一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，屬于電器技術(shù)領(lǐng)域，包括三相電源接入端、整流電路、電源、電容電路、逆變電路、零序電流檢測電路、限制電流檢測電路、低功耗處理器和高速驅(qū)動(dòng)器，零序電流檢測電路和限制電流檢測電路分別與逆變電路連接，在整流電路與電容電路之間設(shè)有電流/電壓采樣檢測器，逆變電路包括多個(gè)智能IGBT，低功耗處理器連接有數(shù)字動(dòng)作信號輸入接口和數(shù)字動(dòng)作信號輸出接口，整流電路包括多個(gè)整流二極管，電容電路包括多個(gè)儲能電容。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)的電磁加熱系統(tǒng)中IGBT管的開通損耗較大、溫升較高、使用壽命下降，造成電磁加熱系統(tǒng)的損耗較大的問題，提高了IGBT管的使用壽命。
【專利說明】
一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種驅(qū)動(dòng)裝置，特別是涉及一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，屬于電器技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]電磁加熱的原理是通過電子線路板組成部分產(chǎn)生交變磁場、當(dāng)用含鐵質(zhì)容器放置上面時(shí)，容器表面即切割交變磁力線而在容器底部金屬部分產(chǎn)生交變的電流，即渦流，渦流使容器底部的鐵原子高速無規(guī)則運(yùn)動(dòng)，原子互相碰撞、摩擦而產(chǎn)生熱能，從而起到加熱物品的效果。在現(xiàn)有技術(shù)中，電磁加熱系統(tǒng)大多通過同步電路硬件觸發(fā)方式對IGBT管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。諧振電容與加熱線圈盤并聯(lián)，諧振電容的左端與供電模塊相連，諧振電容的右端與IGBT管的C極相連，諧振電容左端的電壓經(jīng)同步電路中多個(gè)串聯(lián)電阻分壓之后得到第一電壓信號，諧振電容右端的電壓經(jīng)同步電路中多個(gè)串聯(lián)電阻分壓之后得到第二電壓信號，第一電壓信號輸入到控制器內(nèi)部比較器的同相輸入端，第二電壓信號輸入到控制器內(nèi)部比較器的反相輸入端，導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)的電磁加熱系統(tǒng)中IGBT管的開通損耗較大、溫升較高、使用壽命下降，造成電磁加熱系統(tǒng)的損耗較大。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的主要目的是為了提供一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的電磁加熱系統(tǒng)中IGBT管的開通損耗較大、溫升較高、使用壽命下降，造成電磁加熱系統(tǒng)的損耗較大的問題。
[0004]本實(shí)用新型的目的可以通過采用如下技術(shù)方案達(dá)到:
[0005]—種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，包括三相電源接入端、整流電路、電源、電容電路、逆變電路、零序電流檢測電路、限制電流檢測電路、低功耗處理器和高速驅(qū)動(dòng)器，整流電路與三相電源接入端連接，整流電路、電容電路、逆變電路依次連接，零序電流檢測電路和限制電流檢測電路分別與逆變電路連接，電源分別與電容電路、低功耗處理器、高速驅(qū)動(dòng)器連接，高速驅(qū)動(dòng)器與逆變電路、零序電流檢測電路、限制電流檢測電路、低功耗處理器連接，在整流電路與電容電路之間設(shè)有電流/電壓采樣檢測器，電流/電壓采樣檢測器與低功耗處理器連接，逆變電路與諧振電容連接，諧振電容包括諧振電容Cl和諧振電容C2，所述逆變電路包括多個(gè)智能IGBT，任意兩個(gè)智能IGBT串聯(lián)后與另外兩個(gè)串聯(lián)后的智能IGBT并聯(lián)，諧振電容Cl與兩個(gè)串聯(lián)后的智能IGBT連接，諧振電容C2與另外兩個(gè)串聯(lián)后的智能IGBT連接。
[0006]進(jìn)一步的，所述低功耗處理器為HMSP低功耗處理器
[0007]進(jìn)一步的，所述I1MSP430低功耗處理器連接有數(shù)字動(dòng)作信號輸入接口和數(shù)字動(dòng)作信號輸出接口。
[0008]進(jìn)一步的，所述數(shù)字動(dòng)作信號輸入接口與電磁加熱設(shè)備的溫控表連接，數(shù)字動(dòng)作信號輸出接口與電柜內(nèi)部接觸器KM連接。
[0009]進(jìn)一步的，所述整流電路包括多個(gè)整流二極管，任意兩個(gè)整流二極管串聯(lián)后與另外兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管并聯(lián)。
[0010]進(jìn)一步的，所述三相電源接入端的S端接入到兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管之間，所述三相電源接入端的R端接入到另外兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管之間，所述三相電源接入端的T端接入到另外兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管之間。
