本發(fā)明是關(guān)于一種光學(xué)連接模塊。

背景技術(shù)：

近年來，隨著光通訊領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，光學(xué)連接模塊也日益受到重視。一般而言，光學(xué)連接模塊可包含陣列波導(dǎo)光柵與光偵測器。陣列波導(dǎo)光柵是用以接收來自光源的光，且將不同頻譜的光分隔，并以不同路徑傳遞至光偵測器。然而，由于光偵測器是面接收型元件，故光偵測器的收光面較佳是垂直于陣列波導(dǎo)光柵的出光路徑，而難以與電路基板的主表面平行，因此，光偵測器的收光面上的電路需要轉(zhuǎn)折至光偵測器的側(cè)面上，以利導(dǎo)線連接光偵測器與電路基板的主表面上的元件，然而，這樣的非共平面的電路轉(zhuǎn)折會(huì)干擾光學(xué)連接模塊的高頻信號的傳輸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的光學(xué)連接模塊可防止非共平面的電路轉(zhuǎn)折，以利高頻信號的傳輸。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，一種光學(xué)連接模塊包含基板、陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)、光偵測器與斜面。陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)是設(shè)置于基板上，且陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)是用以傳遞光。光偵測器是設(shè)置于基板上，且光偵測器是用以偵測通過陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)的光。光偵測器與陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)所位于的基板是一體的。斜面是用以將來自陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)的光轉(zhuǎn)向至光偵測器。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)包含相對的入光部以及出光部，且斜面與出光部相連接。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中斜面是位于陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)上。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)包含相對的第一表面以及第二表面，第一表面比第二表面更靠近光偵測器，斜面是連接于第一表面 與第二表面之間，斜面與第一表面相接且形成一夾角。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中斜面與第二表面相接且形成一夾角。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)包含第一覆蓋層、第二覆蓋層與陣列波導(dǎo)光柵層。第一覆蓋層比第二覆蓋層更靠近光偵測器，亦即第二覆蓋層是相對第一覆蓋層遠(yuǎn)離光偵測器。陣列波導(dǎo)光柵層是夾抵于第一覆蓋層與第二覆蓋層之間，且陣列波導(dǎo)光柵層包含一末端部，末端部是連接第一覆蓋層與第二覆蓋層。斜面是位于末端部上，第一覆蓋層與陣列波導(dǎo)光柵層定義一第一交界面，且第一交界面與斜面的夾角為銳角。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中第二覆蓋層與陣列波導(dǎo)光柵層定義第二交界面，第二交界面與斜面的夾角為鈍角。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中第一覆蓋層與第二覆蓋層的至少一者包含輔助斜面，輔助斜面是延伸于斜面，且輔助斜面與斜面是共面的。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，還包含一反射層，設(shè)置于斜面上。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中反射層包含遠(yuǎn)離斜面的一反射面，反射面是平行于斜面。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中基板具有一突起部以及一基底部，突起部是突起于基底部，且斜面是連接突起部與基底部，光偵測器是設(shè)置于突起部上，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)是設(shè)置于基底部上。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，還包含至少一焊墊，焊墊是夾抵于基板與陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)之間。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中基板具有至少一卡合結(jié)構(gòu)，卡合結(jié)構(gòu)比陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離光偵測器，并是用以卡合一光學(xué)被動(dòng)元件。

依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，其中基板具有至少一卡合結(jié)構(gòu)，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)是卡合于卡合結(jié)構(gòu)。

于上述實(shí)施方式中，光學(xué)連接模塊是利用一斜面，使得來自陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)的光轉(zhuǎn)向至光偵測器，故光偵測器的接收面無須垂直于陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)的出光路徑，使得光偵測器上的電路無須刻意地設(shè)計(jì)成從接收面轉(zhuǎn)折至光偵測器的側(cè)面，以防止電路的非共平面轉(zhuǎn)折，而助于高頻信號的傳輸。

以上所述僅是用以闡述本發(fā)明所欲解決的問題、解決問題的技術(shù)手段、及其產(chǎn)生的功效等等，本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)將在下文的實(shí)施方式及相關(guān)附圖中詳細(xì) 介紹。

