本發(fā)明涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其是涉及一種喹唑啉衍生物的化合物，以及其作為發(fā)光層材料在有機(jī)發(fā)光二極管上的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光(OLED:OrganicLightEmissionDiodes)器件技術(shù)既可以用來制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應(yīng)用前景十分廣泛。OLED發(fā)光器件猶如三明治的結(jié)構(gòu)，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機(jī)功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成OLED發(fā)光器件。作為電流器件，當(dāng)對(duì)OLED發(fā)光器件的兩端電極施加電壓，并通過電場(chǎng)作用有機(jī)層功能材料膜層中的正負(fù)電荷，正負(fù)電荷進(jìn)一步在發(fā)光層中復(fù)合，即產(chǎn)生OLED電致發(fā)光。為了得到綜合性能優(yōu)異的有機(jī)電致發(fā)光器件，需要設(shè)計(jì)合適的主客體材料和優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，發(fā)光層主體材料通常包含空穴和/或電子傳輸單元，具有合適的載流子傳輸性能，并且要求其三重態(tài)能級(jí)高于發(fā)光體，這樣才能保證三重態(tài)激子局限在發(fā)光層。此外，為了實(shí)現(xiàn)載流子高效注入以降低啟動(dòng)電壓，主體材料還應(yīng)該具有相對(duì)于鄰近有機(jī)層的合適的能級(jí)。近年來，雙極性主體材料因具有平衡的空穴和電子載流子流，提高了電子和空穴的復(fù)合效率，進(jìn)而有利于增強(qiáng)器件的發(fā)光效率，降低效率的滾降。同時(shí)，雙極性主體材料的給體和受體之間具有很強(qiáng)的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致材料本身的三重態(tài)能級(jí)被拉低，限制了其在工業(yè)化生產(chǎn)中的應(yīng)用。目前雙極性主體材料的研究熱點(diǎn)在包含有給體受體的基礎(chǔ)上，采用飽和原子切斷給體受體之間的π共軛，進(jìn)而提高其三重態(tài)能級(jí)。就當(dāng)前OLED顯示照明產(chǎn)業(yè)的實(shí)際需求而言，目前OLED材料的發(fā)展還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機(jī)功能材料顯得尤為重要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本申請(qǐng)人提供了一種以喹唑啉酮衍生物為核心的化合物及其在有機(jī)電致發(fā)光器件上的應(yīng)用。本發(fā)明化合物以喹唑啉酮衍生為核心，作為發(fā)光層材料應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管，本發(fā)明制作的器件具有良好的光電性能，能夠滿足面板制造企業(yè)的要求。本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種母核為喹唑啉酮衍生物的化合物，該化合物結(jié)構(gòu)如通式(1)所示：通式(1)中，Ar1、Ar2分別獨(dú)立的表示或-R；其中，Ar表示C5-20的芳基；n取1或2；R選取氫、通式(2)或通式(3)所示結(jié)構(gòu)，且Ar1、Ar2中的R至少有一個(gè)選取通式(2)或(3)所示結(jié)構(gòu)：其中，X表示氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直鏈烷基取代的亞烷基、C1-10支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、芳基取代的叔胺基中的一種；R1、R2分別獨(dú)立的表示氫、通式(4)或通式(5)所示結(jié)構(gòu)；通式(5)中，a選自X1、X2、X3分別為氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直鏈烷基取代的亞烷基、C1-10支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、芳基取代的叔胺基中的一種；通式(5)、通式(6)通過標(biāo)“*”的兩個(gè)位點(diǎn)與通式(2)、通式(3)、通式(4)的CL1-CL2鍵、CL2-CL3鍵、CL3-CL4鍵、CL‘1-CL’2鍵、CL‘2-CL’3鍵、CL‘3-CL’4鍵、CL5-CL6鍵或CL6-CL7相連接；R3表示為氫、C5-20的芳基、C5-20的雜芳基或通式(7)所示結(jié)構(gòu)；通式(7)中，R4、R5分別獨(dú)立的選取C1-10直鏈或支鏈烷基、C5-20的環(huán)烷基、C5-20的芳基或C5-20的雜芳基。優(yōu)選的，所述通式(3)中R3采用通式(4)、通式(5)或通式(6)表示：其中，通式(9)、通式(10)中所述X表示為氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種。