專利名稱：過氟化物的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及過氟化物的處理方法，特別是涉及適合于處理從多個半導(dǎo)體制造設(shè)備或液晶制造設(shè)備排出的過氟化物的過氟化物的處理方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是技術(shù)革新很快的、在2至4年中進行半導(dǎo)體世代交替的領(lǐng)域。對于半導(dǎo)體制造設(shè)備來說，必須引入適應(yīng)于半導(dǎo)體世代交替的、體現(xiàn)制造技術(shù)進步的最新的微細化加工設(shè)備。因此，半導(dǎo)體的制造廠家必須經(jīng)常引入最新的半導(dǎo)體制造設(shè)備。
另一方面，半導(dǎo)體制造設(shè)備在半導(dǎo)體的制造工序中使用了過氟化物(Perfluorocompound)作為刻蝕用氣體和清洗用氣體。過氟化物(以下，稱為PFC)是CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、C3F8、C5F8、SF6、NF3等的不包含氯的碳與氟、碳與氫與氟、硫與氟和氮與氟的化合物的總稱。PFC的壽命很長(對于C2F6來說，為10,000年，對于SF6來說，為3,200年)，是溫室系數(shù)大的地球溫室氣體，成為大氣放出的限制對象。因此，研究了分解PFC的各種方法。在特開平11-70322號公報和特開平11-319485號公報中記載了該分解方法的一種。即，記載了下述分解方法利用催化劑對PFC進行加水分解，用水(或堿溶液)對包含由PFC的分解產(chǎn)生的分解氣體的排氣進行清洗，其后，使用鼓風機排出該排氣。
作為PFC的分解處理，除了使用催化劑的催化劑法外，還有利用燃燒分解PFC的燃燒法和通過對PFC進行等離子化來分解的等離子法。
半導(dǎo)體制造廠家除了引入最新的半導(dǎo)體制造設(shè)備時的很大的投資外，還必須進行對于作為環(huán)境保護的PFC分解處理裝置的引入的投資。但是，不能因為在半導(dǎo)體制造設(shè)備的引入中需要很大的投資而停止作為環(huán)境保護的從半導(dǎo)體制造設(shè)備排出的PFC的分解處理。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種過氟化物的處理方法，該處理方法通過在把多個制造設(shè)備集中起來進行過氟化物的分解處理的同時對各個制造設(shè)備推斷或決定過氟化物的處理量，最終能減少制造從業(yè)者在過氟化物的分解處理中所需要的費用(成本)。
為了達到上述的目的，本發(fā)明提供了一種處理從多個制造設(shè)備排出的過氟化物的處理方法，其特征在于下列步驟用過氟化物處理裝置對從通過具有流量計的各個管路提供過氟化物的多個制造設(shè)備排出的過氟化物進行分解處理，以及對每一個制造設(shè)備，使用各個流量計的計測值推斷或決定在過氟化物處理裝置中的上述過氟化物的處理量。
根據(jù)本發(fā)明，由于不僅能夠用過氟化物處理裝置對由具有流量計的各個管路提供過氟化物的多個制造設(shè)備排出的過氟化物進行分解處理，而且能推斷或決定各個制造設(shè)備的過氟化物的處理量，因此能夠高效、適當?shù)剡M行過氟化物的分解處理，而且能降低成本。
由于制造從業(yè)者沒有必要購入過氟化物處理裝置，故不需要該設(shè)備購入用的投資，此外，即使在市場環(huán)境變化了的情況下，由于根據(jù)過氟化物的處理量來負擔其處理費用，故也可減少過氟化物的處理費用的負擔。


圖1是示出在作為本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的PFC處理方法中將PFC分解處理裝置和累計器連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備上的狀態(tài)的說明圖。
圖2是從連接到各半導(dǎo)體制造從業(yè)者的半導(dǎo)體制造設(shè)備上的PFC分解處理裝置和累計器得到的各信息傳遞到PFC處理從業(yè)者的信息傳送系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
圖3是圖1的PFC分解處理裝置的詳細結(jié)構(gòu)圖。
圖4是示出在作為本發(fā)明的另一實施例的PFC處理方法中將PFC分解處理裝置和累計器連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備上的狀態(tài)的說明圖。
圖5是示出在作為本發(fā)明的另一實施例的PFC處理方法中將PFC分解處理裝置和累計器連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備上的狀態(tài)的說明圖。
圖6是示出在作為本發(fā)明的另一實施例的PFC處理方法中將PFC分解處理裝置和累計器連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備上的狀態(tài)的說明圖。
圖7是示出在作為本發(fā)明的另一實施例的PFC處理方法中將PFC分解處理裝置和累計器連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備上的狀態(tài)的說明圖。
具體實施例方式
過氟化物的處理量對應(yīng)于市場環(huán)境變化的情況而變動。制造從業(yè)者因沒有必要購入過氟化物處理裝置而不需要該設(shè)備購入用的投資，此外，即使在市場環(huán)境變化了的情況下，由于根據(jù)過氟化物的處理量來負擔其處理費用，故也可減少過氟化物的處理費用。
