充電方法和裝置與流程

本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及到一種充電方法和裝置。

背景技術(shù)：

隨著移動(dòng)終端的功能越來越豐富，其耗電量也越來越大，從而嚴(yán)重影響終端的續(xù)航能力。為了解決終端耗電量大的問題，目前主要采用了兩種技術(shù)方案：一種是對(duì)終端中的各個(gè)應(yīng)用進(jìn)行省電管理，避免應(yīng)用無謂的耗電，減少耗電量；另一種是提高電池容量，從而可以儲(chǔ)存更多的電量。

目前，移動(dòng)終端的電池容量越來越高，如果繼續(xù)采用傳統(tǒng)的充電方式，充滿電池需要很長(zhǎng)的時(shí)間。為此，現(xiàn)有技術(shù)中提出了一種快速充電方案(簡(jiǎn)稱快充)，快充也就是采用更高的充電功率進(jìn)行充電。

雖然快充的充電速度快，但由于充電功率高，因此終端的發(fā)熱量也較大，特別是當(dāng)終端處于邊充電邊使用的狀態(tài)下時(shí)，終端的發(fā)熱問題更加突出，同時(shí)用戶對(duì)終端的發(fā)熱也更加敏感，如果發(fā)熱太嚴(yán)重，會(huì)極大的影響用戶體驗(yàn)。如何在充電過程中，既保證充電速度又改善用戶體驗(yàn)，是當(dāng)前亟需解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的為提供一種充電方法和裝置，旨在充電過程中兼顧充電速度和用戶體驗(yàn)。

為達(dá)以上目的，本發(fā)明提出一種充電方法，所述方法包括以下步驟：

檢測(cè)終端在充電過程中的溫度；

當(dāng)所述溫度大于第一閾值時(shí)，執(zhí)行第一充電策略；

當(dāng)所述溫度小于第二閾值時(shí)，執(zhí)行第二充電策略；

其中，所述第一閾值大于所述第二閾值。

進(jìn)一步地，所述當(dāng)所述溫度大于第一閾值時(shí)，執(zhí)行第一充電策略的步驟包括：

在檢測(cè)到所述溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；

按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)所述溫度，判斷所述溫度與所述第一閾值的關(guān)系：

若所述溫度仍然大于第一閾值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式降低所述充電功率；

若所述溫度小于或等于第一閾值時(shí)，停止降低所述充電功率。

進(jìn)一步地，所述當(dāng)所述溫度大于第一閾值時(shí)，執(zhí)行第一充電策略的步驟包括：

在檢測(cè)到所述溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；

按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)所述溫度，判斷所述溫度與所述第一閾值的關(guān)系：

若所述溫度仍然大于第一閾值，且所述充電功率大于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式降低所述充電功率；

若所述溫度小于或等于第一閾值，或者所述充電功率小于或等于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，停止降低所述充電功率。

進(jìn)一步地，所述當(dāng)所述溫度小于第二閾值時(shí)，執(zhí)行第二充電策略的步驟包括：

在檢測(cè)到所述溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；

按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)所述溫度，判斷所述溫度與所述第一閾值的關(guān)系：

若所述溫度仍然小于第二閾值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式提高所述充電功率；

若所述溫度大于或等于第二閾值時(shí)，停止提高所述充電功率。

進(jìn)一步地，所述當(dāng)所述溫度小于第二閾值時(shí)，執(zhí)行第二充電策略的步驟包括：

在檢測(cè)到所述溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；

按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)所述溫度，判斷所述溫度與所述第一閾值的關(guān)系：

若所述溫度仍然小于第二閾值，且所述充電功率小于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)定方式提高所述充電功率；

若所述溫度大于或等于第二閾值，或者所述充電功率大于或等于預(yù)設(shè)功率預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，停止提高所述充電功率。

進(jìn)一步地，所述檢測(cè)終端的溫度的步驟包括：檢測(cè)終端的電池、主板、屏幕、中央處理器、電源管理單元或圖形處理器的溫度。

進(jìn)一步地，所述檢測(cè)終端的溫度的步驟包括：檢測(cè)終端的電池、主板、屏幕、中央處理器、電源管理單元和圖形處理器中至少兩個(gè)部位的溫度。

進(jìn)一步地，所述終端每個(gè)部位對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值相同，或者至少兩個(gè)部位對(duì)應(yīng)的第一閾值和/或第二閾值不同。

進(jìn)一步地，所述當(dāng)所述溫度大于第一閾值時(shí)，執(zhí)行第一充電策略的步驟包括：當(dāng)所述終端任一部位的溫度大于第一閾值或者預(yù)設(shè)數(shù)量的部位的溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率。

進(jìn)一步地，所述當(dāng)所述溫度小于第二閾值時(shí)，執(zhí)行第二充電策略的步驟包括：當(dāng)所述終端任一部位的溫度小于第一閾值，或者預(yù)設(shè)數(shù)量的部位的溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率。

進(jìn)一步地，所述以預(yù)設(shè)方式降低充電功率為：

每次降低充電功率的值都是相等的，或者至少相鄰兩次降低充電功率的值是不相等的。

進(jìn)一步地，所述以預(yù)設(shè)方式降低充電功率為：

當(dāng)至少降低了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次降低充電功率的值。

進(jìn)一步地，所述以預(yù)設(shè)方式降低充電功率為：

每次提高充電功率的值都是相等的，或者至少相鄰兩次提高充電功率的值是不相等的。

進(jìn)一步地，所述以預(yù)設(shè)方式降低充電功率為：

當(dāng)至少提高了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次提高充電功率的值。

本發(fā)明同時(shí)提出一種充電裝置，所述裝置包括：

溫度檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)終端在充電過程中的溫度；

充電策略模塊，用于當(dāng)所述溫度大于第一閾值時(shí)，執(zhí)行第一充電策略；當(dāng)所述溫度小于第二閾值時(shí)，執(zhí)行第二充電策略；其中，所述第一閾值大于所述第二閾值。

進(jìn)一步地，所述充電策略模塊包括第一策略單元，所述第一策略單元用于：

在檢測(cè)到所述溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)所述溫度，判斷所述溫度與所述第一閾值的關(guān)系：若所述溫度仍然大于第一閾值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式降低所述充電功率；若所述溫度小于或等于第一閾值時(shí)，停止降低所述充電功率。

進(jìn)一步地，所述充電策略模塊包括第一策略單元，所述第一策略單元用于：

在檢測(cè)到所述溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)所述溫度，判斷所述溫度與所述第一閾值的關(guān)系：若所述溫度仍然大于第一閾值，且所述充電功率大于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式降低所述充電功率；若所述溫度小于或等于第一閾值，或者所述充電功率小于或等于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，停止降低所述充電功率。

進(jìn)一步地，所述充電策略模塊包括第二策略單元，所述第二策略單元用于：

在檢測(cè)到所述溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)所述溫度，判斷所述溫度與所述第一閾值的關(guān)系：若所述溫度仍然小于第二閾值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式提高所述充電功率；若所述溫度大于或等于第二閾值時(shí)，停止提高所述充電功率。

