撓性件及其制造方法、磁頭折片組合以及磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種撓性件，適用于磁頭折片組合的懸臂件，包括襯底層、形成于所述襯底層上的介電層、形成于所述介電層上的導(dǎo)電層以及覆蓋所述導(dǎo)電層的絕緣保護(hù)層，其特征在于：所述絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)有至少一窗口以暴露所述導(dǎo)電層的一部分，一抗靜電粘合劑粘接于所述窗口的至少一側(cè)壁并所述導(dǎo)電層接觸。所述撓性件無(wú)需通過(guò)蘸水而持久地避免或消除靜電放電。本發(fā)明還公開(kāi)了一種具有所述撓性件的磁頭折片組合及磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，以及所述撓性件的制造方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】撓性件及其制造方法、磁頭折片組合以及磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及信息記錄磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域，尤其涉及一種撓性件及其制造方法、具有該撓性件的磁頭折片組合以及磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。

【背景技術(shù)】
[0002]靜電荷是電子元件生產(chǎn)過(guò)程中盡量避免的事件，也是主要問(wèn)題所在。靜電放電(Electro-Static Discharge, ESD)則對(duì)靜電荷敏感的電子元件(如磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)、半導(dǎo)體或電子組裝包)的生產(chǎn)及其重要。ESD可能會(huì)造成電子元件的短路、開(kāi)路、失效或參數(shù)不合格等，因此導(dǎo)致其喪失工作能力或降低其工作性能。ESD被認(rèn)為是電子元件質(zhì)量的最大潛在殺手，因此靜電保護(hù)已成為控制電子元件質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。
[0003]因此，電子元件的靜電保護(hù)應(yīng)通過(guò)控制靜電來(lái)避免或消除ESD。
[0004]參見(jiàn)圖1，磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器I’通常包含多個(gè)安裝于主軸馬達(dá)17’上的旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)15’，和可繞驅(qū)動(dòng)臂軸旋轉(zhuǎn)以在定位過(guò)程中訪問(wèn)磁盤(pán)上數(shù)據(jù)磁軌的磁頭懸臂組合(head stackassembly, HSA) 13’。HSA13’包括至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)臂131’及安裝于驅(qū)動(dòng)臂131’末端的磁頭折片組合HGA132’。通常使用音圈馬達(dá)(voice-coil motor, VCM) 19’來(lái)控制驅(qū)動(dòng)臂131’的移動(dòng)。
[0005]參考圖1及2，HGA132’包括磁頭12’以及支撐該磁頭12’的撓性件20’。當(dāng)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器I’運(yùn)行時(shí)，主軸馬達(dá)17’使得磁盤(pán)15’高速旋轉(zhuǎn)，而磁頭12’因磁盤(pán)15’旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的氣壓而在磁盤(pán)15’上方飛行。在VCM19’的控制下，磁頭12’在磁盤(pán)15’的表面徑向移動(dòng)。對(duì)于不同的磁軌，磁頭12’均可從磁盤(pán)15’讀取或向磁盤(pán)15’寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
[0006]通常，撓性件20’的一端設(shè)有數(shù)個(gè)電連接觸點(diǎn)134’，并通過(guò)焊點(diǎn)148’的方式與磁頭12’的連接觸點(diǎn)相連接。撓性件20’的另一端設(shè)有數(shù)個(gè)與外部控制系統(tǒng)(圖未示)相連的電觸點(diǎn)136’(如圖3所示)。因此，撓性件20’是電連接磁頭12’和控制系統(tǒng)的橋梁。