此外，在優(yōu)選實施例中，由于過氟化物處理從業(yè)者自發(fā)地實施PFC分解處理裝置的保養(yǎng)檢查作業(yè)，故制造從業(yè)者沒有必要自己進行PFC分解處理裝置的保養(yǎng)檢查作業(yè)，此外，也沒有必要將該保養(yǎng)檢查作業(yè)委托給PFC分解處理裝置的制造廠家。
實施例1使用圖1、圖2和圖3說明作為本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的過氟化物處理方法。如圖2中所示，利用因特網(wǎng)54連接了半導(dǎo)體制造從業(yè)者A(以下，稱為A公司)的服務(wù)器47、半導(dǎo)體制造從業(yè)者B(以下，稱為B公司)的服務(wù)器49與過氟化物處理從業(yè)者C(以下，稱為處理從業(yè)者C)的服務(wù)器51。將處理從業(yè)者C所具有的信息終端52和存儲器53連接到服務(wù)器51上。將A公司所具有的信息終端48連接到服務(wù)器47上。將B公司所具有的信息終端50連接到服務(wù)器49上。信息終端48、50和52例如是個人計算機。
A公司使用半導(dǎo)體制造設(shè)備1制造了半導(dǎo)體，B公司使用半導(dǎo)體制造設(shè)備1A制造了半導(dǎo)體。使用圖1，說明半導(dǎo)體制造設(shè)備1中的刻蝕裝置附近的概略結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體制造設(shè)備1具備刻蝕裝置2、晶片供給裝置3和PFC供給裝置4及5。PFC供給裝置4具有PFC充填容器6；連接到PFC充填容器6上的管路8A；以及在管路8A中設(shè)置的閥門9A。PFC供給裝置5具有PFC充填容器7；連接到PFC充填容器7上的管路8B；以及在管路8B上設(shè)置的閥門9B。半導(dǎo)體制造設(shè)備1具備刻蝕裝置A和刻蝕裝置B(未圖示)作為刻蝕裝置2。管路8A和8B連接到刻蝕裝置A的刻蝕室(未圖示)上。在閥門9A和9B的上流一側(cè)從管路8A和8B分支出來的各自的分支管路連接到刻蝕裝置B的刻蝕室(未圖示)上。在這些分支管路上也分別設(shè)置閥門(未圖示)和流量計(未圖示)。
PFC充填容器6充填了作為PFC的一種的C2F6。PFC充填容器7充填了作為PFC的另一種的SF6。在刻蝕裝置A的刻蝕室(稱為室A)內(nèi)對晶片進行刻蝕處理的情況下，利用晶片供給裝置3將晶片供給室A內(nèi)。其后，通過調(diào)節(jié)打開閥門9A和9B各自的打開度，從PFC充填容器6通過管路8A將第1設(shè)定量的C2F6氣體、從PFC充填容器7通過管路8B將第2設(shè)定量的SF6氣體供給被減壓為真空的室A內(nèi)。同時將C2F6氣體和SF6氣體供給室A內(nèi)。使C2F6氣體和SF6氣體等離子化，進行對于作為半導(dǎo)體的材料的晶片的刻蝕處理。對室A內(nèi)供給的C2F6氣體的一部分和SF6氣體的一部分不在室A內(nèi)被消耗，利用真空泵15A的吸引，排出到與室A連接的氣體排出管16A中。在未圖示的刻蝕裝置B的刻蝕室(稱為室B)內(nèi)，對由晶片供給裝置3供給的晶片也進行使用了從2條分支管路供給的C2F6氣體和SF6氣體的刻蝕處理。在室B內(nèi)，在結(jié)束了由C2F6氣體進行的對晶片的刻蝕處理后供給SF6氣體，使用于對該晶片的刻蝕處理。在室B內(nèi)未被消耗的C2F6氣體的一部分和SF6氣體的一部分利用真空泵15B的吸引，排出到與室B連接的氣體排出管16B中。利用晶片供給裝置3從室A和B分別取出刻蝕處理已結(jié)束的晶片。在室A和B中C2F6氣體和SF6氣體的供給方法的不同是因為利用成為刻蝕處理的對象的晶片制造不同的半導(dǎo)體。
A公司利用信息終端56經(jīng)因特網(wǎng)62對服務(wù)器50發(fā)送委托從半導(dǎo)體制造設(shè)備1排出的PFC的處理的信息。處理從業(yè)者C通過看到在信息終端60的顯示器上已被顯示的該委托信息，知道來自A公司的PFC的處理委托。其后，處理從業(yè)者C將使用了催化劑的圖3中示出的PFC分解處理裝置17運送到A公司，連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備1上。即，處理從業(yè)者C分別將管路33連接到氣體排出管16A和16B上。再者，處理從業(yè)者C將累計器13A連接到流量計10上，將累計器13B連接到流量計11上，將累計器13C連接到已被設(shè)置在上述的1個分支管路上的流量計上，將累計器13D連接到已被設(shè)置在另一分支管路上的流量計上。PFC分解處理裝置17和累計器13A、13B、13C、13D是處理從業(yè)者C所具有的。因此，處理從業(yè)者C使用PFC分解處理裝置17，實施被排出到氣體排出管16A和16B中的C2F6氣體和SF6氣體的處理。以下，以使用了作為PFC的一種的SF6和C2F6的情況為例，說明PFC氣體的處理。
利用真空泵15A和15B將包含從室A和B排出到氣體排出管16A和16B中的的PFC氣體、即SE6和C2F6、SiF4和HF的排氣排出到管路33中，再供給硅除去裝置的入口充填塔23。為了防止軸承部被HF所腐蝕，對真空泵15A和15B供給N2氣體。該N2氣體與排氣一起，供給入口充填塔23內(nèi)。排氣在入口充填塔23內(nèi)上升經(jīng)過充填層24內(nèi)，經(jīng)管路34供給硅除去裝置的噴霧塔25內(nèi)。利用水供給管43供給的新水從噴霧器26噴射到噴霧塔25內(nèi)，利用管路34引導(dǎo)到入口充填塔23內(nèi)。利用排水泵32的驅(qū)動，經(jīng)排水管37和管路39，將排水罐27內(nèi)的排水供給入口充填塔23。該排水和噴霧水下降到充填層24內(nèi)。
排氣中包含的SiF4通過在入口充填塔23內(nèi)與水(排水和噴射到噴霧塔25內(nèi)的噴霧水)接觸，產(chǎn)生(1)式的反應(yīng)，分解為SiO2和HF。
