L左 右。
[0059] 可藉由將所述各成分溶解于水而輕易調(diào)制所述蝕刻液。所述水優(yōu)選為去除離子性 物質(zhì)及雜質(zhì)的水，例如優(yōu)選為離子交換水、純水、超純水等。
[0060] 所述蝕刻液可在使用時摻配各成分成為特定濃度，也可先調(diào)制濃縮液并在使用前 稀釋使用。所述蝕刻液的使用方法并無特別限定，但從有效抑制側(cè)邊蝕刻而言，優(yōu)選為如后 述般使用噴霧器進行蝕刻。此外，使用時的蝕刻液的溫度并無特別限定，從維持高生產(chǎn)性并 有效抑制側(cè)邊蝕刻而言，優(yōu)選為以20~55°C使用。
[0061] 本發(fā)明的補給液為在連續(xù)或重復(fù)使用本發(fā)明的蝕刻液時添加于所述蝕刻液的補 給液，為包含酸、以及由化合物A及化合物B所選擇的1種以上的水溶液。所述補給液中的 各成分與摻配于所述本發(fā)明的蝕刻液的成分相同。藉由添加所述補給液而可適當(dāng)正確地保 持所述蝕刻液的各成分比，故可穩(wěn)定維持所述本發(fā)明的蝕刻液的效果。此外，本發(fā)明的補給 液中，可以二價銅離子濃度不超過14g/L的濃度范圍的方式進一步含有氯化銅等的二價銅 離子源。此外，除了所述成分以外，本發(fā)明的補給液中也可摻配添加于蝕刻液的成分。
[0062] 所述補給液中各成分的濃度可因應(yīng)蝕刻液中各成分的濃度而適當(dāng)設(shè)定，但以穩(wěn)定 維持所述本發(fā)明的蝕刻液的效果的觀點來看，優(yōu)選為酸的濃度為5~360g/L、化合物A及/ 或化合物B的濃度（合計濃度）為0· 01~100g/L。
[0063] 本發(fā)明的銅配線的形成方法的特征為，在對銅層未以抗蝕劑被覆的部分進行蝕刻 的銅配線的形成方法中，使用所述本發(fā)明的蝕刻液進行蝕刻。藉此可如所述，不會損及銅配 線的直線性且可抑制側(cè)邊蝕刻。此外，在采用本發(fā)明的銅配線的形成方法的銅配線形成工 序中，在連續(xù)或重復(fù)使用本發(fā)明的蝕刻液時，優(yōu)選為一邊添加所述本發(fā)明的補給液一邊進 行蝕刻。此原因為可適當(dāng)保持所述蝕刻液的各成分比，故可穩(wěn)定維持所述本發(fā)明的蝕刻液 的效果。
[0064] 本發(fā)明的銅配線的形成方法優(yōu)選為于所述銅層未以抗蝕劑被覆的部分，藉由噴霧 器噴霧所述蝕刻液。此原因為可有效抑制側(cè)邊蝕刻。噴霧時噴嘴并無特別限定，可使用扇 形噴嘴或?qū)嵭膱A錐噴嘴等。
[0065] 以噴霧器蝕刻時，噴霧壓優(yōu)選為0. 04MPa以上，更優(yōu)選為0. 08MPa以上。若噴霧壓 為0. 04MPa以上，可在銅配線的側(cè)面形成適當(dāng)厚度的保護皮膜。藉此可有效防止側(cè)邊蝕刻。 此外，從防止抗蝕劑的破損的觀點來看，所述噴霧壓優(yōu)選為0. 30MPa以下。
[0066][實施例]
[0067] 以下一并說明本發(fā)明的實施例與比較例。此外，本發(fā)明并不限定于下述實施例。
[0068] 調(diào)制表1、2所示組成的各蝕刻液，并以后述條件進行蝕刻，藉由后述評估方法對 于各項目進行評估。此外，表1、2所示組成的各蝕刻液中，剩余分為離子交換水。此外，表 1、2所示鹽酸濃度為氯化氫的濃度。
[0069](所使用的試驗基板）
