本發(fā)明涉及具備由與銅箔平滑面具有高粘接性的組合物形成的絕緣層的多層結(jié)構(gòu)體。

背景技術(shù)：

1、隨著通信頻率向千兆赫頻帶及千兆赫頻帶以上的高頻帶發(fā)展，對于由包含具有低介電特性的絕緣材料的ccl、fccl形成的多層基板的需求增高。全氟乙烯等氟系樹脂具有優(yōu)異的低介電常數(shù)、低介電損耗性和耐熱性優(yōu)異的特征，但在成型加工性、膜成型性方面是困難的，另外，在與布線的銅箔的粘接性方面也存在課題，因此難以應(yīng)用于多層基板。另一方面，使用了環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂等后固化樹脂的基板、絕緣材料因其耐熱性、易操作性而被廣泛使用，但介電常數(shù)、介電損耗較高，作為高頻用的絕緣材料，期望得到改善(專利文獻(xiàn)1)。

2、因此，本質(zhì)上具有低介電特性的烴系樹脂備受矚目。原來，為了將作為熱塑性樹脂的烴系樹脂制成固化性樹脂，需要導(dǎo)入官能團(tuán)，但一般而言，與自由基進(jìn)行反應(yīng)或進(jìn)行熱反應(yīng)的官能團(tuán)具有極性，因此低介電特性會惡化。想要導(dǎo)入僅由烴構(gòu)成的官能團(tuán)、例如芳香族乙烯基時，利用昂貴的烴系單體間的分子間反應(yīng)的情況較多(專利文獻(xiàn)2)，在很多情況下并不經(jīng)濟(jì)。專利文獻(xiàn)3中示出一種固化體，其是由特定的配位聚合催化劑得到的，并且包含具有特定的組成和配合的乙烯-烯烴(芳香族乙烯基化合物)-芳香族多烯共聚物、非極性乙烯基化合物共聚物。在該技術(shù)的情況下，芳香族多烯(二乙烯基苯)的2個乙烯基之中僅一個被選擇性地共聚而剩余的乙烯基被保存，因此能夠容易地得到具有芳香族乙烯基的官能團(tuán)的烴系共聚物大分子單體。由同樣的烯烴-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物及其與副原料等的組合物得到的固化體具有低介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗角正切這樣的特征，通過對組成、適當(dāng)?shù)母痹系倪x擇，能賦予軟質(zhì)～硬質(zhì)的廣泛的物性(專利文獻(xiàn)4、5)。另外，這些材料如實(shí)施例中所示的那樣，能夠與銅箔粗糙化面顯示出高粘接性(粘接強(qiáng)度)。因此，認(rèn)為適合于高頻信號用的各種基板材料、絕緣材料。

3、但是，尤其是在作為微帶線等高頻傳輸線、天線、多層基板用的層間絕緣材料、覆蓋層(coverlay)的用途的情況等時，絕緣材料與銅箔的平滑面相接，要求與銅箔平滑面的高粘接強(qiáng)度(剝離強(qiáng)度)。尤其是對于片材形狀、膜形狀的層間絕緣材料而言，至少其一部分、或至少一面與銅箔的平滑面相接，要求與銅箔的平滑面的高粘接強(qiáng)度。但是，在所公開的專利文獻(xiàn)中，并沒有公開向絕緣材料賦予針對銅箔平滑面的高粘接性(粘接強(qiáng)度)的技術(shù)。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1：日本特開平6-192392號公報

7、專利文獻(xiàn)2：日本特開2004-087639號公報

8、專利文獻(xiàn)3：日本特開2007-217706號公報

9、專利文獻(xiàn)4：國際公開第2021/112087號

10、專利文獻(xiàn)5：國際公開第2021/112088號

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、針對上述的現(xiàn)有技術(shù)，期望提供作為具有與銅箔平滑面顯示出高粘接強(qiáng)度的絕緣層i(本說明書中也記載為“層間絕緣材料”)的多層基板有用的多層結(jié)構(gòu)體。

3、用于解決課題的手段

4、即，本申請中，能夠提供解決上述課題的下述方式。

5、方式1.

6、多層結(jié)構(gòu)體，其特征在于，包含：

7、一層以上的絕緣層、

8、一層以上的樹脂層、和

9、具有平滑面及粗糙化面的一張以上的銅箔，

10、所述多層結(jié)構(gòu)體中，

11、前述絕緣層包含烯烴-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物和表面改性劑，

12、前述樹脂層包含選自聚酰亞胺(pi)、液晶聚合物(lcp)、聚苯醚(ppe)、多官能芳香族乙烯基樹脂(odv)、環(huán)氧樹脂、及與前述絕緣層相同的組成中的一種以上，

13、前述絕緣層各自所具有的至少一個面與前述銅箔的平滑面粘接，

14、關(guān)于各個前述樹脂層，前述樹脂層所具有的至少一個面與前述銅箔的粗糙化面粘接并且前述樹脂層不與前述銅箔的平滑面粘接，或者前述樹脂層所具有的兩個面均不與前述銅箔粘接。

15、方式2.

