電光學裝置、電子設(shè)備以及電光學裝置的驅(qū)動方法與流程
本發(fā)明涉及電光學裝置、電子設(shè)備、以及電光學裝置的驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
近年來提出各種使用了有機發(fā)光二極管(以下，稱為OLED(Organic Light Emitting Diode))元件等發(fā)光元件的電光學裝置。在該電光學裝置的一般構(gòu)成中，對應(yīng)于掃描線與數(shù)據(jù)線的交叉，包括發(fā)光元件、晶體管等的像素電路與要顯示的圖像的像素對應(yīng)地設(shè)置。
在這樣的構(gòu)成中，若將與像素的灰度電平對應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號施加給該晶體管的柵極，則該晶體管將與柵極-源極間的電壓對應(yīng)的電流供給至發(fā)光元件。由此，該發(fā)光元件以與灰度電平對應(yīng)的亮度進行發(fā)光。
在將晶體管應(yīng)用于發(fā)光強度的調(diào)節(jié)的驅(qū)動方式中，若設(shè)置在各像素中的晶體管的閾值電壓有偏差，則在發(fā)光元件中流動的電流有偏差，所以顯示圖像的畫質(zhì)降低。因此，為了防止畫質(zhì)的降低，需要補償晶體管的閾值電壓的偏差。將執(zhí)行該補償?shù)膭幼?以下，稱為補償動作)的期間稱為補償期間，在補償期間中，使該晶體管的漏極以及柵極與按每一列設(shè)置的數(shù)據(jù)信號的供給線連接，將其電位設(shè)定為與該晶體管的閾值電壓對應(yīng)的值(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1：日本特開2013－88611號公報
另外，由于數(shù)據(jù)信號的供給線附帶寄生電容，所以在執(zhí)行補償動作時也進行對該寄生電容的充電或者放電。而且，補償期間變長了對該寄生電容的充電或者放電所需的時間。另外，如果不考慮對該供給線附帶的寄生電容的充電或者放電所需的時間而設(shè)定補償期間，則該補償期間中的補償變得不充分。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明是鑒于上述的情況而完成的，其目的之一在于實現(xiàn)對使用于發(fā)光強度的調(diào)節(jié)的晶體管的閾值電壓的偏差進行補償?shù)难a償動作的高速化。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一方式所涉及的電光學裝置的特征在于，具有：掃描線；第1數(shù)據(jù)傳輸線；第2數(shù)據(jù)傳輸線；第1電容，其包括與上述第1數(shù)據(jù)傳輸線連接的第1電極、和與上述第2數(shù)據(jù)傳輸線連接的第2電極；第1晶體管，其使上述第1數(shù)據(jù)傳輸線和上述第2數(shù)據(jù)傳輸線成為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)；像素電路，其與上述第2數(shù)據(jù)傳輸線和上述掃描線對應(yīng)地設(shè)置；以及驅(qū)動電路，其驅(qū)動上述像素電路，上述像素電路包括：驅(qū)動晶體管，其具備柵電極、第1電流端以及第2電流端；第2晶體管，其連接在上述第2數(shù)據(jù)傳輸線與上述驅(qū)動晶體管的上述柵電極之間；第3晶體管，其用于使上述驅(qū)動晶體管的上述第1電流端、和上述驅(qū)動晶體管的上述柵電極導通；以及發(fā)光元件，其以與經(jīng)由上述驅(qū)動晶體管供給的電流的大小對應(yīng)的亮度發(fā)光，上述驅(qū)動電路在第1期間，使上述第1晶體管導通來使上述第1數(shù)據(jù)傳輸線和上述第2數(shù)據(jù)傳輸線成為導通狀態(tài)，并且使上述第2晶體管以及上述第3晶體管截止來對上述第2數(shù)據(jù)傳輸線供給初始電位，在緊接著上述第1期間的第2期間，使上述第1晶體管截止來使上述第1數(shù)據(jù)傳輸線和上述第2數(shù)據(jù)傳輸線成為非導通狀態(tài)，并且使上述第2晶體管以及上述第3晶體管導通來使上述驅(qū)動晶體管的上述第1電流端、和上述驅(qū)動晶體管的上述柵電極導通，二條以上的上述第2數(shù)據(jù)傳輸線分別經(jīng)由上述第1電容與上述第1數(shù)據(jù)傳輸線連接，若將經(jīng)由上述第2數(shù)據(jù)傳輸線與同一上述第1數(shù)據(jù)傳輸線連接的上述像素電路的集合設(shè)為像素列，則針對比上述像素列所包含的上述像素電路的個數(shù)少的個數(shù)的上述像素電路設(shè)置上述第2數(shù)據(jù)傳輸線。
根據(jù)該方式，基于下述的理由，與以往的構(gòu)成相比較，縮短了第2期間(補償期間)。此處將經(jīng)由第2數(shù)據(jù)傳輸線和第1電容(轉(zhuǎn)移電容)與同一第1數(shù)據(jù)傳輸線連接的像素電路的集合稱為“像素列”，將與同一第2數(shù)據(jù)傳輸線連接的像素電路的集合稱為“塊”。根據(jù)本方式，對比像素列所包括的像素電路的個數(shù)少的個數(shù)的像素電路設(shè)置第2數(shù)據(jù)傳 輸線。與此相對，在以往的構(gòu)成中，針對一個像素列(所包括的全部像素電路)設(shè)置一條第1數(shù)據(jù)傳輸線和一條第2數(shù)據(jù)傳輸線。因此，第2數(shù)據(jù)傳輸線與以往的構(gòu)成相比較短。由此，縮短對第2數(shù)據(jù)傳輸線的充電或者放電所需的時間。換句話說，與以往的構(gòu)成相比較，縮短對附隨于第2數(shù)據(jù)傳輸線的寄生電容的充電或者放電所需的時間，所以縮短了第2期間(補償期間)。
本發(fā)明的其它方式所涉及的電光學裝置是上述一方式所涉及的電光學裝置，其特征在于，包括連接在上述驅(qū)動晶體管的上述第1電流端與上述發(fā)光元件之間的第4晶體管。根據(jù)該方式，第4晶體管作為對驅(qū)動晶體管與發(fā)光元件之間的電連接進行控制的開關(guān)晶體管發(fā)揮作用。
本發(fā)明的其它方式的電光學裝置是上述一方式所涉及的電光學裝置，其特征在于，包括第5晶體管，該第5晶體管連接在對上述發(fā)光元件供給復(fù)位電位的復(fù)位電位供給線與上述發(fā)光元件之間。根據(jù)該方式，第5晶體管作為對復(fù)位電位供給線與發(fā)光元件之間的電連接進行控制的開關(guān)晶體管發(fā)揮作用。
本發(fā)明的其它方式的電光學裝置是上述一方式所涉及的電光學裝置，其特征在于，上述驅(qū)動電路在緊接著上述第2期間的第3期間，使上述第1晶體管以及第3晶體管截止，且使第2晶體管導通，并且使對與指定灰度對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號進行保持的第2電容與上述第1數(shù)據(jù)傳輸線。根據(jù)該方式，在第3期間(寫入期間)中經(jīng)由第1數(shù)據(jù)傳輸線將與各像素的指定灰度對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號供給至像素電路。