優(yōu)選的，所述通式(1)中R為：中的任意一種。優(yōu)選的，所述化合物的具體結(jié)構(gòu)式為：中的任意一種。本申請(qǐng)人還提供了一種包含所述化合物的發(fā)光器件，其特征在于所述化合物作為發(fā)光層的主體材料，用于制作OLED器件。本申請(qǐng)人還提供了一種制備所述化合物的方法，其特征在于制備過程中的反應(yīng)方程式為：反應(yīng)式1、2中，X分別獨(dú)立的表示Cl、Br、或I，n，m分別獨(dú)立的表示為0或1；其中反應(yīng)式1的制備方法為：稱取喹唑啉酮的鹵代物、Ar1-H、Ar2-H，用甲苯溶解；再加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇鈉；在惰性氣氛下，將上述反應(yīng)物的混合溶液于反應(yīng)溫度95～110℃，反應(yīng)10～24小時(shí)，冷卻并過濾反應(yīng)溶液，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物；所述喹唑啉酮的鹵代物與Ar1-H、Ar2-H的摩爾比為1:0.8～2.0:0.8～2.0，Pd2(dba)3與喹唑啉酮的鹵代物的摩爾比為0.006～0.02:1，三叔丁基膦與喹唑啉酮的鹵代物的摩爾比為0.006～0.02:1，叔丁醇鈉與喹唑啉酮的鹵代物的摩爾比為1.0～3.0:1；反應(yīng)式2的制備方法為：稱取喹唑啉酮的鹵代物、Ar1-B(OH)2、Ar2-B(OH)2，用體積比為2:1的甲苯乙醇混合溶劑溶解；在惰性氣氛下，再加入Na2CO3水溶液、Pd(PPh3)4；將上述反應(yīng)物的混合溶液于反應(yīng)溫度95～110℃，反應(yīng)10～24小時(shí)，冷卻并過濾反應(yīng)溶液，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物；所述喹唑啉酮的鹵代物與Ar1-B(OH)2、Ar2-B(OH)2的摩爾比為1:1.0～2.0:1.0～2.0；Na2CO3與喹唑啉酮的鹵代物的摩爾比為1.0～3.0:1；Pd(PPh3)4與喹唑啉酮的鹵代物的摩爾比為0.006～0.02:1。所述Ar1-H、Ar2-H的合成步驟如反應(yīng)式3-1、3-2所示，所述Ar1-B(OH)2、Ar2-B(OH)2的合成步驟如反應(yīng)式4所示：反應(yīng)式3-1所述的反應(yīng)過程為：稱取原料M、原料N、碘單質(zhì)，加入溶劑二甘醇攪拌溶解，加熱至270～280℃下反應(yīng)24～36小時(shí)，取樣點(diǎn)板，待反應(yīng)結(jié)束后，自然冷卻至室溫，有固體析出，過濾，取濾餅過中性硅膠柱，得到化合物Bn；其中原料M與原料N的摩爾比為1:1.0～1.5，原料M與碘單質(zhì)的摩爾比為1:1.5～3.0；反應(yīng)式3-2所述的反應(yīng)過程為：稱取原料L、原料O、溶于甲苯中，再加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇鈉；在惰性氣氛下，將上述反應(yīng)物的混合溶液于反應(yīng)溫度95～110℃，反應(yīng)10～24小時(shí)，冷卻并過濾反應(yīng)溶液，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到化合物Bn的中間體I；所述原料L與原料O的摩爾比為1:0.8～2.0:0.8～2.0，Pd2(dba)3與原料L的摩爾比為0.006～0.02:1，三叔丁基膦與原料L的0.006～0.02:1，叔丁醇鈉與原料L的摩爾比為1.0～3.0:1；將上一步得到的Bn的中間體I溶于四氫呋喃中，并緩慢滴加R-MgCl的格式試劑，室溫反應(yīng)12～24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，直至反應(yīng)完全，過濾，濾液加壓旋蒸，過中性硅膠柱，得到Bn的中間產(chǎn)物II；所述格式試劑與Bn的中間體I的比例為2.5～3.0:1；在氮?dú)獾谋Ｗo(hù)下及冰浴的條件下，將Bn的中間產(chǎn)物II加至H3PO4中，室溫反應(yīng)6～12小時(shí)，取樣點(diǎn)板至反應(yīng)完全，加入NaOH水溶液中和至pH＝6～8，加入二氯甲烷萃取，取有機(jī)相，過濾，濾液進(jìn)行減壓旋蒸，過中性硅膠柱。反應(yīng)式4所述的反應(yīng)過程為：在氮?dú)獾臍夥障拢Q取反應(yīng)式3-1或者反應(yīng)式3-2的產(chǎn)物化合物Bn、原料Q、雙(頻哪醇合)二硼、Pd(dppf)Cl2、醋酸鉀溶于無水甲苯中，100～120℃下反應(yīng)12～24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，得到粗產(chǎn)品，滴加稀鹽酸水溶液調(diào)節(jié)pH至3～5，有固體析出，用乙醇重結(jié)晶得到相應(yīng)的硼酸；所述化合物Bn與原料Qn的摩爾比為1:1.2～1.5，化合物Bn與雙(頻哪醇合)二硼的摩爾比為2:1～1.5，化合物Bn與Pd(dppf)Cl2的摩爾比為1:0.01～0.05，化合物Bn與醋酸鉀的摩爾比為1:2～2.5。本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于：本發(fā)明以喹唑啉酮的衍生物為母核，再連接芳香雜環(huán)基團(tuán)，具備很強(qiáng)的剛性，破壞了分子對(duì)稱性，從而破壞分子的結(jié)晶性，避免了分子間的聚集作用。