附圖說明

閱讀以下詳細(xì)敘述并搭配對應(yīng)的附圖，可了解本發(fā)明的多個(gè)樣態(tài)。需留意的是，附圖中的多個(gè)特征并未依照該業(yè)界領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)作法繪制實(shí)際比例。事實(shí)上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或減少以利于討論的清晰性。

圖1為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的光學(xué)連接模塊的剖面示意圖；

圖2為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)的放大示意圖；

圖3為圖2的仰視圖；

圖4為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的另一陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)的放大示意圖；

圖5為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的另一光學(xué)連接模塊的剖面示意圖；

圖6為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的另一光學(xué)連接模塊的剖面示意圖；

圖7為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的另一光學(xué)連接模塊的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將以附圖及詳細(xì)說明清楚說明本發(fā)明的精神，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在了解本發(fā)明的實(shí)施例后，當(dāng)可由本發(fā)明所教示的技術(shù)，加以改變及修飾，其并不脫離本發(fā)明的精神與范圍。

另外，空間相對用語，如“下”、“下方”、“低”、“上”、“上方”等，是用以方便描述一元件或特征與其他元件或特征在附圖中的相對關(guān)系。除了附圖中所示的方位以外，這些空間相對用語亦可用來幫助理解元件在使用或操作時(shí)的不同方位。當(dāng)元件被轉(zhuǎn)向其他方位(例如旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)時(shí)，本文所使用的空間相對敘述亦可幫助理解。

圖1為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的光學(xué)連接模塊10的剖面示意圖。如圖1所示，光學(xué)連接模塊10包含基板100、陣列波導(dǎo)光柵(Arrayed-Wavelength Grating；AWG)結(jié)構(gòu)200、光偵測器300與斜面400。陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200是設(shè)置于基板100上，且陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200是用以傳遞光。光偵測器300是設(shè)置于基板100上，且光偵測器300是用以偵測通過陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光。斜面400是用以將陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光轉(zhuǎn)向至光偵測器300。

于上述實(shí)施方式中，由于光學(xué)連接模塊10可利用斜面400使得來自陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光轉(zhuǎn)向至光偵測器300，故可防止光偵測器300上的電路產(chǎn)生非共平面的轉(zhuǎn)折，而助于高頻信號的傳輸。進(jìn)一步來說，光偵測器300具有接收面310以及鄰接于接收面310的側(cè)面330。由于斜面400可將來自陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光轉(zhuǎn)向至光偵測器300，故光偵測器300的接收面310無須垂直于陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的出光路徑，使得導(dǎo)線M可直接連接至接收面310上的電路，故光偵測器300上的電路(未示于圖中)無須為了導(dǎo)線M的連接而刻意地設(shè)計(jì)成從接收面310轉(zhuǎn)折至光偵測器300的側(cè)面330，以防止光偵測器300上的電路的非共平面轉(zhuǎn)折，而助于高頻信號的傳輸。

進(jìn)一步來說，于部分實(shí)施方式中，如圖1所示，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200包含相對的入光部230以及出光部240，入光部230是比出光部240更遠(yuǎn)離光偵測器300，入光部230是用以接收光，出光部240是將陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200中的光發(fā)射出去，且出光部240是連接斜面400。當(dāng)出光部240發(fā)射出的光碰觸到斜面400時(shí)，此光可通過斜面400反射至斜面400下方的光偵測器300，故斜面400可幫助陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光轉(zhuǎn)向至光偵測器300。

于部分實(shí)施方式中，如圖1所示，光偵測器300具有相對的接收面310與背面320。背面320是接合于基板100。接收面310是相對背面320遠(yuǎn)離基板100。至少部分的接收面310是位于斜面400正下方，如此可利于斜面400將陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光利用反射的方式轉(zhuǎn)向至光偵測器300的接收面310。