本發(fā)明的其它方式所涉及的電光學裝置的特征在于，包括：第1數(shù)據(jù)傳輸線；第2數(shù)據(jù)傳輸線；第1電容，其包括與上述第1數(shù)據(jù)傳輸線連接的第1電極、和與上述第2數(shù)據(jù)傳輸線連接的第2電極；驅(qū)動晶體管；補償部，其將與上述驅(qū)動晶體管的電氣特性對應(yīng)的電位輸出給上述第2電極以及上述第2數(shù)據(jù)傳輸線；數(shù)據(jù)傳輸線驅(qū)動電路，其切換上述數(shù)據(jù)傳輸線以及上述第1電極的電位，以使上述數(shù)據(jù)傳輸線以及上述第1電極的電位的變化量成為與灰度電平對應(yīng)的值；以及發(fā)光元件，其以與基于從與上述驅(qū)動晶體管的電氣特性對應(yīng)的電位根據(jù)上述變化量進行了移位后的電位而被供給的電流的大小對應(yīng)的亮度發(fā)光，上述第1數(shù)據(jù)傳輸線與M個像素對應(yīng)設(shè)置，上述第2數(shù)據(jù)傳輸線被分割為M除以 Nb所得的值即K條，在1條上述第2數(shù)據(jù)傳輸線上連接有Nb個像素。
根據(jù)該方式，針對一條第1數(shù)據(jù)傳輸線設(shè)置M除以Nb所得的值即K條第2數(shù)據(jù)傳輸線。另外，第1數(shù)據(jù)傳輸線與M行(M個)像素電路對應(yīng)設(shè)置，第2數(shù)據(jù)傳輸線與比M行少的Nb行(Nb個)像素電路對應(yīng)設(shè)置。因此，第2數(shù)據(jù)傳輸線與第1數(shù)據(jù)傳輸線相比較短。由此，縮短對第2數(shù)據(jù)傳輸線的充電或者放電所需的時間。
因此，與以往的構(gòu)成相比較，縮短了對附隨于第2數(shù)據(jù)傳輸線的寄生電容的充電或者放電所需的時間，所以縮短了補償期間本身。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一方式所涉及的電子設(shè)備的特征在于，具備上述各方式的任意一個所涉及的電光學裝置。根據(jù)該方式，提供一種具備上述各方式的任意一個所涉及的電光學裝置。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一方式所涉及的電光學裝置的驅(qū)動方法的特征在于，該電光學裝置包括：掃描線；第1數(shù)據(jù)傳輸線；第2數(shù)據(jù)傳輸線；第1電容，其包括與上述第1數(shù)據(jù)傳輸線連接的第1電極、和與上述第2數(shù)據(jù)傳輸線連接的第2電極；第1晶體管，其使上述第1數(shù)據(jù)傳輸線和上述第2數(shù)據(jù)傳輸線成為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)；以及像素電路，其與上述第2數(shù)據(jù)傳輸線和上述掃描線對應(yīng)地設(shè)置，上述像素電路包括：驅(qū)動晶體管，其具備柵電極、第1電流端、以及第2電流端；第2晶體管，其連接在上述第2數(shù)據(jù)傳輸線與上述驅(qū)動晶體管的上述柵電極之間；第3晶體管，其用于使上述驅(qū)動晶體管的上述第1電流端、和上述驅(qū)動晶體管的上述柵電極導通；發(fā)光元件，其以與經(jīng)由上述驅(qū)動晶體管供給的電流的大小對應(yīng)的亮度發(fā)光，二條以上的上述第2數(shù)據(jù)傳輸線分別經(jīng)由上述第1電容與上述第1數(shù)據(jù)傳輸線連接，若將經(jīng)由上述第2數(shù)據(jù)傳輸線與同一上述第1數(shù)據(jù)傳輸線連接的上述像素電路的集合設(shè)為像素列，則對比上述像素列所包括的上述像素電路的個數(shù)少的個數(shù)的上述像素電路設(shè)置上述第2數(shù)據(jù)傳輸線，在第1期間，使上述第1晶體管導通來使上述第1數(shù)據(jù)傳輸線和上述第2數(shù)據(jù)傳輸線成為導通狀態(tài)，并且使上述第2晶體管以及上述第3晶體管截止來對上述第2數(shù)據(jù)傳輸線供給初始電位，在緊接著上述第1期間的第2期間，使上述第1晶體管截止來使上述第1數(shù)據(jù)傳輸線和上述第2數(shù)據(jù)傳輸線成為非導通狀態(tài)，并且使上述第2晶體管以及上述第3晶體管導通來使上述驅(qū)動 晶體管的上述第1電流端、和上述驅(qū)動晶體管的上述柵電極導通，。
根據(jù)該方式，基于下述的理由，與以往的構(gòu)成相比較縮短第2期間(補償期間)。此處將經(jīng)由第2數(shù)據(jù)傳輸線和第1電容(轉(zhuǎn)移電容)與同一第1數(shù)據(jù)傳輸線連接的像素電路的集合稱為“像素列”，將與同一第2數(shù)據(jù)傳輸線連接的像素電路的集合稱為“塊”。根據(jù)本方式，針對比像素列所包括的像素電路的個數(shù)少的個數(shù)的像素電路設(shè)置第2數(shù)據(jù)傳輸線。與此相對，在以往的構(gòu)成中，針對一個像素列(所包括的全部的像素電路)設(shè)置一條第1數(shù)據(jù)傳輸線和一條第2數(shù)據(jù)傳輸線。因此，第2數(shù)據(jù)傳輸線與以往的構(gòu)成相比較短。由此，縮短了對第2數(shù)據(jù)傳輸線的充電或者放電所需的時間。換句話說，與以往的構(gòu)成相比較，縮短了對附隨于第2數(shù)據(jù)傳輸線的寄生電容的充電或者放電所需的時間，所以縮短了第2期間(補償期間)。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的電光學裝置的構(gòu)成的立體圖。
圖2是表示該電光學裝置的構(gòu)成的框圖。
圖3是用于說明該電光學裝置的多路分配器和電平移位電路的構(gòu)成電路圖。
圖4是表示該電光學裝置的像素電路的構(gòu)成的電路圖。
圖5是說明該電光學裝置特有的構(gòu)成的圖。
圖6是說明作為比較例所示的以往的構(gòu)成的圖。
圖7是表示該電光學裝置的動作的時間圖。
圖8是該電光學裝置的動作說明圖。
圖9是該電光學裝置的動作說明圖。
圖10是表示該電光學裝置的動作的時間圖。
圖11是該電光學裝置的動作說明圖。
圖12是該電光學裝置的動作說明圖。
圖13是表示變形例所涉及的像素電路的構(gòu)成的電路圖。
圖14是表示HMD的外觀構(gòu)成的圖。
圖15是表示HMD的光學構(gòu)成的圖。
具體實施方式
圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的電光學裝置1的構(gòu)成的立體圖。電光學裝置1是例如在頭戴式顯示器中顯示圖像的微型顯示器。
如圖1所示，電光學裝置1具備顯示面板2、和控制顯示面板2的動作的控制電路3。顯示面板2具備多個像素電路、和驅(qū)動該像素電路的驅(qū)動電路。在本實施方式中，顯示面板2具備的多個像素電路以及驅(qū)動電路形成于硅基板，對于像素電路，使用了發(fā)光元件的一個例子的OLED。另外，顯示面板2例如被收納于在顯示部開口的框狀的殼體82，并且，與FPC(Flexible Printed Circuit：撓性電路板)基板84的一端連接。
在FPC基板84上通過COF(Chip On Film：覆晶薄膜)技術(shù)安裝有半導體晶片的控制電路3，并且設(shè)置有多個端子86，與省略了圖示的上位電路連接。
圖2是表示實施方式所涉及的電光學裝置1的構(gòu)成的框圖。如上述，電光學裝置1具備顯示面板2和控制電路3。
