技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種六氟化硫氣體檢測(cè)用紅外濾光片及其制備方法,紅外濾光片基底材料選用單晶Si,高折射率材料選用Ge,低折射率材料選用ZnS。在基板兩個(gè)表面上分別沉積主膜系面薄膜和干涉截止膜系面薄膜。其鍍膜工藝條件是Ge選用電子束蒸鍍,沉積速率為ZnS選用多孔鉬舟電熱蒸鍍,沉積速率為開始蒸鍍真空度為1.0×10?3Pa,沉積溫度為130℃。本發(fā)明提供的一種六氟化硫氣體檢測(cè)用紅外濾光片及其制備方法得到的10560nm帶通紅外濾光片,峰值透過率可達(dá)90%以上,極大的提高信噪比,很好的抑制其他氣體的干擾,提高儀器探測(cè)精度和效能。
技術(shù)研發(fā)人員:劉桂武;張旭;邵海成;侯海港
受保護(hù)的技術(shù)使用者:鎮(zhèn)江愛豪科思電子科技有限公司
文檔號(hào)碼:201610768860
技術(shù)研發(fā)日:2016.08.30
技術(shù)公布日:2016.11.16