[0070] 準(zhǔn)備積層厚度12 μ m的電解銅箔（三井金屬礦業(yè)公司制，商品名3EC-III)的銅箔 積層板，以含有鈀催化劑的處理液（奧野制藥公司制，商品名：ADCOPPER SERIES)處理所述 銅箔后，使用無電解銅鍍液（奧野制藥公司制，商品名：ADCOPPER SERIES)形成無電解銅鍍 膜。接著使用電解銅電鍍液（奧野制藥公司制，商品名：Toppuruchina SF)在所述無電解銅 鍍膜上形成厚度IOum的電解銅電鍍膜。使用干膜抗蝕劑（Asahi Kasei E-materials公司 制，商品名：SUNFORT SPG-152)，在所得的電解銅電鍍膜上形成厚度15 μ m的抗蝕劑圖案。 此時抗蝕劑圖案為線寬/間距（L/S) = 30 μ m/30 μ m的抗蝕劑圖案與L/S = 40 μ m/150 μ m 的抗蝕劑圖案兩者混合存在的圖案。
[0071] (蝕刻條件）
[0072] 蝕刻使用扇形噴嘴（Ikeuchi公司制，商品名！ISVV9020)，以噴霧壓0. 12MPa、處理 溫度45°C的條件進行。蝕刻加工時間設(shè)定為在L/S = 30 μ m/30 μ m的抗蝕劑圖案區(qū)域中， 蝕刻后銅配線的底部寬度到達30 μπι的時間點。蝕刻后進行水洗、干燥，并進行以下所示的 評估。
[0073](側(cè)邊蝕刻量）
[0074] 裁切蝕刻處理的各試驗基板的一部分，并將其埋入冷間埋入樹脂，以可以觀察L/S =30 μ m/30 μ m的抗蝕劑圖案區(qū)域中的銅配線剖面的方式進行研磨加工。接著使用光學(xué)顯 微鏡以200倍觀察所述剖面，測量銅配線的頂部寬度（Wl)及銅配線的底部寬度（W2)，以兩 者差（W2-W1)作為側(cè)邊蝕刻量（μπι)。結(jié)果示于表1、2。
[0075] (直線性）
[0076] 將蝕刻處理的各試驗基板浸漬于3重量％氫氧化鈉水溶液60秒，去除抗蝕劑。之 后使用鹽酸（氯化氫濃度：7重量％ )，以扇形噴嘴（Ikeuchi公司制，商品名：VP9020)用噴 霧壓0. 12Mpa、處理溫度30°C、處理時間30秒去除保護皮膜。接著使用光學(xué)顯微鏡以200 倍觀察試驗基板上面，測量L/S = 40 μ m/150 μ m的抗蝕劑圖案區(qū)域中銅配線頂部的配線寬 度，以20 μ m的間隔測量10處，并以其標(biāo)準(zhǔn)偏差作為直線性（μ m)。結(jié)果示于表1、2所示。
[0077] (表 1)
[0078]



[0083] 如表1所示，本發(fā)明的實施例在任一評估項目都獲得良好結(jié)果。另一方面如表2 所示，比較例在部分評估項目所得的結(jié)果較實施例差。由所述結(jié)果可知，藉由本發(fā)明可不會 損及銅配線的直線性且可抑制側(cè)邊蝕刻。
[0084] (并用脂肪族雜環(huán)化合物與6元環(huán)雜芳香族化合物）
[0085] 在所述實施例11的組成中進一步摻配以下表3所記載的各6元環(huán)雜芳香族化合 物，并以與所述相同方式進行評估。結(jié)果示于表3。
[0086](表 3)

[0089] 如表3所示，相較于實施例11，進一步摻配有6元環(huán)雜芳香族化合物的實施例 13~16可減少側(cè)邊蝕刻量且提升直線性。由所述結(jié)果可知，藉由并用脂肪族雜環(huán)化合物與 6元環(huán)雜芳香族化合物，可有效抑制側(cè)邊蝕刻且有效提升直線性。
【主權(quán)項】