從省略了圖示的上位電路與同步信號同步地對控制電路3供給數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)Video。此處，圖像數(shù)據(jù)Video是例如以8位規(guī)定應(yīng)在顯示面板2(嚴格來說，后述的顯示部100)顯示的圖像的像素的灰度電平的數(shù)據(jù)。另外，同步信號是包括垂直同步信號、水平同步信號以及點時鐘信號的信號。
控制電路3基于同步信號，生成各種控制信號，并對顯示面板2供給該控制信號。具體而言，控制電路3對顯示面板2供給控制信號Ctr、 正邏輯的控制信號Gini、與控制信號Gini處于邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的負邏輯的控制信號/Gini、正邏輯的控制信號Gcpl、與控制信號Gcpl處于邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的負邏輯的控制信號/Gcpl、控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)、與這些控制信號Sel(1)、以及Sel(2)、Sel(3)的信號處于邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。
此處，控制信號Ctr是包括脈沖信號、時鐘信號、使能信號等多個信號的信號。
此外，有時將控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)統(tǒng)稱為控制信號Sel，將控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)統(tǒng)稱為控制信號/Sel。
另外，控制電路3包括電壓生成電路31。電壓生成電路31對顯示面板2供給各種電位。具體而言，控制電路3對顯示面板2供給復(fù)位電位Vorst以及初始電位Vini等。
并且，控制電路3基于圖像數(shù)據(jù)Video來生成模擬的圖像信號Vid。具體而言，在控制電路3中設(shè)置將圖像信號Vid表示的電位以及顯示面板2具備的發(fā)光元件(后述的OLED130)的亮度建立對應(yīng)地進行存儲的檢查表。而且，控制電路3通過參照該檢查表，來生成表示與圖像數(shù)據(jù)Video所規(guī)定的發(fā)光元件的亮度對應(yīng)的電位的圖像信號Vid，并對顯示面板2供給該圖像信號Vid。
圖2所示，顯示面板2具備顯示部100、和驅(qū)動顯示部100的驅(qū)動電路(數(shù)據(jù)傳輸線驅(qū)動電路10以及掃描線驅(qū)動電路20)。
在顯示部100中，與應(yīng)顯示的圖像的像素對應(yīng)的像素電路110呈矩陣狀排列。詳細而言，在顯示部100中，M行的掃描線12在圖中沿著橫方向(X方向)延伸設(shè)置，另外，按每3列分組的(3N)列的第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1在圖中沿著縱向(Y方向)延伸，并且與各掃描線12保持相互電絕緣地設(shè)置。
此外，為了避免附圖的復(fù)雜化，圖2中未圖示，但第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2能夠與各個第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1電連接，且沿著縱向(Y方向)延伸設(shè)置(例如參照圖4)。而且，與M行的掃描線12、和(3N)列的 第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2對應(yīng)地設(shè)置像素電路110。因此，在本實施方式中，像素電路110以縱M行×橫(3N)列呈矩陣狀排列。
此處，M、N均為自然數(shù)。為了區(qū)分掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行(row)，有時在圖中從上到下按順序稱為1、2、3、…、(M－1)、M行。同樣地為了區(qū)分第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及像素電路110的矩陣的列(Column)，有時在圖中從左到右按順序稱為1、2、3、…、(3N－1)、(3N)列。
此處，為了通?；f明第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1的組，若將1以上的任意的整數(shù)表示為n，則從左數(shù)第(3n－2)列、第(3n－1)列以及第(3n)列的第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1屬于第n組。
此外，和同一行的掃描線12以屬于同一組的3列的第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2對應(yīng)的3個像素電路110分別與R(紅)、G(綠)、B(藍)的像素對應(yīng)，這三個像素表現(xiàn)應(yīng)顯示的彩色圖像的1點。即，在本實施方式中，成為通過與RGB對應(yīng)的OLED的發(fā)光而利用加色混色表現(xiàn)1點的彩色的構(gòu)成。
另外，如圖2所示，在顯示部100中，(3N)列的供電線(復(fù)位電位供給線)16沿著縱向延伸，并且與各掃描線12保持相互電絕緣地設(shè)置。規(guī)定的復(fù)位電位Vorst被共通地供給至各供電線16。此處，為了區(qū)分供電線16的列，有時在圖中從左到右按順序稱為第1、2、3、…、(3N)列供電線16。第1列～第(3N)列供電線16分別與第1列目～第(3N)列第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1(第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2)的每一個對應(yīng)地設(shè)置。
掃描線驅(qū)動電路20根據(jù)控制信號Ctr生成用于在一個幀的期間內(nèi)逐行按順序掃描M條的掃描線12的掃描信號Gwr。此處，分別將供給至第1、2、3…、M行掃描線12的掃描信號Gwr記載為Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(M-1)、Gwr(M)。
此外，掃描線驅(qū)動電路20除了掃描信號Gwr(1)～Gwr(M)之外還按每行生成與該掃描信號Gwr同步的各種控制信號，并供給至顯示部100，但圖2中省略圖示。另外，幀的期間是指電光學裝置1顯示 1鏡頭(片段)的圖像所需的期間，例如如果同步信號所包含的垂直同步信號的頻率為120Hz，則是其1周期的8.3毫秒的期間。
數(shù)據(jù)傳輸線驅(qū)動電路10具備與(3N)列的第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1的每一個一一對應(yīng)設(shè)置的(3N)個電平移位電路LS、在按照構(gòu)成各組的3列的每個第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1設(shè)置的N個多路分配器DM、以及數(shù)據(jù)信號供給電路70
