本發(fā)明涉及納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種制備有序銀納米球陣列的方法。

背景技術(shù)：

拉曼散射光譜由于其對(duì)分子和化學(xué)鍵振動(dòng)峰的特異性，成為一個(gè)功能強(qiáng)大的分子檢測(cè)技術(shù)。表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS，Surface Enhanced Raman Scattering)因其具有靈敏度高，快速檢測(cè)，可以獲得常規(guī)拉曼光譜所不易得到的結(jié)構(gòu)信息，被廣泛應(yīng)用于表面研究、生物表面科學(xué)，食品安全等領(lǐng)域。SERS效應(yīng)主要存在于金屬納米結(jié)構(gòu)間的間隙，即“熱點(diǎn)”(hot spot)，由于金屬表面等離子共振效應(yīng)，“熱點(diǎn)”附近的電磁場(chǎng)得到極大的增強(qiáng)。最近的研究表明“熱點(diǎn)”對(duì)SERS信號(hào)有很大的增強(qiáng)，對(duì)待檢測(cè)物質(zhì)有很高的靈敏度，甚至可以實(shí)現(xiàn)單分子檢測(cè)。

由于貴金屬納米結(jié)構(gòu)在光電，傳感器和催化應(yīng)用等領(lǐng)域具有獨(dú)特的性質(zhì)，因此被廣泛研究。尤其，被排成有序的周期性陣列，它們的一些性能將大幅度提高。例如，通過(guò)自下而上的方法，貴金屬納米粒子自組裝可以形成熱點(diǎn)。熱點(diǎn)的隨機(jī)分布通常會(huì)導(dǎo)致SERS信號(hào)不均勻。有序的周期性貴金屬陣列(如金，銀，鉑)賦予了基底具有很好的SERS均勻性。為了獲得具有良好的重現(xiàn)性和高靈敏度的SERS基底，制備小尺寸(＜100nm)，高密度有序的熱點(diǎn)陣列是關(guān)鍵。

目前，材料學(xué)家們投入了大量的時(shí)間精力去制備有序周期性納米陣列。如利用電子束光刻(EBL)，聚焦離子束刻蝕(FIB)和納米壓印等技術(shù)精確控制納米圖案。然而，專業(yè)化的刻蝕設(shè)備非常昂貴，并且制備過(guò)程復(fù)雜，時(shí)間周期長(zhǎng)。為了克服這些限制，科學(xué)家們開(kāi)發(fā)了一些納米技術(shù)來(lái)代替這些昂貴的刻蝕設(shè)備，如相轉(zhuǎn)移刻蝕，納米球刻蝕和非刻蝕性自組裝納米模板等。在這些非刻蝕技術(shù)當(dāng)中，利用聚苯乙烯(PS)小球，噴墨打印和陽(yáng)極氧化鋁(AAO)模板能夠精確控制的樣品表面形貌，而且工藝簡(jiǎn)單，成本低。S.Yang等人利用PS小球作為模板，結(jié)合退潤(rùn)濕的技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了有序的金屬(金，銀，銅，鈷，鎳)納米球陣列的制備。此外，他們開(kāi)發(fā)出一種更為簡(jiǎn)單的方法，利用噴墨打印直接把金納米顆粒陣列寫在基底上，成功實(shí)現(xiàn)了有序金納米顆粒陣列的制備。但是，通過(guò)噴墨打印或PS小球技術(shù)，制備間隙在100納米以內(nèi)的有序貴金屬納米結(jié)構(gòu)陣列仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。為了實(shí)現(xiàn)間隙在100nm的以內(nèi)有序貴金屬納米結(jié)構(gòu)陣列的制備，Y.Lei等人利用超薄AAO模板實(shí)現(xiàn)了有序的銀納米顆粒陣列的制備，間距可調(diào)，最小間距可以控制在10nm以下。然而，AAO模板必須轉(zhuǎn)移到其它基底，因此很難實(shí)現(xiàn)大面積制備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種制備有序銀納米球陣列的方法，以實(shí)現(xiàn)大面積制備間隙在100納米以內(nèi)的有序貴金屬納米結(jié)構(gòu)陣列。

為了達(dá)到上述技術(shù)目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種制備有序銀納米球陣列的方法，所述方法包括：

制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品；

在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍10nm厚的銀膜；

將所述OAB陣列模板樣品在500℃真空下退火1h，獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)。

