本發(fā)明涉及集成電路，特別涉及一種掩膜版及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、光掩膜的工藝制程與現(xiàn)行芯片的生產(chǎn)流程類似，需經(jīng)過光刻與刻蝕等工藝程序，因此會(huì)面臨負(fù)載效應(yīng)進(jìn)而影響光掩膜線徑尺寸均勻度的分布。芯片工藝通常會(huì)加入所謂的虛擬圖案(filled?pattern)改善光刻圖案的分布密度(pattern?density?distribution)進(jìn)而降低負(fù)載效應(yīng)(loading?effect)的影響，提高線徑尺寸均勻度。但是現(xiàn)有技術(shù)中的虛擬圖案都是針對(duì)芯片，能夠在芯片上曝光出圖案。且現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法準(zhǔn)確針對(duì)需要改善的區(qū)域加入虛擬圖案，因此，線徑尺寸均勻度還需要進(jìn)一步提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜版及其形成方法，以提高線徑尺寸均勻度的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種掩膜版的形成方法，包括：

3、提供一掩膜版，所述掩膜版包括多個(gè)區(qū)域，每個(gè)所述區(qū)域內(nèi)設(shè)置有初始光刻opc圖案；

4、定義所述掩膜版上多個(gè)所述區(qū)域中的待改善區(qū)域；

5、在所述待改善區(qū)域內(nèi)加入亞分辨率填充圖案，所述亞分辨率填充圖案位于所述初始光刻opc圖案兩側(cè)，以形成新的掩膜版圖案，其中，所述亞分辨率填充圖案用于增加所述待改善區(qū)域的光刻opc圖案密度。

6、可選的，定義所述掩膜版上的待改善區(qū)域的方法包括：

7、以所述初始光刻opc圖案的圖案密度的腳本計(jì)算所述掩膜版上的每個(gè)區(qū)域內(nèi)的所述初始光刻opc圖案的圖案密度并獲取整體圖案密度平均值；

8、將每個(gè)區(qū)域的初始光刻opc圖案的圖案密度與整體圖案密度平均值進(jìn)行比較，低于整體圖案密度平均值的區(qū)域定義為所述待改善區(qū)域。

9、可選的，每個(gè)區(qū)域內(nèi)的初始光刻opc圖案包括光刻主圖案和次亞分辨率輔助條，所述次亞分辨率輔助條位于所述光刻主圖案兩側(cè)，所述次亞分辨率輔助條用于改善光刻工藝視窗。

10、可選的，在制作掩膜版之前，先設(shè)計(jì)掩膜版圖案，設(shè)計(jì)掩膜版圖案中包括對(duì)掩模板圖案進(jìn)行opc建模；opc建模中，所述亞分辨率填充圖案的線條寬度大于所述次亞分辨率輔助條的線條寬度一級(jí)，且所述亞分辨率填充圖案的線條間距小于所述次亞分辨率輔助條的線條間距。

11、可選的，所述光刻主圖案為長(zhǎng)條狀圖案時(shí)，所述亞分辨率填充圖案與所述光刻主圖案平行，若曝光光源具備方向性時(shí)，則所述亞分辨率填充圖案的水平方向或垂直方向圖案以不成像為原則。

12、可選的，所述光刻主圖案為孔洞圖案時(shí)，所述亞分辨率填充圖案為二維圖案。

13、可選的，所述亞分辨率填充圖案與所述光刻主圖案的距離大于1微米。

14、可選的，所述亞分辨率填充圖案與所述光刻主圖案的距離小于1微米，需于opc建模時(shí)所述亞分辨率填充圖案與所述光刻主圖案同時(shí)導(dǎo)入opc模型。

15、可選的，增加每個(gè)區(qū)域的圖案密度的方法包括：增加所述亞分辨率填充圖案的寬度、減少所述亞分辨率填充圖案的間距和/或增加所述亞分辨率填充圖案的數(shù)量。

16、基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種掩膜版，采用上述任一項(xiàng)所述的掩膜版的形成方法制作而成，所述掩膜版包括多個(gè)區(qū)域，每個(gè)所述區(qū)域包括初始光刻opc圖案，部分所述區(qū)域?yàn)榇纳茀^(qū)域，在所述待改善區(qū)域內(nèi)包括亞分辨率填充圖案，所述亞分辨率填充圖案位于所述初始光刻opc圖案兩側(cè)，所述亞分辨率填充圖案用于增加所述待改善區(qū)域的光刻opc圖案密度。

