本申請要求保護于2014年6月30日提交的歐洲專利申請14174973的權(quán)益，并且在此通過引用整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于確定可以用于在由光刻技術(shù)制造器件中(例如，光瞳面檢測或暗場散射測量)的光刻設(shè)備曝光劑量的方法和設(shè)備，以及涉及使用光刻技術(shù)制造器件的方法。

背景技術(shù)：

光刻設(shè)備是將所需圖案施加至襯底上、通常施加至襯底的目標(biāo)部分上的機器。光刻設(shè)備可以用于例如集成電路(ICs)的制造。在該情形中，備選地稱作掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置可以用于產(chǎn)生將要形成在IC的單個層上的電路圖案。該圖案可以轉(zhuǎn)移至襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一個或幾個管芯的部分)上。圖案的轉(zhuǎn)移通常是經(jīng)由成像至提供在襯底上的輻射-敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個襯底將包含依次圖案化的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻設(shè)備包括所謂的步進機和所謂的掃描機，在所謂的步進機中，通過同時將整個圖案曝光至目標(biāo)部分上而照射每個目標(biāo)部分，以及在所謂的掃描機中，通過沿給定方向(“掃描”方向)利用輻射束掃描圖案而同時同步地平行于或反平行于該方向掃描襯底來照射每個目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印至襯底上而將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底。

在光刻工藝中，經(jīng)常希望對所產(chǎn)生結(jié)構(gòu)進行測量，例如用于工藝控制和驗證。用于進行該測量的各種工具是已知的，包括通常用于測量關(guān)鍵尺寸(CD)的掃描電子顯微鏡，以及用于測量重疊(器件中兩個層的對準(zhǔn)精度)和光刻設(shè)備的離焦的專用工具。近期，已經(jīng)研發(fā)了各種形式散射儀用于光刻領(lǐng)域。這些裝置將輻射束引導(dǎo)至目標(biāo)上并且測量散射的輻射的一個或多個屬性－例如在單個反射角度下作為波長函數(shù)的強度；在一個或多個波長下作為反射角函數(shù)的強度；或者作為反射角的函數(shù)的偏振－以獲得可以由此確定感興趣目標(biāo)的屬性的“頻譜”。感興趣屬性的確定可以由各種技術(shù)來執(zhí)行：例如通過迭代逼近(例如，嚴(yán)格耦合波分析或有限元方法)而重構(gòu)目標(biāo)結(jié)構(gòu)；庫搜索；以及主成分分析。

由傳統(tǒng)散射儀使用的目標(biāo)相對較大，例如40μm乘以40μm，光柵和測量束產(chǎn)生小于光柵的斑(即光柵欠滿)。這簡化了目標(biāo)的數(shù)學(xué)重構(gòu)，因為其可以視作是無限的。然而，為了減小目標(biāo)的大小，例如減小至10μm乘以10μm或更小，例如因此它們可以被定位在產(chǎn)品特征之中，而不是在劃道中，已經(jīng)提出了在其中光柵制作為小于測量光斑(也即光柵過滿)的量測。通常使用暗場散射法測量該目標(biāo)，其中零階衍射(對應(yīng)于鏡面反射)被阻斷并且僅處理高階衍射。

使用衍射階的暗場檢測的基于衍射的重疊使能對更小目標(biāo)的重疊測量。這些目標(biāo)可以小于照射斑并且可以由晶片上的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圍繞。可以在一個圖像中測量多個目標(biāo)。

在已知的量測技術(shù)中，當(dāng)旋轉(zhuǎn)目標(biāo)或者改變照射模式或成像模式以分離地獲得-1和+1衍射階強度時，重疊測量結(jié)果通過在某些條件下兩次測量目標(biāo)來獲得。對于給定光柵，比較這些強度提供了對光柵中非對稱性的測量。

在堆疊的光柵對中的非對稱性可以用作重疊誤差的指示器。類似地，聚焦敏感光柵中的非對稱性可以用作離焦的指示器。

然而，導(dǎo)致散射儀光瞳中非對稱性改變的任何效應(yīng)將有助于掃描機的離焦。一個這種效應(yīng)是曝光劑量。曝光劑量變化難以測量，尤其是具有小管芯中目標(biāo)的曝光劑量變化難以測量。

源自光刻設(shè)備、掩模版和工藝處理的組合，有效的曝光劑量通常通過關(guān)鍵產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的線寬(關(guān)鍵尺寸CD)而測量。用于這種測量的檢查設(shè)備包括諸如CD-SEM(掃描電子顯微鏡)和散射儀的量測工具。

然而，CD-SEM是相對緩慢的。使用散射儀的光學(xué)重構(gòu)也是緩慢的過程。此外，盡管散射儀是非常靈敏的量測工具，但是靈敏度是對于特征參數(shù)的寬廣的范圍。需要小心仔細(xì)產(chǎn)生并優(yōu)化散射儀設(shè)置配方以從構(gòu)成目標(biāo)的材料的下層堆疊的變化中分離CD變化。此外，用于CD測量的散射法通常需要大的目標(biāo)(例如，40×40μm)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

希望比現(xiàn)有方法更快地測量曝光劑量的方法。此外，如果這將應(yīng)用于可以采用基于暗場圖像的技術(shù)而讀出的小目標(biāo)結(jié)構(gòu)，則將是非常有利的。此外，考慮為有利的是在用于例如重疊或聚焦測量的量測特征中并入用于曝光劑量測量的量測特征，而并未干擾所述測量，即遵循設(shè)計規(guī)則并且同時可以嵌入在具有不同功能的量測目標(biāo)內(nèi)的量測目標(biāo)。

根據(jù)第一方面，提供了一種確定在襯底上光刻工藝中使用的光刻設(shè)備的曝光劑量的方法，該方法包括步驟：(a)接收包括使用光刻工藝制造的第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的襯底；(b)當(dāng)使用輻射來照射第一結(jié)構(gòu)時，檢測被散射的輻射以獲得第一散射儀信號；(c)當(dāng)使用輻射來照射第二結(jié)構(gòu)時，檢測被散射輻射以獲得第二散射儀信號；(d)使用第一散射儀信號和第二散射儀信號以確定用于制造所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的曝光劑量值，其中：第一結(jié)構(gòu)包括具有空間特性的第一周期性特性以及具有空間特性的至少另一第二周期性特性，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響；以及第二結(jié)構(gòu)包括具有空間特性的第一周期性特性以及具有空間特性的至少另一第二周期性特性，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響，其中曝光劑量以不同方式影響第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的受曝光劑量影響的空間特性。

