高磁導(dǎo)率吸波片及其流延漿料和制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于電子元器件材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高磁導(dǎo)率吸波片漿料、高磁 導(dǎo)率吸波片和其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近場(chǎng)通信技術(shù)(Near Field Communication,NFC)是由飛利浦公司發(fā)起、諾基亞、 索尼等著名廠商聯(lián)合推出的一項(xiàng)以手機(jī)為載體，把非接觸式1C卡應(yīng)用結(jié)合于手機(jī)中，以卡、 閱讀器、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)三種應(yīng)用模式，實(shí)現(xiàn)手機(jī)支付、數(shù)據(jù)傳輸、積分兌換、電子票務(wù)、身份識(shí)別、防 偽、廣告等多種應(yīng)用的技術(shù)服務(wù)。
[0003] NFC技術(shù)具體應(yīng)用可以分為以下三種:NFC手機(jī)終端可以模擬成為一張普通的非接 觸卡，主要用于支付、票務(wù)、門禁、考勤等場(chǎng)景，裝載在NFC安全模塊中；NFC手機(jī)終端可以讀 取非接觸標(biāo)簽中的內(nèi)容，例如虛擬書簽、廣告等，裝載在NFC手機(jī)客戶端上;兩個(gè)NFC設(shè)備可 以近距離內(nèi)互相直接傳遞數(shù)據(jù)，例如圖片、音樂、通訊錄等。NFC最初是射頻識(shí)別(RFID)技術(shù) 與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的簡(jiǎn)單合并，是基于頻率為13.56MHz的射頻識(shí)別技術(shù)，現(xiàn)已經(jīng)演變成一種短距 離無線通信技術(shù)，發(fā)展態(tài)勢(shì)相當(dāng)迅速。但是，射頻識(shí)別對(duì)某些介質(zhì)很敏感，如水、金屬等都會(huì) 影響NFC的識(shí)別，同時(shí)電磁波在媒介表面或內(nèi)部的反射、折射、衰減等效應(yīng)往往會(huì)使標(biāo)簽的 讀寫距離縮短，從而影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。為了保證集成了 NFC功能的移動(dòng)手持設(shè)備對(duì)發(fā)射 機(jī)信號(hào)的正常讀取，目前采用的方法是在金屬(環(huán)境)與天線之間增加一層軟磁屏蔽材料， 起隔斷金屬(環(huán)境)產(chǎn)生的感應(yīng)電渦流的作用，同時(shí)保持信號(hào)強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)高的磁性收斂效果， 提高天線的接受靈敏度和NFC讀寫器的接收靈敏度，增大標(biāo)簽的讀寫距離。
[0004] 無線充電技術(shù)(Wireless Charging Technology，WCT)指的是電能的無線傳輸技 術(shù)，通俗的說，就是不借助實(shí)物連線實(shí)現(xiàn)電能的無線傳達(dá)。與傳統(tǒng)的有線充電相比，無線充 電具有方便、快捷、節(jié)約資源、減少在苛刻條件下使用電纜帶來的危險(xiǎn)性等優(yōu)點(diǎn)。