進(jìn)一步地，所述充電策略模塊包括第二策略單元，所述第二策略單元用于：

在檢測(cè)到所述溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)所述溫度，判斷所述溫度與所述第一閾值的關(guān)系：若所述溫度仍然小于第二閾值，且所述充電功率小于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)定方式提高所述充電功率；若所述溫度大于或等于第二閾值，或者所述充電功率大于或等于預(yù)設(shè)功率預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，停止提高所述充電功率。

進(jìn)一步地，所述溫度檢測(cè)模塊用于：檢測(cè)終端的電池、主板、屏幕、中央處理器、電源管理單元或圖形處理器的溫度。

進(jìn)一步地，所述溫度檢測(cè)模塊用于：檢測(cè)終端的電池、主板、屏幕、中央處理器、電源管理單元和圖形處理器中至少兩個(gè)部位的溫度。

進(jìn)一步地，所述終端每個(gè)部位對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值相同，或者至少兩個(gè)部位對(duì)應(yīng)的第一閾值和/或第二閾值不同。

進(jìn)一步地，所述充電策略模塊用于：當(dāng)所述終端任一部位的溫度大于第一閾值或者預(yù)設(shè)數(shù)量的部位的溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率。

進(jìn)一步地，所述充電策略模塊用于：當(dāng)所述終端任一部位的溫度小于第一閾值，或者預(yù)設(shè)數(shù)量的部位的溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率。

進(jìn)一步地，所述第一策略單元用于：每次降低充電功率的值都是相等的，或者至少相鄰兩次降低充電功率的值是不相等的。

進(jìn)一步地，所述第一策略單元用于：當(dāng)至少降低了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次降低充電功率的值。

進(jìn)一步地，所述第二策略單元用于：每次提高充電功率的值都是相等的，或者至少相鄰兩次提高充電功率的值是不相等的。

進(jìn)一步地，所述第二策略單元用于：當(dāng)至少提高了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次提高充電功率的值。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種充電方法，通過設(shè)置終端溫度的第一閾值和第二閾值，在充電過程中根據(jù)溫度的變化執(zhí)行不同的充電策略來調(diào)節(jié)終端的充電功率而使得終端的溫度保持在第一閾值和第二閾值之間的合適范圍內(nèi)，既保證終端溫度不因太高而影響用戶體驗(yàn)，又保證充電功率不因太低而降低充電速度，從而在保證充電速度的基礎(chǔ)上改善了用戶體驗(yàn)，使得充電速度和用戶體驗(yàn)二者得以兼顧，提高了用戶滿意度，提升了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的充電方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中降低充電功率的流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中降低充電功率的另一流程圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例中提高充電功率的流程圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例中提高充電功率的另一流程圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例中調(diào)節(jié)充電功率時(shí)終端溫度和充電功率的變化曲線示意圖；

圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例的充電裝置的模塊示意圖；

圖8是圖7中充電策略模塊的模塊示意圖。

本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。

具體實(shí)施方式

應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除非特意聲明，這里使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”、“所述”和“該”也可包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)該進(jìn)一步理解的是，本發(fā)明的說明書中使用的措辭“包括”是指存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。應(yīng)該理解，當(dāng)我們稱元件被“連接”或“耦接”到另一元件時(shí)，它可以直接連接或耦接到其他元件，或者也可以存在中間元件。此外，這里使用的“連接”或“耦接”可以包括無線連接或無線耦接。這里使用的措辭“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)的全部或任一單元和全部組合。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除非另外定義，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)，具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員的一般理解相同的意義。還應(yīng)該理解的是，諸如通用字典中定義的那些術(shù)語，應(yīng)該被理解為具有與現(xiàn)有技術(shù)的上下文中的意義一致的意義，并且除非像這里一樣被特定定義，否則不會(huì)用理想化或過于正式的含義來解釋。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，這里所使用的“終端”、“終端設(shè)備”既包括無線信號(hào)接收器的設(shè)備，其僅具備無發(fā)射能力的無線信號(hào)接收器的設(shè)備，又包括接收和發(fā)射硬件的設(shè)備，其具有能夠在雙向通信鏈路上，執(zhí)行雙向通信的接收和發(fā)射硬件的設(shè)備。這種設(shè)備可以包括：蜂窩或其他通信設(shè)備，其具有單線路顯示器或多線路顯示器或沒有多線路顯示器的蜂窩或其他通信設(shè)備；PCS(Personal Communications Service，個(gè)人通信系統(tǒng))，其可以組合語音、數(shù)據(jù)處理、傳真和/或數(shù)據(jù)通信能力；PDA(Personal Digital Assistant，個(gè)人數(shù)字助理)，其可以包括射頻接收器、尋呼機(jī)、互聯(lián)網(wǎng)/內(nèi)聯(lián)網(wǎng)訪問、網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、記事本、日歷和/或GPS(Global Positioning System，全球定位系統(tǒng))接收器；常規(guī)膝上型和/或掌上型計(jì)算機(jī)或其他設(shè)備，其具有和/或包括射頻接收器的常規(guī)膝上型和/或掌上型計(jì)算機(jī)或其他設(shè)備。這里所使用的“終端”、“終端設(shè)備”可以是便攜式、可運(yùn)輸、安裝在交通工具(航空、海運(yùn)和/或陸地)中的，或者適合于和/或配置為在本地運(yùn)行，和/或以分布形式，運(yùn)行在地球和/或空間的任何其他位置運(yùn)行。這里所使用的“終端”、“終端設(shè)備”還可以是通信終端、上網(wǎng)終端、音樂/視頻播放終端，例如可以是PDA、MID(Mobile Internet Device，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)和/或具有音樂/視頻播放功能的移動(dòng)電話，也可以是智能電視、機(jī)頂盒等設(shè)備。

實(shí)施例一

參照?qǐng)D1，提出本發(fā)明第一實(shí)施例的充電方法，所述方法包括以下步驟：

S11、檢測(cè)終端在充電過程中的溫度。

具體的，當(dāng)檢測(cè)到終端的充電接口與充電器連接進(jìn)入充電狀態(tài)后，則通過溫度傳感器實(shí)時(shí)或定時(shí)(周期性)的檢測(cè)終端特定部位的溫度。所述特定部位通常是發(fā)熱較嚴(yán)重或用戶對(duì)溫度比較敏感的部位，當(dāng)然，也可以根據(jù)需要指定任意部位。

可選地，可以在終端的電池、屏幕、中央處理器(Central Processing Unit，CPU)、電源管理單元(Power Management Unit，PMU)、圖形處理器(Graphic Processing Unit，GPU)等部位中的任意一個(gè)部位設(shè)置溫度傳感器，通過溫度傳感器檢測(cè)前述任意一個(gè)部位的溫度。

