本發(fā)明屬于化合物半導體納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種單分散硫化鉛量子點的制備方法。
背景技術(shù):
量子點(半導體納米晶)是溶液工藝合成的半導體納米顆粒,由于量子尺寸效應,其帶隙可以通過尺寸精確調(diào)控,進而調(diào)控其光學特性。因此,量子點已經(jīng)成為一類重要的光學和光電子材料。硫化鉛為窄帶隙半導體,因此硫化鉛量子點的光學特性可以在整個近紅外范圍調(diào)控,從而成為太陽能電池和光探測器的新材料。例如,已經(jīng)有公司(量宏科技)利用硫化鉛量子點制作圖像傳感器以取代手機上廣泛使用的CCD攝像頭。用硫化鉛量子點制作的太陽能電池的效率已經(jīng)接近12%,有望在近幾年實現(xiàn)量產(chǎn)和大規(guī)模進入市場。
硫化鉛量子點的良好應用前景對其制備技術(shù)提出了很高的要求,一方面要求量子點的質(zhì)量優(yōu)良(如尺寸分布均勻),另一方面需要簡單低成本和可以大規(guī)模生產(chǎn)的合成方法。當前,硫化鉛量子點制備的主流方法是基于熱注入的方案,即在一定溫度下,將硫源快速注入到鉛前驅(qū)物中,通過快速成核和慢速生長的方式獲得單分散(尺寸分布均勻)量子點。然而,這種熱注入的方法不適合于大規(guī)模生產(chǎn),因為溶液量大時,難以實現(xiàn)快速注入和快速混合均勻。一般而言,易于大規(guī)模生產(chǎn)的方法是直接加熱的方式,即在低溫(室溫)下將反應物混合,然后加熱到一定溫度并保溫一定時間。另外,當前硫化鉛量子合成中廣泛使用的硫源(二-三甲基硅硫)成本較高,極易揮發(fā)且具有一定的毒性,對大規(guī)模生產(chǎn)造成了困難。因此,亟需開發(fā)簡單、低成本、適合于大規(guī)模生產(chǎn)的高質(zhì)量硫化鉛量子點的制備方法。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足,本發(fā)明的要解決的技術(shù)問題為提供一種單分散硫化鉛量子點的制備方法,其具有簡單、低成本、適合于大規(guī)模生產(chǎn)的特點。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種單分散硫化鉛量子點的制備方法,其包括如下步驟:
S1.將鉛的鹵化物與油胺混合后加熱至80-190℃并充分攪拌形成鉛前驅(qū)物,鉛前驅(qū)物中鉛的濃度為0.1~0.5mol/L,然后降溫至20~35℃;
S2.將硫代乙酰胺與油胺在20~35℃溫度下充分攪拌混合形成硫前驅(qū)物,硫前驅(qū)物中硫的濃度為0.05~2mol/L;
S3.在20~35℃溫度下,按照鉛和硫2~5:1的摩爾比將鉛前驅(qū)物和硫前驅(qū)物混合并快速攪拌,然后加熱至60~90℃并保溫10-150min,其中保溫溫度和時間根據(jù)量子點的尺寸而定,溫度越高,時間越長,量子點的尺寸越大;
S4.將S3中保溫完成后的溶液降溫至20~35℃,注入油酸以除去殘留的鉛前驅(qū)物;
S5.分離提純,得到油酸和鹵素共同包覆的硫化鉛量子點。
在上述制備方法的基礎(chǔ)上,具體的,步驟S1中的攪拌時間為20-40min,步驟S2中的攪拌時間為15-20min。優(yōu)選的,步驟S1中鉛的鹵化物與油胺混合后加熱至100-140℃。優(yōu)選的,步驟S3中鉛前驅(qū)物和硫前驅(qū)物混合并快速攪拌,然后加熱至70~90℃并保溫15-120min。具體的,步驟S4中油酸的用量與步驟S3中鉛前驅(qū)物的用量之比為2~5L:1mol。
為推動量子點的應用,本發(fā)明提供了一種簡單、低成本、適合于大規(guī)模生產(chǎn)的高質(zhì)量硫化鉛量子點的制備方法,該方法利用鉛的鹵化物和油胺的復合物為鉛源,硫代乙酰胺的油胺復合物為硫源,通過直接加熱的方式(非熱注入)制備硫化鉛量子點,采用本發(fā)明制備的硫化鉛量子點具有高度結(jié)晶性、尺寸均勻性、油酸和鹵素混合鈍化、高效發(fā)光和高度穩(wěn)定等特點。具體而言,本發(fā)明方法具有以下技術(shù)效果:
(1)操作過程簡單,制備過程對環(huán)境要求不高,所需設(shè)備及原材料成本低,適合于大規(guī)模生產(chǎn)。
(2)所得量子點是孤立的而不是埋在另一種材料中,因此可以像分子或原子一樣對其進行操作。
(3)所得量子點表面由油酸和鹵素共同包覆,鈍化效果良好,具有極好的穩(wěn)定性和發(fā)光性能。
附圖說明
圖1為用氯化鉛合成的硫化鉛量子點的吸收譜。
圖2為用氯化鉛合成的硫化鉛量子點的X射線衍射圖。
圖3為用氯化鉛合成的硫化鉛量子點的TEM圖。
圖4為用氯化鉛合成的硫化鉛量子點的發(fā)光譜及其發(fā)光量子效率。
圖5為用氯化鉛合成的硫化鉛量子點的吸收譜隨儲存時間的變化。
圖6為用溴化鉛合成的硫化鉛量子點的吸收譜。
圖7為用碘化鉛合成的硫化鉛量子點的吸收譜。
具體實施方式
