本技術(shù)涉及通信領(lǐng)域，特別涉及一種具有損耗型波導(dǎo)的光信號轉(zhuǎn)接組件、連接芯、連接結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)、光信號轉(zhuǎn)接系統(tǒng)和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、隨著大數(shù)據(jù)時代的到來，光信號轉(zhuǎn)接系統(tǒng)作為大數(shù)據(jù)傳輸?shù)闹匾侄蔚玫綇V泛應(yīng)用。其中，光信號轉(zhuǎn)接系統(tǒng)通過光信號轉(zhuǎn)接組件實現(xiàn)兩個光纖之間的信號傳輸。除此之外，光信號轉(zhuǎn)接系統(tǒng)中的電子產(chǎn)品會產(chǎn)生電磁噪聲(electromagnetic?noise，emn)，電磁噪聲是指由電路元件的熱激振動或其他因素引起的電信號上的隨機變化，是一種能夠干擾或者中斷電子設(shè)備正常運行的電磁波。電磁噪聲會對周圍其他電子產(chǎn)品產(chǎn)生干擾。為了保證電子系統(tǒng)中各電子產(chǎn)品的性能，電子產(chǎn)品需要通過電磁兼容性(electromagneticcompatibility，emc)認證等相關(guān)測試的電子產(chǎn)品才能上市。電磁兼容性是指在電子設(shè)備在不同工作條件下的無干擾和相互兼容的能力。

2、隨著通信技術(shù)的發(fā)展，電子產(chǎn)品中芯片的工作速率不斷增加，使得電子產(chǎn)品emc認證的電磁輻射測試頻段從30mhz～1ghz擴大到30mhz～6ghz，其中，美國fcc標準(federalcommunications?commission)更是要求電子產(chǎn)品認證的電磁輻射測試頻段擴大到30mhz～40ghz。電子產(chǎn)品中電磁輻射源產(chǎn)生的電磁波通過空間傳播，直接從光信號轉(zhuǎn)接組件泄露，致使產(chǎn)品不滿足市場準入認證要求。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)實施例提供一種具有損耗型波導(dǎo)的光信號轉(zhuǎn)接組件、連接芯、連接結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)和光信號轉(zhuǎn)接系統(tǒng)。其中，光信號轉(zhuǎn)接組件包括連接芯、轉(zhuǎn)接器、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。其中，連接芯為塑料材質(zhì)，轉(zhuǎn)接器的塑料基料中摻雜導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍?。轉(zhuǎn)接器上開設(shè)有插槽，連接芯插接于插槽內(nèi)，第一導(dǎo)電層位于連接芯和轉(zhuǎn)接器之間，并環(huán)設(shè)于連接芯四周，第二導(dǎo)電層環(huán)設(shè)于轉(zhuǎn)接器四周。第二導(dǎo)電層、轉(zhuǎn)接器、第一導(dǎo)電層和連接器形成“回”字形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，并且“回”字形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)為填充有導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍系乃芰喜馁|(zhì)。上述光信號轉(zhuǎn)接組件中的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，能夠改變電磁波的傳輸路徑，讓電磁波的傳輸路徑盡可能多的落入轉(zhuǎn)接器所在的區(qū)域，提高轉(zhuǎn)接器對電磁波的損耗。基于此，能夠提高對電磁波的損耗，提升屏蔽效果。

2、本技術(shù)的第一方面提供一種光信號轉(zhuǎn)接組件，該光信號轉(zhuǎn)接組件用于將第一光學(xué)模塊對接至第二光學(xué)模塊，以實現(xiàn)光信號從第一光學(xué)模塊向第二光學(xué)模塊的傳輸。其中，該光信號轉(zhuǎn)接組件包括連接芯、第一導(dǎo)電層、轉(zhuǎn)接器和第二導(dǎo)電層。連接芯用于與光學(xué)模塊相接。第一導(dǎo)電層繞著傳輸軸線圍設(shè)于連接芯四周，其中，傳輸軸線與光信號的傳輸方向平行。轉(zhuǎn)接器的材質(zhì)包括導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍?，并且轉(zhuǎn)接器繞著傳輸軸線圍設(shè)于第一導(dǎo)電層四周。第二導(dǎo)電層繞著傳輸軸線圍設(shè)于轉(zhuǎn)接器四周。

