1.一種制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述方法包括:
制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品;
在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍10nm厚的銀膜;
將所述OAB陣列模板樣品在500℃真空下退火1h,獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述在制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品之前,
將鋁片樣品在400℃氮氣氛圍下退火4h,然后在電化學(xué)條件下拋光。
3.如權(quán)利要求2所述制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述鋁片樣品純度為99.999%。
4.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品包括:
利用二次氧化的方法制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品。
5.如權(quán)利要求4所述制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述利用二次氧化的方法制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品,包括:
一次氧化是將鋁片樣品在0.3wt.%H2SO4,溫度為0.6℃,24V的電化學(xué)條件下,氧化24h后,然后將鋁片樣品轉(zhuǎn)移至1.8wt.%鉻酸和6wt.%H3PO4、溫度為43℃的混合溶液中去除上述所獲得的氧化層;
二次氧化是在與所述一次氧化相同的條件,即0.3wt.%H2SO4,溫度為0.6℃,24V的電化學(xué)條件下,繼續(xù)氧化180s,然后將鋁片轉(zhuǎn)移至1.8wt.%鉻酸和6wt.%H3PO4、溫度為43℃的混合溶液中去除氧化層,即得到所述OAB陣列模板樣品。
6.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍10nm厚的銀膜,包括:
利用熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)的熱蒸鍍腔,在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍一層預(yù)置厚度的銀薄膜。
7.如權(quán)利要求6所述制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述熱蒸鍍腔內(nèi)壓強抽至2.5×10-4pa以得到真空度,熱蒸鍍的速率為所述OAB陣列模板樣品所在的樣品托盤轉(zhuǎn)動速度為20r/min。
8.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述將所述OAB陣列模板樣品在500℃真空下退火1h,獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu),包括:
將所述OAB陣列模板樣品轉(zhuǎn)移至管式爐中,在所述管式爐中的500℃真空下退火1h,獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述將所述OAB陣列模板樣品轉(zhuǎn)移至管式爐中,在所述管式爐中的500℃真空下退火1h之前,
將所述管式爐壓強抽至2.5×10-3pa以得到真空度,然后再升溫到500℃。
10.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法,其特征在于,所述有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)的密度大于1010cm-1。