[0005] 無線充電共有三種實(shí)現(xiàn)方式：電磁感應(yīng)式、無線電波式和磁場(chǎng)共振式。電磁感應(yīng)式 是通過改變兩個(gè)對(duì)準(zhǔn)的線圈中的一個(gè)線圈中的電場(chǎng)或磁場(chǎng)，從而在另一線圈中感應(yīng)出電 流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)電池充電，，傳輸功率大，能達(dá)幾百千瓦但充電距離有限，極限是l〇cm，當(dāng)距 離變大時(shí)，效率會(huì)急劇下降。無線電波式是微波發(fā)射端將電能以微波的形式發(fā)射，微波接受 端將接受的微波轉(zhuǎn)換成電流，它的充電距離可達(dá)l〇m，但是功率小、損耗大、效率低。磁場(chǎng)共 振式無線充電以磁場(chǎng)為媒介相互耦合傳遞能量，其特點(diǎn)是不具有敏感的方向性，傳輸距離 為可穿越非磁性物質(zhì)進(jìn)行能量傳輸，只有相同頻率的諧振耦合體消耗能量，因此這種方式 的無線電能傳輸具有較高的傳輸效率。在無線充電技術(shù)的具體應(yīng)用中，在發(fā)射端和接收端 設(shè)置屏蔽軟磁鐵氧體片用以增高感應(yīng)磁場(chǎng)和屏蔽線圈干擾，提高無線充電效率。軟磁片主 要屏蔽充電磁場(chǎng)對(duì)終端設(shè)備的干擾。近年來，許多行業(yè)的飛速發(fā)展，如：智能手機(jī)、平板電 腦、可穿戴設(shè)備、電動(dòng)汽車等行業(yè)的高速發(fā)展，促使人們對(duì)其充電便利性要求的期待，無線 充電技術(shù)很好的滿足了人們的這一需求。
[0006] 由于現(xiàn)代電子設(shè)備小型化和集成化的要求，因此軟磁屏蔽材料不但需高磁導(dǎo)率而 且厚度必須十分薄，不能占用太大的空間且具有一定的柔韌性，能與器件緊密貼合。而且現(xiàn) 有的片狀軟磁屏蔽材料大多數(shù)通過將軟磁鐵氧體粉與橡膠通過壓延工藝制作出來的，如圖 1所示，但是這種壓延工藝會(huì)使得磁性金屬粉末在壓制，固化處理后，坯體的密度會(huì)降低，進(jìn) 而導(dǎo)致機(jī)械強(qiáng)度降低。而且由于壓制成型引入的內(nèi)應(yīng)力使得材料的磁性能惡化，需要增加 去應(yīng)力退火工工藝，使生產(chǎn)過程復(fù)雜化。
[0007] 基于現(xiàn)有壓延工藝的缺陷，如今出現(xiàn)了流延成型法俗稱刮刀成形法，是一種重要 的制備大面積薄膜的成型方法，其工藝主要包括漿料制備，成型，干燥，燒結(jié)，基帶剝離等過 程。流延成型方法可以方便的控制薄膜的厚度，制備多層薄膜，設(shè)備簡(jiǎn)單，工藝穩(wěn)定，可連續(xù) 操作，生產(chǎn)效率高，自動(dòng)化程度高。并根據(jù)溶劑是否為有機(jī)物，流延工藝分為非水基流延和 水基流延兩種。其中，非水基流延制備的薄膜結(jié)構(gòu)均勻，強(qiáng)度高，柔性好，工藝比較成熟，已 在工業(yè)生產(chǎn)中大規(guī)模應(yīng)用。但是在實(shí)際制備過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的非水基流延漿料經(jīng)流延工 藝處理后，制備的軟磁片磁導(dǎo)率不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種高磁導(dǎo)率吸波片及其制備 方法和其流延漿料，以解決現(xiàn)有吸波片的磁導(dǎo)率不高的技術(shù)問題。
[0009] 本發(fā)明的目的是提供一種含有吸波片的電子元器件，以解決由于現(xiàn)有吸波片的磁 導(dǎo)率不高而導(dǎo)致電子元器件性能不理想的技術(shù)問題。
[0010] 為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明一方面，提供了一種高磁導(dǎo)率吸波片的流延漿料。 所述高磁導(dǎo)率吸波片的流延漿料包括如下重量份的組分： 軟磁合金粉體 80~85份 有機(jī)絕緣彈性體 8_~12份
[0011] 難揮發(fā)有機(jī)物溶劑3~5份 增塑劑 2~3份 分散劑 1~3份。