數(shù)據(jù)信號供給電路70基于從控制電路3供給的圖像信號Vid和控制信號Ctr來生成數(shù)據(jù)信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。即，數(shù)據(jù)信號供給電路70基于數(shù)據(jù)信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)被時分復(fù)用后的圖像信號Vid來生成數(shù)據(jù)信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。而且，數(shù)據(jù)信號供給電路70分別對與第1、2、…、N組對應(yīng)的多路分配器DM供給數(shù)據(jù)信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。
圖3是用于說明多路分配器DM和電平移位電路LS的構(gòu)成的電路圖。此外，圖3代表性地示出屬于第n組的多路分配器DM、和與該多路分配器DM連接的三個電平移位電路LS。此外，以下，有時將屬于第n組的多路分配器DM記載為DM(n)。
以下，除了圖2還參照圖3，對多路分配器DM以及電平移位電路LS的構(gòu)成進行說明。
如圖3所示，多路分配器DM是按每一列設(shè)置的傳輸門34的集合體，對構(gòu)成各組的3列按順序供給數(shù)據(jù)信號。此處，與屬于第n組的(3n－2)、(3n－1)、(3n)列對應(yīng)的傳輸門34的輸入端相互共通地連接，分別對該公共端子供給數(shù)據(jù)信號Vd(n)。在控制信號Sel(1)為H電平時(控制信號/Sel(1)為L電平時)，第n組中設(shè)置在左端列的(3n－2)列的傳輸門34導通(ON)。同樣地，在控制信號Sel(2)為H電平時(控制信號/Sel(2)為L電平時)，第n組中設(shè)置在中央列的(3n－1)列的傳輸門34導通，在控制信號Sel(3)為H電平時(控制信號/Sel(3)為L電平時)，第n組中設(shè)置在右端列的(3n)列的傳輸門34導通。
電平移位電路LS按每一列具有保持電容(第2電容)41、傳輸門 45、以及傳輸門42的組，是對從各列的傳輸門34的輸出端輸出的數(shù)據(jù)信號的電位進行移位的電路。
各列的傳輸門45的源極或者漏極與第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1電連接。另外，控制電路3共通地地對各列的傳輸門45的柵極供給控制信號/Gini。在控制信號/Gini為L電平時，傳輸門45使第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1和初始電位Vini的供給線電連接，在控制信號/Gini為H電平時，使第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1和初始電位Vini的供給線非電連接。此外，從控制電路3對初始電位Vini的供給線61供給規(guī)定的初始電位Vini。
保持電容41具有2個電極。保持電容41的一個電極經(jīng)由節(jié)點h與傳輸門42的輸入端電連接。另外，傳輸門42的輸出端與第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1電連接。
控制電路3共通地地對各列的傳輸門42供給控制信號Gcpl以及控制信號/Gcpl。因此，在控制信號Gcpl為H電平時(控制信號/Gcpl為L電平時)，各列的傳輸門42一齊導通。
各列的保持電容41的一個電極經(jīng)由節(jié)點h與傳輸門34的輸出端以及傳輸門42的輸入端電連接。而且，在傳輸門34導通時，經(jīng)由傳輸門34的輸出端對保持電容41的一個電極供給數(shù)據(jù)信號Vd(n)。即，保持電容41對一個電極供給數(shù)據(jù)信號Vd(n)。
另外，各列的保持電容41的另一方的電極與供給固定電位的電位Vss的供電線63共通地連接。此處，電位Vss也可以是相當于作為邏輯信號的掃描信號、控制信號的L電平的電位。此外，將保持電容41的電容值設(shè)為Crf。
參照圖4，對像素電路110等進行說明。為了通常表示像素電路110排列的行，將1以上M以下的任意的整數(shù)表示為m。另外，將1以上M以下且連續(xù)的任意的整數(shù)表示為m1、m2。即，m是包含m1、m2的一般化的概念。
如果從電氣方面來看，由于各像素電路110是相互相同的構(gòu)成，所以此處，以位于第m行、且位于第n組中左端列的第(3n－2)列的m行(3n－2)列的像素電路110為例進行說明。
如圖4所示，在第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1上電連接有轉(zhuǎn)移電容(第1電容)133的第1電極133－1、和第1晶體管126的源極或者漏極的一方。另外，轉(zhuǎn)移電容133的第2電極133－2、第1晶體管126的源極或者漏極的另一方與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接。
換句話說，在第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2之間，轉(zhuǎn)移電容133和第1晶體管126并聯(lián)連接。
另外，像素電路110與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接。即，經(jīng)由第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2對像素電路110供給與指定灰度對應(yīng)的灰度電位。
具體而言，Nb個的像素電路110與一條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接。在本實施方式中，Nb＝2，如圖4所示，第m1行的像素電路110、和第m2行的像素電路110與一條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接。
換句話說，在本實施方式中，二個像素電路110共享一條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2、一個轉(zhuǎn)移電容133、和第1晶體管126。
此處，與一條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的個數(shù)(Nb)并不限于二個，只要是一個以上則可以是任何個數(shù)。此外，決定Nb時應(yīng)考慮的事項后面詳述。
圖5是用于本實施方式特有的構(gòu)成的圖。在本實施方式中，如圖5所示，二個以上的第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2分別經(jīng)由轉(zhuǎn)移電容133與第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1連接。
此處，將經(jīng)由第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2和轉(zhuǎn)移電容133與同一第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1連接的像素電路110的集合稱為“像素列”(圖5中的像素列L)。另外，將與同一第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的集合稱為“塊”(圖5中的塊B)。
