一種增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能的方法，其特征在于：通過(guò)氧等離子體輻照納米銀薄膜。本發(fā)明通過(guò)氧等離子體輻照增強(qiáng)了納米銀薄膜光催化性能，方法簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)，拓展了納米銀薄膜在水質(zhì)凈化處理方面的應(yīng)用。
【專利說(shuō)明】一種增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種通過(guò)氧等離子體輻照增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能的方法，屬于物理應(yīng)用【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]納米銀薄膜與普通銀薄膜相比具有較大的比表面積和較高的表面活性高，且由于其獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)和生物學(xué)特性，被應(yīng)用于催化、生物傳感器、藥物載帶、納米分子組裝等一系列領(lǐng)域中，其廣闊的應(yīng)用前景已經(jīng)引起了人們廣泛的重視。同時(shí)納米銀薄膜又因?yàn)槠洫?dú)特的生物相容性和抗菌特性而備受青睞。
[0003]納米銀薄膜同時(shí)具有的光催化性能和抗菌性能，使得納米銀薄膜在水質(zhì)凈化處理方面具有巨大的潛力，在空氣凈化方面同樣具有廣闊的應(yīng)用前景。然而相對(duì)于一些半導(dǎo)體光催化材料(例如TiO2)而言，納米銀薄膜的光催化性能偏低，因此探索提高納米銀薄膜的光催化性能的方法，具有很強(qiáng)的實(shí)用性和科學(xué)意義。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在提供一種通過(guò)氧等離子體輻照提高納米銀薄膜光催化性能的方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使納米銀薄膜光催化性能有較為明顯的提升。
[0005]本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題，采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能的方法，其特點(diǎn)在于:通過(guò)氧等離子體輻照納米銀薄膜。
[0007]本發(fā)明增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能的方法，其特點(diǎn)也在于:所述輻照的時(shí)間為2_10s ο
[0008]通過(guò)氧等離子體輻照納米銀薄膜是按如下方式進(jìn)行:將納米銀薄膜放入真空磁控濺射鍍膜設(shè)備中，將設(shè)備內(nèi)真空度抽至6X10_4Pa以下，然后通入O2至設(shè)備內(nèi)至真空度為4Pa?6Pa，以射頻功率3w、反射功率0.2w及偏壓50V的條件，使設(shè)備內(nèi)形成O2等離子體，輻照納米銀薄膜2?10s。
[0009]薄膜的光催化性能可以通過(guò)薄膜的光催化降解速率來(lái)表征，薄膜的光催化降解速率采用圖1所示的靜態(tài)光催化系統(tǒng)來(lái)獲得。使用時(shí)，以羅丹明6G作為光催化實(shí)驗(yàn)的降解對(duì)象，在羅丹明6G中加入薄膜作為催化劑對(duì)其進(jìn)行降解，以紫外燈對(duì)其進(jìn)行照射，并通過(guò)紫外可見(jiàn)光光譜儀測(cè)試降解一段時(shí)間后溶液的吸光度A，并與未加入催化劑的初始羅丹明6G的吸光度Atl進(jìn)行對(duì)比，光催化降解速率等于In (AAtl)。
[0010]與已有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果體現(xiàn)在:
[0011]本發(fā)明通過(guò)氧等離子體輻照增強(qiáng)了納米銀薄膜光催化性能，方法簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)，拓展了納米銀薄膜在水質(zhì)凈化處理方面的應(yīng)用。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0012]圖1為本發(fā)明所用靜態(tài)光催化系統(tǒng)示意圖；
[0013]圖2為不同厚度的納米銀薄膜在不同輻照時(shí)間下的降解速率的曲線圖。
具體實(shí)施例
[0014]本實(shí)施例首先按下述方法制備了面積為400mm2、厚度分別為6nm、10nm、17nm和30nm的納米銀薄膜:使用真空蒸發(fā)鍍膜的方法制備納米銀薄膜，制備時(shí)真空度為
6.4X 10_4Pa，裝載蒸發(fā)源的鑰舟通電電流為70A，蒸發(fā)時(shí)間分別為60s、100s、170s和300s。
[0015]為提高所制備納米銀薄膜的光催化性能，將上述納米銀薄膜分別放入真空磁控濺射設(shè)備中，將設(shè)備內(nèi)真空度抽至6 X 10_4Pa，然后通入O2至設(shè)備內(nèi)真空度為5Pa，以射頻功率3w、反射功率0.2w及偏壓50V的條件，使設(shè)備內(nèi)形成O2等離子體，輻照納米銀薄膜2s、5s、10s。
[0016]經(jīng)測(cè)試，四種厚度的納米銀薄膜在輻照前后的光催化降解速率如表1所示，其擬合曲線如圖2所示。從圖中可以看出，經(jīng)過(guò)氧等離子體輻照，納米銀薄膜的光催化降解速率有了顯著的提高，因此，通過(guò)氧等離子體輻照可以顯著的增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能。
[0017]表1不同厚度的納米銀薄膜在不同輻照時(shí)間下的光催化降解速率
【權(quán)利要求】
1.一種增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能的方法，其特征在于:通過(guò)氧等離子體輻照納米銀薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能的方法，其特征在于:所述輻照的時(shí)間為2-10s。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)納米銀薄膜光催化性能的方法，其特征在于按如下方式進(jìn)行:將納米銀薄膜放入真空磁控濺射鍍膜設(shè)備中，將設(shè)備內(nèi)真空度抽至6X10_4Pa以下，然后通入O2至設(shè)備內(nèi)至真空度為4Pa?6Pa，以射頻功率3w、反射功率0.2w及偏壓50V的條件，使設(shè)備內(nèi)形成O2等離子體，輻照納米銀薄膜2?10s。
【文檔編號(hào)】B01J37/34GK103949247SQ201410188692
【公開(kāi)日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年5月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月6日
【發(fā)明者】方應(yīng)翠, 洪流, 張冰, 張寬翔, 何金俊 申請(qǐng)人:合肥工業(yè)大學(xué)