3、其中，光學(xué)模塊包括但不限于光纖和光模塊。連接芯可以是連接器中的插芯，還可以是與光模塊適配的光器件，本技術(shù)對此不作具體限定。傳輸軸線可以沿著連接芯插入轉(zhuǎn)接器的插接方向延伸。

4、即在本技術(shù)的實現(xiàn)方式中，沿著傳輸軸線，連接芯的外周向面上具有第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)體層的外周向面上具有轉(zhuǎn)接器，轉(zhuǎn)接器的外周向面上具有第二導(dǎo)電層?；诖耍谝粚?dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成沿著傳輸軸線延伸的“回”字型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。也即，“回”字形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括沿徑向由內(nèi)至外依次包括連接芯、第一導(dǎo)電層、轉(zhuǎn)接器以及第二導(dǎo)電層。其中，徑向垂直于傳輸軸線。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，能夠有效限制電磁波在光信號轉(zhuǎn)接組件的傳輸路徑。同時，由于轉(zhuǎn)接器的材質(zhì)包括導(dǎo)電材料和/或?qū)Т盘盍希虼恕盎亍弊中筒▽?dǎo)結(jié)構(gòu)中的兩層金屬壁之間為損耗型介質(zhì)，提高轉(zhuǎn)接器對電磁波的損耗?；诖耍鲜龉庑盘栟D(zhuǎn)接組件中的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)能夠提高對電磁波的損耗，提升屏蔽效果。

5、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，上述光信號轉(zhuǎn)接組件中，第一導(dǎo)電層成型于連接芯與轉(zhuǎn)接器彼此相對的兩個表面中的一個上。即在本技術(shù)的實現(xiàn)方式中，光信號轉(zhuǎn)接組件在裝配狀態(tài)下，第一導(dǎo)電層位于連接芯與轉(zhuǎn)接器之間，減少了本技術(shù)中光信號轉(zhuǎn)接組件中的部件的數(shù)量，降低光信號轉(zhuǎn)接組件的組裝或者裝配難度。本技術(shù)對第一導(dǎo)電層成型在連接芯或者轉(zhuǎn)接器上并不作具體限定。此外，本技術(shù)中的導(dǎo)電層成型方法下文將作詳細描述，在此將不作展開。

6、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，上述光信號轉(zhuǎn)接組件中，導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍系馁|(zhì)量摻雜比例范圍為0.5％～40％。其中，導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍系馁|(zhì)量摻雜比例是指，導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍系睦塾嬛亓空嫁D(zhuǎn)接器總質(zhì)量的比例。其中，轉(zhuǎn)接器總重量是指導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍弦约八芰匣系馁|(zhì)量之和。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，通過合理設(shè)計導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍系馁|(zhì)量摻雜比例，能夠有效提高對電磁波的損耗效果，進而能夠有效提高光信號轉(zhuǎn)接組件的屏蔽效果。

7、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，上述光信號轉(zhuǎn)接組件中，第一導(dǎo)電層為繞著傳輸軸線回轉(zhuǎn)的膜狀結(jié)構(gòu)。和/或者，第二導(dǎo)電層為繞著傳輸軸線回轉(zhuǎn)的膜狀結(jié)構(gòu)。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層為繞著傳輸軸線回轉(zhuǎn)的薄膜狀結(jié)構(gòu)，對現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的尺寸影響較小，便于擴大本技術(shù)技術(shù)方案所適用的范圍。例如，第一導(dǎo)電層的厚度范圍為1μm～500μm。和/或者，第二導(dǎo)電層的厚度范圍為1μm～500μm。

8、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，上述光信號轉(zhuǎn)接組件中，第一導(dǎo)電層包括第一子導(dǎo)電層和第二子導(dǎo)電層，并且第一子導(dǎo)電層和第二子導(dǎo)電層相配合，以繞著傳輸軸線圍設(shè)于連接芯四周。第一子導(dǎo)電層成型于連接芯朝向轉(zhuǎn)接器的表面，第二子導(dǎo)電層成型于轉(zhuǎn)接器朝向連接芯的表面。