所述化合物結(jié)構(gòu)內(nèi)包含咪唑并環(huán)作為電子受體(acceptor,A)，有利于電子在發(fā)光層中的傳輸。連接的雜環(huán)基團(tuán)是電子給體(donor,D)，它有利于空穴在發(fā)光層中的傳輸。喹啉酮的內(nèi)部的三價(jià)氮原子是飽和原子，它不僅具有很強(qiáng)的剛性，還有利于提高母核化合物三重態(tài)能級(jí)，電子給體和電子受體的組合可以提高電子和空穴的遷移率、降低啟動(dòng)電壓，提高激子的復(fù)合效率，提高器件性能。母核喹唑啉酮并環(huán)具有較高的三重態(tài)能級(jí)，使化合物三重態(tài)激子局限在發(fā)光層中，提高發(fā)光效率，本發(fā)明化合物適合作為發(fā)光層主體材料使用。本發(fā)明所述化合物可作為發(fā)光層材料應(yīng)用于OLED發(fā)光器件制作，作為發(fā)光層主體材料可以獲得良好的器件表現(xiàn)，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時(shí)，對(duì)于器件壽命提升非常明顯。本發(fā)明所述化合物材料在OLED發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。附圖說明圖1為使用本發(fā)明化合物的器件結(jié)構(gòu)示意圖；其中，1為透明基板層，2為ITO陽極層，3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為陰極反射電極層。具體實(shí)施方式實(shí)施例中間體B1的合成路線：500ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.04mol2-溴二苯并呋喃，0.06mol鄰氨基苯甲酸甲酯，0.12mol叔丁醇鈉，4×10-4molPd2(dba)3，4×10-4mol三叔丁基膦，250ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度97.36％，收率75.8％；在500ml的三口瓶中，通氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入0.04mol上一步產(chǎn)物，加入四氫呋喃100ml攪拌溶解，在0℃緩慢滴加苯基氯化鎂格式試劑的四氫呋喃溶液(1.0M)100ml(0.1mol)，室溫反應(yīng)12小時(shí)，取樣點(diǎn)板，顯示無2-溴苯并呋喃，反應(yīng)完全；過濾，濾液進(jìn)行減壓旋蒸，過中性硅膠柱，得到2-(2-(二苯并[b，d]呋喃-3-基氨基)苯基)丙-2-醇，HPLC純度99.1％，收率75.9％；在500ml的三口瓶中，通氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入0.04mol2-(2-(二苯并[b，d]呋喃-3-基氨基)苯基)丙-2-醇，在0℃條件下，加入H3PO4200ml，室溫反應(yīng)6小時(shí)，取樣點(diǎn)板，顯示無(2-(二苯并[b，d]呋喃-3-基氨基)苯基)二苯基甲醇，反應(yīng)完全；加入NaOH水溶液中和至pH＝7，加入二氯甲烷(50ml×3)萃取，取有機(jī)相，過濾，濾液進(jìn)行減壓旋蒸，過中性硅膠柱，得到12,12-二甲基-7,12-二氫苯并呋喃并[3,2-b]吖啶，HPLC純度99.2％，收率75.5％；HPLC-MS(m/z)：理論值：299.13，實(shí)測(cè)值為：299.65。實(shí)施例中間體C1的合成路線：在500mL的三口瓶在通氮?dú)獾臍夥障?，加入B30.4mol，0.2mol雙(頻哪醇合)二硼，0.004molPd(dppf)Cl2,以及無水甲苯250mL，加熱反應(yīng)10～24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，向其中滴加鹽酸稀溶液調(diào)節(jié)pH至3，有固體析出，用乙醇重結(jié)晶得到相應(yīng)的硼酸，純度95％，收率70％。HPLC-MS(m/z)：理論值：435.20，實(shí)測(cè)值為：435.96。各中間體的分子結(jié)構(gòu)式如表1所示。表1實(shí)施例1化合物22的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B1，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度97.36％，收率66.4％。HPLC-MS(m/z)：理論值為559.23，實(shí)測(cè)值為為559.42。實(shí)施例2化合物26的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B2，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度96.59％，收率59.8％。HPLC-MS(m/z)：理論值為559.23，實(shí)測(cè)值為559.67。實(shí)施例3化合物42的合成500ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪唑[2,1-b]惡唑，0.015mol化合物C1，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，HPLC純度97.80％，收率67.5％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.68。