根據(jù)一方面，提供了一種用于確定在襯底上光刻工藝中使用的光刻設(shè)備的曝光劑量的檢查設(shè)備，檢查設(shè)備包括：照射系統(tǒng)，被配置以使用輻射照射在第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)上，第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)在襯底上使用光刻工藝制造；檢測系統(tǒng)，被配置以檢測源自第一結(jié)構(gòu)的照射的被散射的輻射以獲得第一散射儀信號，并且被配置以檢測源自第二結(jié)構(gòu)的照射的被散射的輻射以獲得第二散射儀信號；以及處理器，被配置以基于：包括具有空間特性的第一周期性特性和具有空間特性的至少另一第二周期性特性的第一結(jié)構(gòu)，以及包括具有空間特性的第一周期性特性和具有空間特性的至少另一第二周期性特性的第二結(jié)構(gòu)，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響，使用第一散射儀信號和第二散射儀信號來確定用于制造第一結(jié)構(gòu)的曝光劑量值，其中曝光劑量以不同方式影響第一和第二結(jié)構(gòu)的受曝光劑量影響的空間特性。

根據(jù)一方面，提供了一種用于確定在襯底上光刻工藝中使用的光刻設(shè)備的曝光劑量的圖案圖案形成裝置，圖案圖案形成裝置包括目標(biāo)圖案，目標(biāo)圖案包括：被配置以使用光刻工藝產(chǎn)生第一結(jié)構(gòu)的第一子圖案，第一結(jié)構(gòu)包括具有空間特性的周期性特性以及具有空間特性的另一第二周期性特性的結(jié)構(gòu)，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響；以及被配置以使用光刻工藝產(chǎn)生第二結(jié)構(gòu)的第二子圖案，第二結(jié)構(gòu)包括具有空間特性的第一周期性特性以及具有空間特性的至少另一第二周期性特性，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響，其中曝光劑量以不同方式影響第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的受曝光劑量影響的空間特性。

根據(jù)一方面，提供了一種用于確定在襯底上光刻工藝中使用的光刻設(shè)備的曝光劑量的襯底，襯底包括目標(biāo)，目標(biāo)包括：至少包含具有空間特性的第一周期性特性以及另一第二周期性特性的第一結(jié)構(gòu)，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響；以及至少包含具有空間特性的第一周期性特性和至少另一第二周期性特性的第二結(jié)構(gòu)，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響，其中曝光劑量以基本上不同方式影響第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的受曝光劑量影響的空間特性。

根據(jù)一方面，提供了一種制造器件的方法，其中使用光刻工藝，器件圖案被施加至一系列襯底，該方法包括：使用根據(jù)第一方面的方法，確定使用至少一個襯底的光刻設(shè)備的曝光劑量，并且根據(jù)確定曝光劑量的方法的結(jié)果，控制用于后續(xù)襯底的光刻工藝。

以下參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點、以及本發(fā)明各個實施例的結(jié)構(gòu)和操作。應(yīng)當(dāng)注意的是本發(fā)明不限于本文所描述的具體實施例。本文僅為了示意性目的呈現(xiàn)這些實施例。基于在本文包含的教導(dǎo)，附加的實施例對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是明顯的。

附圖說明

并入本文并且形成說明書一部分的附圖圖示了本發(fā)明，并且與說明書一起進一步來解釋本發(fā)明的原理以及使得相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設(shè)備；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻單元或簇；

圖3A-圖3D示出了(a)使用照射孔的第一對，測量根據(jù)本發(fā)明實施例的目標(biāo)中使用的暗場散射儀的示意圖，(b)對于給定照射方向，目標(biāo)光柵的衍射頻譜的細(xì)節(jié)，(c)在基于衍射的重疊測量中使用散射儀而提供其它照射模式的照射孔的第二對，以及(d)組合了光圈的第一對和第二對的照射孔的第三對。

圖4示出了多個光柵目標(biāo)的已知形式以及襯底上測量光斑的輪廓。

圖5示出了在圖3的散射儀中獲得的圖4的目標(biāo)的圖像。

圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的目標(biāo)的示例。

圖7示出根據(jù)本發(fā)明實施例的目標(biāo)的示例，以及示出了作為光柵參數(shù)的函數(shù)、直接與曝光劑量成比例的高階衍射的強度的曲線圖。

當(dāng)結(jié)合附圖時，從以下闡述的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的特征和優(yōu)點變得更明顯，其中相同的附圖標(biāo)記標(biāo)識對應(yīng)的元件。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記通常指示等同、功能上類似、和/或結(jié)構(gòu)上類似的元件。其中元件首次出現(xiàn)的附圖由對應(yīng)的附圖標(biāo)記中最左側(cè)數(shù)位指示。

具體實施方式

該說明書公開了并入本發(fā)明特征的一個或多個實施例。所公開的實施例僅示例化了本發(fā)明。本發(fā)明的范圍不限于所公開的實施例。本發(fā)明由所附的權(quán)利要求限定。

所述的實施例、以及在說明書中涉及“一個實施例”、“實施例”、“一個示例實施例”等指示了所描述的實施例可以包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每個實施例不必包括該特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。此外，該短語不必涉及相同的實施例。進一步，當(dāng)結(jié)合實施例描述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性時，應(yīng)該理解的是在本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)知范圍內(nèi)，能夠結(jié)合不論是否明確描述的其它實施例而實現(xiàn)該特征、結(jié)構(gòu)或特性。

