專利名稱：聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種緩沖電路，特別是涉及一種聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器。
技術(shù)背景話筒擴音的質(zhì)量與話筒的電路中的元件的固有噪聲和元件的質(zhì)量有極大關(guān)聯(lián)，故而，抑制電路中各元件的噪聲和選用高精度的元件是提高話筒質(zhì)量的手段。為了降低元件的噪聲，通常，在話筒電路中含有抑噪的電路，通常這些抑噪的電路是用于放大電路中。而事實上，當(dāng)話筒中的聲電轉(zhuǎn)換單元將聲音信號轉(zhuǎn)換成電信號后開始，電路中的各元件的固有噪聲已經(jīng)對所述電信號構(gòu)成了影響，因此，為了能夠提高輸入所述放大電路的電信號的質(zhì)量，需要對話筒中的緩沖器進行改進。

實用新型內(nèi)容鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，以提高話筒輸入的電信號的信噪比。為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，其至少包括與聲電轉(zhuǎn)換單元輸出端連接、具有第一輸出端和第二輸出端的緩沖單元，其中，所述聲電轉(zhuǎn)換單元輸出的電信號由所述第二輸出端輸出；與所述第一輸出端連接，用于基于增加跨導(dǎo)來降低電路噪聲的抑噪單元；與所述抑噪單元連接的電流源；與所述電流單元連接，用于基于所述第二輸出端的阻抗向所述第二輸出端提供電流的所述電流控制單
J Li o優(yōu)選地，所述緩沖單元為第一晶體管，所述第一晶體管的柵極與所述聲電轉(zhuǎn)換單元的輸出端相連，所述第一晶體管的源極為所述第二輸出端，所述第一晶體管的漏極為所述第一輸出端。優(yōu)選地，所述抑噪單元包括第二晶體管，所述第二晶體管的柵極與所述第一輸出端連接，其漏極與所述電流源連接，其源極接地。優(yōu)選地，所述電流源包括子電流源和一對鏡像連接的第三晶體管，其中，一個所述第三晶體管的漏極和柵極均連接所述子電流源的輸出端，另一個所述第三晶體管的漏極與所述抑噪單元和所述電流控制單元相連，兩個所述第三晶體管的柵極相連，兩個所述第三晶體管的源極接預(yù)設(shè)電壓。優(yōu)選地，所述電流控制單元包括與所述電流源鏈接的第一電流鏡像子單元、以及與所述第一電流鏡像子單元和所述第二輸出端連接的第二電流鏡像子單元。優(yōu)選地，所述第一電流鏡像子單元為一對鏡像連接的第四晶體管，其中，一個所述第四晶體管的漏極和柵極均與所述電流源相連，另一個所述第四晶體管的漏極與所述電流控制單元相連，兩個所述第四晶體管的柵極相連，兩個所述第四晶體管的源極接地。優(yōu)選地，所述第二電流鏡像子單元為一對鏡像連接的第五晶體管，其中，一個所述第五晶體管的漏極和柵極均與所述電流控制單元相連，另一個所述第五晶體管的漏極與所述第二輸出端相連，兩個所述第五晶體管的柵極相連，兩個所述第五晶體管的源極接預(yù)設(shè)電壓。如上所述，本實用新型的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，具有以下有益效果能夠根據(jù)所述抑噪單元對所述緩沖器電路的 電流反饋作用來抑制所述緩沖器中各電子元件的噪聲對所述第二輸出端輸出電流的影響。

圖I顯示為本實用新型的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2顯示為本發(fā)明的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器的一種優(yōu)選實施方式的電路圖。圖3顯示為本發(fā)明的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器中電流源的電路圖。元件標(biāo)號說明I 緩沖器11緩沖單元12抑噪單元13電流源131第三電流鏡像子單元132子電流源14電流控制單元141第一電流鏡像子單元142第二電流鏡像子單元2 聲電轉(zhuǎn)換單元
具體實施方式