實(shí)施例4化合物49的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C2，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.10％，收率71.1％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.68。實(shí)施例5化合物51的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C3，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度96.37％，收率70.6％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.37。實(shí)施例6化合物52的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C4，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度96.89％，收率77.3％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.65。實(shí)施例7化合物74的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C5，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度96.97％，收率69.3％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.78。實(shí)施例8化合物76的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B2，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度97.60％，收率46.00％。HPLC-MS(m/z)：理論值為559.23,實(shí)測(cè)值為559.89。實(shí)施例9化合物80的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C1，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.09％，收率75.1％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.98。實(shí)施例10化合物91的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C2，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度97.05％，收率80.1％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.98。實(shí)施例11化合物92的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C2，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.16％，收率79.1％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.89。實(shí)施例12化合物95的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C3，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度97.35％，收率81.6％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.12。實(shí)施例13化合物96的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C1，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.91％，收率69.5％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.65。實(shí)施例14化合物97的合成250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C6，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度96.91％，收率75.5％。HPLC-MS(m/z)：理論值為635.26，實(shí)測(cè)值為635.65。本發(fā)明化合物可以作為發(fā)光層材料使用，對(duì)本發(fā)明化合物49、化合物95和現(xiàn)有材料CBP分別進(jìn)行熱蒸鍍狀態(tài)、T1能級(jí)的測(cè)定，檢測(cè)結(jié)果如表2所示。表2化合物熱蒸鍍狀態(tài)T1(eV)功用化合物49熔融型2.85主體材料化合物95熔融型2.90主體材料化合物CBP升華型2.70主體材料注：熱蒸鍍狀態(tài)由韓國(guó)ANS-INC(100*100)蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行測(cè)定，真空度＜5×10-7Torr，第一升溫區(qū)(0-200℃)，升溫速率10℃/min；第二升溫區(qū)(200-400℃)，升溫速率5℃/min，以的蒸鍍速率蒸鍍10min后自然降至室溫。