本實(shí)用新型涉及到石英晶體的測(cè)試領(lǐng)域，具體的是指一種用于測(cè)量石英晶體晶片的治具。

背景技術(shù)：

在小型石英晶體生產(chǎn)領(lǐng)域，晶片在濺射鍍膜后，需確認(rèn)其特性參數(shù)，如頻率、電阻等。傳統(tǒng)的檢測(cè)方式是通過(guò)探針上下探測(cè)方式進(jìn)行測(cè)量，費(fèi)時(shí)費(fèi)力，效率低下；另外，因晶片厚度較薄，側(cè)邊鍍層導(dǎo)通性不佳，在測(cè)量側(cè)邊鍍層特性參數(shù)時(shí)使用探針不容易形成導(dǎo)通，需要通過(guò)晶體的表面鍍層來(lái)間接進(jìn)行測(cè)量，參數(shù)的準(zhǔn)確性得不到保證。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中石英晶體晶片參數(shù)測(cè)量過(guò)程中存在的上述缺點(diǎn)和不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、參數(shù)測(cè)量準(zhǔn)確的用于測(cè)量石英晶體晶片的治具。

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是：一種用于測(cè)量石英晶體晶片的治具，包括底座，其特征在于：所述底座之上設(shè)置有定位槽，定位槽的另一側(cè)設(shè)置有移動(dòng)夾具，移動(dòng)夾具包括旋鈕開(kāi)關(guān)、擺臂和滑塊，旋鈕開(kāi)關(guān)與兩條擺臂相連，擺臂之間設(shè)置有彈簧，擺臂分別與滑塊相連，滑塊靠近定位槽的兩側(cè)設(shè)置有測(cè)量彈片。

本實(shí)用新型的有益效果為：

1、本設(shè)計(jì)包含定位槽和移動(dòng)夾具，其中移動(dòng)夾具包括旋鈕開(kāi)關(guān)、擺臂和滑塊，

旋鈕開(kāi)關(guān)與兩條擺臂相連，擺臂之間設(shè)置有彈簧，擺臂分別與滑塊相連，滑塊靠近定位槽的兩側(cè)設(shè)置有測(cè)量彈片，測(cè)量時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)旋鈕開(kāi)關(guān)，擺臂向往擺動(dòng)，以帶動(dòng)兩側(cè)滑塊及兩側(cè)的測(cè)量彈片張開(kāi)，然后將待測(cè)量的晶片放置在定位槽內(nèi)，再轉(zhuǎn)動(dòng)旋鈕開(kāi)關(guān)使測(cè)量彈片夾緊晶片的側(cè)邊鍍層，使兩者之間形成緊密的接觸，以完成晶片特性參數(shù)的測(cè)量。

2、本設(shè)計(jì)中兩條擺臂之間設(shè)置有彈簧，在測(cè)試彈片夾緊晶片的側(cè)邊鍍層時(shí)能給予滑塊向內(nèi)的壓力，使得測(cè)量彈片與晶片的側(cè)邊鍍層接觸的跟緊密；復(fù)位時(shí)在彈簧的帶動(dòng)下滑塊能更輕松的回復(fù)原位。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：底座1，定位槽2，移動(dòng)夾具3，旋鈕開(kāi)關(guān)4，擺臂5，滑塊6，彈簧7，測(cè)量彈片8。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖說(shuō)明和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

參見(jiàn)圖1，一種用于測(cè)量石英晶體晶片的治具，包括底座1，其特征在于：所述底座1之上設(shè)置有定位槽2，定位槽2的另一側(cè)設(shè)置有移動(dòng)夾具3，移動(dòng)夾具3包括旋鈕開(kāi)關(guān)4、擺臂5和滑塊6，旋鈕開(kāi)關(guān)4與兩條擺臂5相連，擺臂5之間設(shè)置有彈簧7，擺臂5分別與滑塊6相連，滑塊6靠近定位槽2的兩側(cè)設(shè)置有測(cè)量彈片8。

本設(shè)計(jì)包含定位槽2和移動(dòng)夾具3，其中移動(dòng)夾具3包括旋鈕開(kāi)關(guān)4、擺臂5和滑塊6，旋鈕開(kāi)關(guān)4與兩條擺臂5相連，擺臂5之間設(shè)置有彈簧7，擺臂5分別與滑塊6相連，滑塊6靠近定位槽2的兩側(cè)設(shè)置有測(cè)量彈片8，測(cè)量時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)旋鈕開(kāi)關(guān)4，擺臂5向往擺動(dòng)，以帶動(dòng)兩側(cè)滑塊6及兩側(cè)的測(cè)量彈片8張開(kāi)，然后將待測(cè)量的晶片放置在定位槽2內(nèi)，再轉(zhuǎn)動(dòng)旋鈕開(kāi)關(guān)4使測(cè)量彈片8夾緊晶片的側(cè)邊鍍層，使兩者之間形成緊密的接觸，以完成晶片特性參數(shù)的測(cè)量。本設(shè)計(jì)中兩條擺臂5之間設(shè)置有彈簧7，在測(cè)量彈片8夾緊晶片的側(cè)邊鍍層時(shí)能給予滑塊6向內(nèi)的壓力，使得測(cè)試彈片8與晶片的側(cè)邊鍍層接觸的更緊密；復(fù)位時(shí)在彈簧7的帶動(dòng)下滑塊6能更輕松的回復(fù)原位。本設(shè)計(jì)中定位槽2起支撐、和定位晶片作用，可供全尺寸晶片的放置。測(cè)量彈片8分左右兩個(gè)，分別安裝在左右兩側(cè)的滑塊6上。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、參數(shù)測(cè)量準(zhǔn)確。