以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。請參閱圖I至圖2。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。圖I顯示為本實用新型的一種聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器的結(jié)構(gòu)示意圖。所述緩沖器用于使聲電轉(zhuǎn)換單元輸出的電信號更加平緩，減少器件噪聲對所述電信號的影響。其中，所述聲電轉(zhuǎn)換單元指將聲音信號轉(zhuǎn)換成電信號的轉(zhuǎn)換單元。所述緩沖器包括緩沖單元、抑噪單元、電流源、電流控制單元。所述緩沖單元與聲電轉(zhuǎn)換單元輸出端連接、且具有第一輸出端和第二輸出端，其中，所述聲電轉(zhuǎn)換單元輸出的電信號由所述第二輸出端輸出。具體地,所述緩沖單元包括任何能夠?qū)β曤娹D(zhuǎn)化單元進行阻抗匹配變換的器件或器件所構(gòu)成的電路。優(yōu)選地，如圖2所示，所述緩沖單元為第一晶體管P1，所述第一晶體管Pl的柵極與所述聲電轉(zhuǎn)換單元的輸出端相連，所述第一晶體管Pl的源極為所述第二輸出端，所述第一晶體管Pl的漏極為所述第一輸出端，所述第一晶體管Pl的源極通過一電阻接地。所述抑噪單元與所述第一輸出端連接，用于基于增加跨導(dǎo)來降低電路噪聲。具體地，如圖2所示，所述抑噪單元為第二晶體管NI，所述第二晶體管NI的柵極與所述第一輸出端連接，所述第二晶體管NI的漏極與所述電流源連接，所述第二晶體管NI的源極接地。所述電流源與所述抑噪單元連接，用于向所述第二輸出端提供穩(wěn)定的電流。其中，所述電流源包括但不限于單獨的供電單元。優(yōu)選地，所述電流源為供電電路。更為優(yōu)選地，如圖3所示，所述電流源包括第三電流鏡像子單元和子電流源。具體地，所述第三電流鏡像子單元包括一對鏡像連接的第三晶體管。所述第三晶體管N4的漏極和柵極均連接所述子電流源的輸出端，所述第三晶體管P5的漏極與所述抑 噪單元和所述電流控制單元相連，所述第三晶體管P4的柵極與所述第三晶體管P5的柵極相連，所述第三晶體管P4和所述第三晶體管P5的源極接預(yù)設(shè)電壓。所述電流控制單元與所述電流單元連接，用于基于所述第二輸出端的阻抗向所述第二輸出端提供電流。具體地，所述電流控制單元采用基于電流控制電壓和/或電壓控制電流技術(shù)來向所述第二輸出端提供滿足相應(yīng)阻抗的電流。本實施例中，所述電流控制單元包括第一電流鏡像子單元和第二電流鏡像子單
J Li o如圖2所示，所述第一電流鏡像子單元為一對鏡像連接的第四晶體管，其中，所述第四晶體管N2的漏極和柵極均與所述電流源相連，所述第四晶體管N3的漏極與所述電流控制單元相連，所述第四晶體管N2的柵極與所述第四晶體管N3的柵極相連，所述第四晶體管N2的源極與所述第四晶體管N3的源極接地。如圖2所示，所述第二電流鏡像子單元為一對鏡像連接的第五晶體管，其中，所述第五晶體管P3的漏極和柵極均與所述電流控制單元相連，所述第五晶體管的漏極P2與所述第二輸出端相連，所述第五晶體管P2的柵極與所述第五晶體管P3的柵極相連，所述第五晶體管P2的源極與所述第五晶體管P3的源極接預(yù)設(shè)電壓。當(dāng)所述緩沖器中的各電子元件因自身噪聲對所述第二輸出端的電流產(chǎn)生影響時，所述緩沖器中的抑噪單元能夠降低所述噪聲所產(chǎn)生的影響。例如，所述電流源所輸出的電流Ib受所述電流源中的電子元件的噪聲影響，電流增大，則流向所述抑噪單元和所述電流控制單元的電流值會同時增大，此時，所述抑噪單元中的所述第二晶體管的漏源極導(dǎo)通，使得多余的電流被所述第二晶體管的漏源極消耗，而不會輸至所述第二輸出端。又如，所述電流源所輸出的電流lb’受所述電流源中的電子元件的噪聲影響，電流減小，則流向所述抑噪單元和所述電流控制單元的電流值會同時減小，此時，所述抑噪單元中的所述第二晶體管的柵極和漏極電壓相近，使所述第二晶體管處于高阻態(tài)，則所述電流源向所述第一電流鏡像子單元輸出的電流Ic增大，則根據(jù)第一電流鏡像子單元的工作原理，所述第一電流鏡像子單元另一端的電流Ic’也增大，同樣，根據(jù)所述第二電流鏡像子單元的工作原理流向所述第二輸出端的電流Id也增大。故，當(dāng)電流lb’減小時，所述第二輸出端的電流Id增大，從而抑制了所述緩沖器內(nèi)部電子器件的噪聲對所述第二輸出端的電流的影響。再如，所述緩沖單元所輸出的電流Ia受噪聲影響，電流增大，則所述抑噪單元中的所述第二晶體管的柵極和漏極電壓相近，使所述第二晶體管處于高阻態(tài)，則所述電流源向所述第一電流鏡像子單元輸出的電流Ic增大，則根據(jù)第一電流鏡像子單元的工作原理，所述第一電流鏡像子單元另一端的電流Ic’也增大，同樣，根據(jù)所述第二電流鏡像子單元的工作原理流向所述第二輸出端的電流Id也增大。