T1是先測(cè)試化合物的磷光發(fā)射光譜，并由磷光發(fā)射峰計(jì)算得到(測(cè)試設(shè)備：利用EdinburghInstruments的FLS980熒光光譜儀，OxfordInstruments的OptistatDN-V2低溫組件)。由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明化合物具有較高的熱蒸鍍速率穩(wěn)定性，較升華型材料，其材料內(nèi)部傳熱較好，避免了因傳熱不均局部過熱引起的材料變質(zhì)，有利于實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間蒸鍍。此外，本發(fā)明化合物具有較高的T1能級(jí)，避免能量由摻雜材料回傳到主體材料，適合作為發(fā)光層材料；同時(shí)，本發(fā)明化合物含有電子給體(donor,D)與電子受體(acceptor,A)，使得應(yīng)用本發(fā)明化合物的OLED器件電子和空穴達(dá)到平衡狀態(tài)，保證了電子和空穴的復(fù)合率，使得器件效率和壽命得到提升。通過量子化學(xué)從頭計(jì)算軟件ORCA對(duì)本發(fā)明化合物的HOMO、LUMO能級(jí)進(jìn)行計(jì)算并進(jìn)行可視化，計(jì)算方法采用B3LYP雜化泛函，基組6-31g(d)?；衔?9、化合物90、化合物95以及化合物CBP的可視化HOMO、LUMO分布圖如表3所示；從HOMO、LUMO在分子中的空間分布可以看出，相比較化合物CBP本發(fā)明化合物的HOMO和LUMO能級(jí)處于空間分離狀態(tài)，且HOMO、LUMO重疊度小。即本發(fā)明化合物同時(shí)具有電子給體(donor,D)與電子受體(acceptor,A)兩個(gè)部分，這使得發(fā)明化合物的OLED器件電子和空穴更易達(dá)到平衡狀態(tài)，保證了電子和空穴的復(fù)合率，使得器件效率和壽命得到提升。表3以下通過實(shí)施例15～23和比較例1～3詳細(xì)說明本發(fā)明合成的化合物在器件中作為發(fā)光層主體材料的應(yīng)用效果。實(shí)施例16～23與實(shí)施例15相比，所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件中發(fā)光層材料發(fā)生了改變。實(shí)施例15～23與比較例1～3相比，比較例1所述器件的發(fā)光層材料采用的是現(xiàn)有常用原料，而實(shí)施例15～23的器件發(fā)光層材料采用的是本發(fā)明化合物。各實(shí)施例所得器件的結(jié)構(gòu)組成如表4所示。各器件的性能測(cè)試結(jié)果如表5所示。實(shí)施例15透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物5和GD-19按照100：5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。相關(guān)材料的分子結(jié)構(gòu)式如下所示：具體制備過程如下：透明基板層1采用透明材料。對(duì)ITO陽極層2(膜厚為150nm)進(jìn)行洗滌，即依次進(jìn)行堿洗滌、純水洗滌、干燥后再進(jìn)行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ITO表面的有機(jī)殘留物。在進(jìn)行了上述洗滌之后的ITO陽極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍膜厚為10nm的三氧化鉬MoO3作為空穴注入層3使用。緊接著蒸鍍80nm厚度的TAPC作為空穴傳輸層4。上述空穴傳輸材料蒸鍍結(jié)束后，制作OLED發(fā)光器件的發(fā)光層5，其結(jié)構(gòu)包括OLED發(fā)光層5所使用材料化合物22作為主體材料，GD-19作為摻雜材料，摻雜材料摻雜比例為5％重量比，發(fā)光層膜厚為30nm。在上述發(fā)光層5之后，繼續(xù)真空蒸鍍電子傳輸層材料為TPBI。該材料的真空蒸鍍膜厚為40nm，此層為電子傳輸層6。在電子傳輸層6上，通過真空蒸鍍裝置，制作膜厚為1nm的氟化鋰(LiF)層，此層為電子注入層7。在電子注入層7上，通過真空蒸鍍裝置，制作膜厚為80nm的鋁(Al)層，此層為陰極反射電極層8使用。如上所述地完成OLED發(fā)光器件后，用公知的驅(qū)動(dòng)電路將陽極和陰極連接起來，測(cè)量器件的發(fā)光效率，發(fā)光光譜以及器件的電流-電壓特性。實(shí)施例16透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物26和GD-19按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實(shí)施例17透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物42和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實(shí)施例18透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物49和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實(shí)施例19透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