[0011]進(jìn)一步的，所述電容電路包括多個(gè)儲能電容，任意兩個(gè)儲能電容串聯(lián)后與另外兩個(gè)串聯(lián)的儲能電容并聯(lián)。
[0012]進(jìn)一步的，所述零序電流檢測電路通過諧振電容Cl與一個(gè)智能IGBT連接，通過諧振電容C2與另一個(gè)智能IGBT連接。
[0013]進(jìn)一步的，所述限制電流檢測電路與電磁線圈、控制開關(guān)連接，電磁線圈與控制開關(guān)串聯(lián)，所述限制電流檢測電路通過諧振電容C2與一個(gè)智能IGBT連接。
[OOM]進(jìn)一步的，所述智能IGBT與高速驅(qū)動(dòng)器連接。
[0015]本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果:本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)的電磁加熱系統(tǒng)中IGBT管的開通損耗較大、溫升較高、使用壽命下降，造成電磁加熱系統(tǒng)的損耗較大的問題，提高了 IGBT管的使用壽命。
【附圖說明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置電路圖。
[0017]圖中:1_三相電源接入端，2-整流電路，3-電源，4-電容電路，5-智能IGBT，6-逆變電路，7-諧振電容，8-零序電流檢測電路，9-限制電流檢測電路，10-數(shù)字動(dòng)作信號輸入接口，11-低功耗處理器，12-數(shù)字動(dòng)作信號輸出接口，13-電流/電壓采樣檢測器，14-高速驅(qū)動(dòng)器，15-電磁線圈。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更加清楚和明確本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0019]如圖1所示，一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，包括三相電源接入端1、整流電路2、電源3、電容電路4、逆變電路6、零序電流檢測電路8、限制電流檢測電路9、低功耗處理器11和高速驅(qū)動(dòng)器14，整流電路2與三相電源接入端I連接，整流電路2、電容電路4、逆變電路6依次連接，零序電流檢測電路8和限制電流檢測電路9分別與逆變電路6連接，電源3分別與電容電路4、低功耗處理器11、高速驅(qū)動(dòng)器14連接，高速驅(qū)動(dòng)器14與逆變電路6、零序電流檢測電路8、限制電流檢測電路9、低功耗處理器11連接，在整流電路2與電容電路4之間設(shè)有電流/電壓采樣檢測器13，電流/電壓采樣檢測器13與低功耗處理器11連接，逆變電路6與諧振電容7連接，諧振電容7包括諧振電容Cl和諧振電容C2，所述逆變電路6包括多個(gè)智能IGBT5，任意兩個(gè)智能IGBT5串聯(lián)后與另外兩個(gè)串聯(lián)后的智能IGBT5并聯(lián)，諧振電容Cl與兩個(gè)串聯(lián)后的智能IGBT5連接，諧振電容C2與另外兩個(gè)串聯(lián)后的智能IGBT5連接。
[0020]進(jìn)一步的，如圖1所示，所述低功耗處理器11為TIMSP430低功耗處理器，所述I1MSP430低功耗處理器連接有數(shù)字動(dòng)作信號輸入接口 10和數(shù)字動(dòng)作信號輸出接口，所述數(shù)字動(dòng)作信號輸入接口 10與電磁加熱設(shè)備的溫控表連接，數(shù)字動(dòng)作信號輸出接口 12與電柜內(nèi)部接觸器KM連接。
[0021]進(jìn)一步的，如圖1所示，所述整流電路2包括多個(gè)整流二極管，任意兩個(gè)整流二極管串聯(lián)后與另外兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管并聯(lián)，所述三相電源接入端I的S端接入到兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管之間，所述三相電源接入端I的R端接入到另外兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管之間，所述三相電源接入端I的T端接入到另外兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管之間。
[0022]進(jìn)一步的，如圖1所示，所述電容電路4包括多個(gè)儲能電容，任意兩個(gè)儲能電容串聯(lián)后與另外兩個(gè)串聯(lián)的儲能電容并聯(lián)。
[0023]進(jìn)一步的，如圖1所示，所述零序電流檢測電路8通過諧振電容Cl與一個(gè)智能IGBT5連接，通過諧振電容C2與另一個(gè)智能IGBT5連接。
[0024]進(jìn)一步的，如圖1所示，所述限制電流檢測電路9與電磁線圈15、控制開關(guān)連接，電磁線圈15與控制開關(guān)串聯(lián)，所述限制電流檢測電路9通過諧振電容C2與一個(gè)智能IGBT5連接。
[0025]進(jìn)一步的，如圖1所示，所述智能IGBT5與高速驅(qū)動(dòng)器14連接。