1. 一種蝕刻液，為銅的蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻液為含有脂肪族雜環(huán)化合物、酸 與氧化性金屬離子的水溶液，所述脂肪族雜環(huán)化合物含有僅具有氮作為構(gòu)成環(huán)的雜原子的 5~7元環(huán)脂肪族雜環(huán)； 所述脂肪族雜環(huán)化合物為由具有2個以上的氮作為構(gòu)成環(huán)的雜原子的脂肪族雜環(huán)化 合物A、以及以具有氨基的取代基所取代的脂肪族雜環(huán)化合物B所選擇的一種以上。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述酸為鹽酸。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液，其特征在于，所述脂肪族雜環(huán)化合物為吡咯烷化 合物、哌啶化合物、哌嗪化合物、高哌嗪化合物以及六氫-1，3, 5-三嗪化合物所選擇的一種 以上。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一權(quán)利要求所述的蝕刻液，其特征在于，所述氧化性金屬離 子為二價銅離子。5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一權(quán)利要求所述的蝕刻液，其特征在于，所述酸的濃度為 5 ~180g/L ; 所述氧化性金屬離子的濃度為10~250g/L ; 所述脂肪族雜環(huán)化合物的濃度為〇. 01~l〇〇g/L。6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一權(quán)利要求所述的蝕刻液，其特征在于，進一步含有具有6 元環(huán)芳香雜環(huán)的雜芳香族化合物。7. -種補給液，其特征在于，在連續(xù)或重復(fù)使用權(quán)利要求1~6中任一權(quán)利要求所述的 蝕刻液時添加于所述蝕刻液； 所述補給液為含有脂肪族雜環(huán)化合物與酸的水溶液，所述脂肪族雜環(huán)化合物含有僅具 有氮作為構(gòu)成環(huán)的雜原子的5~7元環(huán)脂肪族雜環(huán)； 所述脂肪族雜環(huán)化合物為由具有2個以上的氮作為構(gòu)成環(huán)的雜原子的脂肪族雜環(huán)化 合物A、以及以具有氨基的取代基所取代的脂肪族雜環(huán)化合物B所選擇的一種以上。8. -種銅配線的形成方法，為對銅層未被覆抗蝕劑的部分進行蝕刻，其特征在于，使用 權(quán)利要求1~6中任一權(quán)利要求所述的蝕刻液進行蝕刻。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種不會損及銅配線的直線性且可抑制側(cè)邊蝕刻的蝕刻液、其補給液、以及銅配線的形成方法。本發(fā)明的蝕刻液為銅的蝕刻液，所述蝕刻液為含有脂肪族雜環(huán)化合物、酸與氧化性金屬離子的水溶液，所述脂肪族雜環(huán)化合物含有僅具有氮作為構(gòu)成環(huán)的雜原子的5～7元環(huán)脂肪族雜環(huán)，所述脂肪族雜環(huán)化合物為由具有2個以上的氮作為構(gòu)成環(huán)的雜原子的脂肪族雜環(huán)化合物A、以及以具有氨基的取代基所取代的脂肪族雜環(huán)化合物B所選擇的一種以上。本發(fā)明的銅配線(1)的形成方法為對銅層未被覆抗蝕劑(2)的部分進行蝕刻，其中使用所述本發(fā)明的蝕刻液進行蝕刻。
【IPC分類】C23F1/18, H05K3/06
【公開號】CN104955985
【申請?zhí)枴緾N201380071577
【發(fā)明人】片山大輔, 逢坂育代
【申請人】Mec股份有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2013年12月6日
【公告號】WO2014171034A1