9、即在本技術(shù)的實現(xiàn)方式中，第一導(dǎo)電層包括第一子導(dǎo)電層和第二子導(dǎo)電層兩部分。并且，第一子導(dǎo)電層設(shè)于連接芯朝向轉(zhuǎn)接器的表面上，第二子導(dǎo)電層設(shè)于轉(zhuǎn)接器朝向轉(zhuǎn)接器的表面上。本技術(shù)中，第一子導(dǎo)電層和第二子導(dǎo)電層綜合后能夠繞著傳輸軸線圍設(shè)于連接芯四周即可，對第一子導(dǎo)電層和第二子導(dǎo)電層的形態(tài)不作具體限定。上述光信號轉(zhuǎn)接組件中，第一導(dǎo)電層還可以是分別成型在連接芯和轉(zhuǎn)接器上的分體式結(jié)構(gòu)，擴展了第一導(dǎo)電層的實現(xiàn)方式，降低了第一導(dǎo)電層的設(shè)計難度和成型難度。

10、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，第二導(dǎo)電層成型于轉(zhuǎn)接器背向連接芯的表面。即在本技術(shù)的實現(xiàn)方式中，第二導(dǎo)電層成型于轉(zhuǎn)接器的外表面。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，一方面無需將第二導(dǎo)電層單獨設(shè)置為一個部件，減少了光信號轉(zhuǎn)接組件中的部件數(shù)量，降低了裝配難度，便于提高整體精度，另一方面，第二導(dǎo)電層成型于轉(zhuǎn)接器的外表面，成型難度降低，便于降低生成成本，提高光信號轉(zhuǎn)接組件的經(jīng)濟效益。

11、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，光信號轉(zhuǎn)接組件還包括導(dǎo)電殼體，連接芯、第一導(dǎo)電層和轉(zhuǎn)接器位于導(dǎo)電殼體內(nèi)，導(dǎo)電殼體作為第二導(dǎo)電層。例如，導(dǎo)電殼體的厚度大于1μm。即在本技術(shù)的實現(xiàn)方式中，第二導(dǎo)電層為單獨設(shè)置的一個部件，并且光信號轉(zhuǎn)接組件中的其他部件可以容置于該部件中。上述光信號轉(zhuǎn)接組件中設(shè)置有導(dǎo)電殼體，將導(dǎo)電殼體作為第二導(dǎo)電層，便于實現(xiàn)光信號轉(zhuǎn)接組件的密封設(shè)計，能夠提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

12、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，光信號轉(zhuǎn)接組件包括導(dǎo)電殼體，在轉(zhuǎn)接位置處，連接芯、第一導(dǎo)電層、轉(zhuǎn)接器和第二導(dǎo)電層位于導(dǎo)電殼體內(nèi)。第二導(dǎo)電層包括第三子導(dǎo)電層和第四子導(dǎo)電層，并且第三子導(dǎo)電層和第四子導(dǎo)電層相配合，以繞著傳輸軸線圍設(shè)于轉(zhuǎn)接器四周。第三子導(dǎo)電層成型于轉(zhuǎn)接器表面，第四子導(dǎo)電層成型于導(dǎo)電殼體表面。上述光信號轉(zhuǎn)接組件進一步擴大適用范圍。

13、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，導(dǎo)電填料包括但不限于碳纖維、鎳碳纖維、金屬導(dǎo)電粒子、金屬導(dǎo)電纖維、碳黑、石墨、碳納米管中的至少一種。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，通過合理設(shè)計導(dǎo)電填料的種類，能夠有效提高對電磁波的損耗效果，進而能夠有效提高光信號轉(zhuǎn)接組件的屏蔽效果。

14、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，導(dǎo)磁填料包括但不限于鐵氧體、鐵粉、鎳鐵粉、鎳鋅鐵氧體、羥基鐵和磁性陶瓷中的至少一種。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，通過合理設(shè)計導(dǎo)磁填料的種類，能夠有效提高對電磁波的損耗效果，進而能夠有效提高光信號轉(zhuǎn)接組件的屏蔽效果。