物52和GD-PACTZ按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實(shí)施例20透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物74和GD-PACTZ按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實(shí)施例21透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物95、GH-204和Ir(PPy)3按照70:30:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實(shí)施例22透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物96、GH-204和GD-PACTZ按照70:30:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實(shí)施例23透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物97、GH-204和GD-PACTZ按照70:30:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。比較例1透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(CBP和GD-19按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。比較例2透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(CBP和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。比較例3透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(CBP和GD-PACTZ按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。所制作的OLED發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見表6。表4表5說明:比較例1的電流效率為6.5cd/A(@10mA/cm2)；啟動(dòng)電壓為4.3V(@1cd/m2)，5000nit亮度下LT95壽命衰減為3.8Hr。比較例2的電流效率為24.6cd/A(@10mA/cm2)；5000nit亮度下LT95壽命衰減為4.3Hr。比較例3的電流效率為25.1cd/A(@10mA/cm2)；啟動(dòng)電壓為3.5V(@1cd/m2)，5000nit亮度下LT95壽命衰減為7.8Hr。壽命測(cè)試系統(tǒng)為本發(fā)明所有權(quán)人與上海大學(xué)共同研究的OLED器件壽命測(cè)試儀。表4的結(jié)果可以看出，本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層主體材料可應(yīng)用于OLED發(fā)光器件制作；并且與比較例1相比，無論是效率、電壓還是壽命均比已知OLED材料獲得較大改觀，特別是器件的驅(qū)動(dòng)壽命獲得較大的提升。為進(jìn)一步體現(xiàn)本發(fā)明化合物在產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)，本發(fā)明比較了不同摻雜材料比例下器件的性能變化情況，定義摻雜濃度依賴系數(shù)進(jìn)行表示；它表示驅(qū)動(dòng)電流為10mA/cm2下不同摻雜濃度的器件，其效率最大值μmax、最小值和平均值之間的均勻程度，值越大，說明摻雜比例對(duì)器件的效率影響越大，在產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用時(shí)要嚴(yán)格控制材料的蒸鍍速率，工業(yè)應(yīng)用窗口較小；反之，說明器件性能對(duì)摻雜比例的要求不好，容易實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，具有良好的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。參考實(shí)施例15～23的制備方法，并且采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是對(duì)摻雜比例做了變換；各器件的摻雜比例及測(cè)試結(jié)果如表6所示：表6從以上數(shù)據(jù)應(yīng)用來看，本發(fā)明化合物作為發(fā)光層材料在OLED發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。雖然已通過實(shí)施例和優(yōu)選實(shí)施方式公開了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施方式。相反，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明白，其意在涵蓋各種變型和類似的安排。因此，所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)與最寬的解釋相一致以涵蓋所有這樣的變型和類似的安排。當(dāng)前第1頁1 2 3