本發(fā)明涉及新型熒光光源及其調(diào)控領(lǐng)域，特別涉及一種改變量子點(diǎn)熒光發(fā)射光譜的方法。

背景技術(shù)：

量子點(diǎn)是一種半導(dǎo)體納米晶，一般由Ⅱ－Ⅵ族或Ⅲ－Ⅴ族元素組成，其粒徑一般介于1～50nm之間。由于電子和空穴在三個(gè)維度上都被限制，因此量子點(diǎn)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的量子限域效應(yīng)，連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成分立能級(jí)結(jié)構(gòu)。量子點(diǎn)受激后可以發(fā)射熒光。基于量子點(diǎn)熒光發(fā)射光譜，量子點(diǎn)在太陽(yáng)能電池，發(fā)光器件，光學(xué)生物標(biāo)記等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。傳統(tǒng)控制量子點(diǎn)發(fā)射光譜的方法一般是通過改變量子點(diǎn)的尺寸來進(jìn)行控制。這種方法需要花費(fèi)大量的時(shí)間和精力進(jìn)行量子點(diǎn)制備工藝研究，而且不同量子點(diǎn)制備工藝互不相同，難以找到一種通用方法對(duì)量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜進(jìn)行連續(xù)、簡(jiǎn)便的調(diào)控。

金屬微納結(jié)構(gòu)在一定頻率的外光場(chǎng)作用下，內(nèi)部自由電子將發(fā)生集體振蕩，激發(fā)出表面等離激元共振。這種共振將改變金屬微納結(jié)構(gòu)周圍的電磁場(chǎng)環(huán)境。如果將量子點(diǎn)置于這種電磁場(chǎng)環(huán)境下，它將有可能與這種電磁場(chǎng)環(huán)境發(fā)生能量交換，即發(fā)生耦合。耦合強(qiáng)度與量子點(diǎn)濃度、量子點(diǎn)熒光壽命、電磁場(chǎng)品質(zhì)因子、電磁場(chǎng)有效模式體積等相關(guān)，當(dāng)滿足強(qiáng)耦合條件時(shí)，量子點(diǎn)與金屬微納結(jié)構(gòu)組成的復(fù)合體系將產(chǎn)生電磁感應(yīng)透明效應(yīng)，此時(shí)，熒光發(fā)射峰將可以被調(diào)制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種改變量子點(diǎn)熒光發(fā)射光譜的方法，其將量子點(diǎn)與納米多孔金薄膜的小孔復(fù)合，量子點(diǎn)放置在納米多孔金薄膜的小孔的內(nèi)部。

包括以下步驟：

(1)納米多孔金薄膜的制備：運(yùn)用脫合金法制備納米多孔金薄膜；

(2)CdSe量子點(diǎn)與納米多孔金薄膜的復(fù)合：將CdSe量子點(diǎn)溶液與PMMA溶液等比例混合， 避光條件下放入超聲池中振蕩5分鐘；將混合溶液旋涂在步驟(1)中制備的納米多孔金薄膜表面，放入60攝氏度的烘箱進(jìn)行10分鐘烘干；用丙酮去除PMMA，再放入60攝氏度的烘箱進(jìn)行烘干3分鐘，去除殘余丙酮溶液，此時(shí)CdSe量子點(diǎn)已經(jīng)隨著PMMA的溶解進(jìn)入納米多孔金的小孔內(nèi)部。

所述步驟(1)中，納米多孔金薄膜通過以下方法制備得到：選取濃度為68％的硝酸，室溫條件下對(duì)含金量13.25克拉的金銀合金薄膜刻蝕24h后用載玻片撈取薄膜，去離子水表面清洗5次以上轉(zhuǎn)移至硅片襯底。

所述納米多孔金薄膜的小孔尺寸45～55納米。

本發(fā)明通過上述方式，可以將熒光發(fā)射峰進(jìn)行調(diào)制。

附圖說明

圖1為納米多孔金小孔中加入量子點(diǎn)的電子顯微鏡照片。

圖2為量子點(diǎn)熒光色調(diào)控前后對(duì)照?qǐng)D。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。

將CdSe量子點(diǎn)放置于納米多孔金小孔中，在納米多孔金薄膜結(jié)構(gòu)中加入CdSe量子點(diǎn)，通過改變量子點(diǎn)濃度來操控量子點(diǎn)熒光發(fā)射光譜。具體實(shí)驗(yàn)流程為：

一種改變量子點(diǎn)熒光色的方法，將量子點(diǎn)與納米多孔金薄膜的小孔復(fù)合，量子點(diǎn)放置在納米多孔金薄膜的小孔的內(nèi)部。

本發(fā)明的改變量子點(diǎn)熒光色的方法，包括以下步驟：

(1)納米多孔金薄膜的制備：運(yùn)用脫合金法制備納米多孔金薄膜；選取濃度為68％的硝酸，室溫條件下對(duì)含金量13.25克拉的金銀合金薄膜刻蝕24h后用載玻片撈取薄膜，去離子水表面清洗5次以上轉(zhuǎn)移至硅片襯底。

(2)CdSe量子點(diǎn)與納米多孔金薄膜的復(fù)合：將CdSe量子點(diǎn)溶液與PMMA溶液等比例混合， 避光條件下放入超聲池中振蕩5分鐘；將混合溶液旋涂在步驟(1)中制備的納米多孔金薄膜表面，放入60攝氏度的烘箱進(jìn)行10分鐘烘干；用丙酮去除PMMA，再放入60攝氏度的烘箱進(jìn)行烘干3分鐘，去除殘余丙酮溶液，此時(shí)CdSe量子點(diǎn)已經(jīng)隨著PMMA的溶解進(jìn)入納米多孔金的小孔內(nèi)部。

本發(fā)明中所述納米多孔金薄膜的小孔尺寸45～55納米。

本發(fā)明可以進(jìn)行連續(xù)、實(shí)時(shí)、原位的量子點(diǎn)熒光發(fā)射光譜調(diào)制，因此在量子點(diǎn)顯示工業(yè)如量子點(diǎn)電視等工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

實(shí)施例1

(1)納米多孔金薄膜的制備。

運(yùn)用脫合金法制備納米多孔金薄膜，實(shí)驗(yàn)原料為含金量13.25克拉的金銀合金薄膜。在刻蝕過程中，選取濃度為68％的硝酸，室溫條件下刻蝕24h后用載玻片撈取薄膜，去離子水表面清洗5次以上轉(zhuǎn)移至硅片襯底。納米多孔金的小孔尺寸約為50納米，如圖1。

(2)CdSe量子點(diǎn)與納米多孔金的復(fù)合。

將CdSe量子點(diǎn)溶液(不同濃度)與PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)溶液等比例混合，避光條件下放入超聲池中振蕩5分鐘；將混合溶液旋涂在(1)中制備的納米多孔金薄膜表面，放入60攝氏度的烘箱進(jìn)行10分鐘烘干；用丙酮去除PMMA，再放入60攝氏度的烘箱進(jìn)行烘干3分鐘，去除殘余丙酮溶液；此時(shí)CdSe量子點(diǎn)已經(jīng)隨著PMMA的溶解進(jìn)入納米多孔金的小孔內(nèi)部。

通過改變量子點(diǎn)濃度，量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜發(fā)生了變化，熒光色從青色變成綠色,如圖2。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。