本發(fā)明的實施例可以實施在硬件、固件、軟件、或者其任意組合中。本發(fā)明的實施例也可以實施作為存儲在機器可讀媒介上的指令，其可以由一個或多個處理器讀取并執(zhí)行。機器可讀媒介可以包括用于以由機器(例如計算裝置)可讀形式存儲或發(fā)送信息的任何機制。例如，機器可讀媒介可以包括只讀存儲器(ROM)；隨機訪問存儲器(RAM)；磁盤存儲媒介；光學(xué)存儲媒介；快閃存儲器裝置；電學(xué)、光學(xué)、聲學(xué)或其它形式的傳播信號(例如載波、紅外信號、數(shù)字信號等)等。進一步，固件、軟件、例行程序、指令可以在本文描述為執(zhí)行某些動作。然而，應(yīng)該理解，該描述僅是為了方便并且該動作實際上由計算設(shè)備、處理器、控制器、或者執(zhí)行固件、軟件、例行程序、指令等的其它裝置產(chǎn)生。

然而，在更詳細(xì)描述這些實施例之前，有益的是展示其中可以實施本發(fā)明實施例的示例環(huán)境。

圖1示意性地示出了光刻設(shè)備LA。設(shè)備包括：被配置以調(diào)節(jié)輻射束B(例如，UV輻射或DUV輻射)的照射系統(tǒng)(照射器IL)；被構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如，掩模)MA并且被連接至第一定位器PM的圖案形成裝置支持結(jié)構(gòu)或支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT，第一定位器PM被配置以根據(jù)某些參數(shù)精確地定位圖案形成裝置；被構(gòu)造以保持襯底(例如，涂覆了抗蝕劑的晶片)W并被連接至第二定位器PW的襯底臺(例如，晶片臺)WT，第二定位器PW被配置以根據(jù)某些參數(shù)精確地定位襯底；以及被配置以將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影至襯底W的目標(biāo)部分C(例如，包括一個或多個管芯)上的投影系統(tǒng)(例如，折射式投影透鏡系統(tǒng))PS。

照射系統(tǒng)可以包括用于引導(dǎo)、定形或控制輻射的各種類型光學(xué)部件，諸如折射式、反射式、磁性式、電磁式、靜電式或其它類型光學(xué)部件或者其任意組合。

圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)以取決于圖案形成裝置的定向、光刻設(shè)備的設(shè)計、以及其它條件(例如，圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中)的方式保持圖案形成裝置。圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)可以使用機械、真空、靜電或其它夾持技術(shù)以保持圖案形成裝置。圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，如果需要的話其可以是固定或可移動的。圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置例如相對于投影系統(tǒng)處于所期望的位置處。本文中術(shù)語“掩模版”或“掩?！钡娜魏问褂每梢砸曌髋c更通用的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。

本文使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該廣義地解釋為涉及可以用于在其截面中賦予輻射束圖案以便于在襯底的目標(biāo)部分中產(chǎn)生圖案的任何裝置。應(yīng)該注意的是，例如如果圖案包括相移特征或所謂的輔助特征，賦予輻射束的圖案可以不完全對應(yīng)于在襯底的目標(biāo)部分中的所期望的圖案。通常，賦予輻射束的圖案將對應(yīng)于在目標(biāo)部分(例如，集成電路)中正形成的器件中的特定功能層。

圖案形成裝置可以是透射式或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列、以及可編程LCD面板。掩模在光刻中是廣泛已知的，并且包括二元掩模、交替型相移掩模和衰減型相移掩模的掩模類型以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每個小反射鏡可以單獨地傾斜以便于沿不同方向反射入射的輻射束。傾斜的反射鏡在由反射鏡矩陣所反射的輻射束中賦予圖案。

在此使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任何類型的投影系統(tǒng)，包括折射式、反射式、折反射式、磁性式、電磁式和靜電式光學(xué)系統(tǒng)或者適用于所使用的曝光輻射、或用于其它因素(例如，浸沒液體的使用或真空的使用)的它們的任意組合浸沒。本文中術(shù)語“投影透鏡”的任何使用可以視作與更通用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。

如所示，設(shè)備是透射式類型(例如，采用透射式掩模)。備選地，設(shè)備可以是反射式類型(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或者采用反射式掩模)。

光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或多個襯底臺(和/或兩個或多個掩模臺)的類型。在該“多臺”機器中可以并行地使用附加的臺，或者可以在一個或多個其它臺正用于曝光的同時，一個或多個臺上執(zhí)行準(zhǔn)備步驟。

光刻設(shè)備也可以是其中可以由具有相對較高折射率的液體例如水覆蓋襯底的至少一部分以便于填充投影系統(tǒng)和襯底之間空間的類型。浸沒液體也可以施加至光刻設(shè)備中其它空間，例如在掩模與投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)在本領(lǐng)域廣泛已知用于增大投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。如本文使用的術(shù)語“浸沒”并非意味著諸如襯底的結(jié)構(gòu)必須浸沒在液體中，而是相反地僅意味著在曝光期間，液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。

參照圖1，照射器IL從輻射源SO接收輻射束。例如當(dāng)源是準(zhǔn)分子激光器時，源和光刻設(shè)備可以是分離的實體。在該情形中，源不被考慮來形成光刻設(shè)備的部分并且輻射束借助于光束傳遞系統(tǒng)BD而從源SO傳遞至照明器IL，光束傳遞系統(tǒng)BD包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器。在其它情形中，例如當(dāng)源是汞燈時，源可以是光刻設(shè)備的整體成型部分。源SO和照射器IL、如果需要的話與光束傳遞系統(tǒng)BD一起可以稱作輻射系統(tǒng)。

照射器IL可以包括用于調(diào)節(jié)輻射束的角強度分布的調(diào)節(jié)器AD。通常，照射器的光瞳面中強度分布的至少外側(cè)和/或內(nèi)側(cè)徑向范圍(通常分別稱作σ-外側(cè)和σ-內(nèi)側(cè))可以被調(diào)節(jié)。此外，照射器IL可以包括各種其它部件，諸如積分器IN和聚光器CO。照射器可以用于調(diào)節(jié)輻射束，以在其截面中具有所需的均勻度和強度分布。