可選地，可以在終端的電池、屏幕、中央處理器、電源管理單元、圖形處理器等部位中的至少兩個(gè)部位設(shè)置溫度傳感器，通過溫度傳感器檢測(cè)前述至少兩個(gè)部位的溫度。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除了采用溫度傳感器來檢測(cè)終端的溫度外，還可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的其它方式來檢測(cè)終端的溫度，在此不贅述。

在充電過程中，當(dāng)終端的溫度超過一定值時(shí)，用戶會(huì)感覺到不舒適，影響用戶體驗(yàn)，可以通過降低充電功率來降低終端的溫度，但同時(shí)也會(huì)降低充電速度。為了在用戶體驗(yàn)和充電速度之間尋找平衡，既保證終端溫度不因太高而影響用戶體驗(yàn)，又保證充電功率不因太低而降低充電速度，本發(fā)明實(shí)施例預(yù)先設(shè)置了兩種溫度閾值，分別為第一閾值和第二閾值，第一閾值為溫度的上限值，第二閾值為溫度的下限值，即第一閾值大于第二閾值。第一閾值和第二閾值可以根據(jù)實(shí)際需要和實(shí)驗(yàn)結(jié)果來確定，當(dāng)終端的溫度介于第一閾值和第二閾值之間時(shí)，既能保證用戶體驗(yàn)，又能保證充電速度，例如，可以設(shè)定第一閾值為40℃，第二閾值為39℃。

當(dāng)檢測(cè)終端至少兩個(gè)部位的溫度時(shí)，每個(gè)部位對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值可以相同，或者至少兩個(gè)部位對(duì)應(yīng)的第一閾值和/或第二閾值不同。

舉例而言，對(duì)于用戶對(duì)溫度比較敏感的部位，第一閾值和第二閾值可以設(shè)置得低一些，而用戶對(duì)溫度不是很敏感的部位，第一閾值和第二閾值可以設(shè)置得高一些。例如，對(duì)于電池和屏幕，其對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值可以設(shè)置得低一些，其中電池和屏幕對(duì)應(yīng)的第一閾值和/或第二閾值可以相同也可以不同，如考慮到屏幕面積較大且直接與用戶接觸，可以設(shè)置屏幕對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值分別低于電池對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值；對(duì)于主板、中央處理器、電源管理單元和圖像處理器，其對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值可以設(shè)置得高一些，其中主板、中央處理器、電源管理單元和圖像處理器對(duì)應(yīng)的第一閾值和/或第二閾值可以相同也可以不同。

當(dāng)檢測(cè)到終端的溫度后，比較檢測(cè)到的溫度與第一閾值和第二閾值的大??；當(dāng)溫度大于第一閾值時(shí)，進(jìn)入步驟S12；當(dāng)溫度小于第二閾值時(shí)，進(jìn)入步驟S13；當(dāng)溫度介于第一閾值和第二閾值之間時(shí)，不予響應(yīng)，不執(zhí)行任何操作，即保持當(dāng)前的充電功率不變。

S12、當(dāng)溫度大于第一閾值時(shí)，執(zhí)行第一充電策略。

具體的，當(dāng)檢測(cè)到終端的溫度大于第一閾值時(shí)，說明溫度過高，為了防止溫度過高而影響用戶體驗(yàn)，則執(zhí)行第一充電策略，降低充電功率，以降低終端的溫度。具體的，可以通過減小充電電流或者充電電壓來實(shí)現(xiàn)充電功率的降低。

當(dāng)檢測(cè)了終端至少兩個(gè)部位的溫度時(shí)，則只要任一部位的溫度大于第一閾值，則執(zhí)行第一充電策略，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；或者，當(dāng)終端預(yù)設(shè)數(shù)量的部位的溫度大于第一閾值時(shí)，才執(zhí)行第一充電策略，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率。預(yù)設(shè)數(shù)量可以根據(jù)需要設(shè)定，如設(shè)定為一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)等，例如：當(dāng)終端一個(gè)部位的溫度大于第一閾值，而其它部位的溫度不大于第一閾值時(shí)，則不執(zhí)行第一充電策略；當(dāng)終端兩個(gè)部位或者兩個(gè)以上的部位的溫度大于第一閾值時(shí)，則執(zhí)行第一充電策略，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率。其中，降低充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，例如：每次降低充電功率的值都是相等的，或者至少相鄰兩次降低充電功率的值是不相等的；或者，當(dāng)至少降低了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次降低充電功率的值。

在一些實(shí)施例中，終端可以通過以下方式執(zhí)行第一充電策略：在檢測(cè)到溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)溫度，判斷溫度與第一閾值的關(guān)系：若溫度仍然大于第一閾值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；若溫度小于或等于第一閾值時(shí)，停止降低充電功率。其中，降低充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，如每次降低充電功率設(shè)定值。所述預(yù)設(shè)時(shí)間頻率，如以預(yù)設(shè)時(shí)間為周期定時(shí)檢測(cè)。

舉例而言，終端降低充電功率的過程為：在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)首次檢測(cè)到終端的溫度大于第一閾值時(shí)，降低充電功率設(shè)定值；接著，定時(shí)檢測(cè)溫度，只要溫度仍然大于第一閾值，則繼續(xù)降低充電功率，直至溫度小于或等于第一閾值為止。其中，一個(gè)功率降低流程，即首次降低充電功率到停止降低充電功率的整個(gè)過程，一個(gè)功率降低流程可能只降低了一次充電功率，也可能降低了至少兩次充電功率。

終端降低充電功率的具體流程如圖2所示，包括以下步驟：

S111、檢測(cè)到終端的溫度大于第一閾值，降低充電功率設(shè)定值。

本步驟S111為一個(gè)功率降低流程中首次降低充電功率，降低充電功率的值(幅度)可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定，例如，可以設(shè)定降低充電功率2W。當(dāng)然，也可以設(shè)定為1W、1.5W、2.5W、3W、4W等，在此不做限制。

S112、以預(yù)設(shè)時(shí)間為周期，定時(shí)檢測(cè)終端的溫度。判斷終端的溫度是否仍然大于第一閾值；當(dāng)終端的溫度仍然大于第一閾值時(shí)，執(zhí)行步驟S113；當(dāng)終端的溫度小于或等于第一閾值時(shí)，執(zhí)行步驟S114。

具體的，當(dāng)降低了充電功率后，則每隔一定時(shí)間檢測(cè)一次終端的溫度，判斷終端的溫度是否發(fā)生變化，是否仍然大于第一閾值。S113、繼續(xù)降低充電功率設(shè)定值。然后返回步驟S112，繼續(xù)檢測(cè)終端的溫度。

當(dāng)終端的溫度仍然大于第一閾值時(shí)，則繼續(xù)降低充電功率。降低充電功率的值(幅度)可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定，例如，可以設(shè)定降低充電功率2W。當(dāng)然，也可以設(shè)定為1W、1.5W、2.5W、3W、4W等，在此不做限制。