如圖5所示，像素列L包括多個塊B，各塊B包括多個像素電路110。換句話說，在本實施方式中，對比像素列L所包括的像素電路110的個數(shù)少的個數(shù)的像素電路110設(shè)置第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2。
與此相對，以往的構(gòu)成是圖6所示的圖。圖6是用于作為比較例所 示的以往的構(gòu)成的圖。如該圖所示，在以往的構(gòu)成中，對像素列L設(shè)置第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2，在其端部設(shè)置有轉(zhuǎn)移電容133和第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1。換句話說，在以往的構(gòu)成中，針對一個像素列L(所包括的全部像素電路110)設(shè)置有一條第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1和一條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2。這一點與參照圖5所說明的本實施方式特有的構(gòu)成，即按第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2構(gòu)成像素列L的塊B單位分割而設(shè)置多個的點明確不同。
然而，如下述的(式1)所示，將顯示部10中的像素電路110的全行數(shù)M除以與一條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的行數(shù)Nb所得的值設(shè)為K。換言之，第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2被分割為將M除以Nb所得的值即K條，在1條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2上連接Nb個像素電路110。
【數(shù)1】
在本實施方式中，對一條第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1設(shè)置K(K≥2)條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2。換言之，一個像素列L具備K個塊B。另外，第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1與M行(M個)的像素電路110對應(yīng)地設(shè)置，第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2與Nb行(Nb個)的像素電路110對應(yīng)地設(shè)置。因此，第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2與第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1相比較短。
在本實施方式中，Nb的值為2。此外，使用k作為1以上K以下的任意整數(shù)。
以下，如圖4所示，與包括第m1行以及第m2行的塊對應(yīng)的第1晶體管126為從第1行數(shù)第k個的第1晶體管126，供給控制信號Gfix(k)。
像素電路110包括P溝道MOS型的晶體管121～125、OLED130、和像素電容132。對第m行像素電路110供給掃描信號Gwr(m)、控制信號Gcmp(m)、Gel(m)、Gorst(m)。此處，分別對應(yīng)于第m行， 通過掃描線驅(qū)動電路20供給掃描信號Gwr(m)、控制信號Gcmp(m)、Gel(m)、Gorst(m)。
此外，圖2中省略圖示，但如圖4所示，在顯示面板2(顯示部100)上設(shè)置沿著橫向(X方向)延伸的M行的控制線143(第1控制線)、沿著橫向延伸的M行的控制線144(第2控制線)、沿著橫向延伸的M行的控制線145(第3控制線)、沿著橫向延伸的K行的控制線146(第4控制線)。
而且，掃描線驅(qū)動電路20對第m行控制線143供給控制信號Gcmp(m)，對第m行控制線144供給控制信號Gel(m)，對第m行控制線145供給控制信號Gorst(m)，對第k行控制線146供給控制信號Gfix(k)。
即，掃描線驅(qū)動電路20分別經(jīng)由第m行掃描線12、控制線143、144、145對位于第m行的像素電路供給掃描信號Gwr(m)、控制信號Gel(m)、Gcmp(m)、Gorst(m)。另外，經(jīng)由第k行控制線146對位于第k行的第1晶體管126供給控制信號Gfix(k)。
以下，有時將掃描線12、控制線143、控制線144、控制線145、以及控制線146統(tǒng)稱為“控制線”。即，在本實施方式所涉及的顯示面板2上，各行設(shè)置包括掃描線12的4條控制線，并且按每一Nb行設(shè)置1條控制線146。
像素電容132以及轉(zhuǎn)移電容133分別具有2個電極。轉(zhuǎn)移電容133是包括第1電極133－1和第2電極133－2的靜電電容。
第2晶體管122的柵極與第m行掃描線12電連接，源極或者漏極的一方與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接。另外，第2晶體管122的源極或者漏極的另一方分別與驅(qū)動晶體管121的柵極、和像素電容132的一方的電極電連接。即，第2晶體管122電連接在驅(qū)動晶體管121的柵極與轉(zhuǎn)移電容133的第2電極133－2之間。而且，第2晶體管122作為對驅(qū)動晶體管121的柵極和與第(3n－2)列第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的轉(zhuǎn)移電容133的第2電極133－2之間的電連接進行控制的晶體管發(fā)揮作用。
驅(qū)動晶體管121其源極與供電線116電連接，其漏極與第3晶體管123的源極或者漏極的一方、和第4晶體管124的源極電連接。
此處，對供電線116供給像素電路110中成為電源的高位側(cè)的電位Vel。該驅(qū)動晶體管121作為使與驅(qū)動晶體管121的柵極以及源極間的電壓對應(yīng)的電流流動的驅(qū)動晶體管發(fā)揮作用。
第3晶體管123的柵極與控制線143電連接，供給控制信號Gcmp(m)。該第3晶體管123作為對驅(qū)動晶體管121的柵極與漏極之間的電連接進行控制的開關(guān)晶體管發(fā)揮作用。因此，第3晶體管123是用于經(jīng)由第2晶體管122使驅(qū)動晶體管121的柵極以及漏極之間導通的晶體管。此外，在第3晶體管123的源極和漏極的一方與驅(qū)動晶體管121的柵極之間連接有第2晶體管122，但也可解釋為第3晶體管123的源極和漏極的一方與驅(qū)動晶體管121的柵極電連接。
第4晶體管124的柵極與控制線144電連接，被供給控制信號Gel(m)。另外，第4晶體管124的漏極分別與第5晶體管125的源極和OLED130的陽極130a電連接。該第4晶體管124作為對驅(qū)動晶體管121的漏極與OLED130的陽極之間的電連接進行控制的開關(guān)晶體管發(fā)揮作用。并且，在驅(qū)動晶體管121的漏極與OLED130的陽極之間連接有第4晶體管124，但也可解釋為驅(qū)動晶體管121的漏極與OLED130的陽極電連接。