...(1)在對入口充填塔23供給的排氣中包含的HF和由(1)式的反應(yīng)產(chǎn)生的HF，在入口充填塔23內(nèi)被水吸收，從排氣中除去。作為固形部分的SiO2也被該水洗去。吸收了包含SiO2的HF的水通過管路40被引導(dǎo)到位于入口充填塔23的下方的排水罐27內(nèi)。排氣中包含的其它的雜質(zhì)也在入口充填塔23和噴霧塔25內(nèi)被水除去。
在入口充填塔23內(nèi)未被水吸收的HF與排氣一起被引導(dǎo)到噴霧塔25內(nèi)，在該處被噴射的噴霧水吸收。被引導(dǎo)到噴霧塔25內(nèi)的殘存的SiF4通過在噴霧塔25內(nèi)與噴霧水接觸，產(chǎn)生(1)式的反應(yīng)。在該反應(yīng)中發(fā)生的HF被噴霧水吸收。發(fā)生的SiO2也經(jīng)過噴霧塔25被噴霧水排出到管路40中。
將從噴霧塔25排出到管路35內(nèi)的包含SF6和C2F6的排氣供給反應(yīng)器18的加熱空間21內(nèi)。該排氣未包含HF、SiF4和由(1)式的反應(yīng)生成的SiO2。在加熱空間21內(nèi)，利用管路41供給水(或水蒸氣)，利用管路42供給空氣。由于由催化劑產(chǎn)生的PFC的分解反應(yīng)是加水分解，故供給該反應(yīng)所必要的水(或水蒸氣)。利用加熱器20將排氣與水和空氣一起加熱到因催化劑的作用SF6和C2F6開始分解的750℃溫度。水成為水蒸氣。將包含了水蒸氣、空氣、SF6和C2F6的加熱到的750℃的排氣供給催化劑筒19內(nèi)。
利用催化劑筒3內(nèi)的包含了80％的作為Al的氧化物的Al2O3和20％的作為Ni氧化物的NiO的氧化鋁類催化劑的作用，促進SF6和C2F6與H2O的下述的(2)式和(3)式的反應(yīng)，SF6被分解為SO3和HF，C2F6被分解為CO2和HF。
...(2)...(3)在水蒸氣的存在下進行(2)式和(3)式的反應(yīng)。SF6和C2F6被100％分解。在不對催化劑筒3內(nèi)供給空氣、特別是氧的情況下，由于C2F6與H2O的反應(yīng)而生成有害的CO。由于利用空氣的供給，空氣中包含的氧將CO變換為無害的CO2，故如(3)式所示那樣，不發(fā)生CO。通過使用上述的氧化鋁類催化劑，在溫度為750℃的催化劑筒3內(nèi)，SF6和C2F6被100％分解。
由于在本實施例中，在硅除去裝置內(nèi)使(1)式的反應(yīng)發(fā)生、除去在排氣中以SiF4等的化合物的形態(tài)包含了的硅，故可提高因催化劑產(chǎn)生的PFC的分解效率。在對反應(yīng)器18內(nèi)供給包含硅的排氣的情況下，由于與由管路40供給的水(或水蒸氣)的(1)式的反應(yīng)，在加熱空間21內(nèi)生成SiO2。在該SiO2流入催化劑筒19的情況下，產(chǎn)生以下的①和②的問題。①SiO2堵塞在催化劑中形成的多孔質(zhì)。②SiO2閉塞在催化劑間形成的間隙。由于①和②的緣故，催化劑的表面積減少，PFC的分解反應(yīng)下降。此外，起因于②，催化劑間排氣的流動變差，催化劑與排氣的接觸受到阻礙。這一點也與PFC的分解反應(yīng)下降有關(guān)。由于本實施例在硅除去裝置中事先除去了SiO2，故不產(chǎn)生上述的問題，可提高PFC的分解效率。
從催化劑筒19將包含作為SF6和C2F6的各自的分解氣體的SO3、CO2以及HF的排氣供給冷卻室22內(nèi)。由水供給管45供給的水從噴霧器46噴霧到冷卻室22內(nèi)。由于該排氣因與已被噴霧的水接觸而被冷卻，故排氣溫度下降到100℃以下。由此，可用作為耐蝕性良好的塑料的聚氯乙烯樹脂來構(gòu)成反應(yīng)器18的下流一側(cè)的裝置(冷卻室22、排氣清洗塔28)、管路36和38。排氣中包含的HF的一部分由已被噴霧的水吸收。將已被噴霧的水和排氣通過管路36從冷卻室22引導(dǎo)到排水罐27內(nèi)。將水暫時地存儲在排水罐27內(nèi)。將排水罐27內(nèi)的水排出到排水管37內(nèi)，將其引導(dǎo)到未圖示的建筑物一側(cè)的排水處理設(shè)備中。
將包含分解氣體的排氣從排水罐27引導(dǎo)到排氣清洗塔28內(nèi)。將由水供給管44供給的水從噴霧器30噴射出來。該水從上方下降并經(jīng)過充填層29內(nèi)，下落到排水罐27內(nèi)。排氣上升并經(jīng)過充填層29內(nèi)。排氣中包含的氧化性氣體、即SO3和HF被噴射的水吸收，從排氣中分離。也可從噴霧器30噴射堿的水溶液(NaOH水溶液或KOH水溶液)來代替水。利用排風機31的驅(qū)動，將除去了氧化性氣體的排氣從排氣清洗塔28排出到管路38中，再排出到系統(tǒng)外。
在PFC分解處理裝置17中，將溫度計設(shè)置在反應(yīng)器18內(nèi)催化劑筒19的入口附近。設(shè)置測定位于入口充填塔23的上流一側(cè)的管路33與排風機31的上流一側(cè)的管路38之間的壓差的壓差計58。此外，在排風機31的下流一側(cè)，在管路38中設(shè)置PFC濃度計59。
利用設(shè)置在管路8A中的流量計10和設(shè)置在管路8B中的流量計11測定由管路8A和8B對刻蝕裝置A的室A內(nèi)供給的SF6氣體和C2F6氣體的流量。累計器13A輸入流量計10的測定值，累計對室A內(nèi)供給的C2F6氣體的流量。累計器13B輸入流量計11的測定值，累計對室A內(nèi)供給的SF6氣體的流量。雖然未圖示，但也利用在各分支管路中設(shè)置的各自的流量計測定對刻蝕裝置B的室B內(nèi)供給的SF6氣體和C2F6氣體的流量。也利用其它的累計器13C累計供給C2F6氣體的分支管路中設(shè)置的流量計的測定值。再者，也利用另外的累計器13D累計供給SF6氣體的分支管路中設(shè)置的流量計的測定值。將由累計器13A、13B、13C、13D得到的各PFC氣體的流量累計值從服務(wù)器47經(jīng)因特網(wǎng)54傳遞給處理從業(yè)者C的服務(wù)器51，被存儲在存儲器53中。
