本發(fā)明涉及靶材的制造領(lǐng)域，特別涉及一種鑭系金屬催化劑。

背景技術(shù)：

在制作透明電路板的過(guò)程中，傳統(tǒng)的ITO以及金屬靶材所形成的電路阻值會(huì)比較高，一般采取的是間接處理的方案，即在濺射過(guò)程中通過(guò)加厚電路的鍍層來(lái)降低電阻，該方案不僅會(huì)增加生產(chǎn)成本，同時(shí)改善效率不高，難以滿足目前透明電路板對(duì)阻值的要求。

因此，亟需一種能直接地從電路鍍層的材料入手，有效地降低靶材的電阻，從而在透明電路板制作的過(guò)程中，在不增加電路鍍層的厚度的基礎(chǔ)上使用電路板能滿足低電阻的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種鑭系金屬催化劑，該催化劑有利于提高靶材的導(dǎo)電性能以及與濺射基質(zhì)的附著性能。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種鑭系金屬催化劑，組分以重量份計(jì)，包括3～20份的La、4～8份的Ce、1～6份的Yb、0～5份的Gd、0～3份的Lu、0～3份的Tb，將所有組分在真空狀態(tài)下熔煉為一體，即形成鑭系金屬催化劑。

優(yōu)選地，以重量份計(jì)，包括3～6份的La、4～8份的Ce、1～5份的Yb。

優(yōu)選地，以重量份計(jì)，包括5～20份的La、5～8份的Ce、1～3份的Yb、2～5份Gd、1～3份Lu。

優(yōu)選地，以重量份計(jì)，包括10～20份的La、5～8份的Ce、2～6份的Yb、2～5份的Gd、1～3份的Lu、1～3份的Tb。

本發(fā)明作用于靶材上，通過(guò)與靶材基質(zhì)進(jìn)行熔合，催化劑中鑭系金屬的原子進(jìn)入靶材基質(zhì)金屬的晶格內(nèi)引起較大的晶格畸變，產(chǎn)生畸變能，使系統(tǒng)能量增加，稀土原子只能向高能量的晶界富集，使系統(tǒng)保持最低的自由能，從而增加靶材的導(dǎo)電性能，降低靶材的電阻值，增強(qiáng)靶材的附著力，在ITO靶材或銅銀合金靶材中加入超過(guò)0.1WT％的鑭系金屬催化劑，靶材的導(dǎo)電性能可提高10-15％。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說(shuō)明。在此需要說(shuō)明的是，對(duì)于這些實(shí)施方式的說(shuō)明用于幫助理解本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定。此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

實(shí)施例1

本實(shí)施例按重量份，包括3g的La、8g的Ce、4g的Yb，將所有組分在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為一體，形成鑭系金屬催化劑。

實(shí)施例2

本實(shí)施例按重量份，包括6g的La、4g的Ce、5g的Yb，將所有組分在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為一體，形成鑭系金屬催化劑。

實(shí)施例3

本實(shí)施例按重量份，包括5g的La、5g的Ce、2g的Yb，將所有組分在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為一體，形成鑭系金屬催化劑。

實(shí)施例4

本實(shí)施例按重量份，包括5g的La、5g的Ce、2g的Yb、3g的Gd、1g的Lu，將所有組分在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為一體，形成鑭系金屬催化劑。

實(shí)施例5

本實(shí)施例按重量份，包括10g的La、6g的Ce、2g的Yb、5g的Gd、2g的Lu，將所有組分在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為一體，形成鑭系金屬催化劑。

實(shí)施例6

本實(shí)施例按重量份，包括20g的La、8g的Ce、3g的Yb、2g的Gd、3g的Lu，將所有組分在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為一體，形成鑭系金屬催化劑。

實(shí)施例7

本實(shí)施例按重量份，包括10g的La、8g的Ce、2g的Yb、2g的Gd、2g的Lu、1g的Tb，將所有組分在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為一體，形成鑭系金屬催化劑。

實(shí)施例8

本實(shí)施例按重量份，包括15g的La、5g的Ce、5g的Yb、5g的Gd、3g的Lu、2g的Tb，將所有組分在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為一體，形成鑭系金屬催化劑。

實(shí)施例9

本實(shí)施例按重量份，包括20g的La、6g的Ce、6g的Yb、4g的Gd、1g的Lu、3g的Tb，將所有組分在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為一體，形成鑭系金屬催化劑。

將上述實(shí)施例中形成的鑭系金屬催化劑，按重量百分比0.15％加入ITO靶材以及銅銀合金靶材，通過(guò)在真空狀態(tài)下于鎢坩堝中熔煉為靶材，最后測(cè)試其導(dǎo)電性能以及采用該靶材濺射于玻璃基板上的附著力，與同等情況下沒(méi)有添加鑭系金屬催化劑相比，靶材的導(dǎo)電性能可提高10～15％，而采用該靶材濺射于玻璃基板上，其附著力提高2～5％。

以上鑭系金屬催化劑作用于靶材的原理為：一方面，所有鑭系金屬+3價(jià)離子顏色均為透明，熔煉中以顆粒狀懸浮于熔體之中，形成結(jié)晶核基底，增加了小微軸晶的生成，從而細(xì)化晶粒；另一方面，鑭系金屬原子半徑大于靶材基質(zhì)金屬的原子半徑，進(jìn)入靶材基質(zhì)金屬相晶格內(nèi)引起較大的晶格畸變，產(chǎn)生畸變能，使系統(tǒng)能量增加，稀土原子只能向高能量的晶界富集，使系統(tǒng)保持最低的自由能。所以鑄態(tài)組織中鑭原子大部分沿晶界分布，而且阻滯單質(zhì)金屬晶粒的長(zhǎng)大，靶材基質(zhì)金屬的晶粒被細(xì)化。

本發(fā)明可作用的對(duì)象并不限于ITO靶材和銅銀合金靶材，只要滿足鑭系金屬原子半徑大于靶材基質(zhì)金屬的原子半徑以及添加比例上的限制，對(duì)靶材導(dǎo)電性能、濺射后對(duì)基質(zhì)的附著力均有明顯的提高。

以上對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作了詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于所描述的實(shí)施方式。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明原理和精神的情況下，對(duì)這些實(shí)施方式進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，仍落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。