[0007]圖3展示了撓性件的典型結(jié)構(gòu)。如圖3所示，撓性件20’包括不銹鋼(stainlesssteel, SST)層22’、介電層24’、銅層26’以及聚酰亞胺(Polyimide，PI)保護(hù)層28，。具體地，撓性件20’的介電層24’層夾于SST層22’及銅層26’之間，PI保護(hù)層28’覆蓋該銅層26’。PI材料是一種塑料，也是一種很好的電絕緣體，很容易獲得較多的靜電荷而導(dǎo)致ESD、引起撓性件20’在生產(chǎn)或運(yùn)行過(guò)程中受損及失靈。由于撓性件20’與磁頭12’電性連接，撓性件20’靜電放電也會(huì)損壞磁頭12’，影響其功能及性能。
[0008]為了確保產(chǎn)品安全，控制撓性件靜電的現(xiàn)有技術(shù)是蘸水。而且撓性件的電阻需控制在15?17歐姆以避免ESD。然而,蘸水具有一些缺陷。第一,蘸水過(guò)程中使用的超純水具有高電阻率且不能穩(wěn)定地持續(xù)，撓性件可能會(huì)重新產(chǎn)生靜電荷并損壞自身；第二，水很容易滋生細(xì)菌，有害于員工或消費(fèi)者的身體健康；第三，水可能會(huì)腐蝕某些部件，減小撓性件的生命周期。而且，防止ESD的蘸水方法僅在生產(chǎn)過(guò)程中起作用，當(dāng)撓性件已經(jīng)安裝至HDD上在其運(yùn)行過(guò)程中卻不能生效。
[0009]因此，亟待一種撓性件、磁頭折片組合以及磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，以克服上述缺陷。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種撓性件，所述撓性件無(wú)需通過(guò)蘸水則可持久地避免或消除ESD。
[0011]本發(fā)明的另一目的在于提供一種撓性件的制造方法，所述撓性件無(wú)需通過(guò)蘸水則可持久地避免或消除ESD。
[0012]本發(fā)明的又一目的在于提供一種具有撓性件的磁頭折片組合，所述撓性件無(wú)需通過(guò)蘸水則可持久地避免或消除ESD。
[0013]本發(fā)明的再一目的在于提供一種具有撓性件的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，所述撓性件無(wú)需通過(guò)蘸水則可持久地避免或消除ESD。
[0014]為達(dá)到以上目的，本發(fā)明提供一種撓性件，適用于磁頭折片組合的懸臂件，包括襯底層、形成于所述襯底層上的介電層、形成于所述介電層上的導(dǎo)電層以及覆蓋所述導(dǎo)電層的絕緣保護(hù)層，其特征在于:所述絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)有至少一窗口以暴露所述導(dǎo)電層的一部分，一抗靜電粘合劑粘接于所述窗口的至少一側(cè)壁并與所述導(dǎo)電層接觸。
[0015]較佳地，所述窗口的長(zhǎng)度為200微米?600微米。
[0016]較佳地，所述窗口的長(zhǎng)度為300微米?400微米。
[0017]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述窗口的形狀是三角形、正方形、長(zhǎng)方形、圓形或不規(guī)則形狀。
[0018]較佳地，所述抗靜電粘合劑由導(dǎo)電聚合物、金屬粒子、金屬氧化物或碳材料制得。
[0019]較佳地，所述導(dǎo)電聚合物包括聚苯胺、聚吡咯、聚對(duì)苯二胺、聚噻吩、聚苯乙烯磺酸及其衍生物。
[0020]較佳地，所述碳材料包括碳纖維、碳納米管及碳粉。
[0021]一種撓性件的制造方法，包括以下步驟:
[0022](I)提供一襯底層；
[0023](2)在所述襯底層上形成一介電層；
[0024](3)在所述介電層上形成一導(dǎo)電層；
[0025](4)在所述導(dǎo)電層上形成一絕緣保護(hù)層；
[0026](5)在所述絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)至少一窗口，以暴露所述導(dǎo)電層的一部分；
[0027](6)粘接一抗靜電粘合劑至所述窗口的至少一側(cè)壁，且所述抗靜電粘合劑與所述導(dǎo)電層接觸。
[0028]較佳地，所述窗口由機(jī)械加工法或化學(xué)蝕刻法形成。
[0029]較佳地，所述抗靜電粘合劑由浸潰法或噴涂法形成。
[0030]一種磁頭折片組合，包括撓性件、支撐所述撓性件的負(fù)載桿、基板以及連接所述負(fù)載桿及所述基板的樞接件，所述撓性件包括襯底層、形成于所述襯底層上的介電層、形成于所述介電層上的導(dǎo)電層以及覆蓋所述導(dǎo)電層的絕緣保護(hù)層，其特征在于:所述絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)有至少一窗口以暴露所述導(dǎo)電層的一部分，一抗靜電粘合劑粘接于所述窗口的至少一側(cè)壁并與所述導(dǎo)電層接觸。
