技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及核技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域中鈾靶的制備方法，特別涉及一種在薄鈹片上電沉積制備鈾靶的方法。本發(fā)明提供的在薄鈹片上電沉積制備鈾靶的方法，是在厚度30～100μm的鈹片上制備1～10mg的鈾靶。本發(fā)明操作簡(jiǎn)便、條件易于控制，且反應(yīng)過程中無有害氣體，也不產(chǎn)生有害物質(zhì)，對(duì)環(huán)境友好。本方法制備得到的鈾靶表面平整、致密，與鈹片結(jié)合牢固，性能好，電沉積收率≥90％。

技術(shù)研發(fā)人員：杜麗麗;凡金龍;伊小偉;張海濤;代義華;商建波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西北核技術(shù)研究所
文檔號(hào)碼：201611028301
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.18
技術(shù)公布日：2017.05.24