17、在本發(fā)明提供的一種掩膜版及形成方法中，通過定義掩膜版上多個(gè)區(qū)域中的待改善區(qū)域；在待改善區(qū)域內(nèi)加入亞分辨率填充圖案，亞分辨率填充圖案位于初始光刻opc圖案兩側(cè)，亞分辨率填充圖案用于增加待改善區(qū)域的光刻圖案密度；以形成新的掩膜版圖案。本發(fā)明先定義掩膜版上的待改善區(qū)域，以準(zhǔn)確改善需要增加光刻圖案密度的區(qū)域。以及亞分辨率填充圖案是虛擬圖案，不可以在芯片上曝光出圖案，主要是改善掩膜版的制作進(jìn)而改善芯片上的線寬的均勻度，也即解決了掩膜版上各區(qū)域的光刻圖案密度不均勻的問題。

技術(shù)特征：

1.一種掩膜版的形成方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版的形成方法，其特征在于，定義所述掩膜版上的待改善區(qū)域的方法包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版的形成方法，其特征在于，每個(gè)區(qū)域內(nèi)的初始光刻opc圖案包括光刻主圖案和次亞分辨率輔助條，所述次亞分辨率輔助條位于所述光刻主圖案兩側(cè)，所述次亞分辨率輔助條用于改善光刻工藝視窗。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜版的形成方法，其特征在于，在制作掩膜版之前，先設(shè)計(jì)掩膜版圖案，設(shè)計(jì)掩膜版圖案中包括對(duì)掩模板圖案進(jìn)行opc建模；opc建模中，所述亞分辨率填充圖案的線條寬度大于所述次亞分辨率輔助條的線條寬度一級(jí)，且所述亞分辨率填充圖案的線條間距小于所述次亞分辨率輔助條的線條間距。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版的形成方法，其特征在于，所述光刻主圖案為長(zhǎng)條狀圖案時(shí)，所述亞分辨率填充圖案為一維圖案，所述亞分辨率填充圖案與所述光刻主圖案平行，若曝光光源具備方向性時(shí)，則所述亞分辨率填充圖案的水平方向或垂直方向圖案以不成像為原則。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版的形成方法，其特征在于，所述光刻主圖案為孔洞圖案時(shí)，所述亞分辨率填充圖案為二維圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版的形成方法，其特征在于，所述亞分辨率填充圖案與所述光刻主圖案的距離大于1微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版的形成方法，其特征在于，所述亞分辨率填充圖案與所述光刻主圖案的距離小于1微米，需于opc建模時(shí)所述亞分辨率填充圖案與所述光刻主圖案同時(shí)導(dǎo)入opc模型。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版的形成方法，其特征在于，增加每個(gè)區(qū)域的圖案密度的方法包括：增加所述亞分辨率填充圖案的寬度、減少所述亞分辨率填充圖案的間距和/或增加所述亞分辨率填充圖案的數(shù)量。

10.一種掩膜版，其特征在于，采用權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的掩膜版的形成方法制作而成，所述掩膜版包括多個(gè)區(qū)域，每個(gè)所述區(qū)域包括初始o(jì)pc光刻圖案，部分所述區(qū)域?yàn)榇纳茀^(qū)域，在所述待改善區(qū)域內(nèi)包括亞分辨率填充圖案，所述亞分辨率填充圖案位于所述初始光刻opc圖案兩側(cè)，所述亞分辨率填充圖案用于增加所述待改善區(qū)域的光刻opc圖案密度。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種掩膜版及形成方法，通過定義掩膜版上多個(gè)區(qū)域中的待改善區(qū)域；在待改善區(qū)域內(nèi)加入亞分辨率填充圖案，亞分辨率填充圖案位于初始光刻OPC圖案兩側(cè)，以形成新的掩膜版圖案，亞分辨率填充圖案用于增加待改善區(qū)域的光刻圖案密度。本發(fā)明先定義掩膜版上的待改善區(qū)域，以準(zhǔn)確改善需要增加光刻圖案密度的區(qū)域。以及亞分辨率填充圖案是虛擬圖案，不可以在芯片上曝光出圖案，本發(fā)明提高了每個(gè)區(qū)域的光刻OPC圖案的圖案密度的均勻度，優(yōu)化光掩膜上的工藝制作進(jìn)而提升光刻OPC圖案的線寬的精準(zhǔn)度，也即解決了掩膜版上各區(qū)域的光刻OPC圖案密度不均勻的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：敖振宇,陳詠翔,曾鼎程,范富杰,胡展源
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶芯聯(lián)微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6