于部分實(shí)施方式中，如圖1所示，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200與光偵測器300是位于相同的基板100，此基板100是一體成形的，故可縮短陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200與光偵測器300之間的光程距離。換句話說，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200與光偵測器300所在的基板100是一體的，以利縮短光離開陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200至進(jìn)入光偵測器300的路徑長度。舉例而言，基板100可為一體成形的硅基板或其他半導(dǎo)體基板，但本發(fā)明不以此為限。由于光偵測器300與陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200所位于的基板100是一體的，故可縮短陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200與光偵測器300之間的光程距離，以利于提升陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200與光偵測器300的光學(xué)耦合效率，故于部分實(shí)施方式中，光偵測器300與斜面400之間可無需設(shè)置額外的光學(xué)透鏡來提升光學(xué)耦合效率。當(dāng)然，于部分實(shí)施方式中， 光偵測器300與斜面400之間亦可設(shè)有光學(xué)透鏡以進(jìn)一步地提升光學(xué)耦合效率。

參照圖2，圖2為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的放大示意圖。于部分實(shí)施方式中，斜面400是位于陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200上。如圖2所示，斜面400是設(shè)置于陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的出光部240之上。如此一來，可縮短陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光傳遞至斜面400的距離，借此減少光能的損失，利于提升陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200傳遞至光偵測器300的光學(xué)耦合效率。

于部分實(shí)施方式中，如圖1及圖2所示，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200可包含相對的第一表面210以及第二表面220，第一表面210比第二表面220更靠近光偵測器300，斜面400是連接于第一表面210與第二表面220之間，且斜面400與第一表面210的夾角θ為銳角。也就是說，第一表面210與斜面400具有一夾角θ，此夾角θ小于90°。

于部分實(shí)施方式中，如圖1及圖2所示，第二表面220與斜面400的夾角為鈍角。也就是說，第二表面220與斜面400具有一夾角此夾角大于90°。

參照圖2，于部分實(shí)施方式中，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200包含第一覆蓋層250、第二覆蓋層260與陣列波導(dǎo)光柵層270。第一覆蓋層250比第二覆蓋層260更靠近該光偵測器300，亦即第二覆蓋層260是相對第一覆蓋層250遠(yuǎn)離光偵測器300。陣列波導(dǎo)光柵層270是夾于第一覆蓋層250與第二覆蓋層260之間，且陣列波導(dǎo)光柵層270包含末端部272。斜面400是位于末端部272上，第一覆蓋層250與陣列波導(dǎo)光柵層270定義第一交界面274，且第一交界面274與斜面400相接且形成一夾角。于部分實(shí)施方式中，第一覆蓋層250與第二覆蓋層260具有較陣列波導(dǎo)光柵層270低的折射率，可使得陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光被局限于陣列波導(dǎo)光柵層270，亦即光是傳遞于陣列波導(dǎo)光柵層270，而抵達(dá)末端部272。于部分實(shí)施方式中，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200還包含上基板280。上基板280可覆蓋第二覆蓋層260，以保護(hù)下方的第二覆蓋層260、陣列波導(dǎo)光柵層270以及第一覆蓋層250。于部分實(shí)施方式中，如圖2所示，第二覆蓋層260與陣列波導(dǎo)光柵層270定義一第二交界面276，第二交界面276與斜面400相接且形成一夾角。

于部分實(shí)施方式中，如圖2所示，第一覆蓋層250與第二覆蓋層260的至少一者包含一輔助斜面410，輔助斜面410是延伸于斜面400，且輔助斜面410與斜面400是共面的。換句話說，輔助斜面410是緊連于第一覆蓋層250、第二覆蓋層260或以上兩者。如此一來，當(dāng)光從陣列波導(dǎo)光柵層270逸散至第一覆蓋層250、第二覆蓋層260或以上兩者時(shí)，輔助斜面410可幫助傳遞于第一覆蓋層250、第二覆蓋層260或以上兩者的逸散光轉(zhuǎn)向至光偵測器300。