存儲器53存儲對在A公司的刻蝕裝置中使用的每種PFC氣體已被設(shè)定的累計系數(shù)。累計系數(shù)是考慮了PFC氣體分解處理的難易度、PFC氣體的使用量等的對A公司使用的PFC分解處理裝置17的負荷的系數(shù)。通過將存儲器53中已存儲的對應(yīng)的累計系數(shù)乘到存儲器53中已存儲的對各刻蝕裝置供給的每種PFC氣體的流量累計值上，信息終端52計算出PFC氣體分解等效量。在表1中歸納了對刻蝕裝置A和B中的C2F6氣體和SF6氣體的流量累計值、累計系數(shù)和PFC氣體分解等效量。PFC氣體分解等效量是成為計算考慮了該PFC的處理難易度的PFC處理費的基礎(chǔ)的數(shù)值概念。
(表1)

再者，信息終端52通過將分解處理單價乘到PFC氣體分解等效量的合計值上，計算出對于在PFC分解處理裝置17中處理C2F6氣體和SF6氣體的處理費用。PFC氣體分解等效量的合計值是關(guān)于對半導(dǎo)體制造設(shè)備1的PFC處理量的信息(以下，稱為PFC處理量相關(guān)信息)。即，PFC處理量相關(guān)信息實質(zhì)上相當于由PFC分解處理裝置17進行了分解處理的PFC的處理量。因此，在本實施例中，根據(jù)對刻蝕裝置的PFC氣體的供給流量，推斷了由PFC分解處理裝置17進行了分解處理的PFC的處理量。
將已計算出的處理費用定期地、例如每1個月，從信息終端52經(jīng)服務(wù)器51和因特網(wǎng)54發(fā)送到A公司的服務(wù)器47上。A公司通過在信息終端48的顯示器上顯示處理費用，可知道其金額。A公司將該處理費用轉(zhuǎn)帳到處理從業(yè)者C已指定的銀行戶頭上。
在不設(shè)置各累計器的情況下，將測定PFC氣體流量的各流量計的測定值從服務(wù)器47發(fā)送給服務(wù)器51，用信息終端52求出各流量計的測定值，可計算該PFC氣體的流量累計值。如上所述，使用該流量累計值可計算出處理費用。
分別將用溫度計57測定了的溫度測定值60、用壓差計58測定了的壓差測定值61和用PFC濃度計59測定了的PFC濃度測定值62輸入到服務(wù)器47中，從服務(wù)器47經(jīng)因特網(wǎng)54和服務(wù)器51，存儲在存儲器53中。通過在信息終端52的顯示器上顯示在存儲器53中已被存儲的溫度測定值60、壓差測定值61和PFC濃度測定值62，處理從業(yè)者C可以遠程方式監(jiān)視在A公司中已設(shè)置的PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)狀態(tài)。在用PFC濃度計59測定了的PFC濃度超過了設(shè)定濃度的情況下，產(chǎn)生了催化劑筒19內(nèi)的催化劑的性能惡化、由催化劑引起的PFC的分解反應(yīng)不能進行的現(xiàn)象。在壓差計58的測定值超過了設(shè)定壓差的情況下，例如產(chǎn)生了雜質(zhì)積存在催化劑筒19內(nèi)的催化劑層內(nèi)的現(xiàn)象。在溫度計57的測定值比設(shè)定溫度低的情況下，產(chǎn)生了加熱器20的故障或?qū)㈦娏σ龑?dǎo)到加熱器20中的電力系統(tǒng)的故障。例如，處理從業(yè)者C在利用使用了由信息終端52進行的PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的監(jiān)視知道了管路38的PFC濃度超過了設(shè)定濃度時，處理從業(yè)者C將在A公司中已設(shè)置的PFC分解處理裝置17的催化劑筒19更換為新的催化劑筒19。
這樣，本實施例可使用處理從業(yè)者C的信息終端52以遠程方式監(jiān)視在A公司中已設(shè)置的PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)狀態(tài)，可適當?shù)剡M行PFC分解處理裝置17的保養(yǎng)。處理從業(yè)者C進行自己所具有的PFC分解處理裝置17的保養(yǎng)。催化劑筒19的更換等的PFC分解處理裝置17的保養(yǎng)所需要的費用包含在上述的分解處理單價中，作為上述的處理費用的一部分，由A公司來支付。在本實施例中，以遠程方式監(jiān)視了PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的信息的處理從業(yè)者C可檢驗該裝置的健全性，作出更換部件、消耗品的更換時期、檢查時期等的保養(yǎng)計劃。
半導(dǎo)體(半導(dǎo)體芯片)的生產(chǎn)量容易受到市場環(huán)境變化的影響，在市場環(huán)境好轉(zhuǎn)時，增加生產(chǎn)量，相反，在市場環(huán)境惡化時，減少生產(chǎn)量。在半導(dǎo)體的生產(chǎn)量已增加的情況下，半導(dǎo)體制造從業(yè)者增大為半導(dǎo)體生產(chǎn)而使用的PFC氣體的總量。相反，在半導(dǎo)體的生產(chǎn)量已減少的情況下，減少使用的PFC氣體的總量。處理從業(yè)者C在半導(dǎo)體制造從業(yè)者的半導(dǎo)體制造工廠內(nèi)設(shè)置處理能力大的PFC分解處理裝置17(或增加PFC分解處理裝置17的設(shè)置臺數(shù))以便即使在半導(dǎo)體的生產(chǎn)量增加了時也能以某種程度來適應(yīng)。處理從業(yè)者C與市場環(huán)境的變化無關(guān)地對A公司要求與相當于PFC分解處理裝置17中的PFC的處理量的PFC處理量相關(guān)信息(在本實施例中，根據(jù)由流量計10、11已測定的PFC供給流量的累計值來推斷)對應(yīng)地已計算出的PFC的處理費用。