[0031]一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，包括磁頭折片組合、與所述磁頭折片組合相連的驅(qū)動(dòng)臂、磁盤(pán)以及旋轉(zhuǎn)所述磁盤(pán)的主軸馬達(dá)，所述磁頭折片組合包括撓性件、支撐所述撓性件的負(fù)載桿、基板以及連接所述負(fù)載桿及所述基板的樞接件，所述撓性件包括襯底層、形成于所述襯底層上的介電層、形成于所述介電層上的導(dǎo)電層以及覆蓋所述導(dǎo)電層的絕緣保護(hù)層，其特征在于:所述絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)有至少一窗口以暴露所述導(dǎo)電層的一部分，一抗靜電粘合劑粘接于所述窗口的至少一側(cè)壁并與所述導(dǎo)電層接觸。
[0032]與現(xiàn)有技術(shù)相比，絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)有至少一窗口以暴露導(dǎo)電層的一部分，一抗靜電粘合劑粘接在窗口的至少一側(cè)壁并與導(dǎo)電層的一部分相接觸。也就是說(shuō)，該抗靜電粘合劑通過(guò)該窗口而與絕緣保護(hù)層及導(dǎo)電層相連，且導(dǎo)電層是接地的，所以該抗靜電粘合劑可防止撓性件上產(chǎn)生靜電荷或產(chǎn)生更少的靜電荷，從而可防止或消除ESD。另外，抗靜電粘合劑可持續(xù)有效，且不蘸水無(wú)腐蝕。
[0033]通過(guò)以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明的實(shí)施例。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]圖1為傳統(tǒng)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的立體圖。
[0035]圖2為帶有磁頭的傳統(tǒng)HGA的局部立體圖。
[0036]圖3為傳統(tǒng)撓性件的爆炸圖。
[0037]圖4為本發(fā)明磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的一個(gè)實(shí)施例的立體圖。
[0038]圖5為本發(fā)明HGA的一個(gè)實(shí)施例的立體圖。
[0039]圖6a本發(fā)明撓性件的一個(gè)實(shí)施例的爆炸圖。
[0040]圖6b為本發(fā)明撓性件的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖。
[0041]圖7為本發(fā)明撓性件的絕緣保護(hù)層的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
[0042]圖8為本發(fā)明適用于HGA的懸臂件上的撓性件的制造方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0043]下面將參考附圖闡述本發(fā)明幾個(gè)不同的最佳實(shí)施例，其中不同圖中相同的標(biāo)號(hào)代表相同的部件。如上所述，本發(fā)明旨在提供一種撓性件、具有該撓性件的HGA及磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、以及該撓性件的制造方法，其無(wú)需通過(guò)蘸水則可持久地避免ESD，從而提高了其性能。
[0044]圖4是本發(fā)明磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的立體圖。如圖所示，磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器I包括數(shù)個(gè)連接于主軸馬達(dá)17上的可旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)15，一組驅(qū)動(dòng)臂18及安裝在驅(qū)動(dòng)臂18末端的HGAslO，所有這些部件均安裝于一外殼16內(nèi)。通常，提供一 VCM19來(lái)控制驅(qū)動(dòng)臂131’的移動(dòng)。
[0045]參見(jiàn)圖4及5，HGAlO包括磁頭12以及支撐該磁頭12的懸臂件14。懸臂件14包括負(fù)載桿142、基板144、樞接件146及撓性件20，所有這些部件互相組裝在一起。樞接件146上形成有一組裝樞接件146及基板144的安裝孔1462。撓性件20包括一懸臂舌片(圖未示)，上述磁頭12位于該懸臂舌片上。