輻射束B入射在圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，MA被保持在圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺MT)上，并且由圖案形成裝置圖案化。已穿過圖案形成裝置(例如掩模)MA后，輻射束B穿過投影系統(tǒng)PS，PS將光束聚焦至襯底W的目標(biāo)部分C上。借助于第二定位器PW和定位傳感器IF(例如，干涉儀裝置、線性編碼器、2D編碼器或電容性傳感器)，可以精確地移動襯底臺WT，例如以便于在輻射束B的路徑中定位不同的目標(biāo)部分C。類似地，例如在從掩模庫機器獲取之后、或者在掃描期間，第一定位器PM和另一位置傳感器(未在圖1中明確示出)可以用于相對于輻射束B的路徑而精確地定位圖案形成裝置(例如，掩模)MA。通常，可以借助于形成了第一定位器PM的部分的長沖程模塊(粗略定位)和短沖程模塊(精細(xì)定位)而實現(xiàn)圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT的移動。類似地，襯底臺WT的移動可以使用形成了第二定位器PW的部分的長沖程模塊和短沖程模塊來實現(xiàn)。在步進機的情形中(與掃描機相反)，圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT可以僅連接至短沖程致動器，或者可以是固定的。

圖案形成裝置(例如，掩模)MA和襯底W可以使用掩模對齊標(biāo)記M1、M3和襯底對齊標(biāo)記P1、P2而對齊。盡管如所示的襯底對齊標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間中(這些已知為劃道對齊標(biāo)記)。類似地，在圖案形成裝置(例如，掩模)MA上提供多于一個管芯的情形中，掩模對齊標(biāo)記可以位于管芯之間。在器件特征之中，在希望標(biāo)識盡可能小并且無需任何與相鄰特征不同的成像或工藝條件的情況下，小對齊標(biāo)識也可以包括在管芯內(nèi)。以下進一步描述檢測對齊標(biāo)識的對齊系統(tǒng)。

所示的設(shè)備可以用于以下模式的至少一個：

1.在步進模式中，當(dāng)賦予輻射束的整個圖案被投影至目標(biāo)部分C上時，圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT和襯底臺WT被保持基本靜止(即，單次靜態(tài)曝光)。襯底臺WT隨后沿X和/或Y方向偏移以使得可以曝光不同的目標(biāo)部分C。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的目標(biāo)部分C的大小。

2.在掃描模式中，當(dāng)賦予輻射束的圖案被投影至目標(biāo)部分C上時，同步地掃描圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT和襯底臺WT(即，單次動態(tài)曝光)?？梢杂赏队跋到y(tǒng)PS的縮放和成像反轉(zhuǎn)特性而確定襯底臺WT相對于圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT的速率和方向。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次動態(tài)曝光中目標(biāo)部分的(在非掃描方向的)寬度，而掃描運動的長度確定了目標(biāo)部分的(在掃描方向的)高度。

3.在另一模式中，圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT被保持基本上靜止地保持可編程圖案形成裝置，并且當(dāng)賦予輻射束的圖案被投影至目標(biāo)部分C上時，移動或掃描襯底臺WT。在該模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在襯底工作臺WT的每次移動之后或者在掃描期間的相繼輻射脈沖之間，更新可編程圖案形成裝置。該操作模式可以容易地應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻。

也可以采用對上述使用模式的組合和/或變形，或者采用完全不同的使用模式。

光刻設(shè)備LA是所謂的雙平臺類型，其具有兩個襯底臺WTa、WTb以及兩個站－曝光站和測量站－在兩個站之間，襯底臺可以交換。當(dāng)襯底臺上的一個襯底在曝光站臺處曝光時，另一襯底可以裝載至測量站處另一襯底臺上并且執(zhí)行各種預(yù)備步驟。預(yù)備步驟可以包括使用水平傳感器LS映射襯底的表面控制并且使用對齊傳感器AS測量襯底上對齊標(biāo)記的位置。這使能顯著提高設(shè)備的生產(chǎn)量。如果位置傳感器IF不能夠測量襯底臺的位置同時其在測量站處以及在曝光站處，可以提供第二位置傳感器以使得在兩個站處追蹤襯底臺的位置。

如圖2中所示，光刻設(shè)備LA形成了光刻單元LC(有時也稱為光刻池或簇)的部分，光刻單元LC還包括以在襯底上執(zhí)行預(yù)曝光和后曝光工藝的設(shè)備。傳統(tǒng)地，這些包括旋涂器SC以沉積抗蝕劑層，顯影器DE用于顯影已曝光的抗蝕劑，激冷板CH和烘烤板BK。襯底處理器或機器人RO從輸入-輸出端口I/O1、I/O2拾取襯底，將襯底在不同工藝設(shè)備之間移動，并且隨后將襯底傳遞至光刻設(shè)備的進料臺LB。通常共同地被稱為軌道的這些裝置在軌道控制單元TCU的控制下，TCU自身由監(jiān)督控制系統(tǒng)SCS控制，監(jiān)督控制系統(tǒng)SCS也經(jīng)由光刻控制單元LACU來控制光刻設(shè)備。因此，不同的設(shè)備可以被操作以最大化生產(chǎn)量和處理效率。

暗場量測的示例可以在國際專利申請WO2009/078708和WO2009/106279中找到，其文獻通過引用整體并入本文。已經(jīng)在專利申請US20110027704A、US20110043791A和US20120123581A中描述了技術(shù)的進一步發(fā)展。這些申請的內(nèi)容也通過引用并入本文。美國專利公開號US20110249247A公開了使用來自焦點敏感非對稱目標(biāo)設(shè)計所測得的散射儀信號以測量光刻設(shè)備的離焦。該申請的內(nèi)容通過引用并入本文。在該方法中，如在散射儀光瞳中可獲得的形式為-1和+1衍射階強度之間的差的非對稱信息，被用于從測得的散射儀信號推斷掃描機的離焦。