A公司在不購入PFC分解處理裝置17的情況下，可容易地與市場環(huán)境的變化對應(yīng)地調(diào)整半導(dǎo)體的制造量，而且，即使在半導(dǎo)體制造量增加了的情況下，也能對被排出的PFC氣體進行分解處理。在本實施例中，由于不需要PFC分解處理裝置17的設(shè)置用的A公司的初期投資，A公司根據(jù)PFC的處理量來負擔PFC處理費用，故如果考慮因市場環(huán)境的變化而不得已減少半導(dǎo)體生產(chǎn)量的情況，則可減輕A公司的PFC處理費用的負擔。在A公司自己進行PFC的分解處理的情況下，必須購入并設(shè)置處理能力大的PFC分解處理裝置17，以便即使在半導(dǎo)體的生產(chǎn)量增加了時也能以某種程度來適應(yīng)。因此，A公司為了購入該裝置而必須進行初期投資，即使半導(dǎo)體生產(chǎn)量減少、PFC的發(fā)生量減少，也必須使用處理能力大的PFC分解處理裝置17來處理PFC。因此，在PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)中所需要的費用和在維持管理中所需要的費用不以來自刻蝕裝置2的PFC的排出量下降的比率而減少。本實施例可減輕這樣的A公司的負擔。
由于分解處理裝置處理從業(yè)者C自發(fā)地實施PFC分解處理裝置17的保養(yǎng)檢查作業(yè)，故A公司沒有必要自己進行PFC分解處理裝置17的保養(yǎng)檢查作業(yè)，此外，也沒有必要將該保養(yǎng)檢查作業(yè)委托給PFC分解處理裝置17的制造廠家。
在有由B公司將PFC的處理委托給處理從業(yè)者C的情況下，處理從業(yè)者C將PFC分解處理裝置17連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備1B上，與對于A公司的情況同樣地，實施使用了PFC分解處理裝置17的PFC的分解處理。
半導(dǎo)體制造從業(yè)者迫切需要進行巨額的生產(chǎn)設(shè)備建設(shè)的投資。在這些生產(chǎn)設(shè)備中，從制造廠家直接購入或以3至5年的長期租賃合同引入刻蝕裝置、CVD、描繪裝置和環(huán)境安全裝置(例如，PFC分解處理裝置)。一并地購入這些裝置也好、利用長期租賃合同接受長期租賃來使用也好，每年都要發(fā)生大致一定的折舊費或經(jīng)費負擔。由于因這些初期投資引起的費用與半導(dǎo)體的生產(chǎn)量無關(guān)地發(fā)生，故在其生產(chǎn)量減少了的情況下，利潤惡化。在長期租賃合同的情況下，雖然可在該合同的中途解約，但合同到期前的解約要負擔巨額的違約金。在本實施例中，由于半導(dǎo)體制造從業(yè)者沒有必要購入PFC分解處理裝置17或利用長期租賃合同接受貸款，故不需要對于PFC分解處理裝置17的初期投資。
實施例2使用圖4，說明作為本發(fā)明的另一實施例的PFC處理方法。實施例1是對從二臺刻蝕裝置排出的PFC進行分解處理的例子，而本實施例是應(yīng)用于具有三臺刻蝕裝置的半導(dǎo)體制造設(shè)備1B的例子。
半導(dǎo)體制造設(shè)備1B具備刻蝕裝置A、B和C作為刻蝕裝置2。雖然在實施例1中也設(shè)置了刻蝕裝置B，但在此使用圖4詳細地說明刻蝕裝置B的連接結(jié)構(gòu)。刻蝕裝置B的室B(未圖示)與連接到管路8A上的管路8C(分支管路)和連接到管路8B上的管路8D(分支管路)連接。在管路8C中設(shè)置閥門9C和流量計10B，在管路8D中設(shè)置閥門9D和流量計11B。在室B內(nèi)，利用晶片供給裝置3B來放入和取出晶片63。其次，說明刻蝕裝置C?？涛g裝置C的未圖示的刻蝕室(稱為室C)與連接到管路8A上的管路8E和連接到管路8B上的管路8F連接。在管路8E中設(shè)置閥門9E和流量計10C，在管路8F中設(shè)置閥門9F和流量計11C。在室C內(nèi)，利用晶片供給裝置3C來放入和取出晶片63。將設(shè)置了真空泵15C的氣體排出管16C連接到室C上。PFC供給裝置4A具有PFC充填容器6、管路8A、8C、8E以及閥門9A、9C、9E。PFC供給裝置5具有PFC充填容器7、管路8B、8D、8F以及閥門9B、9D、9F。
處理從業(yè)者C從具有半導(dǎo)體制造設(shè)備1B的半導(dǎo)體制造從業(yè)者接受了PFC的分解處理的委托后，利用管路33將PFC分解處理裝置17連接到氣體排出管16A、16B和16C上。再者，處理從業(yè)者C與實施例1同樣地，將累計器13A連接到流量計10上，將累計器13B連接到流量計11上，將累計器13C連接到流量計10B上，將累計器13D連接到流量計11B上，將累計器13E連接到流量計10C上，將累計器13F連接到流量計11C上。
與實施例1同樣地進行室A和B內(nèi)的刻蝕處理。在室C對晶片進行刻蝕處理的情況下，打開閥門9E和9F，將設(shè)定流量的C2F6和SF6從管路8E、8F供給被供給了晶片63的室C內(nèi)。將未由刻蝕處理消耗的C2F6和SF6從室C排出到氣體排出管16C中，經(jīng)管路33送給PFC分解處理裝置17，進行分解處理。由累計器13E對由流量計10C測定了的C2F6供給流量的測定值進行累計，由累計器13F對由流量計11C測定了的SF6供給流量的測定值進行累計，由累計器13C對由流量計10B測定了的C2F6供給流量的測定值進行累計，由累計器13D對由流量計11B測定了的SF6供給流量的測定值進行累計。將由累計器13A～13F進行了累計的各累計值經(jīng)服務(wù)器47和因特網(wǎng)54發(fā)送給處理從業(yè)者C的服務(wù)器51，存儲在存儲器53(圖2)中。
