，100%測試；在合格的半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板；再采用以 通、斷路測試機測試，測試成品線路圖形板不可以有短路、斷路，100%測試；在合格的成品線路圖形板的裸銅線路上涂覆防焊層，防焊層的厚度為銅面> ISum ；線拐角的厚度為> 10um。實施例3:
一種負片直接蝕刻線路的制作方法，包括以下步驟:
A、對PC B基板依次進行開料、磨邊、圓角、鉆孔；
B、經(jīng)A步驟后先對PC B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為Ium ;再對P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為25um ；
C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進行一次曝光；曝光后經(jīng)過顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移；
D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進行堿性蝕刻處理，直達PCB基板的PH值為9;
E、經(jīng)D步驟后對PC B基板進行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板；
F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。本發(fā)明所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為18萬轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ；孔的直徑為6mm,公差為±0.03mm。本發(fā)明所述步驟B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為Ium ;電鍍銅的厚度為25um。
本發(fā)明所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以粘貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.5m/min，烘干溫度為90°C，烘干時間為30秒。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜時采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為42um ;壓膜速度為1.5/min ;壓力5kg/cm2，壓膜溫度120°C，壓膜時間為15秒。本發(fā)明所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對，進行一次曝光；曝光時進行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級曝光尺測量在8級，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力> 680mmhg/cm2。本發(fā)明所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為1.2%的Na2CO3溶液將沒有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.5m/min，壓力
1.5kg/cm2,顯影點為 70%o經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為16%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為155g/l。本發(fā)明所述步驟E中，采用濃度為6%的NaOH溶液進行退膜，退膜速度為4.5m/min，得到半成品線路圖形板。本發(fā)明還包括用于檢測線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對于對步驟E中的半成品線路圖形進行檢測和對步驟F中的成品線路圖形進行檢測；經(jīng)檢測合格后的半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測合格后的成品線路圖形板包裝入庫。
權(quán)利要求
1.一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于包括以下步驟: A、對PC B基板依次進行開料、磨邊、圓角、鉆孔； B、經(jīng)A步驟后先對PC B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;再對P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為18-25um ； C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進行一次曝光；曝光后經(jīng)過顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移； D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進行堿性蝕刻處理，直達PCB基板的PH值為8-9； E、經(jīng)D步驟后對PC B基板進行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板； F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為12-18萬轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ;孔的直徑為0.2-6.0mm,公差為±0.03mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;電鍍銅的厚度為18-25um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以牢固貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.0-2.5m/min，烘干溫度為80-90°C，烘干時間為30-60秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟C中，壓膜時采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38-42um ;壓膜速度為1.0-1.5/min ;壓力3-5kg/cm2，壓膜溫度110_120°C，壓膜時間為15-25 秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對，進行一次曝光；曝光時進行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級曝光尺測量在6-8級，菲林重合度^ 0.05mm,真空壓力 > 680mmhg/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為0.8-1.2%的Na2CO3溶液將沒有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0-2.5m/min，壓力1.5-1.8kg/cm2，顯影點為 50-70%o
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟D中，經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為13-16%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為135-155g/l。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟E中，采用濃度為4-6%NaOH溶液進行退膜， 退膜速度為2.5-4.5m/min，得到半成品線路圖形板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的一種負片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:還包括用于檢測線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對于對步驟E中的半成品線路圖形進行檢測和對步驟F中的成品線路圖形進行檢測；經(jīng)檢測合格后的半成品線路圖形板依次進行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測合格后的成品線路圖形板包裝 入庫。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種負片直接蝕刻線路的制作方法，包括以下步驟開料、磨邊、圓角、鉆孔；鍍化學(xué)銅；電鍍銅；圖形轉(zhuǎn)移；堿性蝕刻；退膜；防焊、銅表面處理。本發(fā)明只采用一次曝光克服了現(xiàn)有負片需要做兩次曝光和顯影的技術(shù)問題，縮短了生產(chǎn)流程時間，提高了生產(chǎn)效率，并且不需鍍錫，減少錫廢液的處理，節(jié)約成本，而且環(huán)保，適用于大批量生產(chǎn)。
文檔編號H05K3/06GK103209546SQ201310113908
公開日2013年7月17日 申請日期2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月3日
發(fā)明者陳勝平, 羅獻軍 申請人:遂寧市廣天電子有限公司