S114、停止降低充電功率。

當(dāng)終端的溫度小于或等于第一閾值時(shí)，則說明終端已經(jīng)降低到合適溫度，則不再降低充電功率，結(jié)束本次功率降低流程。

從而通過逐次降低充電功率，使得終端的溫度能夠平穩(wěn)的落入合適范圍，防止溫度大起大落，保持了充電的穩(wěn)定性。

在另一些實(shí)施例中，終端可以通過以下方式執(zhí)行第一充電策略：在檢測(cè)到溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)溫度，判斷溫度與第一閾值的關(guān)系：若溫度仍然大于第一閾值，且充電功率大于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；若溫度小于或等于第一閾值，或者充電功率小于或等于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，停止降低充電功率。其中，降低充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，如每次降低充電功率設(shè)定值。

舉例而言，終端降低充電功率的過程為：在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)首次檢測(cè)到溫度大于第一閾值時(shí)，降低充電功率設(shè)定值；接著，定時(shí)檢測(cè)溫度，只要溫度仍然大于第一閾值且當(dāng)前的充電功率大于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，則繼續(xù)降低充電功率，直至溫度小于或等于第一閾值或者充電功率小于或等于預(yù)設(shè)充電功率下限值為止。這里的功率降低流程與前述功率降低流程相同，在此不贅述。

終端降低充電功率的具體流程如圖3所示，包括以下步驟：

S121、檢測(cè)到終端的溫度大于第一閾值，降低充電功率設(shè)定值。

本步驟S121為一個(gè)功率降低流程中首次降低充電功率，降低充電功率的值(幅度)可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定，例如，可以設(shè)定降低充電功率2W。當(dāng)然，也可以設(shè)定為1W、1.5W、2.5W、3W、4W等，在此不做限制。

S122、以預(yù)設(shè)時(shí)間為周期，定時(shí)檢測(cè)終端的溫度。判斷終端的溫度是否仍然大于第一閾值，同時(shí)判斷當(dāng)前的充電功率是否大于預(yù)設(shè)充電功率下限值；當(dāng)終端的溫度仍然大于第一閾值且當(dāng)前的充電功率大于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，執(zhí)行步驟S123；當(dāng)終端的溫度小于或等于第一閾值或者充電功率小于或等于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，執(zhí)行步驟S124。

具體的，當(dāng)降低了充電功率后，則每隔一定時(shí)間檢測(cè)一次終端的溫度，判斷終端的溫度是否發(fā)生變化，是否仍然大于第一閾值。同時(shí)，為了防止充電功率過低了影響正常充電，保證充電速度，本實(shí)施例還為充電功率設(shè)定了預(yù)設(shè)充電功率下限值，比較當(dāng)前的充電功率與預(yù)設(shè)充電功率下限值的大小，判斷當(dāng)前的充電功率是否大于預(yù)設(shè)充電功率下限值。

S123、繼續(xù)降低充電功率設(shè)定值。然后返回步驟S122，繼續(xù)檢測(cè)終端的溫度。

當(dāng)終端的溫度仍然大于第一閾值且當(dāng)前的充電功率大于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，則繼續(xù)降低充電功率。降低充電功率的值(幅度)可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定，例如，可以設(shè)定降低充電功率2W。當(dāng)然，也可以設(shè)定為1W、1.5W、2.5W、3W、4W等，在此不做限制。

S124、停止降低充電功率。

當(dāng)終端的溫度小于或等于第一閾值或者充電功率小于或等于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，則說明終端已經(jīng)降低到合適溫度或者充電功率已達(dá)到預(yù)設(shè)充電功率下限值，則不再降低充電功率，結(jié)束本次功率降低流程。

從而通過設(shè)定充電功率預(yù)設(shè)充電功率下限值，防止了充電功率過低而影響充電速度。

可選地，在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)至少降低了兩次充電功率時(shí)，每次降低充電功率的值都是相等的。例如，一個(gè)功率降低流程中降低了三次充電功率，每次降低充電功率的值都是2W。

可選地，在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)至少降低了兩次充電功率時(shí)，至少相鄰兩次降低充電功率的值是不相等的。例如，一個(gè)功率降低流程中降低了三次充電功率，第一次與第二次降低充電功率的值不相同，第二次與第三次降低充電功率的值相同，如第一次降低充電功率2W，第二次和第三次每次降低充電功率1W。

優(yōu)選地，在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)至少降低了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次降低充電功率的值。例如，一個(gè)功率降低流程中降低了三次充電功率，第一次降低充電功率2W，第二次降低充電功率1.5W，第三次降低充電功率1W。又如，一個(gè)功率降低流程中降低了四次充電功率，第一次和第二次每次降低充電功率2W，第三次降低充電功率1.5W，第三次降低充電功率1W。從而使得調(diào)節(jié)過程更加平穩(wěn)，防止調(diào)節(jié)過度而使得溫度落到合適范圍外(低于第二閾值)。

S13、當(dāng)溫度小于第二閾值時(shí)，執(zhí)行第二充電策略。

具體的，當(dāng)檢測(cè)到終端的溫度小于第二閾值時(shí)，為了提高充電速度，則執(zhí)行第二充電策略，提高充電功率。具體的，可以通過增加充電電流或者充電電壓來實(shí)現(xiàn)充電功率的提高。

當(dāng)檢測(cè)了終端至少兩個(gè)部位的溫度時(shí)，則只要任一部位的溫度小于第二閾值，則執(zhí)行第二充電策略，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；或者，當(dāng)終端預(yù)設(shè)數(shù)量的部位的溫度小于第二閾值時(shí)，才執(zhí)行第二充電策略，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率。預(yù)設(shè)數(shù)量可以根據(jù)需要設(shè)定，如設(shè)定為一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)等，例如：當(dāng)終端一個(gè)部位的溫度小于第二閾值，而其它部位的溫度不小于第二閾值時(shí)，則不執(zhí)行第二充電策略；當(dāng)終端兩個(gè)部位或者兩個(gè)以上的部位的溫度小于第二閾值時(shí)，則執(zhí)行第二充電策略，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率。其中，提高充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，例如：每次提高充電功率的值都是相等的，或者至少相鄰兩次提高充電功率的值是不相等的；或者，當(dāng)至少提高了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次提高充電功率的值。

在一些實(shí)施例中，終端可以通過以下方式執(zhí)行第二充電策略：在檢測(cè)到溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)溫度，判斷溫度與第一閾值的關(guān)系：若溫度仍然小于第二閾值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；若溫度大于或等于第二閾值時(shí)，停止提高充電功率。其中，提高充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，如每次提高充電功率設(shè)定值。

舉例而言，終端提高充電功率的過程為：在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)首次檢測(cè)到終端的溫度小于第二閾值時(shí)，提高充電功率設(shè)定值；接著，定時(shí)檢測(cè)溫度，只要溫度仍然小于第二閾值，則繼續(xù)提高充電功率，直至溫度大于或等于第二閾值為止。其中，一個(gè)功率提高流程，即首次提高充電功率到停止提高充電功率的整個(gè)過程，一個(gè)功率提高流程可能只提高了一次充電功率，也可能提高了至少兩次充電功率。