與實施例1同樣，使用存儲器53中已存儲的對各刻蝕裝置2供給的每種PFC氣體的流量累計值和該PFC氣體的累計系數(shù)，信息終端52對三臺刻蝕裝置2的每一臺而且對每種PFC氣體計算出PFC氣體分解等效量。合計對于三臺刻蝕裝置2的全部的PFC氣體分解等效量，計算出該等效量的合計值。信息終端52再通過將分解處理單價乘到該合計值上，計算出對于在PFC分解處理裝置17中處理C2F6氣體和SF6氣體的處理費用。將該處理費用從服務(wù)器51經(jīng)因特網(wǎng)54發(fā)送給該半導(dǎo)體制造從業(yè)者的服務(wù)器上。該半導(dǎo)體制造從業(yè)者支付該處理費用。本實施例也與實施例1同樣地進行PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的遠程監(jiān)視。本實施例產(chǎn)生與實施例1同樣的效果。
實施例3使用圖5，說明作為本發(fā)明的另一實施例的PFC處理方法。由圖2中示出的A公司委托處理從業(yè)者C進行PFC的分解處理。處理從業(yè)者C將PFC分解處理裝置17運送到A公司，利用管路33將PFC分解處理裝置17連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備1氣體排出管16A和16B上。處理從業(yè)者C將對晶片的片數(shù)進行計數(shù)的晶片片數(shù)計數(shù)器64A連接到進行對于室A的晶片的放入取出的晶片供給裝置3上。再者，處理從業(yè)者C將對晶片的片數(shù)進行計數(shù)的晶片片數(shù)計數(shù)器64B連接到進行對于室B的晶片的放入取出的晶片供給裝置3B(圖4)上。與實施例1同樣地進行對于室A和B中的晶片的刻蝕處理和從使用了PFC分解處理裝置17的各室排出的PFC氣體的分解處理。
晶片片數(shù)計數(shù)器64A對由晶片供給裝置3將晶片63供給室A內(nèi)的次數(shù)(或由晶片供給裝置3從室A內(nèi)取出晶片63的次數(shù))進行計數(shù)。晶片片數(shù)計數(shù)器64B對由晶片供給裝置3B將晶片63供給室B內(nèi)的次數(shù)(或由晶片供給裝置3B從室B內(nèi)取出晶片63的次數(shù))進行計數(shù)。已被計數(shù)的各次數(shù)的值表示在各室內(nèi)進行了刻蝕處理的各自晶片的片數(shù)值。將從晶片片數(shù)計數(shù)器64A和64B輸出的各次數(shù)值、即各晶片片數(shù)值傳遞給服務(wù)器47，從服務(wù)器47經(jīng)因特網(wǎng)54傳送給處理從業(yè)者C的服務(wù)器51，存儲在存儲器53中。
(表2)

存儲器53存儲在表2中示出的對于各刻蝕裝置的PFC氣體使用負荷系數(shù)。PFC氣體使用負荷系數(shù)是對各刻蝕裝置考慮了PFC氣體的使用量、PFC的種類和PFC分解處理裝置的負荷而被決定的系數(shù)。信息終端52從存儲器53讀出每個刻蝕裝置的晶片片數(shù)值和每個刻蝕裝置的PFC氣體使用負荷系數(shù)，對每個刻蝕裝置將晶片片數(shù)值與PFC氣體使用負荷系數(shù)相乘，計算出等效晶片片數(shù)。再者，信息終端52求出各等效晶片片數(shù)的合計值。該等效晶片片數(shù)的合計值也是關(guān)于對半導(dǎo)體制造設(shè)備1的PFC處理量的信息(PFC處理量相關(guān)信息)。即，實質(zhì)上相當于由PFC分解處理裝置17進行了分解處理的PFC的處理量。因此，在本實施例中，根據(jù)對刻蝕裝置供給的(或從刻蝕裝置取出的)晶片的片數(shù)，推斷了由PFC分解處理裝置17進行分解處理的PFC的處理量。
信息終端52通過將分解處理單價乘到等效晶片片數(shù)的合計值上，計算出對于在PFC分解處理裝置17中處理C2F6氣體和SF6氣體的處理費用。將已計算出的處理費用定期地、例如每1個月，從信息終端52經(jīng)服務(wù)器51和因特網(wǎng)54發(fā)送到A公司的服務(wù)器47上。A公司將該處理費用轉(zhuǎn)帳到處理從業(yè)者C已指定的銀行的戶頭上。本實施例也與實施例1同樣地進行PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的遠程監(jiān)視。本實施例可得到在實施例1中產(chǎn)生的效果。
實施例4使用圖6，說明作為本發(fā)明的另一實施例的PFC處理方法。由圖2中示出的A公司委托處理從業(yè)者C進行PFC的分解處理。處理從業(yè)者C將PFC分解處理裝置17運送到A公司，利用管路33將PFC分解處理裝置17連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備1氣體排出管16A和16B上。處理從業(yè)者C將晶片片數(shù)計數(shù)器64A連接到進行對于室A的晶片的放入取出的晶片供給裝置3上，將晶片片數(shù)計數(shù)器64B連接到晶片供給裝置3B上。與實施例1同樣地進行刻蝕處理和PFC氣體的分解處理。
刻蝕裝置A和B分別個別地具有控制器(未圖示)?？涛g裝置A用的控制器(未圖示，稱為控制器A)在存儲部中存儲了對于由刻蝕裝置A進行的刻蝕處理的多個配方(recipe)。對這些配方賦予了配方編號信息?？刂破鰽選擇A公司的從業(yè)者用半導(dǎo)體制造從業(yè)者的刻蝕裝置A進行刻蝕處理用的配方編號信息，在控制器A中設(shè)定已選擇的配方編號信息?？刂破鰽按照與已被選擇的配方編號信息對應(yīng)的配方，在設(shè)定時間之內(nèi)打開對于應(yīng)對刻蝕裝置A內(nèi)供給的PFC氣體(例如C2F6)的閥門(例如閥門9A)，調(diào)節(jié)打開度，以便成為設(shè)定的流量。此外，為了根據(jù)已被選擇的上述配方使對室A供給的PFC等離子化，控制器A在設(shè)定時間之內(nèi)關(guān)閉在從高頻電源(未圖示)對室A施加高頻功率的第1電力系統(tǒng)中設(shè)置的第1開閉器(未圖示)。在已被選擇的配方中設(shè)定了應(yīng)對室A供給的PFC、打開了閥門的設(shè)定時間、關(guān)閉了第1開閉器的設(shè)定時間?？涛g裝置B用的控制器(未圖示，稱為控制器B)在存儲部中存儲了刻蝕裝置B用的配方?？刂破鰾按照與已被選擇的配方編號信息對應(yīng)的配方，進行該閥門的開閉控制和在對室B施加高頻功率的第2電力系統(tǒng)(未圖示)中設(shè)置的第2開閉器(未圖示)的開閉控制。
