1.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有：
第一導(dǎo)電層；
第二導(dǎo)電層；
第三導(dǎo)電層；
第一電容，其具有與所述第二導(dǎo)電層連接的第四導(dǎo)電層、和所述第三導(dǎo)電層與所述第四導(dǎo)電層之間的介電膜；以及
像素電路，其與所述第三導(dǎo)電層和所述第一導(dǎo)電層對應(yīng)地設(shè)置，
所述第二導(dǎo)電層與形成有所述第三導(dǎo)電層的層相比形成在上層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
所述第三導(dǎo)電層與形成有晶體管的源極電極的層相比形成在上層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
在所述第二導(dǎo)電層分別經(jīng)由所述第一電容連接有兩個(gè)以上的所述第三導(dǎo)電層，若將經(jīng)由所述第三導(dǎo)電層與同一所述第二導(dǎo)電層連接的所述像素電路的集合作為像素列，并將比所述像素列所包含的所述像素電路的個(gè)數(shù)少的個(gè)數(shù)的所述像素電路作為一個(gè)塊，則所述第三導(dǎo)電層針對各塊設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述第一電容的所述第四導(dǎo)電層形成在與所述第二導(dǎo)電層不同的層，所述第一電容的所述第三導(dǎo)電層形成在與所述第四導(dǎo)電層不同的層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
所述像素電路具備：
多個(gè)晶體管，其包括驅(qū)動(dòng)晶體管；以及
發(fā)光元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
與所述多個(gè)晶體管中的所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流端連接的電源線與所述第三導(dǎo)電層相比形成在下層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極被所述電源線覆蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
所述第一電容按照每個(gè)所述第三導(dǎo)電層設(shè)置。
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，
具備權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置。