1.一種復(fù)位電路，其特征在于，所述復(fù)位電路包括上電復(fù)位電路、欠壓復(fù)位電路和驅(qū)動(dòng)輸出電路；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)位電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)輸出電路包括第一或非門和第一反相器，所述第一或非門的輸出端與所述第一反相器連接；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)位電路，其特征在于，所述欠壓復(fù)位電路還包括電平轉(zhuǎn)換模塊；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)位電路，其特征在于，所述鉗位模塊包括第一pmos管，所述欠壓閾值檢測(cè)模塊包括第二pmos管和第一nmos管；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)位電路，其特征在于，所述電平轉(zhuǎn)換模塊包括第三pmos管、第四pmos管、第二nmos管和第三nmos管；
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)位電路，其特征在于，所述電源電壓閾值檢測(cè)模塊包括推挽反向放大器，所述開(kāi)關(guān)模塊包括第四nmos管；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)位電路，其特征在于，所述上電復(fù)位鎖存電路包括第二或非門、第二反相器、第五nmos管、第六nmos管、第七nmos管、第五pmos管、第六pmos管、第一電容和第二電容；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的復(fù)位電路，其特征在于，所述上電復(fù)位電路還包括緩沖整形電路，所述緩沖整形電路由第三反相器和第四反相器構(gòu)成；
9.根據(jù)權(quán)利要求2至8中任一項(xiàng)所述的復(fù)位電路，其特征在于，所述電阻分壓模塊包括第七pmos管、第一分壓電阻和第二分壓電阻；
10.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的復(fù)位電路。