適用于在本發(fā)明實施例中使用的暗場量測設(shè)備示出在圖3(a)中。目標(biāo)光柵T和衍射射線更詳細(xì)示出在圖3(b)中。暗場量測設(shè)備可以是獨立裝置或者被并入光刻設(shè)備LA的例如測量站點處、或者光刻單元LC中。具有遍布設(shè)備的數(shù)個分支的光軸由虛線O表示。在該設(shè)備中，由源11(例如氙燈)發(fā)出的光被包括透鏡12、14和物鏡16的光學(xué)系統(tǒng)經(jīng)由分束器15而引導(dǎo)至襯底W上。這些透鏡設(shè)置為4F布置的雙重序列。不同的透鏡布置可以被使用，條件是其仍然提供襯底圖像至檢測器上，并且同時允許訪問中間光瞳面以用于空間頻率濾波。因此，輻射入射在襯底上的角度范圍可以通過限定表示襯底平面(在此稱作(共軛)光瞳面)空間頻譜的平面中的空間強度分布來選擇。特別地，這可以通過在作為物鏡光瞳面的背投影圖像的平面中，將合適形式的孔板13插入透鏡12和14之間而實現(xiàn)。在所示的示例中，孔板13具有不同形式、標(biāo)注為13N和13S、允許選擇不同的照射模式。在本示例中的照射系統(tǒng)形成了離軸照射模式。在第一照射模式中，孔板13N從僅為了描述而標(biāo)注為“北”的方向提供離軸。在第二照明模式中，孔板13S用于提供類似的但是來自標(biāo)注為“南”的相反方向的照射。通過使用不同的孔，其它照射模式是可能的。剩余的光瞳面希望是黑暗的，因為在所需照射模式之外的任何非必需光將干擾期望的測量信號。

如圖3(b)，目標(biāo)光柵T放置使得襯底W正交于物鏡16的光軸O。從偏離光軸O的角度撞擊到光柵T上的照射射線I引起零階射線(實線0)和兩個一階射線(點鏈線+1和雙重點鏈線-1)。應(yīng)該記住的是采用過滿的小目標(biāo)光柵，這些射線僅是覆蓋了包括量測目標(biāo)光柵T和其它特征的襯底區(qū)域的許多并行射線的一個。因為板13中孔具有有限寬度(該寬度必要允許光的有用數(shù)量)，入射的射線I將實際上占據(jù)角度范圍，并且被衍射的射線0和+1/-1將稍微擴散。根據(jù)小目標(biāo)的點擴散函數(shù)，每階+1和-1將進一步擴散超過角度范圍，而不是如所示的單個理想射線。注意，光柵間距和照射角度可以被設(shè)計或調(diào)節(jié)以使得進入物鏡的第一階射線與中心光軸嚴(yán)密對齊。圖3(a)和圖3(b)中所示的射線示出稍微離軸，完全使得它們在圖中更易于區(qū)分。

由襯底W上目標(biāo)衍射的至少0和+1階由物鏡16收集并且被引導(dǎo)返回穿過分束器15。返回圖3(a)，通過指定被標(biāo)注為北(N)和南(S)的直徑相對的孔，第一照射模式和第二照射模式均被示出。當(dāng)入射的射線I來自光軸的北側(cè)時，即當(dāng)使用孔板13N施加第一照射模式時，標(biāo)注為+1(N)的+1階被衍射的射線進入物鏡16。相反地，當(dāng)使用孔板13S施加第二照射模式時，-1階被衍射的射線(標(biāo)注-1(S))是進入透鏡16的那些射線。

第二分束器17將被衍射的光束分為兩個測量分支。在第一測量分支中，光學(xué)系統(tǒng)18使用第零階和第一階衍射束在第一傳感器19(例如，CCD或CMOS傳感器)上形成目標(biāo)的衍射頻譜(光瞳面成像)。每個衍射階撞擊傳感器上的不同的點，以使圖像處理可以比較并對比階。由傳感器19捕獲的光瞳面成像可以用于聚焦量測裝置和/或歸一化第一階束的強度測量。根據(jù)本發(fā)明的實施例，用于欠滿目標(biāo)的光瞳面圖像可以用作用于劑量和聚焦量測的輸入。

在第二測量分支中，光學(xué)系統(tǒng)20、22在傳感器23(例如，CCD或CMOS傳感器)上形成襯底W上目標(biāo)的圖像。在第二測量分支中，孔徑光闌21被提供在與光瞳面共軛的平面中?？讖焦怅@21用于阻擋第零階衍射束以使形成在傳感器23上的目標(biāo)的成像僅由-1或+1第一階束形成。由傳感器19和23捕獲的成像被輸出至圖像處理器和控制器PU，圖像處理器和控制器PU的功能取決于所執(zhí)行的測量的特定類型。注意術(shù)語“成像”在此以廣泛含義而使用。如果僅存在-1和+1階中的一個，同樣地，將不形成光柵線的成像。

圖3中所示的孔板13和場闌21的特定形式純粹是示例。在本發(fā)明的另一實施例中，使用目標(biāo)的在軸照射并且具有離軸孔的孔徑光闌被用于實質(zhì)上上僅將衍射光的第一階傳遞至傳感器。在又一實施例中，替代或者附加至第一階束，第二、第三和更高階光束(圖3中未示出)可以用于測量。

為了使得照射可適用于這些不同類型的測量，孔板13可以包括形成在盤片周圍的許多孔的圖案，盤片旋轉(zhuǎn)以將所期望的圖案帶到合適的地方。備選地或附加地，可以提供并交換一組孔板13來實現(xiàn)相同效果。諸如可變形反射鏡陣列或透射式空間視像調(diào)制解調(diào)器的可編程照射裝置也可以被使用。移動反射鏡或棱鏡可以用作調(diào)節(jié)照射模式的另一方式。

正如參照孔板13所述，可以備選地通過改變光瞳闌21、或者通過替換具有不同圖案的光瞳闌、或者通過采用可編程空間視像調(diào)制器替換固定的場闌，來實現(xiàn)用于成像的衍射階的選擇。在這種情況下，測量光學(xué)系統(tǒng)的照射側(cè)可以保持恒定，同時成像側(cè)具有第一模式和第二模式。在本公開中，因此，存在有效地三種類型的測量方法，每個方法具有其自己的優(yōu)點和缺點。在一個方法中，照射模式被改變以測量不同的階。在另一方法中，成像模式被改變。在第三方法中，照射模式和成像模式保持未改變，但是目標(biāo)旋轉(zhuǎn)通過180度。在每個情形中，所期望的效果是相同的，即選擇非零階衍射輻射的第一部分和第二部分，非零階衍射輻射在目標(biāo)的衍射頻譜中相互對稱。原理上，可以通過改變照射模式和同時改變成像模式的組合而獲得所期望的階的選擇，但是這可能帶來缺點而沒有優(yōu)點，因此將不再進一步討論。