上述技術(shù)方案具有如下有益效果：(1)所制備的銀納米球陣列高度有序。(2)尺寸分布小而且結(jié)構(gòu)可調(diào)。(3)無(wú)需將OAB模板轉(zhuǎn)移到其他基底，因此可大面積制備有序的Ag納米球陣列。(4)所述有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)具有超高密度(＞10¹⁰cm^-1)。(5)制備工藝簡(jiǎn)單。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一種制備有序銀納米球陣列的方法流程示意圖；

圖2為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例一種基于退潤(rùn)濕技術(shù)制備超高密度有序銀納米球陣列的制備流程示意圖；

圖3為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例OAB模板的SEM(Scanning Electron Microscope，掃描電子顯微鏡)表面圖，放大倍數(shù)為10萬(wàn)倍；

圖4為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例通過(guò)熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)在OAB模板上鍍一層10nm的Ag后得到的陣列結(jié)構(gòu)的SEM圖，放大倍數(shù)為10萬(wàn)倍；

圖5為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例通過(guò)500℃真空退火后得到的陣列結(jié)構(gòu)的SEM表面圖，放大倍數(shù)為10萬(wàn)倍；

圖6為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例超高密度有序銀納米球陣列基底的TEM(Transmission electron microscope，透射電子顯微鏡)圖，a為截面圖，b為頂視圖；

圖7為本發(fā)明應(yīng)用超高密度有序銀納米球的尺寸統(tǒng)計(jì)圖，總共統(tǒng)計(jì)了224個(gè)球。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

利用退潤(rùn)濕技術(shù)可以直接在有序的模板上形成大面積、高密度有序的金屬納米粒子。納米粒子的尺寸、密度決于金屬薄膜的厚度模板的納米結(jié)構(gòu)，這種簡(jiǎn)單的方法為低成本、大面積制備超高密度有序的金屬納米球陣列提供了可能。目前，利用PS小球作為模板，結(jié)合dewetting(退潤(rùn)濕)的技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了有序的金屬(金，銀，銅，鈷，鎳)納米球陣列的制備。

但是制備間隙在100納米以內(nèi)的有序貴金屬納米結(jié)構(gòu)陣列仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。為了實(shí)現(xiàn)間隙在100nm的以內(nèi)有序貴金屬納米結(jié)構(gòu)陣列的制備。Y.Lei等人利用超薄AAO模板實(shí)現(xiàn)了有序的銀納米顆粒陣列的制備，間距可調(diào)，最小間距可以控制在10nm以下。然而，AAO模板必須轉(zhuǎn)移到其它基底，因此很難實(shí)現(xiàn)大面積制備。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種基于退潤(rùn)濕技術(shù)，制備一種超高密度有序銀納米球陣列，該方法制備有序銀納米球陣列具有超高密度，有序度高，尺寸分布小，制備工藝簡(jiǎn)單，可大面積制備等優(yōu)點(diǎn)。

如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例一種制備有序銀納米球陣列的方法流程示意圖，所述方法包括：

101、制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品；

102、在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍10nm厚的銀膜；

103、將所述OAB陣列模板樣品在500℃真空下退火1h，獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述在制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品之前，將鋁片樣品在400℃氮?dú)夥諊峦嘶?h，然后在電化學(xué)條件下拋光。

優(yōu)選地，所述鋁片樣品純度為99.999％。

優(yōu)選地，所述制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品包括：利用二次氧化的方法制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品。

優(yōu)選地，所述利用二次氧化的方法制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品，包括：一次氧化是將鋁片樣品在0.3wt.％H₂SO₄，溫度為0.6℃，24V的電化學(xué)條件下，氧化24h后，然后將鋁片樣品轉(zhuǎn)移至1.8wt.％鉻酸和6wt.％H₃PO₄、溫度為43℃的混合溶液中去除上述所獲得的氧化層；二次氧化是在與所述一次氧化相同的條件，即0.3wt.％H₂SO₄，溫度為0.6℃，24V的電化學(xué)條件下，繼續(xù)氧化180s，然后將鋁片轉(zhuǎn)移至1.8wt.％鉻酸和6wt.％H₃PO₄、溫度為43℃的混合溶液中去除氧化層，即得到所述OAB陣列模板樣品。

優(yōu)選地，所述在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍10nm厚的銀膜，包括：利用熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)的熱蒸鍍腔，在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍一層預(yù)置厚度的銀薄膜。

優(yōu)選地，所述熱蒸鍍腔內(nèi)壓強(qiáng)抽至2.5×10^-4pa以得到真空度，熱蒸鍍的速率為所述OAB陣列模板樣品所在的樣品托盤轉(zhuǎn)動(dòng)速度為20r/min。