終端提高充電功率的具體流程如圖4所示，包括以下步驟：

S211、檢測(cè)到終端的溫度小于第二閾值，提高充電功率設(shè)定值。

本步驟S211為一個(gè)功率提高流程中首次提高充電功率，提高充電功率的值(幅度)可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定，例如，可以設(shè)定提高充電功率2W。當(dāng)然，也可以設(shè)定為1W、1.5W、2.5W、3W、4W等，在此不做限制。

S212、以預(yù)設(shè)時(shí)間為周期，定時(shí)檢測(cè)終端的溫度。判斷終端的溫度是否仍然小于第二閾值；當(dāng)終端的溫度仍然小于第二閾值時(shí)，執(zhí)行步驟S213；當(dāng)終端的溫度大于或等于第二閾值時(shí)，執(zhí)行步驟S214。

具體的，當(dāng)提高了充電功率后，則每隔一定時(shí)間檢測(cè)一次終端的溫度，判斷終端的溫度是否發(fā)生變化，是否仍然小于第二閾值。S213、繼續(xù)提高充電功率設(shè)定值。然后返回步驟S212，繼續(xù)檢測(cè)終端的溫度。

當(dāng)終端的溫度仍然小于于第二閾值時(shí)，則繼續(xù)提高充電功率。提高充電功率的值(幅度)可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定，例如，可以設(shè)定充電功率2W。當(dāng)然，也可以設(shè)定為1W、1.5W、2.5W、3W、4W等，在此不做限制。

S214、停止提高充電功率。

當(dāng)終端的溫度大于或等于第二閾值時(shí)，則說明終端已經(jīng)達(dá)到合適溫度范圍，則不再提高充電功率，結(jié)束本次功率提高流程。

從而通過逐次提高充電功率，使得終端的溫度能夠平穩(wěn)的落入合適范圍，防止溫度大起大落，保持了充電的穩(wěn)定性。

在另一些實(shí)施例中，終端可以通過以下方式執(zhí)行第二充電策略：在檢測(cè)到溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)溫度，判斷溫度與第一閾值的關(guān)系：若溫度仍然小于第二閾值，且充電功率小于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)定方式提高充電功率；若溫度大于或等于第二閾值，或者充電功率大于或等于預(yù)設(shè)功率預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，停止提高充電功率。其中，提高充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，如每次提高充電功率設(shè)定值。

舉例而言，終端提高充電功率的過程為：在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)首次檢測(cè)到溫度小于第二閾值時(shí)，提高充電功率設(shè)定值；接著，定時(shí)檢測(cè)溫度，只要溫度仍然小于第二閾值且當(dāng)前的充電功率小于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，則繼續(xù)提高充電功率，直至溫度大于或等于第二閾值或者充電功率大于或等于預(yù)設(shè)充電功率上限值為止。這里的功率提高流程與前述功率提高流程相同，在此不贅述。

終端提高充電功率的具體流程如圖5所示，包括以下步驟：

S221、檢測(cè)到終端的溫度小于第二閾值，提高充電功率設(shè)定值。

本步驟S221為一個(gè)功率提高流程中首次提高充電功率，提高充電功率的值(幅度)可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定，例如，可以設(shè)定提高充電功率2W。當(dāng)然，也可以設(shè)定為1W、1.5W、2.5W、3W、4W等，在此不做限制。

S222、以預(yù)設(shè)時(shí)間為周期，定時(shí)檢測(cè)終端的溫度。判斷終端的溫度是否仍然小于第二閾值，同時(shí)判斷當(dāng)前的充電功率是否小于預(yù)設(shè)充電功率上限值；當(dāng)終端的溫度仍然小于第二閾值且當(dāng)前的充電功率小于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，執(zhí)行步驟S223；當(dāng)終端的溫度大于或等于第二閾值或者充電功率大于或等于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，執(zhí)行步驟S224。

具體的，當(dāng)提高了充電功率后，則每隔一定時(shí)間檢測(cè)一次終端的溫度，判斷終端的溫度是否發(fā)生變化，是否仍然小于第二閾值。同時(shí)，為了防止充電功率過高而影響充電器，本實(shí)施例還為充電功率設(shè)定了預(yù)設(shè)充電功率上限值，比較當(dāng)前的充電功率與預(yù)設(shè)充電功率上限值的大小，判斷當(dāng)前的充電功率是否小于預(yù)設(shè)充電功率上限值。

S223、繼續(xù)提高充電功率設(shè)定值。然后返回步驟S222，繼續(xù)檢測(cè)終端的溫度。

當(dāng)終端的溫度仍然小于第二閾值且當(dāng)前的充電功率小于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，則繼續(xù)提高充電功率。提高充電功率的值(幅度)可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定，例如，可以設(shè)定提高充電功率2W。當(dāng)然，也可以設(shè)定為1W、1.5W、2.5W、3W、4W等，在此不做限制。

S224、停止降低充電功率。

當(dāng)終端的溫度大于或等于第二閾值或者充電功率大于或等于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，則說明終端已經(jīng)達(dá)到合適溫度范圍或者充電功率已達(dá)到預(yù)設(shè)充電功率上限值，則不再提高充電功率，結(jié)束本次功率提高流程。

從而通過設(shè)定充電功率預(yù)設(shè)充電功率上限值，防止了充電功率過高而影響充電器。

可選地，在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)至少提高了兩次充電功率時(shí)，每次提高充電功率的值都是相等的。例如，一個(gè)功率提高流程中提高了三次充電功率，每次提高充電功率的值都是2W。

可選地，在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)至少提高了兩次充電功率時(shí)，至少相鄰兩次提高充電功率的值是不相等的。例如，一個(gè)功率提高流程中提高了三次充電功率，第一次與第二次提高充電功率的值不相同，第二次與第三次提高充電功率的值相同，如第一次提高充電功率2W，第二次和第三次每次提高充電功率1W。

優(yōu)選地，在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)至少提高了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次提高充電功率的值。例如，一個(gè)功率提高流程中提高了三次充電功率，第一次提高充電功率2W，第二次提高充電功率1.5W，第三次提高充電功率1W。又如，一個(gè)功率提高流程中提高了四次充電功率，第一次和第二次每次提高充電功率2W，第三次提高充電功率1.5W，第三次提高充電功率1W。從而使得調(diào)節(jié)過程更加平穩(wěn)，防止調(diào)節(jié)過度而使得溫度落到合適范圍外(高于第一閾值)。

舉例而言：

在移動(dòng)終端的主板上設(shè)置溫度傳感器，假設(shè)移動(dòng)終端正常充電功率是20W(上限值)，最小充電功率是5W；通過實(shí)驗(yàn)，獲取溫度傳感器測(cè)量溫度和用戶體驗(yàn)之間的平衡點(diǎn)，比如傳感器40℃以內(nèi)用戶不會(huì)產(chǎn)生明顯抱怨，則設(shè)定溫度的上限值即第一閾值為40℃，下限值即第二閾值為39℃。