第5晶體管125的柵極與控制線145電連接，被供給控制信號Gorst(m)。另外，第5晶體管125的漏極與第(3n－2)列的供電線16電連接而被保持在復(fù)位電位Vorst。該第5晶體管125作為對供電線16與OLED130的陽極130a之間的電連接進行控制的開關(guān)晶體管發(fā)揮作用。
第1晶體管126的柵極與控制線146電連接，被供給控制信號Gfix(k)。另外，第1晶體管126的源極或者漏極的一方與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接，經(jīng)由第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2與轉(zhuǎn)移電容133的第2電極133－2以及第3晶體管123的源極或者漏極的另一方電連接。另外，第1晶體管126的源極或者漏極的另一方與第(3n－2)列的第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1電連接。
該第1晶體管126主要作為對第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2之間的電連接進行控制的開關(guān)晶體管發(fā)揮作用。
此處，第1晶體管126以及轉(zhuǎn)移電容133由與同一第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的Nb個像素電路110共享。在本實施方式中，如圖4所示，由第m1行的像素電路110和第m2的行像素電路110這二個像素電路110共享。
此外，在本實施方式中，由于顯示面板2形成于硅基板，所以晶體管121～126的基板電位為電位Vel。另外，上述中的晶體管121～126的源極、漏極也可以根據(jù)晶體管121～126的溝道型、電位的關(guān)系來更換。另外，晶體管可以是薄膜晶體管，也可以是場效應(yīng)晶體管。
像素電容132的一方的電極與驅(qū)動晶體管121的柵極g電連接，另一方的電極與供電線116電連接。因此，像素電容132作為對驅(qū)動晶體管121的柵極-源極間的電壓進行保持的保持電容發(fā)揮作用。此外，將像素電容132的電容值記載為Cpix。
此外，作為像素電容132，可以使用寄生于驅(qū)動晶體管121的柵極g的電容，也可以使用通過在硅基板利用相互不同的導電層夾持絕緣層而形成的電容。
OLED130的陽極130a是按每個像素電路110獨立設(shè)置的像素電極。與此相對，OLED130的陰極是遍及像素電路110的全部共用設(shè)置的共用電極118，被保持成在像素電路110中成為電源的低位側(cè)的電位Vct。OLED130是在上述硅基板中通過陽極130a和具有透光性的陰極夾持白色有機EL層而成的元件。而且，在OLED130的出射側(cè)(陰極側(cè))重疊與RGB的任意一個對應(yīng)的彩色濾光片。此外，也可以調(diào)整夾著白色有機EL層而配置的2個反射層間的光學距離來形成腔結(jié)構(gòu)，并設(shè)定從OLED130發(fā)出的光的波長。該情況下，可以具有彩色濾光片，也可以不具有。
在這種OLED130中，若電流從陽極130a流向陰極，則從陽極130a注入的空穴和從陰極注入的電子在有機EL層再結(jié)合而生成激子，產(chǎn)生白色光。此時成為產(chǎn)生的白色光透過與硅基板(陽極130a)相反的一側(cè) 的陰極，經(jīng)過由彩色濾光片實現(xiàn)的著色而在觀察者側(cè)被視覺確認的構(gòu)成。
參照圖7，對電光學裝置1的動作進行說明。圖7是用于說明電光學裝置1中的各部的動作的時間圖。如該圖所示，掃描線驅(qū)動電路20依次將掃描信號Gwr(1)～Gwr(M)切換為L電平，在1幀的期間按每1水平掃描期間(H)依次掃描1～第M行掃描線12。
1水平掃描期間(H)中的動作在各行的像素電路110中是共同的。因此，以下，在水平掃描第m1行的水平掃描期間中，特別是著眼于m1行(3n－2)列的像素電路110來說明動作。
在本實施方式中，第m1行的水平掃描期間大致區(qū)分為圖7中(c)所示的補償期間、和(d)所示的寫入期間。另外，水平掃描期間以外的期間被分為(a)所示的發(fā)光期間、和(b)所示的初始化期間。而且，(d)的寫入期間之后，再次成為(a)所示的發(fā)光期間，經(jīng)過1幀的期間后再次到達第m1行的水平掃描期間。因此，如果以時間的順序來說，成為發(fā)光期間→初始化期間→補償期間→寫入期間→發(fā)光期間這一周期的反復(fù)。
以下，為了便于說明，從成為初始化期間的前提的發(fā)光期間開始進行說明。圖8是說明發(fā)光期間中的像素電路110等的動作的圖。此外，圖8中，用粗線表示動作說明中重要的電流路徑，在截止狀態(tài)的晶體管或者傳輸門上用粗線附加“X”記號(以下的圖9、圖11、以及圖12中也同樣)。
＜發(fā)光期間＞
如圖7的時間圖所示，在第m1行的發(fā)光期間中，掃描信號Gwr(m1)為H電平，控制信號Gel(m1)為L電平，控制信號Gcmp(m1)為H電平，控制信號Gfix(k)為H電平。
因此，如圖8所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，第4晶體管124導通，另一方面，晶體管122、123、125、126截止。由此，驅(qū)動晶體管121將與被像素電容132保持的電壓，即柵極-源極間的電壓Vgs對應(yīng)的驅(qū)動電流Ids供給至OLED130。換句話說，OLED130通 過驅(qū)動晶體管121供給對應(yīng)于與各像素的指定灰度對應(yīng)的灰度電位的電流，以與該電流對應(yīng)的亮度發(fā)光。
此處，發(fā)光期間中，在電平移位電路LS中，控制信號/Gini變?yōu)镠電平，所以如圖8所示，傳輸門45截止，控制信號Gcpl變?yōu)長電平，所以如圖8所示，傳輸門42截止。另外，在發(fā)光期間的多路分配器DM(n)中，由于控制信號Sel(1)變?yōu)長電平，所以傳輸門34截止。
此外，第m1行的發(fā)光期間是水平掃描第m1行以外的期間，所以傳輸門34、傳輸門42、傳輸門45配合這些行的動作來進行導通或者截止，所以第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2的電位適當?shù)刈儎?。但是，在第m1行的像素電路110中，第2晶體管122截止，所以此處不考慮第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2的電位變動。
＜初始化期間＞
接下來，第m1行的初始化期間開始。如圖7所示，在第m1行的初始化期間中，掃描信號Gwr(m1)為H電平，控制信號Gel(m1)為H電平，控制信號Gcmp(m1)為H電平，控制信號Gfix(k)為L電平。
因此，如圖9所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，晶體管125、126導通，另一方面晶體管122、123、124截止。由此，由于供給至OLED130的電流的路徑被切斷，所以O(shè)LED130成為截止(非發(fā)光)狀態(tài)。