同時(shí)參照圖1及圖3，圖3為圖2的仰視圖。于部分實(shí)施方式中，如圖1及圖3所示，光學(xué)連接模塊10還包含焊墊110，焊墊110是用以將陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200固定于基板100。具體而言，如圖1及圖3所示，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的第一表面210上具有對位點(diǎn)212，且基板100亦有對應(yīng)第一表面210的對位點(diǎn)212的基板對位點(diǎn)112，焊墊110可接觸第一表面210的對位點(diǎn)212與基板100的基板對位點(diǎn)112，使得陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的對位點(diǎn)212與基板對位點(diǎn)112對位。如此一來，可確保陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200是位于基板100的正確位置，使得傳導(dǎo)于陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光順利傳遞至光偵測器300，在另一實(shí)施方式中，焊墊110的位置可與對位點(diǎn)212和基板對位點(diǎn)112的位置不同。此外，于部分實(shí)施方式中，如圖3所示，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200可包含多個(gè)光通道278，光通道278是互相分離，借此用以傳遞不同頻帶的光，在另一實(shí)施方式中，每一光通道278亦可傳遞約略相同頻帶的光。

于部分實(shí)施方式中，如圖1所示，基板100具有一卡合結(jié)構(gòu)120，卡合結(jié)構(gòu)120比陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200更遠(yuǎn)離光偵測器300，卡合結(jié)構(gòu)120是用以卡合光學(xué)被動(dòng)元件500。此卡合結(jié)構(gòu)120是經(jīng)設(shè)計(jì)而位于基板100的特定位置，因此光學(xué)被動(dòng)元件500可經(jīng)由卡合結(jié)構(gòu)120對準(zhǔn)陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的入光部230，使得光線經(jīng)由光學(xué)被動(dòng)元件500傳遞至陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的入光部230。如此一來，可通過卡合結(jié)構(gòu)120對準(zhǔn)陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200與光學(xué)被動(dòng)元件500，幫助光線順利進(jìn)入陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200，以利于提升光學(xué)連接模塊10的光學(xué)耦合效率。舉例而言，光學(xué)被動(dòng)元件500可為光纖或透鏡，但本發(fā)明不以此為限。此外，于部分實(shí)施方式中，如圖1所示，光學(xué)連接模塊10還包含電路板600與驅(qū)動(dòng)元件700，基板100是設(shè)置于電路板600之上。驅(qū)動(dòng)元件700是設(shè)置于電路板600，且驅(qū)動(dòng)元件700是用以驅(qū)動(dòng)光偵測器300或提供電信號予光偵測器300。驅(qū)動(dòng)元件700與光偵測器300是經(jīng)由導(dǎo)線M電 性連接。于部分實(shí)施方式中，卡合結(jié)構(gòu)120可為通過蝕刻制程或研磨制程而形成的凹槽結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不以此為限。

于部分實(shí)施方式中，如圖4所示，光學(xué)連接模塊10還包含反射層420，反射層420是設(shè)置于斜面400上。進(jìn)一步來說，反射層420是鄰設(shè)于斜面400或接觸斜面400。借此，來自陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的部分光可經(jīng)由斜面400反射至光偵測器300，且部分未經(jīng)斜面400反射而穿透斜面400的光則可通過反射層420反射而轉(zhuǎn)向至光偵測器300，借此提高陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光反射而轉(zhuǎn)向至光偵測器300的機(jī)率。如此一來，通過斜面400與鄰設(shè)于斜面400的反射層420，可提升光學(xué)連接模塊10的光學(xué)耦合效率。舉例而言，于部分實(shí)施方式中，反射層420可為高反射率的薄膜，例如：金、銀或其他高反射率材料的薄膜，但本發(fā)明并不以此為限。

于部分實(shí)施方式中，如圖4所示，反射層420包含遠(yuǎn)離斜面400的反射面422，反射面422是平行于斜面400。也就是說，反射面422與延伸的第一表面210的夾角以及斜面400與第一表面210的夾角是相等。如此一來，當(dāng)來自陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的光線分別傳遞至反射面422與斜面400時(shí)，由于光線抵達(dá)反射面422的入射角與光線抵達(dá)斜面400的入射角是相等，光線會(huì)以相等的角度反射而轉(zhuǎn)向至光偵測器300，故可幫助增加光偵測器300所偵測的光線的強(qiáng)度，利于提升光學(xué)連接模塊10的光學(xué)耦合效率。