15、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，連接芯與第一導(dǎo)電層相對的表面相互密封貼合，連接芯為導(dǎo)電材質(zhì)。即在本技術(shù)中，光學(xué)模塊為光模塊，連接芯為與光模塊相連的光器件，并且光器件為導(dǎo)電材質(zhì)。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，光器件導(dǎo)電材質(zhì)，能夠避免電磁波直接從連接芯中輻射出?；诖?，上述結(jié)構(gòu)能夠進一步優(yōu)化電磁波的傳輸路徑，讓盡可能多的電磁波盡落入轉(zhuǎn)接器所在的區(qū)域，進一步提高轉(zhuǎn)接器對電磁波的損耗?；诖耍鲜霾▽?dǎo)結(jié)構(gòu)能夠進一步提高對電磁波的損耗，因此能夠進一步提升光信號轉(zhuǎn)接組件的屏蔽效果。

16、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，光信號轉(zhuǎn)接組件還包括第三導(dǎo)電層，第三導(dǎo)電層設(shè)于連接芯上，并沿著傳輸軸線的相交方向延伸至與第一導(dǎo)電層的表面密封貼合。即在本技術(shù)中，光學(xué)模塊為光纖，連接芯為與光纖相連的插芯。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，在插芯上設(shè)置第三導(dǎo)電層，并且第三導(dǎo)電層用于阻斷第一導(dǎo)電層形成的筒形通道，能夠避免電磁波直接從插芯(也即連接芯)中輻射出?；诖?，上述結(jié)構(gòu)能夠進一步優(yōu)化電磁波的傳輸路徑，讓盡可能多的電磁波盡落入轉(zhuǎn)接器所在的區(qū)域，進一步提高轉(zhuǎn)接器對電磁波的損耗?；诖耍鲜霾▽?dǎo)結(jié)構(gòu)能夠進一步提高對電磁波的損耗，因此能夠進一步提升光信號轉(zhuǎn)接組件的屏蔽效果。

17、可以理解，在本技術(shù)其他一些實現(xiàn)方式中，第三導(dǎo)電層在插芯上的設(shè)置位置本技術(shù)不作具體限定，能夠阻礙電磁波直接從插芯上輻射泄露的形態(tài)均在本技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。

18、在上述第一方面一些可能的實現(xiàn)方式中，上述光信號轉(zhuǎn)接組件中，第三導(dǎo)電層為垂直于傳輸軸線的膜狀結(jié)構(gòu)。例如，第三導(dǎo)電層的厚度范圍為1μm～500μm。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，第三導(dǎo)電層為繞著傳輸軸線回轉(zhuǎn)的薄膜狀結(jié)構(gòu)，對現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的尺寸影響較小，便于擴大本技術(shù)技術(shù)方案所適用的范圍。

19、本技術(shù)的第二方面提供一種連接結(jié)構(gòu)，該連接結(jié)構(gòu)包括連接芯和第四導(dǎo)電層。其中，連接芯用于與光學(xué)模塊相接。第四導(dǎo)電層繞著傳輸軸線至少部分地圍設(shè)于連接芯四周，其中，傳輸軸線與傳輸方向平行。可以理解，第四導(dǎo)電層即為成型在連接芯上的第一導(dǎo)電層，連接結(jié)構(gòu)即為其上設(shè)有導(dǎo)電層的連接器，在此將不作展開描述。上述連接結(jié)構(gòu)，第四導(dǎo)電層成型于連接芯上，對應(yīng)于前述第一導(dǎo)電層成型于連接芯上的技術(shù)方案，便于減少光信號轉(zhuǎn)接組件中的部件數(shù)量，降低光信號轉(zhuǎn)接組件的組裝和裝配難度。

20、在上述第二方面一些可能的實現(xiàn)方式中，連接結(jié)構(gòu)包括但不限于多用途推拉式連接器、方口連接器、標準連接器、有源光電纜連接器中的至少一種。

21、本技術(shù)的第三方面提供一種轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，該連接結(jié)構(gòu)包括第五導(dǎo)電層和轉(zhuǎn)接器。其中，第五導(dǎo)電層繞著傳輸軸線圍設(shè)成環(huán)形。轉(zhuǎn)接器的材質(zhì)包括導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍?，并且轉(zhuǎn)接器繞著傳輸軸線圍設(shè)于第五導(dǎo)電層四周?？梢岳斫猓谖鍖?dǎo)電層即為成型在轉(zhuǎn)接器上的第一導(dǎo)電層，轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)即為其上設(shè)有導(dǎo)電層的轉(zhuǎn)接器，在此將不作展開描述。上述轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，對應(yīng)于前述第一導(dǎo)電層成型于轉(zhuǎn)接器上的技術(shù)方案，便于減少光信號轉(zhuǎn)接組件中的部件數(shù)量，降低光信號轉(zhuǎn)接組件的組裝和裝配難度。