充電開始后，啟用溫度傳感器周期性的檢測(cè)主板的溫度。如果溫度正常，介于40℃和39℃之間，則不予調(diào)節(jié)充電功率，讓移動(dòng)終正常充電。如果溫度顯著上升，高于40℃，說明主板上的器件有耗電和發(fā)熱的情況，這時(shí)候主動(dòng)限制充電功率(如減小充電電流或充電電壓)，降低充電造成的發(fā)熱，使整體的發(fā)熱得以控制。如果溫度低于39℃，則提高充電功率(如增大充電電流或充電電壓)，提高充電速度，加速充電。

例如，移動(dòng)終端初始以20W全速充電，當(dāng)檢測(cè)到溫度超過40℃時(shí)，則在當(dāng)前充電功率基礎(chǔ)上，降低充電功率2W，即以18W的充電功率進(jìn)行充電；過一個(gè)周期后，檢測(cè)到溫度仍然高于40℃，則再次降低充電功率2W，即以16W的充電功率進(jìn)行充電；如此循環(huán)往復(fù)，直到溫度小于或等于40℃，或者當(dāng)前的充電功率達(dá)到5W時(shí)，停止降低充電功率。假設(shè)經(jīng)過一段時(shí)間調(diào)節(jié)后，當(dāng)前的充電功率為10W，當(dāng)再次檢測(cè)溫度時(shí)發(fā)現(xiàn)溫度低于39℃，則在當(dāng)前充電功率基礎(chǔ)上，提高充電功率2W，以12W的充電功率進(jìn)行充電；過一個(gè)周期后，檢測(cè)到溫度仍然小于39℃，則再次提高充電功率2W，即以14W的充電功率進(jìn)行充電；如此循環(huán)往復(fù)，直到溫度大于或等于39℃，或者當(dāng)前的充電功率達(dá)到20W時(shí)，停止提高充電功率。

整個(gè)調(diào)節(jié)過程大致如圖6所示，其中，曲線表示終端溫度變化曲線，折線表示充電功率變化線，充電功率上下限為20W和5W，終端溫度第一和第二閾值為40℃和39℃。

本發(fā)明實(shí)施例的充電方法，通過設(shè)置終端溫度的第一閾值和第二閾值，在充電過程中根據(jù)溫度的變化執(zhí)行不同的充電策略來調(diào)節(jié)終端的充電功率而使得終端的溫度保持在第一閾值和第二閾值之間的合適范圍內(nèi)，既保證終端溫度不因太高而影響用戶體驗(yàn)，又保證充電功率不因太低而降低充電速度，從而在保證充電速度的基礎(chǔ)上改善了用戶體驗(yàn)，使得二者得以兼顧，提高了用戶滿意度，提升了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

實(shí)施例二

參照?qǐng)D7，提出本發(fā)明第二實(shí)施例的充電裝置，所述充電裝置包括溫度檢測(cè)模塊10和充電策略模塊20，其中：

溫度檢測(cè)模塊10：用于檢測(cè)終端在充電過程中的溫度。

具體的，當(dāng)檢測(cè)到終端的充電接口與充電器連接進(jìn)入充電狀態(tài)后，溫度檢測(cè)模塊10則通過溫度傳感器實(shí)時(shí)或定時(shí)(周期性)的檢測(cè)終端特定部位的溫度。所述特定部位通常是發(fā)熱較嚴(yán)重或用戶對(duì)溫度比較敏感的部位，當(dāng)然，也可以根據(jù)需要指定任意部位。當(dāng)檢測(cè)到溫度數(shù)據(jù)后，溫度檢測(cè)模塊則將檢測(cè)到的數(shù)據(jù)發(fā)送給充電策略模塊。

可選地，可以在終端的電池、屏幕、中央處理器、電源管理單元、圖形處理器等部位中的任意一個(gè)部位設(shè)置溫度傳感器，溫度檢測(cè)模塊10通過溫度傳感器檢測(cè)前述任意一個(gè)部位的溫度。

可選地，可以在終端的電池、屏幕、中央處理器、電源管理單元、圖形處理器等部位中的至少兩個(gè)部位設(shè)置溫度傳感器，溫度檢測(cè)模塊10通過溫度傳感器檢測(cè)前述至少兩個(gè)部位的溫度。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除了采用溫度傳感器來檢測(cè)終端的溫度外，還可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的其它方式來檢測(cè)終端的溫度，在此不贅述。

充電策略模塊20：用于當(dāng)溫度大于第一閾值時(shí)，執(zhí)行第一充電策略；當(dāng)溫度小于第二閾值時(shí)，執(zhí)行第二充電策略；其中，第一閾值大于第二閾值。

在充電過程中，當(dāng)終端的溫度超過一定值時(shí)，用戶會(huì)感覺到不舒適，影響用戶體驗(yàn)，可以通過降低充電功率來降低終端的溫度，但同時(shí)也會(huì)降低充電速度。為了在用戶體驗(yàn)和充電速度之間尋找平衡，既保證終端溫度不因太高而影響用戶體驗(yàn)，又保證充電功率不因太低而降低充電速度，本發(fā)明實(shí)施例預(yù)先設(shè)置了兩種溫度閾值，分別為第一閾值和第二閾值，第一閾值為溫度的上限值，第二閾值為溫度的下限值，即第一閾值大于第二閾值。第一閾值和第二閾值可以根據(jù)實(shí)際需要和實(shí)驗(yàn)結(jié)果來確定，當(dāng)終端的溫度介于第一閾值和第二閾值之間時(shí)，既能保證用戶體驗(yàn)，又能保證充電速度，例如，可以設(shè)定第一閾值為40℃，第二閾值為39℃。

當(dāng)溫度檢測(cè)模塊10檢測(cè)終端至少兩個(gè)部位的溫度時(shí)，每個(gè)部位對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值可以相同，或者至少兩個(gè)部位對(duì)應(yīng)的第一閾值和/或第二閾值不同。

舉例而言，對(duì)于用戶對(duì)溫度比較敏感的部位，第一閾值和第二閾值可以設(shè)置得低一些，而用戶對(duì)溫度不是很敏感的部位，第一閾值和第二閾值可以設(shè)置得高一些。例如，對(duì)于電池和屏幕，其對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值可以設(shè)置得低一些，其中電池和屏幕對(duì)應(yīng)的第一閾值和/或第二閾值可以相同也可以不同，如考慮到屏幕面積較大且直接與用戶接觸，可以設(shè)置屏幕對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值分別低于電池對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值；對(duì)于主板、中央處理器、電源管理單元和圖像處理器，其對(duì)應(yīng)的第一閾值和第二閾值可以設(shè)置得高一些，其中主板、中央處理器、電源管理單元和圖像處理器對(duì)應(yīng)的第一閾值和/或第二閾值可以相同也可以不同。