16、如方式1所述的多層結(jié)構(gòu)體，其中，前述絕緣層的至少一個面具有向?qū)盈B方向凹陷的部位，通過以使前述銅箔收納于該凹陷的部位的方式粘接，從而具有該面的一部分與前述銅箔的平滑面粘接、并且該面的另一部分與前述樹脂層粘接的構(gòu)成。

17、方式3.

18、如方式1或2所述的多層結(jié)構(gòu)體，其中，前述表面改性劑為硅烷偶聯(lián)劑。

19、方式4.

20、如方式1～3中任一項所述的多層結(jié)構(gòu)體，其中，前述烯烴-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物滿足下述(1)～(4)的條件中的全部。

21、(1)共聚物的數(shù)均分子量為500以上且小于10萬。

22、(2)芳香族乙烯基化合物單體為碳原子數(shù)8以上20以下的芳香族乙烯基化合物，芳香族乙烯基化合物單體單元的含量為0～70質(zhì)量％以下或0～98質(zhì)量％以下。

23、(3)芳香族多烯為選自在分子內(nèi)具有多個乙烯基及/或亞乙烯基的碳原子數(shù)5以上20以下的多烯中的一種以上，并且來自芳香族多烯單元的乙烯基及/或亞乙烯基的含量按單位數(shù)均分子量計為1.5個以上且小于20個。

24、(4)烯烴為選自碳原子數(shù)2以上20以下的烯烴中的一種或多種，烯烴單體單元的含量為10質(zhì)量％以上，前述烯烴單體單元、芳香族乙烯基化合物單體單元與芳香族多烯單體單元的合計為100質(zhì)量％。

25、方式5.

26、如方式1～4中任一項所述的多層結(jié)構(gòu)體，其中，前述絕緣層還包含選自以下的(a)～(c)中的一種或多種。

27、(a)固化劑

28、(b)選自烴系彈性體、聚苯醚系樹脂、芳香族多烯系樹脂中的一種或多種樹脂

29、(c)極性單體

30、方式6.

31、如方式1～5中任一項所述的多層結(jié)構(gòu)體，其中，前述絕緣層中的前述表面改性劑的含量相對于前述烯烴-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物100質(zhì)量份而言為0.001～10質(zhì)量份。

32、方式7.

33、固化多層結(jié)構(gòu)體，其是將方式1～6中任一項所述的多層結(jié)構(gòu)體固化而形成的。

34、方式8.

35、高頻傳輸線、多層ccl基板、多層fccl基板、天線或覆蓋層，其包含方式7所述的固化多層結(jié)構(gòu)體。

36、發(fā)明效果

37、本發(fā)明中，通過將顯示出低介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗角正切和低吸水率、高絕緣性的絕緣層以高粘接強(qiáng)度(剝離強(qiáng)度)與銅箔平滑面粘接，從而能夠提供作為高頻多層基板有用的多層結(jié)構(gòu)體。

技術(shù)特征：

1.多層結(jié)構(gòu)體的制造方法，所述多層結(jié)構(gòu)體包含：

2.多層結(jié)構(gòu)體的制造方法，所述多層結(jié)構(gòu)體包含：

3.如權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其還包括形成與所有銅箔均不粘接的第二樹脂層的步驟。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的制造方法，其還包括通過利用蝕刻將所述第一銅箔的一部分除去從而使所述第一銅箔的平滑面及所述第一樹脂層的所述面的一部分為開放的狀態(tài)的步驟。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的制造方法，其中，所述表面改性劑為硅烷偶聯(lián)劑。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的制造方法，其中，所述烯烴-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物滿足下述(1)～(4)的條件中的全部，

7.固化多層結(jié)構(gòu)體的制造方法，其包括將通過權(quán)利要求1～6中任一項所述的制造方法得到的多層結(jié)構(gòu)體固化的步驟。

8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，所述固化包括進(jìn)行加熱及/或加壓的工序。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及包含絕緣層的多層結(jié)構(gòu)體。多層結(jié)構(gòu)體，其特征在于，包含一層以上的絕緣層、一層以上的樹脂層、和具有平滑面及粗糙化面的一張以上的銅箔，所述多層結(jié)構(gòu)體中，前述絕緣層包含烯烴?芳香族乙烯基化合物?芳香族多烯共聚物和表面改性劑，前述樹脂層包含選自聚酰亞胺(PI)、液晶聚合物(LCP)、聚苯醚(PPE)、多官能芳香族乙烯基樹脂(ODV)、環(huán)氧樹脂、及與前述絕緣層相同的組成中的一種以上，前述絕緣層各自所具有的至少一個面與前述銅箔的平滑面粘接，關(guān)于各個前述樹脂層，前述樹脂層所具有的至少一個面與前述銅箔的粗糙化面粘接并且前述樹脂層不與前述銅箔的平滑面粘接，或者前述樹脂層所具有的兩個面均不與前述銅箔粘接。

技術(shù)研發(fā)人員：荒井亨,菅藤諒介
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電化株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6