[0046]具體地，如圖6a及6b所示，懸臂件14的撓性件20包括襯底層22、形成于襯底層22上的介電層24、形成于介電層24上的導(dǎo)電層26以及覆蓋導(dǎo)電層26的絕緣保護(hù)層28。襯底層22、介電層24及導(dǎo)電層26的長(zhǎng)度基本相等，而絕緣保護(hù)層28的長(zhǎng)度較短從而露出導(dǎo)電層26的前端262及尾端264。也就是說(shuō)，絕緣保護(hù)層28覆蓋了位于前端262及尾端264之間的導(dǎo)電層26的線路部分266。前端262設(shè)有數(shù)個(gè)與磁頭12相連的電連接觸點(diǎn)2622。尾端262設(shè)有數(shù)個(gè)與外部控制系統(tǒng)(圖未示)相連的電觸點(diǎn)2642。
[0047]參見(jiàn)圖6a、6b及7，絕緣保護(hù)層28的表面開(kāi)設(shè)有至少一窗口 282以暴露線路部分266的一部分。該窗口 282的尺寸不受限制，窗口 282的長(zhǎng)度為200微米?600微米，較佳地，為300微米?400微米。窗口 282的形狀可為三角形、正方形、長(zhǎng)方形、圓形或不規(guī)則形狀。而且窗口 282的位置和數(shù)量也不受限制，可位于絕緣保護(hù)層28的任一位置，如圖7所
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[0048]然后，在窗口 282的至少一側(cè)壁及導(dǎo)電層26間粘接一抗靜電粘合劑29。也就是說(shuō)，抗靜電粘合劑29可粘接至窗口 282的一側(cè)壁或兩側(cè)壁上，當(dāng)然，也可填滿該窗口 282。由于該抗靜電粘合劑29通過(guò)窗口 282而與導(dǎo)電層26及絕緣保護(hù)層28相連，且導(dǎo)電層26是接地的，所以該抗靜電粘合劑29可防止撓性件20上產(chǎn)生靜電荷或產(chǎn)生更少的靜電荷，從而可防止或消除ESD。另外，抗靜電粘合劑29可持續(xù)有效，無(wú)需通過(guò)蘸水不會(huì)被腐蝕。
[0049]較佳地，襯底層22的材料是不銹鋼，導(dǎo)電層26及絕緣保護(hù)層28的材料分別為銅和聚酰亞胺。特別地，抗靜電粘合劑29由導(dǎo)電聚合物、金屬粒子、金屬氧化物或碳材料制得。其中導(dǎo)電聚合物包括聚苯胺、聚吡咯、聚對(duì)苯二胺、聚噻吩、聚苯乙烯磺酸及其衍生物。碳材料包括碳纖維、碳納米管及碳粉。更重要的，抗靜電粘合劑29的電阻為15?17歐姆，并能在60?100°C下快速固化，具有強(qiáng)的粘合能力，且抗靜電效果與濕度無(wú)關(guān)。此外，抗靜電粘合劑29可在水中超聲波清洗，并不會(huì)產(chǎn)生任何顆粒。
[0050]圖8展示了上述撓性件20的制造方法的流程圖，包括以下步驟:
[0051]SlOl:提供一襯底層；
[0052]S102:在襯底層上形成一介電層；
[0053]S103:在介電層上形成一導(dǎo)電層；
[0054]S104:在導(dǎo)電層上形成一絕緣保護(hù)層；
[0055]S105:在絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)至少一窗口，以暴露導(dǎo)電層的一部分；
[0056]S106:粘接一抗靜電粘合劑至窗口的至少一側(cè)壁并與導(dǎo)電層接觸。
[0057]較佳地，窗口由機(jī)械加工法或化學(xué)蝕刻法形成。其中機(jī)械加工法包括機(jī)械切削和電腦數(shù)字控制(CNC)銑削，化學(xué)蝕刻包括等離子蝕刻和激光燒蝕。
[0058]較佳地，抗靜電粘合劑由浸潰法或噴涂法形成。
[0059]較佳地，窗口的長(zhǎng)度為200微米?600微米。
[0060]較佳地，窗口的長(zhǎng)度為300微米?400微米。
[0061]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，窗口的形狀是三角形、正方形、長(zhǎng)方形、圓形或不規(guī)則形狀。
[0062]較佳地，抗靜電粘合劑由導(dǎo)電聚合物、金屬粒子、金屬氧化物或碳材料制得。
[0063]較佳地，導(dǎo)電聚合物包括聚苯胺、聚吡咯、聚對(duì)苯二胺、聚噻吩、聚苯乙烯磺酸及其衍生物。
[0064]較佳地，碳材料包括碳纖維、碳納米管及碳粉。
[0065]綜上，由于抗靜電粘合劑通過(guò)窗口而與導(dǎo)電層及絕緣保護(hù)層連接，且導(dǎo)電層是接地的，所以該抗靜電粘合劑可防止或減少撓性件上產(chǎn)生靜電荷，從而可防止或消除ESD。另夕卜，抗靜電粘合劑可持續(xù)有效，無(wú)需通過(guò)蘸水不會(huì)被腐蝕。
[0066] 以上所揭露的僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種撓性件，適用于磁頭折片組合的懸臂件，包括襯底層、形成于所述襯底層上的介電層、形成于所述介電層上的導(dǎo)電層以及覆蓋所述導(dǎo)電層的絕緣保護(hù)層，其特征在于:所述絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)有至少一窗口以暴露所述導(dǎo)電層的一部分，一抗靜電粘合劑粘接于所述窗口的至少一側(cè)壁并與所述導(dǎo)電層接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的撓性件，其特征在于:所述窗口的長(zhǎng)度為200微米~600微米。