當(dāng)檢測(cè)到終端的溫度后，充電策略模塊20比較檢測(cè)到的溫度與第一閾值和第二閾值的大?。划?dāng)溫度大于第一閾值時(shí)，充電策略模塊20則執(zhí)行第一充電策略，降低充電功率，具體可以通過減小充電電流或者充電電壓來實(shí)現(xiàn)充電功率的降低；當(dāng)溫度小于第二閾值時(shí)，充電策略模塊20則執(zhí)行第二充電策略，提高充電功率，具體可以通過增加充電電流或充電電壓來實(shí)現(xiàn)充電功率的提高；當(dāng)溫度介于第一閾值和第二閾值之間時(shí)，充電策略模塊20不予響應(yīng)，不執(zhí)行任何操作，即保持當(dāng)前的充電功率不變。

當(dāng)檢測(cè)了終端至少兩個(gè)部位的溫度時(shí)，則只要任一部位的溫度大于第一閾值，充電策略模塊20則執(zhí)行第一充電策略，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；或者，當(dāng)終端預(yù)設(shè)數(shù)量的部位的溫度大于第一閾值時(shí)，充電策略模塊20才執(zhí)行第一充電策略，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率。預(yù)設(shè)數(shù)量可以根據(jù)需要設(shè)定，如設(shè)定為一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)等，例如：當(dāng)終端一個(gè)部位的溫度大于第一閾值，而其它部位的溫度不大于第一閾值時(shí)，充電策略模塊20則不執(zhí)行第一充電策略；當(dāng)終端兩個(gè)部位或者兩個(gè)以上的部位的溫度大于第一閾值時(shí)，充電策略模塊20則執(zhí)行第一充電策略，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率。其中，降低充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，例如：每次降低充電功率的值都是相等的，或者至少相鄰兩次降低充電功率的值是不相等的；或者，當(dāng)至少降低了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次降低充電功率的值。

同理，當(dāng)檢測(cè)了終端至少兩個(gè)部位的溫度時(shí)，則只要任一部位的溫度小于第二閾值，充電策略模塊20則執(zhí)行第二充電策略，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；或者，當(dāng)終端預(yù)設(shè)數(shù)量的部位的溫度小于第二閾值時(shí)，充電策略模塊20才執(zhí)行第二充電策略，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率。預(yù)設(shè)數(shù)量可以根據(jù)需要設(shè)定，如設(shè)定為一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)等，例如：當(dāng)終端一個(gè)部位的溫度小于第二閾值，而其它部位的溫度不小于第二閾值時(shí)，充電策略模塊20則不執(zhí)行第二充電策略；當(dāng)終端兩個(gè)部位或者兩個(gè)以上的部位的溫度小于第二閾值時(shí)，充電策略模塊20則執(zhí)行第二充電策略，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率。其中，提高充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，例如：每次提高充電功率的值都是相等的，或者至少相鄰兩次提高充電功率的值是不相等的；或者，當(dāng)至少提高了兩次充電功率時(shí)，逐漸減小每次提高充電功率的值。

如圖8所示，充電策略模塊20包括第一策略單元21和第二策略單元22，其中：

第一策略單元21：用于當(dāng)終端的溫度大于第一閾值時(shí)，執(zhí)行第一充電策略，降低充電功率。

在一些實(shí)施例中，第一策略單元21可以通過以下方式執(zhí)行第一充電策略：在檢測(cè)到溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)溫度，判斷溫度與第一閾值的關(guān)系：若溫度仍然大于第一閾值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；若溫度小于或等于第一閾值時(shí)，停止降低充電功率。其中，降低充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，如每次降低充電功率設(shè)定值。

舉例而言，第一策略單元21通過以下方式降低充電功率：在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)首次檢測(cè)到終端的溫度大于第一閾值時(shí)，降低充電功率設(shè)定值；以預(yù)設(shè)時(shí)間為周期，通過溫度檢測(cè)模塊10定時(shí)檢測(cè)終端的溫度；當(dāng)終端的溫度仍然大于第一閾值時(shí)，繼續(xù)降低充電功率設(shè)定值；當(dāng)終端的溫度小于或等于第一閾值時(shí)，停止降低充電功率。通過逐次降低充電功率，使得終端的溫度能夠平穩(wěn)的落入合適范圍，防止溫度大起大落，保持充電的穩(wěn)定性。

在另一些實(shí)施例中，第一策略單元21可以通過以下方式執(zhí)行第一充電策略：在檢測(cè)到溫度大于第一閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)溫度，判斷溫度與第一閾值的關(guān)系：若溫度仍然大于第一閾值，且充電功率大于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式降低充電功率；若溫度小于或等于第一閾值，或者充電功率小于或等于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，停止降低充電功率。其中，降低充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，如每次降低充電功率設(shè)定值。

舉例而言，第一策略單元21通過以下方式降低充電功率：在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)首次檢測(cè)到終端的溫度大于第一閾值時(shí)，降低充電功率設(shè)定值；以預(yù)設(shè)時(shí)間為周期，通過溫度檢測(cè)模塊10定時(shí)檢測(cè)終端的溫度；當(dāng)終端的溫度仍然大于第一閾值，且充電功率大于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，繼續(xù)降低充電功率設(shè)定值；當(dāng)終端的溫度小于或等于第一閾值，或者充電功率小于或等于預(yù)設(shè)充電功率下限值時(shí)，停止降低充電功率。通過設(shè)定充電功率預(yù)設(shè)充電功率下限值，防止了充電功率過低而影響充電速度。

前面所述的一個(gè)功率降低流程，即首次降低充電功率到停止降低充電功率的整個(gè)過程。

可選地，在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)至少降低了兩次充電功率時(shí)，第一策略單元21每次降低充電功率的值都是相等的。例如，一個(gè)功率降低流程中降低了三次充電功率，每次降低充電功率的值都是2W。

可選地，在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)?shù)谝徊呗詥卧?1至少降低了兩次充電功率時(shí)，至少相鄰兩次降低充電功率的值是不相等的。例如，一個(gè)功率降低流程中降低了三次充電功率，第一次與第二次降低充電功率的值不相同，第二次與第三次降低充電功率的值相同，如第一次降低充電功率2W，第二次和第三次每次降低充電功率1W。

優(yōu)選地，在一個(gè)功率降低流程中，當(dāng)至少降低了兩次充電功率時(shí)，第一策略單元21逐漸減小每次降低充電功率的值。例如，一個(gè)功率降低流程中降低了三次充電功率，第一次降低充電功率2W，第二次降低充電功率1.5W，第三次降低充電功率1W。又如，一個(gè)功率降低流程中降低了四次充電功率，第一次和第二次每次降低充電功率2W，第三次降低充電功率1.5W，第三次降低充電功率1W。從而使得調(diào)節(jié)過程更加平穩(wěn)，防止調(diào)節(jié)過度而使得溫度落到合適范圍外(低于第二閾值)。

第二策略單元22：用于當(dāng)終端的溫度小于第二閾值時(shí)，執(zhí)行第二充電策略，提高充電功率。

在一些實(shí)施例中，第二策略單元22可以通過以下方式執(zhí)行第二充電策略：在檢測(cè)到溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)溫度，判斷溫度與第一閾值的關(guān)系：若溫度仍然小于第二閾值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；若溫度大于或等于第二閾值時(shí)，停止提高充電功率。其中，提高充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，如每次提高充電功率設(shè)定值。