優(yōu)選地，所述將所述OAB陣列模板樣品在500℃真空下退火1h，獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)，包括：將所述OAB陣列模板樣品轉(zhuǎn)移至管式爐中，在所述管式爐中的500℃真空下退火1h，獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述將所述OAB陣列模板樣品轉(zhuǎn)移至管式爐中，在所述管式爐中的500℃真空下退火1h之前，將所述管式爐壓強(qiáng)抽至2.5×10^-3Pa以得到真空度，然后再升溫到500℃。

優(yōu)選地，所述有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)的密度大于10¹⁰cm^-1。

上述技術(shù)方案具有如下有益效果：(1)所制備的銀納米球陣列高度有序。(2)尺寸分布小而且結(jié)構(gòu)可調(diào)。(3)無(wú)需將OAB模板轉(zhuǎn)移到其他基底，因此可大面積制備有序的Ag納米球陣列。(4)所述有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)具有超高密度(＞10¹⁰cm^-1)。(5)制備工藝簡(jiǎn)單。

以下結(jié)合應(yīng)用實(shí)例對(duì)本發(fā)明上述實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明：

應(yīng)用實(shí)例一：

如圖2所示，為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例一種基于退潤(rùn)濕技術(shù)制備超高密度有序銀納米球陣列的制備流程示意圖，其中(1)表示OAB模板；(2)表示在OAB模板上熱蒸鍍一層10nmAg；(3)表示在管式爐中退火之后的形貌，即超高密度有序的銀納米球陣列結(jié)構(gòu)的形貌；

下面對(duì)本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例的技術(shù)方案作進(jìn)一步的說(shuō)明。

OAB模板的制備：所述將鋁片樣品用二次氧化的方法制備AAO模板樣品，所述的鋁片樣品純度為99.999％，所述二次氧化的方法還包括：一次氧化是將鋁片樣品在0.3wt.％H₂SO₄，溫度為0.6℃，24V的電化學(xué)條件下氧化24h后，然后將鋁片樣品轉(zhuǎn)移至1.8wt.％鉻酸和6wt.％H₃PO₄、溫度為43℃的混合溶液中去除上述所獲得的氧化層；二次氧化是在與一次氧化相同的條件，即0.3wt.％H₂SO₄，溫度為0.6℃，24V下，繼續(xù)氧化180s，然后將鋁片樣品轉(zhuǎn)移至1.8wt.％鉻酸和6wt.％H₃PO₄、溫度為43℃的混合溶液中去除氧化層即得到如圖3所示，為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例OAB模板的SEM表面圖，放大倍數(shù)為10萬(wàn)倍。

后處理：按照丙酮、乙醇、去離子水的步驟超聲清洗制備好的OAB模板，超聲功率為180W，超聲清洗時(shí)間分別為10min，確保OAB模板表面無(wú)其它雜質(zhì)。

熱蒸鍍金屬薄膜：將清洗干凈的樣品放入熱蒸鍍?cè)O(shè)備中，OAB模板較軟，轉(zhuǎn)移到熱蒸發(fā)系統(tǒng)時(shí)務(wù)必小心，一旦樣品發(fā)生形變導(dǎo)致樣品不平，會(huì)直接影響到膜的均勻性。當(dāng)熱蒸鍍腔體真空抽至2.5×10^-4pa后，緩慢加大電流至舟中銀融化成液體。此時(shí)調(diào)節(jié)電流至蒸鍍速率穩(wěn)定在然后調(diào)節(jié)樣品托盤轉(zhuǎn)速20r/min后打開(kāi)樣品擋板。熱蒸鍍銀膜厚度為10nm，通常，較慢的速率，膜的均勻性較好，膜的均勻性的好壞會(huì)直接影響到納米球的尺寸的均勻性。通過(guò)SEM表征(如圖4所示，為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例通過(guò)熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)在OAB模板上鍍一層10nm的Ag后得到的陣列結(jié)構(gòu)的SEM圖，放大倍數(shù)為10萬(wàn)倍)，可以發(fā)現(xiàn)10nmAg膜沉積在OAB模板上，大顆粒分布在碗的底部，小顆粒均勻的分布在大顆粒的周邊。