盡管在本示例中用于成像的光學(xué)系統(tǒng)具有受場闌21約束的寬入口光瞳，但是在其它實施例或應(yīng)用中，成像系統(tǒng)自身的入口光瞳可以足夠小以約束至所期望的階，并且因此也用作場闌。不同的孔板示出在如下進一步描述的圖3(c)和圖3(d)中。

通常，目標(biāo)光柵將與沿著北-南或東-西延伸的光柵線對齊。也即是說，光柵將沿襯底W的X方向或Y方向而對齊。注意，孔板13N或13S僅可以用于測量在一個方向(取決于設(shè)置的X或Y)定向的光柵。對于正交光柵的測量，可以實施通過90°和270°的目標(biāo)旋轉(zhuǎn)。然而，更方便地，如圖3(c)中所示，使用孔板13E或13W，從東或西的照射提供在照射光學(xué)元件中?？装?3N至13W可以分離地形成并互換，或者它們可以是能夠90、180或270度旋轉(zhuǎn)的單個孔板。如已提及的，圖3(c)中所示的離軸孔可以替代在照射孔板13中而提供在場闌21中。在該情形中，照射將是在軸的。

圖3(d)示出了可以用于組合第一對和第二對的照射模式的孔板的第三對。孔板13NW具有在北方和東方的孔，而孔板13SE具有在南方和西方的孔。假設(shè)在這些不同衍射信號之間的串?dāng)_不太大，那么X和Y光柵的測量可以被執(zhí)行，而不改變照射模式。

圖4示出了根據(jù)已知實踐形成在襯底上的復(fù)合目標(biāo)。復(fù)合目標(biāo)包括緊密定位在一起的四個光柵32至35以使得它們將均在由量測設(shè)備的照射束所形成的測量斑31內(nèi)。四個目標(biāo)因此均同時地被照射并且同時成像在傳感器19和23上。在專用于離焦測量的示例中，光柵32至35自身是由非對稱光柵所形成的聚焦敏感的光柵，非對稱光柵圖案化在形成于襯底W上的半導(dǎo)體器件的層中。如所示，光柵32至35的定向可以不同，以便于沿X和Y方向衍射入射的輻射。在一個示例中，光柵32和34是X方向光柵。光柵33和35是Y方向光柵。這些光柵的分離的成像可以在由傳感器23捕獲的成像中識別。

使用圖3的設(shè)備中圖4的目標(biāo)，使用來自圖3(d)的孔板13NW或13SE，圖5示出了可以形成在傳感器23上并且由傳感器23檢測的成像的示例。盡管光瞳面成像傳感器19無法分辨不同的單個光柵32至35，但是成像傳感器23可以分辨。暗的矩形表示傳感器上的成像的場，在該場內(nèi)，襯底上被照射的斑31被成像至對應(yīng)的圓形區(qū)域41中。在該區(qū)域內(nèi)，矩形區(qū)域42－45表示小目標(biāo)光柵32至35的成像。如果光柵位于產(chǎn)品區(qū)域中，產(chǎn)品特征在該成像場的外圍也可見。成像處理器和控制器PU使用圖案識別來處理這些成像以識別光柵32至35的分離的成像42至45。以該方式，成像不必非常精確地對齊傳感器框架內(nèi)的特定位置處，這很大程度上改進了作為整體的測量設(shè)備的生產(chǎn)量。然而如果成像過程經(jīng)受跨越成像場的非均勻性，對于精確對齊的需求仍然保持。在本發(fā)明的一個實施例中，四個位置P1至P4被識別，并且光柵盡可能與這些已知位置對齊。

一旦光柵的分離的成像已被識別，可以例如通過平均或求和已識別區(qū)域內(nèi)所選擇的像素強度值來測量那些單個成像的強度。成像的強度和/或其它屬性可以相互比較。這些結(jié)果可以被組合以測量光刻工藝的諸如焦距不同參數(shù)(如通過引用整體并入本文的申請US20110027704A中所示出的)。

使用具有圖5中所示的對應(yīng)成像的圖3的散射儀和圖4中所示目標(biāo)的測量的難度在于它們對于測量曝光劑量的目的視作是緩慢的。諸如CD－SEM的備選設(shè)備的使用導(dǎo)致類似的延伸的測量時間。

附加地，認(rèn)識到需要小心的配方設(shè)置以克服量測工具對于影響測量目標(biāo)的各種參數(shù)的靈敏度。

附加地，也認(rèn)識到當(dāng)前的曝光劑量測量技術(shù)是使用不利的大量測目標(biāo)，因為所述目標(biāo)占據(jù)了將另外用于半導(dǎo)體器件的襯底表面。

本發(fā)明致力于通過提供使用已調(diào)制目標(biāo)測量曝光劑量的方法而解決上述問題。所述已調(diào)制目標(biāo)包含光柵，光柵具有沿一個方向的第一節(jié)距以及沿任意方向第二節(jié)距。對應(yīng)于所述第二節(jié)距的周期性特征被設(shè)計以具有取決于曝光劑量的形狀。對應(yīng)于所述第二節(jié)距的所述周期性特征將在衍射圖案中產(chǎn)生直接與曝光劑量成比例的更高階。考慮具有被設(shè)計用于以不同方式響應(yīng)曝光劑量的特征的兩個目標(biāo)，一個能夠從所測量的差分信號提取所述曝光劑量，差分信號基于來自兩個所述目標(biāo)的高階衍射強度之間的差。

本發(fā)明通過提供一種確定襯底上光刻工藝中使用的光刻設(shè)備的曝光劑量的方法來解決上述問題，方法包括步驟：

(a)接收包括使用光刻工藝產(chǎn)生的第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的襯底；

(b)當(dāng)使用輻射來照射第一結(jié)構(gòu)時，檢測被散射的輻射以獲得第一散射儀信號；

(c)當(dāng)使用輻射來照射第二結(jié)構(gòu)時，檢測被散射的輻射以獲得第二散射儀信號；

(d)使用第一散射儀信號和第二散射儀信號以確定用于產(chǎn)生所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的曝光劑量值，其中