22、在上述第三方面一些可能的實現(xiàn)方式中，導(dǎo)電填料包括但不限于碳纖維、鎳碳纖維、金屬導(dǎo)電粒子、金屬導(dǎo)電纖維、碳黑、石墨、碳納米管中的至少一種。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，通過合理設(shè)計導(dǎo)電填料的種類，能夠有效提高對電磁波的損耗效果，進而能夠有效提高光信號轉(zhuǎn)接組件的屏蔽效果。

23、在上述第三方面一些可能的實現(xiàn)方式中，導(dǎo)磁填料包括但不限于鐵氧體、鐵粉、鎳鐵粉、鎳鋅鐵氧體、羥基鐵和磁性陶瓷中的至少一種。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，通過合理設(shè)計導(dǎo)磁填料的種類，能夠有效提高對電磁波的損耗效果，進而能夠有效提高光信號轉(zhuǎn)接組件的屏蔽效果。

24、本技術(shù)的第四方面提供一種轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，該轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)包括轉(zhuǎn)接器和第六導(dǎo)電層。其中，轉(zhuǎn)接器包括導(dǎo)電填料和/或?qū)Т盘盍希D(zhuǎn)接器上開設(shè)有用于插接連接芯的插槽，并且插槽沿著傳輸方向延伸。第六導(dǎo)電層繞著傳輸軸線至少部分地圍設(shè)于轉(zhuǎn)接器四周，其中，傳輸軸線與傳輸方向平行?？梢岳斫猓诹鶎?dǎo)電層即為成型在轉(zhuǎn)接器上的第二導(dǎo)電層，轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)即為其上設(shè)有導(dǎo)電層的轉(zhuǎn)接器，在此將不作展開描述。上述轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，對應(yīng)于前述第二導(dǎo)電層成型于轉(zhuǎn)接器上的技術(shù)方案，便于減少光信號轉(zhuǎn)接組件中的部件數(shù)量，降低光信號轉(zhuǎn)接組件的組裝和裝配難度。

25、在上述第四方面一些可能的實現(xiàn)方式中，導(dǎo)電填料包括但不限于碳纖維、鎳碳纖維、金屬導(dǎo)電粒子、金屬導(dǎo)電纖維、碳黑、石墨、碳納米管中的至少一種。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，通過合理設(shè)計導(dǎo)電填料的種類，能夠有效提高對電磁波的損耗效果，進而能夠有效提高光信號轉(zhuǎn)接組件的屏蔽效果。

26、在上述第四方面一些可能的實現(xiàn)方式中，導(dǎo)磁填料包括但不限于鐵氧體、鐵粉、鎳鐵粉、鎳鋅鐵氧體、羥基鐵和磁性陶瓷中的至少一種。上述光信號轉(zhuǎn)接組件，通過合理設(shè)計導(dǎo)磁填料的種類，能夠有效提高對電磁波的損耗效果，進而能夠有效提高光信號轉(zhuǎn)接組件的屏蔽效果。

27、本技術(shù)的第五方面提供一種轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，該轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)包括第五導(dǎo)電層、轉(zhuǎn)接器和第六導(dǎo)電層。上述轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，對應(yīng)于前述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層均成型于轉(zhuǎn)接器上的技術(shù)方案，便于減少光信號轉(zhuǎn)接組件中的部件數(shù)量，降低光信號轉(zhuǎn)接組件的組裝和裝配難度。

28、本技術(shù)的第六方面提供一種光信號轉(zhuǎn)接系統(tǒng)，該光信號轉(zhuǎn)接系統(tǒng)包括上述的第一方面及第一方面可能的實現(xiàn)方式中的任意一種光信號轉(zhuǎn)接組件和兩個光學(xué)模塊，其中，兩個光學(xué)模塊通過光學(xué)轉(zhuǎn)接組件實現(xiàn)光信號轉(zhuǎn)接。

29、本技術(shù)的第七方面提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括上述第六方面中的任意一種光信號轉(zhuǎn)接系統(tǒng)。