超高密度有序銀納米球陣列基底制備：由于納米級(jí)別的Ag容易氧化，所以鍍完Ag膜之后應(yīng)立即將樣品轉(zhuǎn)移至管式爐中，當(dāng)管式爐真空抽至2.5×10^-3pa后，30分鐘內(nèi)將腔體加熱至500℃，然后保溫1h，在這過(guò)程中，根據(jù)奧斯瓦爾德熟化機(jī)理，之前沉積的大顆粒會(huì)慢慢的吞噬掉周邊的小顆粒，形成更大的顆粒，由于OAB模板的限制，大顆粒吞噬小顆粒的數(shù)量是有限的，大顆粒吞噬完周邊的小顆粒之后無(wú)法再繼續(xù)長(zhǎng)大，最終每個(gè)碗里都有一個(gè)很大的球，即得到超高密度有序的銀納米球陣列結(jié)構(gòu)。如圖5所示，為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例通過(guò)500℃真空退火后得到的陣列結(jié)構(gòu)的SEM表面圖，放大倍數(shù)為10萬(wàn)倍。通過(guò)TEM表征(如圖6所示，為本發(fā)明應(yīng)用實(shí)例超高密度有序銀納米球陣列基底的TEM圖，a為截面圖，b為頂視圖)，可以證明，Ag球分布在碗的底部，通常對(duì)于10nm的Ag膜，200℃以上，Ag膜就會(huì)自發(fā)團(tuán)聚，溫度越高所需要的保溫時(shí)間越短，由于基底是鋁，最高溫度不能超過(guò)他的熔點(diǎn)，否則OAB模板的有序性被破環(huán)，最終很難形成有序的Ag球。如圖7所示，為本發(fā)明應(yīng)用超高密度有序銀納米球的尺寸統(tǒng)計(jì)圖，總共統(tǒng)計(jì)了224個(gè)球。

上述技術(shù)方案使制備的有序的銀納米球陣列具有極高的密度，無(wú)需轉(zhuǎn)移到其它基底便可大面積制備，制備工藝簡(jiǎn)單，重復(fù)性好。

應(yīng)該明白，公開(kāi)的過(guò)程中的步驟的特定順序或?qū)哟问鞘纠苑椒ǖ膶?shí)例。基于設(shè)計(jì)偏好，應(yīng)該理解，過(guò)程中的步驟的特定順序或?qū)哟慰梢栽诓幻撾x本公開(kāi)的保護(hù)范圍的情況下得到重新安排。所附的方法權(quán)利要求以示例性的順序給出了各種步驟的要素，并且不是要限于所述的特定順序或?qū)哟巍?/p>

在上述的詳細(xì)描述中，各種特征一起組合在單個(gè)的實(shí)施方案中，以簡(jiǎn)化本公開(kāi)。不應(yīng)該將這種公開(kāi)方法解釋為反映了這樣的意圖，即，所要求保護(hù)的主題的實(shí)施方案需要比清楚地在每個(gè)權(quán)利要求中所陳述的特征更多的特征。相反，如所附的權(quán)利要求書所反映的那樣，本發(fā)明處于比所公開(kāi)的單個(gè)實(shí)施方案的全部特征少的狀態(tài)。因此，所附的權(quán)利要求書特此清楚地被并入詳細(xì)描述中，其中每項(xiàng)權(quán)利要求獨(dú)自作為本發(fā)明單獨(dú)的優(yōu)選實(shí)施方案。

為使本領(lǐng)域內(nèi)的任何技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或者使用本發(fā)明，上面對(duì)所公開(kāi)實(shí)施例進(jìn)行了描述。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)；這些實(shí)施例的各種修改方式都是顯而易見(jiàn)的，并且本文定義的一般原理也可以在不脫離本公開(kāi)的精神和保護(hù)范圍的基礎(chǔ)上適用于其它實(shí)施例。因此，本公開(kāi)并不限于本文給出的實(shí)施例，而是與本申請(qǐng)公開(kāi)的原理和新穎性特征的最廣范圍相一致。

上文的描述包括一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的舉例。當(dāng)然，為了描述上述實(shí)施例而描述部件或方法的所有可能的結(jié)合是不可能的，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，各個(gè)實(shí)施例可以做進(jìn)一步的組合和排列。因此，本文中描述的實(shí)施例旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求書的保護(hù)范圍內(nèi)的所有這樣的改變、修改和變型。此外，就說(shuō)明書或權(quán)利要求書中使用的術(shù)語(yǔ)“包含”，該詞的涵蓋方式類似于術(shù)語(yǔ)“包括”，就如同“包括，”在權(quán)利要求中用作銜接詞所解釋的那樣。此外，使用在權(quán)利要求書的說(shuō)明書中的任何一個(gè)術(shù)語(yǔ)“或者”是要表示“非排它性的或者”。