第一結(jié)構(gòu)包括具有空間特性的第一周期性特性和具有空間特性的至少另一第二周期性特性，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響；以及第二結(jié)構(gòu)包括具有空間特性的第一周期性特性以及具有空間特性的至少另一第二周期性特性，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響；其中曝光劑量以不同方式影響第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的受曝光劑量影響的空間特性。本發(fā)明進一步包括：使用光刻工藝以在襯底上產(chǎn)生第一結(jié)構(gòu)，第一結(jié)構(gòu)至少包括具有空間特性的第一周期性特性和第二周期性特性，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響；以及使用光刻工藝以在襯底上產(chǎn)生第二結(jié)構(gòu)，第二結(jié)構(gòu)包括具有空間特性的至少第一周期性特性和第二周期性特性，空間特性被設(shè)計為受曝光劑量影響，其中曝光劑量以不同方式影響第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的受曝光劑量影響的空間特性。

所調(diào)制的目標(biāo)的優(yōu)點在于所述目標(biāo)適合用于現(xiàn)有的基于衍射的散射儀，這導(dǎo)致快速測量，因此降低了提取曝光劑量所需的時間。所調(diào)制的目標(biāo)的第二節(jié)距疊加在現(xiàn)有的量測目標(biāo)上，現(xiàn)有的量測目標(biāo)具有用于其它測量(例如，幫助減小晶片上用于量測的區(qū)域的重疊或聚焦)的第一節(jié)距光柵。另一優(yōu)點也是使用更小目標(biāo)的可能性，因為該方法適用于暗場成像散射法。

以下描述使用具有劑量敏感的第二間距的目標(biāo)而使能快速測量曝光劑量的不同實施例。

圖6描述了示出了所調(diào)制目標(biāo)的所述概念的目標(biāo)的三個不同示例。圖6(a)示出了在光柵601之間具有恒定節(jié)距的周期性結(jié)構(gòu)。圖6(b)示出了由此引入第二光柵的另一周期性結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)的節(jié)距對于由元件620給定的兩個光柵均是沿相同方向的。元件610是類似的光柵。另一示例在圖6(c)中給出，由此根據(jù)元件640而修改每個光柵630的形狀。具有元件630的周期性結(jié)構(gòu)在垂直于元件630的方向上是周期性的。結(jié)構(gòu)640也是周期性的，但是在平行于元件630的方向上是周期性的。為了附圖的簡單起見，并未示出它們。在圖6(c)的示例中，元件630的節(jié)距可以是100nm，而對應(yīng)于特征640的節(jié)距是600nm。圖6中所示的光柵可以使用光刻工藝制造。光刻工藝用于在襯底上制造第一結(jié)構(gòu)，第一結(jié)構(gòu)至少包括具有被設(shè)計受曝光劑量影響的空間特性的第二周期性特性和第一周期性特性；并且使用光刻工藝以在襯底上制造第二結(jié)構(gòu)，第二結(jié)構(gòu)至少包括具有被設(shè)計受曝光劑量影響的空間特性的第二周期性特性和第一周期性特性，其中曝光劑量以不同方式影響第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的受曝光劑量影響的空間特性。

在實施例中，第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的第一周期性特性是包含光柵的量測目標(biāo)的節(jié)距。圖6中所示的光柵可以形成圖4中所示類型的量測目標(biāo)。圖6中所示的光柵也可以形成能夠用在單個層中的量測目標(biāo)。

在另一實施例中，第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的第二周期性特性是包含光柵的量測目標(biāo)的節(jié)距。此外，第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的第二周期性特性的方向在平行于第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)所處平面的平面中。在用作示例的一個實施例中，第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的第二周期性特性的方向基本上平行于第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的第一周期性特性的方向。在也用作示例的又一實施例中，第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的第二周期性特性的方向基本上垂直于第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的第一周期性特性的方向。

在另一實施例中，使用成像平面檢測散射法來執(zhí)行當(dāng)照射第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)時檢測被散射輻射的上述步驟。也認(rèn)識到使用光瞳面檢測散射法來執(zhí)行當(dāng)照射第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)時檢測被散射輻射的上述步驟。通過使用具有不同周期的元件640調(diào)制圖6(c)的現(xiàn)有周期性結(jié)構(gòu)630，在衍射的信號中產(chǎn)生更高階。如果將元件640設(shè)計為對光刻曝光參數(shù)(例如，曝光劑量或曝光焦距)敏感，則高階衍射信號強度的測量將是非法向劑量或焦距的效果的指示器。該測量將包含檢測被散射輻射的步驟，該步驟包括從更高階被散射輻射中分離零階被散射輻射，以及檢測更高階被散射輻射以獲得每個各自的散射儀信號。