[0026]綜上所述，本實(shí)施例提供的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)的電磁加熱系統(tǒng)中IGBT管的開通損耗較大、溫升較高、使用壽命下降，造成電磁加熱系統(tǒng)的損耗較大的問題，提高了 IGBT管的使用壽命。
[0027]以上所述，僅為本實(shí)用新型進(jìn)一步的實(shí)施例，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型所公開的范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其構(gòu)思加以等同替換或改變，都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:包括三相電源接入端(I)、整流電路(2)、電源(3)、電容電路(4)、逆變電路(6)、零序電流檢測電路(8)、限制電流檢測電路(9)、低功耗處理器(11)和高速驅(qū)動(dòng)器(14)，整流電路(2)與三相電源接入端(I)電連接，整流電路(2)、電容電路(4)、逆變電路(6)依次電連接，零序電流檢測電路(8)和限制電流檢測電路(9)分別與逆變電路(6)電連接，電源(3)分別與電容電路(4)、低功耗處理器(11)、高速驅(qū)動(dòng)器(14)電連接，高速驅(qū)動(dòng)器(14)與逆變電路(6)、零序電流檢測電路(8)、限制電流檢測電路(9)、低功耗處理器(11)電連接，在整流電路(2)與電容電路(4)之間設(shè)有電流/電壓采樣檢測器(13)，電流/電壓采樣檢測器(13)與低功耗處理器(11)電連接，逆變電路(6)與諧振電容(7)電連接，諧振電容(7)包括諧振電容Cl和諧振電容C2，所述逆變電路(6)包括多個(gè)智能IGBT(5)，任意兩個(gè)智能IGBT(5)串聯(lián)后與另外兩個(gè)串聯(lián)后的智能IGBT(5)并聯(lián)，諧振電容Cl與兩個(gè)串聯(lián)后的智能IGBT(5)電連接，諧振電容C2與另外兩個(gè)串聯(lián)后的智能IGBT(5)電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述低功耗處理器(11)為HMSP430低功耗處理器。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述HMSP430低功耗處理器連接有數(shù)字動(dòng)作信號輸入接口(10)和數(shù)字動(dòng)作信號輸出接口(12)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述數(shù)字動(dòng)作信號輸入接口( 1)與電磁加熱設(shè)備的溫控表電連接，數(shù)字動(dòng)作信號輸出接口( 12)與電柜內(nèi)部接觸器KM電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述整流電路(2)包括多個(gè)整流二極管，任意兩個(gè)整流二極管串聯(lián)后與另外兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管并聯(lián)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述三相電源接入端(I)的S端接入到兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管之間，所述三相電源接入端(I)的R端接入到另外兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管之間，所述三相電源接入端(I)的T端接入到另外兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述電容電路(4)包括多個(gè)儲能電容，任意兩個(gè)儲能電容串聯(lián)后與另外兩個(gè)串聯(lián)的儲能電容并聯(lián)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述零序電流檢測電路(8)通過諧振電容Cl與一個(gè)智能IGBT(5)電連接，通過諧振電容C2與另一個(gè)智能IGBT(5)電連接。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述限制電流檢測電路(9)與電磁線圈(15)、控制開關(guān)電連接，電磁線圈(15)與控制開關(guān)串聯(lián)，所述限制電流檢測電路(9)通過諧振電容C2與一個(gè)智能IGBT (5)電連接。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述智能IGBT(5)與高速驅(qū)動(dòng)器(14)電連接。
【文檔編號】H05B6/06GK205681651SQ201620546730
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月6日 公開號201620546730.6, CN 201620546730, CN 205681651 U, CN 205681651U, CN-U-205681651, CN201620546730, CN201620546730.6, CN205681651 U, CN205681651U
【發(fā)明人】章明, 蔣暖
【申請人】江蘇亞邦三博節(jié)能投資有限公司