此處，初始化期間中，在電平移位電路LS中，由于控制信號/Gini變?yōu)長電平，所以如圖9所示，傳輸門45導通，由于控制信號Gcpl變?yōu)長電平，所以如圖9所示，傳輸門42截止。因此，如圖9所示，與轉(zhuǎn)移電容133的第1電極133－1連接的第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1被設(shè)定為初始電位Vini，并且第1晶體管126導通，所以第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接，轉(zhuǎn)移電容133的第2電極133－2也被設(shè)定為初始電位Vini。由此，轉(zhuǎn)移電容133被初始化。
另外，在初始化期間的多路分配器DM(n)中，由于控制信號Sel (1)變?yōu)镠電平，所以如圖9所示，傳輸門34導通。由此，對電容值Crf的保持電容41寫入灰度電位。
然而，在本實施方式中，如圖9所示，在連接有m1行(3n－2)列的像素電路110的第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2上也連接m2行(3n－2)列的像素電路110。因此，由在第m1行的初始化期間所使用的控制信號Gfix(k)控制的第1晶體管126如圖10所示，在第m2行的初始化期間也被使用。
＜補償期間＞
若結(jié)束上述(b)的初始化期間，則水平掃描期間開始。首先，圖7所示的(c)的補償期間開始。在第m1行的補償期間中，掃描信號Gwr(m1)為L電平，控制信號Gel(m1)為H電平，控制信號Gcmp(m1)為L電平，控制信號Gfix(k)為H電平。
因此，如圖11所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，晶體管122、123、125導通，另一方面，第4晶體管124、126截止。此時，驅(qū)動晶體管121的柵極g經(jīng)由第2晶體管122和第3晶體管123與自身的漏極連接(二極管連接)，漏極電流在驅(qū)動晶體管121中流動，對柵極g進行充電。
即，驅(qū)動晶體管121的漏極和柵極g與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接，若將驅(qū)動晶體管121的閾值電壓設(shè)為Vth，則驅(qū)動晶體管121的柵極g的電位Vg與(Vel－Vth)接近。
此處，在補償期間的電平移位電路LS中，由于控制信號/Gini變?yōu)長電平，所以如圖11所示，傳輸門45導通，控制信號Gcpl變?yōu)長電平，如圖11所示，傳輸門42截止。此時，與如上述那樣以往的構(gòu)成相比，第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2較短，所以縮短了對附隨于第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2的寄生電容的充電或者放電所需的時間，縮短了補償期間本身。
另外，在補償期間的多路分配器DM(n)中，由于控制信號Sel(1)變?yōu)镠電平，所以如圖11所示，傳輸門34導通。由此，對電容值Crf的保持電容41寫入灰度電位。
此外，由于第4晶體管124截止，所以驅(qū)動晶體管121的漏極與OLED130非電連接。另外，與初始化期間同樣地，通過第5晶體管125導通，使OLED130的陽極130a和供電線16電連接，陽極130a的電位被設(shè)定為復(fù)位電位Vorst。
＜寫入期間＞
在第m1行的水平掃描期間中，若結(jié)束上述的(c)的補償期間，則(d)的寫入期間開始。在第m1行的寫入期間中，掃描信號Gwr(m1)為L電平，控制信號Gel(m1)為H電平，控制信號Gcmp(m1)為H電平，控制信號Gfix(k)為H電平。
因此，如圖12所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，晶體管122、125導通，另一方面，晶體管123、124、126截止。
此處，在寫入期間的電平移位電路LS中，由于控制信號/Gini變?yōu)镠電平，所以如圖12所示，傳輸門45截止，由于控制信號Gcpl變?yōu)镠電平，所以如圖12所示，傳輸門42導通。因此，解除向第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第1電極133－1供給初始電位Vini，并且電容值Crf的保持電容41的一方的電極與第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第1電極133－1連接，對該第1電極133－1供給灰度電位。而且，將灰度電位被電平移位后的信號供給至驅(qū)動晶體管121的柵極，并寫入像素電容Cpix。
此外，在寫入期間的多路分配器DM(n)中，由于控制信號Sel(1)變?yōu)長電平，所以如圖12所示，傳輸門34截止。
此外，由于第4晶體管124截止，所以驅(qū)動晶體管121的漏極與OLED130非電連接。另外，與初始化期間同樣地，通過第5晶體管125導通，使OLED130的陽極130a與供電線16電連接，陽極130a的電位被初始化為復(fù)位電位Vorst。
此外，在第m行寫入期間中，如果以第n組來說，控制電路3按順序?qū)?shù)據(jù)信號Vd(n)切換為與m行(3n－2)列、m行(3n－1)列、m行(3n)列的像素的灰度電平對應(yīng)的電位。
另一方面，控制電路3配合數(shù)據(jù)信號的電位的切換按順序排他地使 控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)成為H電平。省略圖示，但控制電路3也輸出與控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)處于邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。由此，在多路分配器DM中，各組中傳輸門34分別以左端列、中央列、右端列的順序?qū)ā?/p>
然而，在左端列的傳輸門34通過控制信號Sel(1)、/Sel(1)而導通時，將第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第1電極133－1的電位的變化量設(shè)為ΔV，則第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2以及驅(qū)動晶體管121的柵極g的電位的變化量ΔVg用下述(式2)表示。但是，轉(zhuǎn)移電容133的電容值C1與像素電路110的行數(shù)成比例，能夠調(diào)整電容值，作為每1行的電容C1a。
另外，將附隨于每1行的第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2的寄生電容的電容值設(shè)為C3a。另外，如上述那樣，將與一條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的行數(shù)表示為Nb。
如下述的(式3)所示，此處將ΔV與ΔVg之比設(shè)為壓縮率R。
【數(shù)3】
換句話說，寫入期間的驅(qū)動晶體管121的柵極g的電位Vg成為從補償期間中的電位Vg電平移位了對第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第1電極133－1的電位的變化量ΔV乘以R所得的值后(數(shù)據(jù)壓縮)的值。若結(jié)束該寫入期間，則上述(a)的發(fā)光期間開始。