圖7示出了在光刻設(shè)備中使用的曝光劑量的測量方法。使用所述光刻設(shè)備，可以產(chǎn)生包含元件601的光柵，由此元件601可以是使用光刻設(shè)備被轉(zhuǎn)移至抗蝕劑中的器件的元件。在由類似于器件特征的元件601覆蓋的區(qū)域內(nèi)，可以限定包含圖7(a)(i)中嵌入式特征701以及圖7(a)(ii)中嵌入式特征702的兩個結(jié)構(gòu)。在該特定示例中，元件701和702的周期類似于圖6中的元件640。這樣的周期垂直于元件601的周期。元件701和702的節(jié)距可以是600nm。元件701和702被設(shè)計對曝光劑量敏感。在具有使用元件701調(diào)制的元件601的目標(biāo)構(gòu)成的第一結(jié)構(gòu)上、以及在具有使用元件702調(diào)制的元件601的目標(biāo)構(gòu)成的第二結(jié)構(gòu)上測量所衍射的信號。由元件721在圖7(b)中表示的所測量的更高階信號將是對于圖7(a)(i)中所表示的第一結(jié)構(gòu)的線711，以及對于圖7(a)(ii)中所表示第二結(jié)構(gòu)的線710。元件711和712示出了對所測量的高階衍射信號強度的曝光劑量的不同依賴性。圖7(b)中的元件720是光柵的關(guān)鍵尺寸的變化并且其直接與曝光劑量成比例。在該實施例的實際實施方式中，元件720將是曝光劑量。方法進一步包括差分信號722的提取，差分信號722是信號710和711之間的差。差分信號722也歸一化為對應(yīng)于相應(yīng)所測量的第一散射儀信號和第二散射儀信號的強度之和。在圖7(c)中，對于每個所測量的元件722，元件720上的對應(yīng)值通過關(guān)系712找到，這導(dǎo)致具有如上所述優(yōu)點的曝光劑量的提取。該方法使用了使用第一散射儀信號和第二散射儀信號以確定用于產(chǎn)生所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的曝光劑量值的步驟，包括使用對應(yīng)于相應(yīng)所測量的第一散射儀信號和第二散射儀信號的第一測量強度和第二測量強度之間的差。此外，使用第一散射儀信號和第二散射儀信號以確定用于制造所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的曝光劑量值的步驟包括歸一化步驟，并且歸一化因數(shù)是對應(yīng)于相應(yīng)所測量的第一散射儀信號和第二散射儀信號的強度之和。所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的第二周期性特性具有600nm的周期。

盡管如上所述的目標(biāo)結(jié)構(gòu)是特殊設(shè)計并且為了測量目的而形成的量測目標(biāo)，在其它實施例中，作為形成在襯底上的器件的功能部分的目標(biāo)上，屬性可以被測量。許多器件具有規(guī)則的、光柵狀的結(jié)構(gòu)。如在本文使用的術(shù)語“目標(biāo)光柵”和“目標(biāo)結(jié)構(gòu)”不要求為了所執(zhí)行的測量專門提供結(jié)構(gòu)。

與如實現(xiàn)在襯底上的目標(biāo)的物理光柵結(jié)構(gòu)以及圖案形成裝置相關(guān)聯(lián)，實施例可以包括包含了機器可讀指令的一個或多個序列的計算機程序，機器可讀指令描述了在襯底上制造目標(biāo)、測量襯底上目標(biāo)和/或分析測量以獲得關(guān)于光刻工藝信息的方法。該計算機程序可以在例如圖3的設(shè)備中的單元PU內(nèi)和/或圖2的控制單元LACU內(nèi)執(zhí)行。也可以提供具有存儲在其中的這樣的計算機程序的數(shù)據(jù)存儲媒介(例如，半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)。當(dāng)例如圖3所示類型示例的現(xiàn)有的量測設(shè)備已在制造和/或使用時，本發(fā)明可以通過提供所更新的計算機程序產(chǎn)品來實現(xiàn)，所更新的計算機程序產(chǎn)品用于使處理器執(zhí)行本文所述方法并且因此計算曝光劑量以及對曝光劑量的具有減小的靈敏度的離焦。程序可以可選地被布置以控制光學(xué)系統(tǒng)、襯底支撐結(jié)構(gòu)等來執(zhí)行用于測量合適的多個目標(biāo)結(jié)構(gòu)的步驟。

本文使用的術(shù)語“輻射”和“束”包括所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有或者約為365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波長)和遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如，具有在5－20nm范圍中的波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。

如上下文所允許的，術(shù)語“透鏡”可以涉及各種類型的光學(xué)部件(包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式光學(xué)部件)的任意一個或任意組合。

具體實施例的前述說明將因此完全揭示本發(fā)明的普遍性質(zhì)，在不脫離本發(fā)明的通常概念的情況下，他人通過應(yīng)用本領(lǐng)域技術(shù)內(nèi)的知識可以容易地修改和/或調(diào)整諸如具體實施例的各種應(yīng)用，而無需不適當(dāng)?shù)膶嶒?。因此，基于本文所呈現(xiàn)的教導(dǎo)和引導(dǎo)，這些調(diào)整和修改旨在在所公開實施例等同物的含義和范圍內(nèi)，。應(yīng)當(dāng)理解，本文的短語或術(shù)語是為了以示例描述的目的，并且并非為了限制的目的，以使本說明書的術(shù)語或短語將由受益于教導(dǎo)和引導(dǎo)的技術(shù)人員解釋。

應(yīng)當(dāng)理解，詳細(xì)說明書部分而非發(fā)明內(nèi)容和摘要部分旨在解釋權(quán)利要求。發(fā)明內(nèi)容和摘要部分可以闡述由發(fā)明人設(shè)計的本發(fā)明的一個或多個示例性實施例但是并非所有示例性實施例，并且因此不旨在以任何方式限制本發(fā)明和所附權(quán)利要求。

上面已經(jīng)借助于示出了具體功能及其相互關(guān)系的實施方式的功能性構(gòu)造塊而描述了本發(fā)明。這些功能構(gòu)造塊的邊界在本文中為了描述的方便而任意限定。備選的邊界可以限定，只要所規(guī)定的功能及其相互關(guān)系被合適地執(zhí)行。

具體實施例的前述說明書將也完全揭示本發(fā)明的普遍性質(zhì)，在不脫離本發(fā)明的通常概念的情況下，他人通過應(yīng)用在本領(lǐng)域技術(shù)內(nèi)的知識可以容易地修改和/或調(diào)整這些具體實施例的各種應(yīng)用，而無需不適當(dāng)?shù)膶嶒?。因此，基于本文所呈現(xiàn)的教導(dǎo)和引導(dǎo)，這些調(diào)整和修改旨在在所公開實施例的等同物的含義和范圍內(nèi)。應(yīng)當(dāng)理解，本文中的短語或術(shù)語是為了描述的目的，而并非為了限制的目的，以使本說明書的術(shù)語或短語將由受益于教導(dǎo)和引導(dǎo)的技術(shù)人員解釋。

本發(fā)明的寬度和范圍不應(yīng)由任意上述示例性實施例限制，而是應(yīng)當(dāng)僅根據(jù)以下權(quán)利要求和它們的等同物來限定。