圖5為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的另一光學(xué)連接模塊10a的剖面示意圖。如圖5所示，本實(shí)施方式與前述實(shí)施方式的主要差異在于：基板100a可具有卡合結(jié)構(gòu)130，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200是被卡合結(jié)構(gòu)130固定于基板100a，而焊墊110則可被省略。此卡合結(jié)構(gòu)130是經(jīng)設(shè)計(jì)而位于基板100a的特定位置，因此陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200可經(jīng)由卡合結(jié)構(gòu)130而對準(zhǔn)光偵測器300與光學(xué)被動(dòng)元件500，使得光線經(jīng)由光學(xué)被動(dòng)元件500傳遞至陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的入光部230，且光線可經(jīng)由陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的出光部240而傳遞至光偵測器300。如此一來，可通過卡合結(jié)構(gòu)130對準(zhǔn)陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200、光學(xué)被動(dòng)元件500與光偵測器300，幫助光線順利進(jìn)入陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200，且光線順利轉(zhuǎn)向至光偵測器300，以利于增加光學(xué)連接模塊10a的光學(xué)耦合效率。舉例而言，于部分實(shí)施方式中，卡合結(jié)構(gòu)130可為通過蝕刻制程或研磨制程而形成的凸起或凹槽結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不以此為限。雖然本圖所示的實(shí)施方式 可省略焊墊110，但于其他實(shí)施方式中，焊墊110與卡合結(jié)構(gòu)130亦可并存。換句話說，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200可由焊墊110與卡合結(jié)構(gòu)130所固定。

圖6為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的另一光學(xué)連接模塊10b的剖面示意圖。如圖6所示，本實(shí)施方式與前述實(shí)施方式的主要差異在于：基板100b具有突起部140與基底部150，突起部140是突起于基底部150，且斜面400b是位于基板100b上并連接突起部140與基底部150，光偵測器300b是設(shè)置于突起部140上，且陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200b是設(shè)置于基底部150上。也就是說，于部分實(shí)施方式中，光偵測器300b的接收面310b是位于光偵測器300的最底部，亦即接收面310b是相對背面320b接近基板100b，且接收面310b是用以偵測被斜面400b所反射的來自陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200b的光。

圖7為依據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的另一光學(xué)連接模塊10c的剖面示意圖。如圖7所示，本實(shí)施方式與前述實(shí)施方式的主要差異在于：光偵測器300c是設(shè)置于陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200之上。具體而言，如圖7所示，光偵測器300c至少部分地覆蓋斜面400。光偵測器300c的接收面310c是位于光偵測器300c的最底部，亦即接收面310c是相對背面320c接近陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200及斜面400，斜面400可將陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200中的光線以反射的方式轉(zhuǎn)向至光偵測器300c的接收面310c，增加陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200至光偵測器300c的光學(xué)耦合效率。如圖7所示，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200相較于圖1所示的實(shí)施方式是顛倒設(shè)置的，故上基板280在本實(shí)施方式中為陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200的最接近基板100的結(jié)構(gòu)，因此，于部分實(shí)施方式中，當(dāng)上基板280與基板100的材質(zhì)相同時(shí)(例如：兩者的材質(zhì)均為硅)，上基板280與基板100可利用相同制程完成。于部分實(shí)施方式中，陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200亦可省略此上基板280，而第二覆蓋層260可接合于基板100。換句話說，于這樣的實(shí)施方式中，可直接在基板100上形成第二覆蓋層260、陣列波導(dǎo)光柵層270與第一覆蓋層250，而形成陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)200。

綜上所述，本發(fā)明的光學(xué)連接模塊利用一斜面，使得來自陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)的光轉(zhuǎn)向至光偵測器，故光偵測器的接收面無須垂直于陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)的出光路徑，使得光偵測器上的電路無須刻意地設(shè)計(jì)成從接收面轉(zhuǎn)折至光偵測器的側(cè)面，以防止電路的非共平面轉(zhuǎn)折，而助于高頻信號的傳輸。此外，光偵測器與陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)所位于的基板是一體的，故可縮短陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)與 光偵測器之間的光程距離，以利于光學(xué)連接模塊的光學(xué)耦合效率。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。