根據(jù)上述的(式2)所示的關(guān)系，與一條第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的個數(shù)Nb越多(1塊內(nèi)所包括的像素電路110的個 數(shù)Nb越多)，ΔVg和ΔV變?yōu)樵浇咏闹?。換言之，Nb的值越大，(式4)所示的R越接近1。
此處，優(yōu)選與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的個數(shù)Nb(1塊內(nèi)所包括的像素電路110的個數(shù)Nb)鑒于補償動作的完成所需的時間、和數(shù)據(jù)壓縮的壓縮率來決定。以下，具體地進行說明。
首先，對補償動作的完成所需的時間進行說明。優(yōu)選將結(jié)束補償期間的時刻的驅(qū)動晶體管121的柵極g的電位Vg(補償點)設(shè)定成灰度電壓的中間灰度，Nb的值越小，附隨于驅(qū)動晶體管121的柵極g的寄生電容越小，所以補償期間極端短，結(jié)果受到掃描信號Gwr(m)的上升(下降)的變形的影響，在供給掃描信號Gwr(m)側(cè)和被供給側(cè)，會有補償期間不同的顧慮。該情況下，需要能夠消除該顧慮程度的驅(qū)動能力高的掃描線驅(qū)動電路20。
另外，如(式2)所示，對于數(shù)據(jù)壓縮的壓縮率，Nb的值越小，壓縮率越大，反之，Nb的值越大，壓縮率越小。
因此，優(yōu)選鑒于補償動作的完成所需的時間、和數(shù)據(jù)壓縮的壓縮率來將Nb的值決定為適當?shù)闹?。例如在全行?shù)M為720行的情況下，也可以將Nb設(shè)為90個、將總塊數(shù)K設(shè)為8個。
如以上說明那樣，根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，通過實行對使用于發(fā)光強度的調(diào)節(jié)的晶體管的閾值電壓的偏差進行補償?shù)难a償動作的高速化，能夠提供一種電光學裝置、電子設(shè)備、以及電光學裝置的驅(qū)動方法。
本發(fā)明并不限于上述的實施方式，例如能夠進行下面所述的各種變形。另外，下面所述的變形的方式也能夠適當?shù)亟M合任意選擇的一個或者多個。
＜變形例1＞
在上述的實施方式中，在各像素電路110中，第3晶體管123連接在驅(qū)動晶體管121的漏極與第2數(shù)據(jù)傳輸線14－2之間，但如圖13所示，也可以連接在驅(qū)動晶體管121的漏極與柵極g之間。
＜變形例2＞
在上述的實施方式的各像素電路110中，可以不設(shè)置第5晶體管125。
＜變形例3＞
上述的第1晶體管126不一定配置于像素電路110外，也可以配置于各像素電路110內(nèi)。
＜變形例4＞
在上述的實施方式中，針對二個像素電路110以各一個的比例設(shè)置第1晶體管126和轉(zhuǎn)移電容133，但也可以按每個像素電路110一一對應(yīng)地設(shè)置第2數(shù)據(jù)傳輸線14－1、第1晶體管126、和轉(zhuǎn)移電容133。
＜變形例5＞
在上述的實施方式中，構(gòu)成為按每3列對第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1進行分組，并且，在各組中按順序選擇第1數(shù)據(jù)傳輸線14－1，供給數(shù)據(jù)信號，但構(gòu)成組的數(shù)據(jù)線數(shù)只要是“2”以上“3n”以下的規(guī)定量即可。例如，構(gòu)成組的數(shù)據(jù)線數(shù)可以是“2”，也可以是“4”以上。
另外，也可以構(gòu)成為不分組，即不使用多路分配器DM而一齊按線順序?qū)Ω髁械牡?數(shù)據(jù)傳輸線14－1供給數(shù)據(jù)信號。
＜變形例6＞
在上述的實施方式中，將晶體管121～126統(tǒng)一為P溝道型，但也可以統(tǒng)一為N溝道型。另外，也可以適當?shù)亟M合P溝道型以及N溝道型。
例如，在將晶體管121～126統(tǒng)一為N溝道型的情況下，上述的實施方式中的、數(shù)據(jù)信號Vd(n)將正負反轉(zhuǎn)的電位供給至各像素電路110即可。另外，該情況下，晶體管121～126的源極和漏極成為與上述的實施方式以及變形例反轉(zhuǎn)的關(guān)系。
＜變形例7＞
在上述的實施方式以及變形例中，作為電氣光學元件，例示了作為 發(fā)光元件的OLED，但只要是例如無機發(fā)光二極管、LED(Light Emitting Diode)等以與電流對應(yīng)的亮度進行發(fā)光的發(fā)光元件即可。
＜應(yīng)用例＞
接下來，對應(yīng)用實施方式等、應(yīng)用例所涉及的電光學裝置1的電子設(shè)備進行說明。電光學裝置1適合像素為小尺寸、高精細的顯示的用途。因此，作為電子設(shè)備，例舉頭戴式顯示器的例子進行說明。
圖14是表示頭戴式顯示器的外觀的圖，圖15是表示其光學構(gòu)成的圖。
首先，如圖14所示，頭戴式顯示器300在外觀上與一般的眼鏡相同，具有眼鏡腿310、鼻架320、鏡片301L、301R。另外，頭戴式顯示器300如圖15所示，在鼻架320附近且透鏡301L、301R的里側(cè)(圖中下側(cè))設(shè)置有左眼用的電光學裝置1L和右眼用的電光學裝置1R。
在圖15中以成為左側(cè)的方式配置電光學裝置1L的圖像顯示面。由此，電光學裝置1L的顯示圖像經(jīng)由光學透鏡302L在圖中向9點鐘方向射出。半透半反鏡303L使電光學裝置1L的顯示圖像向6點鐘方向反射，另一方面使從12點鐘方向入射的光透過。
以成為與電光學裝置1L相反的右側(cè)的方式配置電光學裝置1R的圖像顯示面。由此，電光學裝置1R的顯示圖像經(jīng)由光學透鏡302R在圖中向3點鐘方向射出。半透半反鏡303R使電光學裝置1R的顯示圖像向6點鐘方向反射，另一方面使從12點鐘方向入射的光透過。
在該構(gòu)成中，頭戴式顯示器300的佩戴者能夠以與外面的樣子重疊的透過狀態(tài)觀察電光學裝置1L、1R的顯示圖像。
另外，在該頭戴式顯示器300中，若使電光學裝置1L顯示伴有視差的兩眼圖像中左眼用圖像，使電光學裝置1R顯示右眼用圖像，則能夠使佩戴者感覺所顯示的圖像宛如具有縱深感、立體感(3D顯示)。
此外，除了頭戴式顯示器300之外，電光學裝置1也能夠應(yīng)用于攝像機、透鏡更換式的數(shù)碼相機等中的電子式取景器。
符號說明
1、1L、1R…電光學裝置，2…顯示面板，3…控制電路，10…數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，12…掃描線，14－1…第1數(shù)據(jù)傳輸線，14－2…第2數(shù)據(jù)傳輸線，16…供電線，20…掃描線驅(qū)動電路，31…電壓生成電路，34…傳輸門，41…保持電容，42…傳輸門，45…傳輸門，70…數(shù)據(jù)信號供給電路，100…顯示部，110…像素電路，116…供電線，118…共用電極，121、122、123、124、125、126…晶體管，130…OLED，130a…陽極，132…像素電容，133…轉(zhuǎn)移電容，143、144、145、146…控制線，300…顯示器，301L、301R…透鏡，302L、302R…光學透鏡，303L、303R…半透半反鏡，310…眼鏡腿，320…鼻架，DM…多路分配器，LS…電平移位電路。
- 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊！