本申請(qǐng)基于2014年7月10日申請(qǐng)的日本申請(qǐng)?zhí)?014-142438號(hào)，在此引用其記載內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種對(duì)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)器電路提供電壓的驅(qū)動(dòng)裝置。

背景技術(shù)：

在驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)器電路中，以降低開(kāi)關(guān)損耗為目的，要求更高速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。然而，如果使開(kāi)關(guān)動(dòng)作高速化，則產(chǎn)生EMI(電磁干擾)噪聲、浪涌等問(wèn)題。具體地說(shuō)，導(dǎo)致在開(kāi)關(guān)元件的輸出電流中產(chǎn)生振鈴(ringing)。

為了消除該問(wèn)題，在專利文獻(xiàn)1中，提出了設(shè)置有電流源電路的柵極驅(qū)動(dòng)電路，該電流源電路用于在使開(kāi)關(guān)元件的主端子中流動(dòng)的電流關(guān)斷時(shí)使柵極電荷放電。另外，設(shè)置有電流調(diào)整電路，該電流調(diào)整電路根據(jù)開(kāi)關(guān)元件的主端子的兩端電壓的上升來(lái)控制電流源電路，使柵極電荷逐漸放電。由此，能夠與開(kāi)關(guān)元件的制造偏差、動(dòng)作條件等無(wú)關(guān)地有效地降低浪涌和關(guān)斷損耗這兩方。

另一方面，在專利文獻(xiàn)2中，提出了如下驅(qū)動(dòng)電路：將緊接在開(kāi)關(guān)元件的斷開(kāi)之后的柵極電荷的放電路徑設(shè)為2個(gè)路徑，之后，隨著漏極電壓的降低而自動(dòng)地將路徑減少為1個(gè)。在該驅(qū)動(dòng)電路中，為了構(gòu)建上述機(jī)構(gòu)，對(duì)不具有放電機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路附加2個(gè)MOSFET和1個(gè)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器電路。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2008-67593號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2001-45740號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

然而，上述2個(gè)專利文獻(xiàn)中的驅(qū)動(dòng)電路均對(duì)不具有放電機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路追加了比較大規(guī)模的電路。因此，存在作為開(kāi)關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)裝置整體而電路規(guī)模變大的問(wèn)題。除此以外，特別的電路的附加導(dǎo)致成本上升。

本公開(kāi)的目的在于以更簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)提供兼顧開(kāi)關(guān)動(dòng)作的高速化與輸出電流的振鈴抑制的驅(qū)動(dòng)裝置。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方式，一種驅(qū)動(dòng)裝置，對(duì)控制開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通斷開(kāi)的驅(qū)動(dòng)器電路提供電壓，具備：主電源，連接于驅(qū)動(dòng)器電路；第一電容器，與驅(qū)動(dòng)器電路并聯(lián)地連接于主電源，被配置成在與驅(qū)動(dòng)器電路之間不介有除了布線以外的元件；以及阻抗元件，與第一電容器及驅(qū)動(dòng)器電路串聯(lián)地連接于主電源，被配置成在與第一電容器及驅(qū)動(dòng)器電路之間不介有除了布線以外的元件。第一電容器的靜電電容C₁相對(duì)于開(kāi)關(guān)元件的柵極電容Cgs、以及第一電容器被充分地充電的狀態(tài)下的驅(qū)動(dòng)器電路與阻抗元件之間的中間電位Vdr，滿足數(shù)式1的關(guān)系。

[數(shù)1]

在開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)的狀態(tài)下蓄積在第一電容器中的電荷在驅(qū)動(dòng)器電路開(kāi)始用于使開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通的動(dòng)作的同時(shí)開(kāi)始注入到開(kāi)關(guān)元件的柵極。另一方面，隨著向柵極的電荷注入而減少的第一電容器的電荷通過(guò)主電源被填補(bǔ)。在此，在第一電容器與主電源之間配置有具有規(guī)定的阻抗的阻抗元件。因此，從主電源向第一電容器的電荷的移動(dòng)產(chǎn)生延遲。因此，驅(qū)動(dòng)器電路與阻抗元件之間的中間電位在驅(qū)動(dòng)器電路開(kāi)始用于使開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通的動(dòng)作的同時(shí)開(kāi)始減少。換言之，施加到開(kāi)關(guān)元件的柵極的電壓開(kāi)始減少。

如上，通過(guò)具有第一電容器和阻抗元件，以在驅(qū)動(dòng)器電路開(kāi)始用于使開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通的動(dòng)作的同時(shí)使驅(qū)動(dòng)器電路的驅(qū)動(dòng)能力下降的方式起作用。因而，在需要高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作的開(kāi)關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)電路中，無(wú)需如專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2那樣設(shè)置用于電荷放電的比較大規(guī)模的電路，能夠抑制輸出電流的振鈴。

此外，通過(guò)滿足數(shù)式1的關(guān)系，能夠保持施加到開(kāi)關(guān)元件的柵極的電壓大于閾值電壓的狀態(tài)。另外，在緊接在驅(qū)動(dòng)器電路開(kāi)始用于使開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通的動(dòng)作之后，能夠在柵極電位相對(duì)于驅(qū)動(dòng)器電路與阻抗元件之間的中間電位Vdr至少降低了10％的狀態(tài)下驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)元件。因而，能夠施加能夠驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)元件的最低限的柵極電位，能夠在開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通時(shí)使驅(qū)動(dòng)器電路中的驅(qū)動(dòng)能力下降。

附圖說(shuō)明

關(guān)于本公開(kāi)的上述目的以及其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)通過(guò)參照附圖并通過(guò)下述的詳細(xì)的描述會(huì)變得更明確。

圖1是表示第一實(shí)施方式所涉及的驅(qū)動(dòng)裝置及其周邊電路的電路圖。

圖2是表示漏極電流和驅(qū)動(dòng)電壓的時(shí)間變化的圖。

具體實(shí)施方式

下面，基于附圖來(lái)說(shuō)明本公開(kāi)的實(shí)施方式。此外，在以下的各圖彼此中，對(duì)彼此相同或均等的部分賦予同一符號(hào)。

(第一實(shí)施方式)

首先，參照?qǐng)D1來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的驅(qū)動(dòng)裝置的概要結(jié)構(gòu)。

如圖1所示，該驅(qū)動(dòng)裝置100是用于向驅(qū)動(dòng)器電路200提供電壓、進(jìn)而向開(kāi)關(guān)元件300的柵極施加電壓的電源裝置。驅(qū)動(dòng)器電路200基于從控制部(CNT)500輸入的控制信號(hào)對(duì)開(kāi)關(guān)元件300的導(dǎo)通斷開(kāi)進(jìn)行控制，從而控制流過(guò)負(fù)載400的電流量。此外，設(shè)想本實(shí)施方式中的開(kāi)關(guān)元件300是功率MOS晶體管。

該驅(qū)動(dòng)裝置100具備主電源10、第一電容器11、第二電容器12以及阻抗元件(IMP)13。

主電源10用于向驅(qū)動(dòng)器電路200提供電壓，是用于產(chǎn)生應(yīng)該向開(kāi)關(guān)元件300的柵極施加的電壓的直流電源。

第一電容器11與驅(qū)動(dòng)器電路200并聯(lián)地連接于主電源10。第一電容器11配置于緊挨在作為驅(qū)動(dòng)裝置100的輸出端子的端子A和端子B之前的位置，第一電容器11的兩端與驅(qū)動(dòng)器電路200的兩端不介有除了布線以外的元件而連接。

第二電容器12與第一電容器11并聯(lián)地連接于主電源10。第二電容器12作為用于將介于第二電容器12與主電源10之間的未圖示的元件等所引起的電壓的起伏平滑化的平滑電容器起作用。

阻抗元件13例如是電阻器，在主電源10與第一電容器11之間與第一電容器11串聯(lián)地連接于主電源10。換言之，相對(duì)于阻抗元件13，第一電容器11與驅(qū)動(dòng)器電路200處于并聯(lián)的關(guān)系。阻抗元件13連接于主電源10中的正極側(cè)。此外，上述第二電容器12相對(duì)于主電源10而言處于與阻抗元件13并聯(lián)連接的關(guān)系，第二電容器12與阻抗元件13之間不介有除了布線以外的元件。

在本實(shí)施方式中，該驅(qū)動(dòng)裝置100的輸出端子中的低電位側(cè)的端子B是地(GND)。另外，將第一電容器11被充分地充電的狀態(tài)下的高電位側(cè)的端子A的電位示為Vdr。Vdr為從主電源10的兩端的電壓減去因阻抗元件13引起的電壓降而得到的電位。

驅(qū)動(dòng)器電路200為導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210與斷開(kāi)側(cè)開(kāi)關(guān)220串聯(lián)連接而成的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210的一端連接于驅(qū)動(dòng)裝置100的端子A，斷開(kāi)側(cè)開(kāi)關(guān)220的一端連接于端子B。開(kāi)關(guān)元件300的柵極連接于導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210與斷開(kāi)側(cè)開(kāi)關(guān)220的中間點(diǎn)。此外，本實(shí)施方式中的導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210和斷開(kāi)側(cè)開(kāi)關(guān)220由MOS晶體管構(gòu)成。

在使開(kāi)關(guān)元件300導(dǎo)通的情況下，控制部500輸出表示使導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210導(dǎo)通、使斷開(kāi)側(cè)開(kāi)關(guān)220斷開(kāi)的意思的控制信號(hào)。由此，對(duì)開(kāi)關(guān)元件300的柵極施加與驅(qū)動(dòng)裝置100的端子A相同的電壓，從而開(kāi)關(guān)元件300導(dǎo)通。另一方面，在使開(kāi)關(guān)元件300斷開(kāi)的情況下，控制部500輸出表示使導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210斷開(kāi)、使斷開(kāi)側(cè)開(kāi)關(guān)220導(dǎo)通的意思的控制信號(hào)。由此，開(kāi)關(guān)元件300的柵極成為與驅(qū)動(dòng)裝置100的端子B相同的GND電位，存在于柵極的電荷被抽出而開(kāi)關(guān)元件300斷開(kāi)。

此外，第一電容器11的靜電電容C₁相對(duì)于開(kāi)關(guān)元件300的柵極電容Cgs、開(kāi)關(guān)元件300的閾值電壓Vth以及上述Vdr滿足數(shù)式7的關(guān)系。

接著，參照?qǐng)D1和圖2來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的驅(qū)動(dòng)裝置100的作用效果。此外，圖2是發(fā)明人執(zhí)行了電路模擬的結(jié)果的概要圖。

說(shuō)明開(kāi)關(guān)元件300從經(jīng)過(guò)了斷開(kāi)的狀態(tài)充分長(zhǎng)的時(shí)間的狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通的狀態(tài)的情況。

在開(kāi)關(guān)元件300斷開(kāi)的狀態(tài)(圖2中的時(shí)刻t1以前)下，如上述那樣，通過(guò)控制部500，導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210被設(shè)為斷開(kāi)的狀態(tài)，斷開(kāi)側(cè)開(kāi)關(guān)220被設(shè)為導(dǎo)通的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，端子A的電位(＝驅(qū)動(dòng)電壓)是Vdr。即，驅(qū)動(dòng)電壓是從主電源10的兩端的電壓減去因阻抗元件13引起的電壓降而得到的電位。

在時(shí)刻t1，控制部500對(duì)驅(qū)動(dòng)器電路200輸出表示使開(kāi)關(guān)元件300導(dǎo)通的意思的控制信號(hào)。由此，導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210導(dǎo)通，斷開(kāi)側(cè)開(kāi)關(guān)220斷開(kāi)。在如以往結(jié)構(gòu)那樣未配置第一電容器11和阻抗元件13的結(jié)構(gòu)中，驅(qū)動(dòng)電壓如圖2的點(diǎn)線所示那樣成為由主電源10規(guī)定的固定的電壓。在這種結(jié)構(gòu)中，開(kāi)關(guān)元件300的柵極始終被施加由主電源規(guī)定的電壓，因此漏極電流的增加急劇，導(dǎo)致產(chǎn)生振鈴(Ringing)。

另一方面，在本實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)裝置100具有第一電容器11和阻抗元件13。當(dāng)在時(shí)刻t1導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210導(dǎo)通、斷開(kāi)側(cè)開(kāi)關(guān)220斷開(kāi)時(shí)，Vdr作為驅(qū)動(dòng)電壓而施加到柵極。之后，第一電容器11中蓄積的電荷被注入到開(kāi)關(guān)元件300的柵極而減少。第一電容器11的電荷的減少量通過(guò)主電源10或第二電容器12來(lái)填補(bǔ)，但是由于在向第一電容器11的電流路徑中介有阻抗元件13，因此第一電容器11的放電速度超過(guò)填補(bǔ)速度。因此，驅(qū)動(dòng)電壓在時(shí)刻t1以后逐漸減小。然后，當(dāng)在時(shí)刻t2第一電容器11的放電速度低于填補(bǔ)速度時(shí)，在第一電容器11中開(kāi)始蓄積電荷，因此驅(qū)動(dòng)電壓逐漸上升。

據(jù)此，在時(shí)刻t1的時(shí)間點(diǎn)，能夠?qū)﹂_(kāi)關(guān)元件300的柵極施加由主電源10和阻抗元件13規(guī)定的驅(qū)動(dòng)電壓的最大值，因此能夠使漏極電流的上升、即di/dt與以往的結(jié)構(gòu)幾乎同等。換言之，能夠?qū)崿F(xiàn)高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作。

除此以外，如上述那樣能夠從緊接在時(shí)刻t1之后使驅(qū)動(dòng)電壓降低，因此能夠使驅(qū)動(dòng)器電路200的驅(qū)動(dòng)能力暫時(shí)性地下降，能夠抑制di/dt。因而，如圖2的實(shí)線所示，能夠抑制漏極電流的振鈴。

接著，關(guān)于第一電容器11的靜電電容C₁，定量地進(jìn)行說(shuō)明。

在此，將開(kāi)關(guān)元件300的柵極電容示為Cgs，將時(shí)刻t1以后的驅(qū)動(dòng)電壓示為V(t)。

在時(shí)刻t1的前后，電荷的總量不變化，因此數(shù)式4成立。

[數(shù)4]

C₁V_dr＝(C₁+C_gs)V(t)

而且，V(t)必須始終大于開(kāi)關(guān)元件300的閾值電壓Vth，因此，當(dāng)將數(shù)式4針對(duì)V(t)解開(kāi)并應(yīng)用V(t)>Vth時(shí)，數(shù)式5成立。

[數(shù)5]

另一方面，如果V(t)相對(duì)于Vdr稍微降低則可預(yù)計(jì)驅(qū)動(dòng)能力的下降，例如，為了使V(t)小于Vdr的90％，只要將數(shù)式4針對(duì)V(t)解開(kāi)并應(yīng)用V(t)<0.9Vdr即可，數(shù)式6成立。

[數(shù)6]

C₁＜9C_gs

根據(jù)以上，第一電容器11的靜電電容C₁只要相對(duì)于開(kāi)關(guān)元件300的柵極電容Cgs以及第一電容器11被充分地充電的狀態(tài)下的驅(qū)動(dòng)器電路200與阻抗元件之間的中間電位Vdr滿足數(shù)式7的關(guān)系，就能夠起到上述作用效果。

[數(shù)7]

接著，關(guān)于阻抗元件13的阻抗，定量地進(jìn)行說(shuō)明。

此外，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明阻抗元件13是電阻值R的電阻器的情況。此外，在以下的說(shuō)明中，靜電電容的單位是F，電阻值的單位是Ω，頻率的單位是Hz。

首先，研究電阻值R的下限。為了發(fā)揮上述作用效果，需要在漏極電流的上升的過(guò)渡期抑制驅(qū)動(dòng)器電路200的驅(qū)動(dòng)能力。關(guān)于驅(qū)動(dòng)能力的下降，能夠通過(guò)第一電容器11的電荷不達(dá)到由靜電電容C₁規(guī)定的電荷量來(lái)實(shí)現(xiàn)。換言之，第一電容器11的充電時(shí)間必須比從漏極電流的上升開(kāi)始到完成為止的時(shí)間即開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)間長(zhǎng)。

第一電容器11的充電時(shí)間是充電時(shí)間常數(shù)(＝C₁R)的e倍左右。在此，e是納皮爾常數(shù)。因此，如果假定開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)間的最小值為10ns，則eC₁R>10×10^-9，對(duì)其進(jìn)行整理則數(shù)式8成立。

[數(shù)8]

接著，研究電阻值R的上限。開(kāi)關(guān)元件300以規(guī)定的頻率來(lái)周期性地導(dǎo)通斷開(kāi)，這與驅(qū)動(dòng)器電路200中的導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210的導(dǎo)通斷開(kāi)同步。驅(qū)動(dòng)電壓在導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210從導(dǎo)通轉(zhuǎn)變?yōu)閿嚅_(kāi)之后開(kāi)始相對(duì)于Vdr降低，但是必須在導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210再次轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通之前恢復(fù)至Vdr。

關(guān)于在導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210從導(dǎo)通轉(zhuǎn)變?yōu)閿嚅_(kāi)之后到再次轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通為止的時(shí)間，能夠使用作為開(kāi)關(guān)元件300的驅(qū)動(dòng)頻率的載波頻率f和占空比D來(lái)表示為(1-D)/f，因此與第一電容器11的充電時(shí)間(＝eC₁R)的關(guān)系成為如數(shù)式9那樣。

[數(shù)9]

根據(jù)以上，優(yōu)選的是設(shè)定為阻抗元件13的電阻值R[Ω]相對(duì)于第一電容器11的靜電電容C₁[F]、載波頻率f[Hz]以及占空比D滿足數(shù)式10的關(guān)系。

[數(shù)10]

(變形例)

此外，阻抗元件13除了電阻器以外，還可以采用例如自感L的線圈等。在以下的說(shuō)明中，靜電電容的單位是F，自感的單位是H，頻率的單位是Hz。另外，e是納皮爾常數(shù)，π是圓周率。

首先，研究自感L的下限。只要相對(duì)于上述第一實(shí)施方式將第一電容器11的充電時(shí)間常數(shù)C₁R置換為2π(C₁L)^1/2即可。即，優(yōu)選的是自感L滿足數(shù)式11。

[數(shù)11]

接著，研究自感L的上限。關(guān)于上限，也只要相對(duì)于上述第一實(shí)施方式將第一電容器11的充電時(shí)間常數(shù)C₁R置換為2π(C₁L)^1/2即可。即，優(yōu)選的是自感L滿足數(shù)式11。

[數(shù)12]

根據(jù)以上，優(yōu)選的是設(shè)定為阻抗元件13的自感[H]相對(duì)于第一電容器11的靜電電容C₁[F]、載波頻率f[Hz]以及占空比D滿足數(shù)式13的關(guān)系。

[數(shù)13]

(其它實(shí)施方式)

以上說(shuō)明了本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式，但是本公開(kāi)絲毫不受上述實(shí)施方式所限制，能夠在不脫離本公開(kāi)的宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形來(lái)實(shí)施。

在上述實(shí)施方式中，示出了優(yōu)選的是第一電容器11的靜電電容C₁滿足數(shù)式7。在此，在盡管滿足驅(qū)動(dòng)電壓V(t)>Vth、但V(t)取Vth附近的值的情況下，有時(shí)漏極電流的上升、即di/dt過(guò)小而開(kāi)關(guān)損耗大幅惡化。另外，當(dāng)將V(t)相對(duì)于Vdr的降低率也設(shè)為比90％更小的50％左右時(shí)，能夠期待進(jìn)一步的振鈴抑制效果。即，優(yōu)選的是靜電電容C₁滿足數(shù)式14。

[數(shù)14]

在此，V₀是滿足1<V₀<20的常數(shù)。此外，如果使靜電電容C₁滿足C₁<3Cgs，則能夠期待進(jìn)一步的振鈴抑制效果。

另外，在上述實(shí)施方式中，關(guān)于電阻值R的下限，示出優(yōu)選的是電阻值R滿足數(shù)式8。這是將開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)間的最小值假定為10ns的情況，有時(shí)對(duì)于開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)間比10ns長(zhǎng)的開(kāi)關(guān)元件300無(wú)法確保充分的充電時(shí)間。另外，關(guān)于電阻值R的上限，示出優(yōu)選的是電阻值R滿足數(shù)式9。這表示相對(duì)于導(dǎo)通側(cè)開(kāi)關(guān)210從導(dǎo)通轉(zhuǎn)變?yōu)閿嚅_(kāi)之后到再次轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通為止的時(shí)間(1-D)/f而言第一電容器11的充電時(shí)間(＝eC₁R)小。然而，在(1-D)/f≒eC₁R的條件下，有時(shí)充電后的第一電容器11的兩端電壓不穩(wěn)定。因此，為了例如對(duì)于開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)間比10μs長(zhǎng)的開(kāi)關(guān)元件300也有效、且使第一電容器11的兩端電壓充分穩(wěn)定，優(yōu)選的是滿足數(shù)式15。

[數(shù)15]

另外，在上述實(shí)施方式及其變形例中，示出了驅(qū)動(dòng)裝置100具有第二電容器12的結(jié)構(gòu)，但是，即使是未配置第二電容器12的結(jié)構(gòu)也能夠起到上述的作用效果。但是，第二電容器12用于使在主電源10與第二電容器12之間構(gòu)成的任意的電路中產(chǎn)生的電壓的起伏平滑化，因此優(yōu)選的是具有第二電容器12。

另外，在上述實(shí)施方式及其變形例中，示出了由2個(gè)MOS晶體管構(gòu)成驅(qū)動(dòng)器電路200的例子，但是驅(qū)動(dòng)裝置100也能夠應(yīng)用于除了該例子以外的驅(qū)動(dòng)器電路。

另外，在上述實(shí)施方式及其變形例中，作為開(kāi)關(guān)元件300的一例示出了功率MOS晶體管的例子。然而，不限定于該例子，例如對(duì)于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)也能夠應(yīng)用驅(qū)動(dòng)裝置100。另外，例如也能夠應(yīng)用于GaN系的高電子遷移率晶體管(HEMT)、SiC系的MOSFET。

本公開(kāi)依照實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是應(yīng)理解本公開(kāi)不限定于該實(shí)施方式、構(gòu)造。本公開(kāi)還包括各種變形例、均等范圍內(nèi)的變形。除此以外，各種組合、方式以及在它們中僅包括一個(gè)要素、其以上或其以下的其它組合、方式也包括在本公開(kāi)的范疇、思想范圍內(nèi)。