將從刻蝕裝置A和B的控制器A、B分別得到的對于晶片的刻蝕處理的配方編號信息經(jīng)服務(wù)器47和因特網(wǎng)54傳遞給服務(wù)器51，被存儲在存儲器53中。與實施例3同樣地將對室內(nèi)供給由晶片片數(shù)計數(shù)器64A和64B進行了計數(shù)的晶片63的次數(shù)(或從室內(nèi)取出晶片63的次數(shù))從服務(wù)器47經(jīng)因特網(wǎng)54傳送給處理從業(yè)者C的服務(wù)器51，被存儲在存儲器53中。
(表3)

存儲器53存儲在表3中示出的對于各配方的PFC氣體使用負荷系數(shù)。PFC氣體使用負荷系數(shù)是對各配方考慮了PFC氣體的使用量、PFC的種類和PFC分解處理裝置的負荷而被決定的系數(shù)。信息終端52以在存儲器53中已存儲的晶片片數(shù)值為基礎(chǔ)，讀出各配方的晶片片數(shù)值，再讀出每個配方的PFC氣體使用負荷系數(shù)，對每個配方將晶片片數(shù)值與PFC氣體使用負荷系數(shù)相乘，計算出等效晶片片數(shù)。再者，信息終端52求出各等效晶片片數(shù)的合計值。該等效晶片片數(shù)的合計值也是關(guān)于對半導(dǎo)體制造設(shè)備1的PFC處理量的信息(PFC處理量相關(guān)信息)。即，實質(zhì)上相當于由PFC分解處理裝置17進行了分解處理的PFC的處理量。因此，在本實施例中，根據(jù)在每個配方中對刻蝕裝置供給的(或從刻蝕裝置取出的)晶片的片數(shù)，推斷了由PFC分解處理裝置17進行分解處理的PFC的處理量。
信息終端52通過將分解處理單價乘到等效晶片片數(shù)的合計值上，計算出對于在PFC分解處理裝置17中處理C2F6氣體和SF6氣體的處理費用。將已計算出的處理費用定期地、例如每1個月，從信息終端52經(jīng)服務(wù)器51和因特網(wǎng)54發(fā)送到A公司的服務(wù)器47上。A公司將該處理費用轉(zhuǎn)帳到處理從業(yè)者C已指定的銀行的戶頭上。本實施例也與實施例1同樣地進行PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的遠程監(jiān)視。本實施例可得到在實施例1中產(chǎn)生的效果。
實施例5使用圖7，說明作為本發(fā)明的另一實施例的PFC處理方法。由圖2中示出的A公司委托處理從業(yè)者C進行PFC的分解處理。處理從業(yè)者C將PFC分解處理裝置17運送到A公司，利用管路33將PFC分解處理裝置17連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備1氣體排出管16A和16B上。處理從業(yè)者C檢測在室A內(nèi)發(fā)生了等離子體的時間(刻蝕裝置A實際工作時間)，在對室A施加高頻功率的第1電力系統(tǒng)(未圖示)中設(shè)置累計該時間的定時器66A。再者，處理從業(yè)者C檢測在室B內(nèi)發(fā)生了等離子體的時間(刻蝕裝置B實際工作時間)，在對室B施加高頻功率的電力系統(tǒng)(未圖示)中設(shè)置累計該時間的定時器66B。在室A內(nèi)進行刻蝕處理時，為了使室A內(nèi)的PFC等離子化，利用控制器A關(guān)閉在第1電力系統(tǒng)中設(shè)置的第1開閉器。定時器66A檢測關(guān)閉了第1開閉器的時間。關(guān)閉了第1開閉器的時間是在室A內(nèi)發(fā)生了等離子體的時間。此外，在室B內(nèi)進行刻蝕處理時，為了使室B內(nèi)的PFC等離子化，利用控制器B關(guān)閉在第2電力系統(tǒng)中設(shè)置的第2開閉器。定時器66B檢測關(guān)閉了第2開閉器的時間。關(guān)閉了第2開閉器的時間是在室B內(nèi)發(fā)生了等離子體的時間。在室內(nèi)放入取出晶片時不進行PFC的等離子化，在室內(nèi)的規(guī)定的位置上設(shè)置了晶片后，進行PFC的等離子化。與實施例1同樣地進行室A和B中的對于晶片的刻蝕處理和使用了PFC分解處理裝置17的從各室排出的PFC氣體的分解處理。
將由定時器66A和66B檢測了的各自的刻蝕實際工作時間的信息傳遞給服務(wù)器47，從服務(wù)器47經(jīng)因特網(wǎng)54傳送給處理從業(yè)者C的服務(wù)器51，被存儲在存儲器53中。
(表4)

存儲器53存儲在表4中示出的對于各刻蝕裝置的PFC氣體使用負荷系數(shù)。PFC氣體使用負荷系數(shù)是對各刻蝕裝置考慮了與運轉(zhuǎn)模式相一致的PFC氣體的使用量而被決定的系數(shù)。信息終端52從存儲器53讀出每個刻蝕裝置的刻蝕裝置實際工作時間和每個刻蝕裝置的PFC氣體使用負荷系數(shù)，對每個刻蝕裝置將刻蝕裝置實際工作時間與PFC氣體使用負荷系數(shù)相乘，計算出等效晶片片數(shù)。再者，信息終端52求出各等效晶片片數(shù)的合計值。該等效晶片片數(shù)的合計值也是關(guān)于對半導(dǎo)體制造設(shè)備1的PFC處理量的信息(PFC處理量相關(guān)信息)。即，實質(zhì)上相當于由PFC分解處理裝置17進行了分解處理的PFC的處理量。因此，在本實施例中，根據(jù)刻蝕裝置實際工作時間，推斷了由PFC分解處理裝置17進行分解處理的PFC的處理量。
信息終端52通過將分解處理單價乘到等效晶片片數(shù)的合計值上，計算出對于在PFC分解處理裝置17中處理C2F6氣體和SF6氣體的處理費用。將已計算出的處理費用定期地、例如每1個月，從信息終端52經(jīng)服務(wù)器51和因特網(wǎng)54發(fā)送到A公司的服務(wù)器47上。A公司將該處理費用轉(zhuǎn)帳到處理從業(yè)者C已指定的銀行的戶頭上。本實施例也與實施例1同樣地進行PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的遠程監(jiān)視。本實施例可得到在實施例1中產(chǎn)生的效果。
實施例6使用圖1，說明作為本發(fā)明的另一實施例的PFC處理方法。由圖2中示出的A公司委托處理從業(yè)者C進行PFC的分解處理。處理從業(yè)者C將PFC分解處理裝置17運送到A公司，利用管路33將PFC分解處理裝置17連接到半導(dǎo)體制造設(shè)備1氣體排出管16A和16B上。在本實施例中，處理從業(yè)者C不將累計器13A～13D連接到相當?shù)牧髁坑?0、11等上，而是將1個累計器連接到設(shè)置在管路33中的流量計上。與實施例1同樣地進行室A和B中的對于晶片的刻蝕處理和使用了PFC分解處理裝置17的從各室排出的PFC氣體的分解處理。本實施例也與實施例1同樣地進行PFC分解處理裝置17的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的遠程監(jiān)視。
用累計器累計由設(shè)置在管路33中的流量計已測定的對PFC分解處理裝置17供給的排氣的流量。將所得到的排氣流量的累計值傳遞給服務(wù)器47，從服務(wù)器47經(jīng)因特網(wǎng)54傳送給處理從業(yè)者C的服務(wù)器51，被存儲在存儲器53中。
上述的排氣流量的累計值包含了對真空泵15A和15B供給的N2氣體的流量的累計值。對真空泵15A和15B供給的N2氣體的流量是大致規(guī)定的流量。信息終端52從存儲器53讀出排氣流量的累計值(1個月的)，從該累計值減去N2氣體的流量的1個月的累計值，計算出對PFC分解處理裝置17供給的PFC氣體流量的1個月的累計值。再者，信息終端52通過將分解處理單價乘到PFC氣體流量的1個月的累計值上，計算出對于在PFC分解處理裝置17中處理C2F6氣體和SF6氣體的處理費用。將已計算出的處理費用定期地、例如每1個月，從信息終端52經(jīng)服務(wù)器51和因特網(wǎng)54發(fā)送到A公司的服務(wù)器47上。A公司將該處理費用轉(zhuǎn)帳到處理從業(yè)者C已指定的銀行的戶頭上。本實施例可得到在實施例1中產(chǎn)生的效果。
如果能得到A公司的許可，則分別在氣體排出管16A、16B中分別設(shè)置流量計，直接測定從室A和B排出的PFC氣體的流量。分別用累計器累計這些PFC氣體流量，將各自的累計值從服務(wù)器47經(jīng)因特網(wǎng)54傳送給處理從業(yè)者C的服務(wù)器51上，被存儲在存儲器53中。信息終端52對各自的PFC氣體的流量的累計值進行合計，將分解處理單價乘到該合計值上，計算出處理費用。將該處理費用傳遞給A公司。
在以上敘述的各實施例中，以使用了具有催化劑的PFC分解處理裝置17的例子說明了PFC的分解處理，但也可應(yīng)用于使用了燃燒方式的PFC分解處理裝置或等離子方式的PFC分解處理裝置的情況，來代替具有催化劑的PFC分解處理裝置17。此外，在以上敘述的各實施例中，以從半導(dǎo)體制造設(shè)備排出到PFC的分解處理為對象，但也可應(yīng)用于對從液晶制造裝置排出到PFC進行分解處理的情況。
權(quán)利要求
1.一種處理從多個制造設(shè)備排出的過氟化物的處理方法，其特征在于下列步驟分別通過具有檢測裝置的多個管路把過氟化物處理裝置連接到排出過氟化物的制造設(shè)備上；對從分別具有流量計的管路提供的、從多個制造設(shè)備排出的過氟化物進行分解處理；以及對每一個制造設(shè)備，使用各個流量計的計測值推斷或決定上述過氟化物的處理量。
2.如權(quán)利要求1所述的過氟化物的處理方法，其特征在于上述制造設(shè)備是半導(dǎo)體制造設(shè)備或液晶制造設(shè)備。
3.如權(quán)利要求1所述的過氟化物的處理方法，其特征在于通過使用催化劑的加水分解法、燃燒法或等離子法進行過氟化物的分解處理。
4.如權(quán)利要求1所述的過氟化物的處理方法，其特征在于根據(jù)從上述制造設(shè)備排出的排氣的流量求出上述過氟化物的處理量。
5.如權(quán)利要求1所述的過氟化物的處理方法，其特征在于根據(jù)對上述制造設(shè)備供給的過氟化物的氣體流量來推斷上述過氟化物的處理量。
6.如權(quán)利要求1所述的過氟化物的處理方法，其特征在于根據(jù)提供給上述制造設(shè)備的制品原材料的片數(shù)或從上述制造設(shè)備取出的上述制品原材料的片數(shù)來推斷上述過氟化物的處理量。
7.如權(quán)利要求6中所述的過氟化物的處理方法，其特征在于上述制品原材料是晶片。
8.如權(quán)利要求1所述的過氟化物的處理方法，其特征在于上述制造設(shè)備是半導(dǎo)體制造設(shè)備，上述過氟化物的處理量是根據(jù)在上述半導(dǎo)體制造設(shè)備中加工晶片所需要的上述半導(dǎo)體制造設(shè)備來推斷的。
全文摘要
一種處理從多個制造設(shè)備排出的過氟化物的處理方法，其特征在于下列步驟分別通過具有檢測裝置的多個管路把過氟化物處理裝置連接到排出過氟化物的制造設(shè)備上；對從分別具有流量計的管路提供的、從多個制造設(shè)備排出的過氟化物進行分解處理；以及對每一個制造設(shè)備，使用各個流量計的計測值推斷或決定上述過氟化物的處理量。
文檔編號G06Q50/04GK1762552SQ20051009990
公開日2006年4月26日 申請日期2002年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月20日
發(fā)明者玉田慎, 藪谷隆 申請人:株式會社日立制作所