本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以了解到本發(fā)明實(shí)施例列出的各種說(shuō)明性邏輯塊(illustrative logical block)，單元，和步驟可以通過(guò)電子硬件、電腦軟件，或兩者的結(jié)合進(jìn)行實(shí)現(xiàn)。為清楚展示硬件和軟件的可替換性(interchangeability)，上述的各種說(shuō)明性部件(illustrative components)，單元和步驟已經(jīng)通用地描述了它們的功能。這樣的功能是通過(guò)硬件還是軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)取決于特定的應(yīng)用和整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)于每種特定的應(yīng)用，可以使用各種方法實(shí)現(xiàn)所述的功能，但這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)被理解為超出本發(fā)明實(shí)施例保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例中所描述的各種說(shuō)明性的邏輯塊，或單元都可以通過(guò)通用處理器，數(shù)字信號(hào)處理器，專用集成電路(ASIC)，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列或其它可編程邏輯裝置，離散門或晶體管邏輯，離散硬件部件，或上述任何組合的設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)或操作所描述的功能。通用處理器可以為微處理器，可選地，該通用處理器也可以為任何傳統(tǒng)的處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器也可以通過(guò)計(jì)算裝置的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如數(shù)字信號(hào)處理器和微處理器，多個(gè)微處理器，一個(gè)或多個(gè)微處理器聯(lián)合一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器核，或任何其它類似的配置來(lái)實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明實(shí)施例中所描述的方法或算法的步驟可以直接嵌入硬件、處理器執(zhí)行的軟件模塊、或者這兩者的結(jié)合。軟件模塊可以存儲(chǔ)于RAM存儲(chǔ)器、閃存、ROM存儲(chǔ)器、EPROM存儲(chǔ)器、EEPROM存儲(chǔ)器、寄存器、硬盤、可移動(dòng)磁盤、CD-ROM或本領(lǐng)域中其它任意形式的存儲(chǔ)媒介中。示例性地，存儲(chǔ)媒介可以與處理器連接，以使得處理器可以從存儲(chǔ)媒介中讀取信息，并可以向存儲(chǔ)媒介存寫信息?？蛇x地，存儲(chǔ)媒介還可以集成到處理器中。處理器和存儲(chǔ)媒介可以設(shè)置于ASIC中，ASIC可以設(shè)置于用戶終端中?？蛇x地，處理器和存儲(chǔ)媒介也可以設(shè)置于用戶終端中的不同的部件中。

在一個(gè)或多個(gè)示例性的設(shè)計(jì)中，本發(fā)明實(shí)施例所描述的上述功能可以在硬件、軟件、固件或這三者的任意組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。如果在軟件中實(shí)現(xiàn)，這些功能可以存儲(chǔ)與電腦可讀的媒介上，或以一個(gè)或多個(gè)指令或代碼形式傳輸于電腦可讀的媒介上。電腦可讀媒介包括電腦存儲(chǔ)媒介和便于使得讓電腦程序從一個(gè)地方轉(zhuǎn)移到其它地方的通信媒介。存儲(chǔ)媒介可以是任何通用或特殊電腦可以接入訪問(wèn)的可用媒體。例如，這樣的電腦可讀媒體可以包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲(chǔ)、磁盤存儲(chǔ)或其它磁性存儲(chǔ)裝置，或其它任何可以用于承載或存儲(chǔ)以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和其它可被通用或特殊電腦、或通用或特殊處理器讀取形式的程序代碼的媒介。此外，任何連接都可以被適當(dāng)?shù)囟x為電腦可讀媒介，例如，如果軟件是從一個(gè)網(wǎng)站站點(diǎn)、服務(wù)器或其它遠(yuǎn)程資源通過(guò)一個(gè)同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、數(shù)字用戶線(DSL)或以例如紅外、無(wú)線和微波等無(wú)線方式傳輸?shù)囊脖话谒x的電腦可讀媒介中。所述的碟片(disk)和磁盤(disc)包括壓縮磁盤、鐳射盤、光盤、DVD、軟盤和藍(lán)光光盤，磁盤通常以磁性復(fù)制數(shù)據(jù)，而碟片通常以激光進(jìn)行光學(xué)復(fù)制數(shù)據(jù)。上述的組合也可以包含在電腦可讀媒介中。

以上所述的具體實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。