故，當(dāng)電流Ib ’減小時，所述第二輸出端的電流Id增大，故抑制了所述緩沖器內(nèi)部電子器件的噪聲對所述第二輸出端的電流的影響。需要說明的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，上述抑制電路中電流噪聲的方式僅為舉例，而非對本實用新型的限制。綜上所述，本實用新型所述的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，能夠根據(jù)所述抑噪單元對所述緩沖器電路的電流反饋作用來抑制所述緩沖器中各電子元件的噪聲對所述第二輸出端輸出電流的影響。所以，本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利 用價值。上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，其特征在于，聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器至少包括 與聲電轉(zhuǎn)換單元輸出端連接、具有第一輸出端和第二輸出端的緩沖單元，其中，所述聲電轉(zhuǎn)換單元輸出的電信號由所述第二輸出端輸出； 與所述第一輸出端連接，用于基于增加跨導(dǎo)來降低電路噪聲的抑噪單元； 與所述抑噪單元連接的電流源； 與所述電流單元連接，用于基于所述第二輸出端的阻抗向所述第二輸出端提供電流的所述電流控制單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，其特征在于，所述緩沖單元為第一晶體管，所述第一晶體管的柵極與所述聲電轉(zhuǎn)換單元的輸出端相連，所述第一晶體管的源極為所述第二輸出端，所述第一晶體管的漏極為所述第一輸出端。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，其特征在于，所述抑噪單元包括第二晶體管，所述第二晶體管的柵極與所述第一輸出端連接，其漏極與所述電流源連接，其源極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，其特征在于，所述電流源包括子電流源和一對鏡像連接的第三晶體管，其中，一個所述第三晶體管的漏極和柵極均連接所述子電流源的輸出端，另一個所述第三晶體管的漏極與所述抑噪單元和所述電流控制單元相連，兩個所述第三晶體管的柵極相連，兩個所述第三晶體管的源極接預(yù)設(shè)電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，其特征在于，所述電流控制單元包括與所述電流源鏈接的第一電流鏡像子單元、以及與所述第一電流鏡像子單元和所述第二輸出端連接的第二電流鏡像子單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，其特征在于，所述第一電流鏡像子單元為一對鏡像連接的第四晶體管，其中，一個所述第四晶體管的漏極和柵極均與所述電流源相連，另一個所述第四晶體管的漏極與所述電流控制單元相連，兩個所述第四晶體管的柵極相連，兩個所述第四晶體管的源極接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，其特征在于，所述第二電流鏡像子單元為一對鏡像連接的第五晶體管，其中，一個所述第五晶體管的漏極和柵極均與所述電流控制單元相連，另一個所述第五晶體管的漏極與所述第二輸出端相連，兩個所述第五晶體管的柵極相連，兩個所述第五晶體管的源極接預(yù)設(shè)電壓。
專利摘要本實用新型提供一種聲電轉(zhuǎn)換單元的緩沖器，其至少包括與聲電轉(zhuǎn)換單元輸出端連接、具有第一輸出端和第二輸出端的緩沖單元，其中，所述聲電轉(zhuǎn)換單元輸出的電信號由所述第二輸出端輸出；與所述第一輸出端連接，用于基于增加跨導(dǎo)來降低電路噪聲的抑噪單元；與所述抑噪單元連接的電流源；與所述電流單元連接，用于基于所述第二輸出端的阻抗向所述第二輸出端提供電流的所述電流控制單元。由上所述，本實用新型所述緩沖器能夠根據(jù)所述抑噪單元對所述緩沖器電路的電流反饋作用來抑制所述緩沖器中各電子元件的噪聲對所述第二輸出端輸出電流的影響。
文檔編號H04R1/08GK202799085SQ201220375208
公開日2013年3月13日 申請日期2012年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月31日
發(fā)明者陳嘉 申請人:無錫市葆靈電子科技有限公司