以下結(jié)合具體實施例及附圖對本發(fā)明提供的制備方法作進一步詳述,所舉實例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。
實施例1
一種單分散硫化鉛量子點的制備方法,其包括如下步驟:
S1.將0.834g(0.003mol)氯化鉛與10mL油胺混合,加熱至100℃并攪拌30min,得到鉛前驅(qū)物,鉛前驅(qū)物中鉛的濃度約為0.3mol/L,然后降溫至20℃,備用;
S2.將0.075g(0.001mol)硫代乙酰胺與2mL油胺在20℃溫度下攪拌20min形成硫前驅(qū)物,硫前驅(qū)物中硫的濃度約為0.5mol/L;
S3.在20℃溫度下,將S1中的鉛前驅(qū)物和S2中硫前驅(qū)物混合并快速攪拌(其中鉛與硫的摩爾比為3:1),攪拌速度可根據(jù)經(jīng)驗選擇,比如可選擇為100-500r/min,然后加熱至70℃并保溫15min;
S4.將S3中保溫完成后的溶液降溫至20℃,注入8mL油酸以除去殘留的鉛前驅(qū)物;
S5.加入正己烷和乙醇并離心沉淀,得到油酸和鹵素共同包覆的硫化鉛量子點。
對實施例1所得量子點性能進行表征:
取量子點溶液,在分光光度計上測定其光學吸收特性,其吸收譜如圖1所示,可見制備出的量子點具有較好的光學吸收特性。
在X射線衍射儀上測定量子點衍射圖譜,如圖2所示,經(jīng)分析對比可知實施例1成功制備出了硫化鉛量子點。
取量子點溶液滴于銅網(wǎng)上,自然干燥,在透射電子顯微鏡(TEM)下成像,如圖3所示,可見量子點均勻分散,粒徑均一,無團聚的納米顆粒。
取量子點溶液,在熒光光譜儀上測定其光致發(fā)光譜和發(fā)光量子效率,其發(fā)光譜和量子效率如圖4所示,可知量子效率較高,從發(fā)光譜也可推知制備出的硫化鉛量子點尺寸均勻性較好。
實施例2
一種單分散硫化鉛量子點的制備方法,其包括如下步驟:
S1.將1.391g(0.005mol)氯化鉛與10mL油胺混合,加熱至140℃并攪拌40min,得到鉛前驅(qū)物,鉛前驅(qū)物中鉛的濃度約為0.5mol/L,然后降溫至28℃,備用;
S2.將0.075g(0.001mol)硫代乙酰胺與20mL油胺在28℃溫度下攪拌20min形成硫前驅(qū)物,硫前驅(qū)物中硫的濃度約為0.05mol/L;
S3.在28℃溫度下,將S1中的鉛前驅(qū)物和S2中硫前驅(qū)物混合并快速攪拌(其中鉛與硫的摩爾比為5:1),然后加熱至90℃并保溫120min;
S4.將S3中保溫完成后的溶液降溫至28℃,注入25mL油酸以除去殘留的鉛前驅(qū)物;
S5.加入正己烷和乙醇并離心沉淀,得到油酸和鹵素共同包覆的硫化鉛量子點。
所得硫化鉛量子點的吸收譜隨時間變化如圖5所示,其穩(wěn)定性相對較好。
實施例3
一種單分散硫化鉛量子點的制備方法,其包括如下步驟:
S1.將0.734g(0.002mol)溴化鉛與10mL油胺混合,加熱至190℃并攪拌20min,得到鉛前驅(qū)物,鉛前驅(qū)物中鉛的濃度約為0.2mol/L,然后降溫至35℃,備用;
S2.將0.075g(0.001mol)硫代乙酰胺與1mL油胺在35℃溫度下攪拌20min形成硫前驅(qū)物,硫前驅(qū)物中硫的濃度約為1mol/L;
S3.在20℃溫度下,將S1中的鉛前驅(qū)物和S2中硫前驅(qū)物混合并快速攪拌(其中鉛與硫的摩爾比為2:1),然后加熱至60℃并保溫25min;
S4.將S3中保溫完成后的溶液降溫至35℃,注入4mL油酸以除去殘留的鉛前驅(qū)物;
S5.加入正己烷和乙醇并離心沉淀,得到油酸和鹵素共同包覆的硫化鉛量子點。
所得硫化鉛量子點的吸收譜如圖6所示。
實施例4
一種單分散硫化鉛量子點的制備方法,其包括如下步驟:
S1.將1.844g(0.004mol)碘化鉛與40mL油胺混合,加熱至80℃并攪拌20min,得到鉛前驅(qū)物,鉛前驅(qū)物中鉛的濃度約為0.1mol/L,然后降溫至25℃,備用;
S2.將0.075g(0.001mol)硫代乙酰胺與2mL油胺在25℃溫度下攪拌20min形成硫前驅(qū)物,硫前驅(qū)物中硫的濃度約為0.5mol/L;
S3.在25℃溫度下,將S1中的鉛前驅(qū)物和S2中硫前驅(qū)物混合并快速攪拌(其中鉛與硫的摩爾比為4:1),然后加熱至85℃并保溫150min;
S4.將S3中保溫完成后的溶液降溫至25℃,注入12mL油酸以除去殘留的鉛前驅(qū)物;
S5.加入正己烷和乙醇并離心沉淀,得到油酸和鹵素共同包覆的硫化鉛量子點。
所得硫化鉛量子點的吸收譜如圖7所示。
本發(fā)明不僅局限于上述具體實施方式,本領(lǐng)域一般技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明公開的內(nèi)容,可以采用其它多種具體實施方式實施本發(fā)明,因此,凡是采用本發(fā)明的技術(shù)方案和思路,做一些簡單的變化或更改,都落入本發(fā)明保護的范圍。