舉例而言，第二策略單元22通過以下方式提高充電功率：在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)首次檢測(cè)到終端的溫度小于第二閾值時(shí)，提高充電功率設(shè)定值；以預(yù)設(shè)時(shí)間為周期，通過溫度檢測(cè)模塊10定時(shí)檢測(cè)終端的溫度；當(dāng)終端的溫度仍然小于第二閾值時(shí)，繼續(xù)提高充電功率設(shè)定值；當(dāng)終端的溫度大于或等于第二閾值時(shí)，停止提高充電功率。通過逐次提高充電功率，使得終端的溫度能夠平穩(wěn)的落入合適范圍，防止溫度大起大落，保持了充電的穩(wěn)定性。

在另一些實(shí)施例中，第二策略單元22可以通過以下方式執(zhí)行第二充電策略：在檢測(cè)到溫度小于第二閾值時(shí)，以預(yù)設(shè)方式提高充電功率；按照預(yù)設(shè)時(shí)間頻率檢測(cè)溫度，判斷溫度與第一閾值的關(guān)系：若溫度仍然小于第二閾值，且充電功率小于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，繼續(xù)以預(yù)定方式提高充電功率；若溫度大于或等于第二閾值，或者充電功率大于或等于預(yù)設(shè)功率預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，停止提高充電功率。其中，提高充電功率的預(yù)設(shè)方式可以根據(jù)需要設(shè)定，如每次提高充電功率設(shè)定值。

舉例而言，第二策略單元22通過以下方式提高充電功率：在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)首次檢測(cè)到終端的溫度小于第二閾值時(shí)，提高充電功率設(shè)定值；以預(yù)設(shè)時(shí)間為周期，通過溫度檢測(cè)模塊10定時(shí)檢測(cè)終端的溫度；當(dāng)終端的溫度仍然小于第二閾值，且充電功率小于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，繼續(xù)提高終端的充電功率設(shè)定值；當(dāng)終端的溫度大于或等于第二閾值，或者充電功率大于或等于預(yù)設(shè)充電功率上限值時(shí)，停止提高充電功率。通過設(shè)定充電功率預(yù)設(shè)充電功率上限值，防止了充電功率過高而影響充電器。

前面所述的一個(gè)功率提高流程，即首次提高充電功率到停止提高充電功率的整個(gè)過程。

可選地，在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)至少提高了兩次充電功率時(shí)，第二策略單元22每次提高充電功率的值都是相等的。例如，一個(gè)功率提高流程中提高了三次充電功率，每次提高充電功率的值都是2W。

可選地，在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)?shù)诙呗詥卧?2至少提高了兩次充電功率時(shí)，至少相鄰兩次提高充電功率的值是不相等的。例如，一個(gè)功率提高流程中提高了三次充電功率，第一次與第二次提高充電功率的值不相同，第二次與第三次提高充電功率的值相同，如第一次提高充電功率2W，第二次和第三次每次提高充電功率1W。

優(yōu)選地，在一個(gè)功率提高流程中，當(dāng)至少提高了兩次充電功率時(shí)，第二策略單元22逐漸減小每次提高充電功率的值。例如，一個(gè)功率提高流程中提高了三次充電功率，第一次提高充電功率2W，第二次提高充電功率1.5W，第三次提高充電功率1W。又如，一個(gè)功率提高流程中提高了四次充電功率，第一次和第二次每次提高充電功率2W，第三次提高充電功率1.5W，第三次提高充電功率1W。從而使得調(diào)節(jié)過程更加平穩(wěn)，防止調(diào)節(jié)過度而使得溫度落到合適范圍外(高于第一閾值)。

本發(fā)明實(shí)施例的充電裝置，通過設(shè)置終端溫度的第一閾值和第二閾值，在充電過程中根據(jù)溫度的變化執(zhí)行不同的充電策略來調(diào)節(jié)終端的充電功率而使得終端的溫度保持在第一閾值和第二閾值之間的合適范圍內(nèi)，既保證終端溫度不因太高而影響用戶體驗(yàn)，又保證充電功率不因太低而降低充電速度，從而在保證充電速度的基礎(chǔ)上改善了用戶體驗(yàn)，使得充電速度和用戶體驗(yàn)二者得以兼顧，提高了用戶滿意度，提升了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

需要說明的是：上述實(shí)施例提供的充電裝置與充電方法實(shí)施例屬于同一構(gòu)思，其具體實(shí)現(xiàn)過程詳見方法實(shí)施例，且方法實(shí)施例中的技術(shù)特征在裝置實(shí)施例中均對(duì)應(yīng)適用，這里不再贅述。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明包括涉及用于執(zhí)行本申請(qǐng)中所述操作中的一項(xiàng)或多項(xiàng)的設(shè)備。這些設(shè)備可以為所需的目的而專門設(shè)計(jì)和制造，或者也可以包括通用計(jì)算機(jī)中的已知設(shè)備。這些設(shè)備具有存儲(chǔ)在其內(nèi)的計(jì)算機(jī)程序，這些計(jì)算機(jī)程序選擇性地激活或重構(gòu)。這樣的計(jì)算機(jī)程序可以被存儲(chǔ)在設(shè)備(例如，計(jì)算機(jī))可讀介質(zhì)中或者存儲(chǔ)在適于存儲(chǔ)電子指令并分別耦聯(lián)到總線的任何類型的介質(zhì)中，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括但不限于任何類型的盤(包括軟盤、硬盤、光盤、CD-ROM、和磁光盤)、ROM(Read-Only Memory，只讀存儲(chǔ)器)、RAM(Random Access Memory，隨機(jī)存儲(chǔ)器)、EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)、閃存、磁性卡片或光線卡片。也就是，可讀介質(zhì)包括由設(shè)備(例如，計(jì)算機(jī))以能夠讀的形式存儲(chǔ)或傳輸信息的任何介質(zhì)。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，可以用計(jì)算機(jī)程序指令來實(shí)現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)圖和/或框圖和/或流圖中的每個(gè)框以及這些結(jié)構(gòu)圖和/或框圖和/或流圖中的框的組合。本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，可以將這些計(jì)算機(jī)程序指令提供給通用計(jì)算機(jī)、專業(yè)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理方法的處理器來實(shí)現(xiàn)，從而通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理方法的處理器來執(zhí)行本發(fā)明公開的結(jié)構(gòu)圖和/或框圖和/或流圖的框或多個(gè)框中指定的方案。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明中已經(jīng)討論過的各種操作、方法、流程中的步驟、措施、方案可以被交替、更改、組合或刪除。進(jìn)一步地，具有本發(fā)明中已經(jīng)討論過的各種操作、方法、流程中的其他步驟、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、組合或刪除。進(jìn)一步地，現(xiàn)有技術(shù)中的具有與本發(fā)明中公開的各種操作、方法、流程中的步驟、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、組合或刪除。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。