3.如權(quán)利要求2所述的撓性件，其特征在于:所述窗口的長(zhǎng)度為300微米~400微米。
4.如權(quán)利要求1所述的撓性件，其特征在于:所述窗口的形狀是三角形、正方形、長(zhǎng)方形、圓形或不規(guī)則形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的撓性件，其特征在于:所述抗靜電粘合劑由導(dǎo)電聚合物、金屬粒子、金屬氧化物或碳材料制得。
6.如權(quán)利要求5所述的撓性件，其特征在于:所述導(dǎo)電聚合物包括聚苯胺、聚吡咯、聚對(duì)苯二胺、聚噻吩、聚苯乙烯磺酸及其衍生物。
7.如權(quán)利要求5所述的撓性件，其特征在于:所述碳材料包括碳纖維、碳納米管及碳粉。
8.一種撓性件的制造方法，包括以下步驟: 提供一襯底層； 在所述襯底層上形成一介電層； 在所述介電層上形成一導(dǎo)電層； 在所述導(dǎo)電層上形成一絕緣保護(hù)層； 在所述絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)至少一窗口，以暴露所述導(dǎo)電層的一部分； 粘接一抗靜電粘合劑至所述窗口的至少一側(cè)壁，且所述抗靜電粘合劑與所述導(dǎo)電層接觸。
9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于:所述窗口由機(jī)械加工法或化學(xué)蝕刻法形成。
10.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于:所述抗靜電粘合劑由浸潰法或噴涂法形成。
11.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于:所述窗口的長(zhǎng)度為200微米~600微米。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于:所述窗口的長(zhǎng)度為300微米~400微米。
13.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于:所述窗口的形狀是三角形、正方形、長(zhǎng)方形、圓形或不規(guī)則形狀。
14.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于:所述抗靜電粘合劑由導(dǎo)電聚合物、金屬粒子、金屬氧化物或碳材料制得。
15.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于:所述導(dǎo)電聚合物包括聚苯胺、聚吡咯、聚對(duì)苯二胺、聚噻吩、聚苯乙烯磺酸及其衍生物。
16.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于:所述碳材料包括碳纖維、碳納米管及碳粉。
17.一種磁頭折片組合，包括撓性件、支撐所述撓性件的負(fù)載桿、基板以及連接所述負(fù)載桿及所述基板的樞接件，所述撓性件包括襯底層、形成于所述襯底層上的介電層、形成于所述介電層上的導(dǎo)電層以及覆蓋所述導(dǎo)電層的絕緣保護(hù)層，其特征在于:所述絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)有至少一窗口以暴露所述導(dǎo)電層的一部分，一抗靜電粘合劑粘接于所述窗口的至少一側(cè)壁并與所述導(dǎo)電層接觸。
18.—種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，包括磁頭折片組合、與所述磁頭折片組合相連的驅(qū)動(dòng)臂、磁盤(pán)以及旋轉(zhuǎn)所述磁盤(pán)的主軸馬達(dá)，所述磁頭折片組合包括撓性件、支撐所述撓性件的負(fù)載桿、基板以及連接所述負(fù)載桿及所述基板的樞接件，所述撓性件包括襯底層、形成于所述襯底層上的介電層、形成于所述介電層上的導(dǎo)電層以及覆蓋所述導(dǎo)電層的絕緣保護(hù)層，其特征在于:所述絕緣保護(hù)層的表面開(kāi)設(shè)有至少一窗口以暴露所述導(dǎo)電層的一部分，一抗靜電粘合劑粘接于所述窗 口的至少一側(cè)壁并與所述導(dǎo)電層接觸。
【文檔編號(hào)】G11B5/48GK104078055SQ201310108012
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】李炳輝, 周衛(wèi)強(qiáng), 黃冬蘭, 羅成元, 于宗強(qiáng) 申請(qǐng)人:東莞新科技術(shù)研究開(kāi)發(fā)有限公司