[0012] 本發(fā)明另一方面，提供了一種高磁導(dǎo)率吸波片。所述高磁導(dǎo)率吸波片是本發(fā)明高 磁導(dǎo)率吸波片的流延漿料經(jīng)過包括流延工藝成型。
[0013] 本發(fā)明又一方面，提供了一種高磁導(dǎo)率吸波片的制備方法。所述高磁導(dǎo)率吸波片 的制備方法包括如下步驟：
[0014] 按照本發(fā)明高磁導(dǎo)率吸波片的流延漿料所含的組分分別稱取包括軟磁合金粉體、 有機(jī)絕緣彈性體、難揮發(fā)有機(jī)物溶劑、增塑劑、分散劑組分原料；
[0015] 將稱取的所述有機(jī)絕緣彈性體、難揮發(fā)有機(jī)物溶劑、增塑劑、分散劑進(jìn)行加熱混料 處理，獲得混合溶液；
[0016] 將所述軟磁合金粉體進(jìn)行球磨成片狀后加入至所述混合溶液中進(jìn)行再次混料處 理，脫氣處理，獲得流延漿料；
[0017] 將所述流延漿料進(jìn)行流延處理，干燥處理和模壓處理。
[0018] 本發(fā)明再一方面，提供了一種電子元器件。所述電子元器件含有本發(fā)明高磁導(dǎo)率 吸波片或由權(quán)利要求8-9任一制備方法制備的高磁導(dǎo)率吸波片。
[0019] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明高磁導(dǎo)率吸波片的流延漿料采用難揮發(fā)有機(jī)物溶劑作為 溶劑，由于溶劑的不易揮發(fā)特性，一方面對(duì)軟磁合金粉體潤(rùn)濕性良好、可將其表面全包裹， 使得本發(fā)明高磁導(dǎo)率吸波片的流延漿料穩(wěn)定性好，從而提高流延成型的良率，提高吸波片 的質(zhì)量和柔韌性以及電阻率;另一方面能夠使得漿料在流延成型工藝后更容易在磁場(chǎng)作用 下取向一致。從而賦予制備的吸波片高磁導(dǎo)率特性。
[0020] 本發(fā)明高磁導(dǎo)率吸波片由于是利用上述本發(fā)明高磁導(dǎo)率吸波片的流延漿料流延 工藝形成，因此，本發(fā)明高磁導(dǎo)率吸波片不僅具有現(xiàn)有流延成型吸波片的優(yōu)良特點(diǎn)，還具有 質(zhì)量和磁導(dǎo)率高特性，還具有良好柔韌性和較高的電阻率。
[0021] 本發(fā)明高磁導(dǎo)率吸波片制備方法先采用含難揮發(fā)的混合溶液對(duì)片狀軟磁合金粉 體進(jìn)行潤(rùn)濕并絕緣包裹后，極大的提高了吸波片的電阻率，降低了渦流損耗，使吸波片有更 好的阻抗匹配特性;采用刮涂成型，由于難揮發(fā)有機(jī)物溶劑的存在，使得流延后更容易在磁 場(chǎng)作用下取向一致，從而提高吸波片的磁導(dǎo)率，而且具有良好的柔軟性，制備的吸波片良率 尚。
[0022] 本發(fā)明電子元器件由于含有本發(fā)明高磁導(dǎo)率吸波片，因此，本發(fā)明電子元器件能 夠提高近場(chǎng)通信的距離和無線充電的效率，有效解決EMC問題。
【附圖說明】
[0023] 圖1是現(xiàn)有片狀軟磁屏蔽材料的壓延工藝制備方法的流程圖；
[0024] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1高磁導(dǎo)率吸波片制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及技術(shù)效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施 例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā) 明，并不用于限定本發(fā)明。
[0026] 本發(fā)明實(shí)施例說明書中所提到的相關(guān)成分的重量不僅僅可以指代各組分的具體 含量，也可以表示各組分間重量的比例關(guān)系，因此，只要是按照本發(fā)明實(shí)施例說明書相關(guān)組