單 異丙釀，C是3-甲氧基-1-丁醇，D是乙醇，E是乙酸。并且，F(xiàn)是六亞甲基四胺，G是乙酸異戊酯， Η是丙三醇1，2_碳酸酯，I是碳酸二乙酯，J是乳酸。并且，K是甲基乙基醚，L是碳酸丙烯酯，Μ 是甲酰胺，Ν是二丁基胺，Ρ是二戊醚。
[0048] <比較測(cè)試1及評(píng)價(jià)>
[0049]通過(guò)XRD圖案測(cè)定實(shí)施例1~13的LaNi03薄膜的擇優(yōu)取向面。具體而言，通過(guò)利用X 射線衍射(XRD)裝置(PANalytical公司制，型號(hào)名:Empyrean)的集中法，進(jìn)行LaNi〇3薄膜的 XRD分析。將結(jié)果(僅實(shí)施例1)示于圖1。由圖1可知，實(shí)施例1的LaNi03薄膜的擇優(yōu)取向面是 (100)面。另外，圖1中，2Θ在20度~40度的范圍內(nèi)，且將去除源自基板的衍射峰的強(qiáng)度最高 的取向面作為擇優(yōu)取向面。并且，將此時(shí)觀察到的關(guān)于實(shí)施例1-1的薄膜的XRD圖案作為代 表圖示于圖1中。關(guān)于實(shí)施例2~13的LaNi0 3薄膜，也與上述同樣的方式進(jìn)行XRD分析時(shí)，擇 優(yōu)取向面均為(100)面。
[0050] <比較測(cè)試2及評(píng)價(jià)>
[0051 ]首先，調(diào)查在實(shí)施例1~13及比較例1~8的組合物有無(wú)沉淀物的形成(沉淀物的有 無(wú)）。該沉淀物包含合成物（混合溶液）在氬氣（惰性氣體）氣氛中的加熱反應(yīng)時(shí)析出的 LaNi03前驅(qū)體或加熱反應(yīng)后的冷卻后所析出的LaNi03前驅(qū)體。接著，使用實(shí)施例1~12及比 較例1~9的組合物，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法在一邊為17mm的正方形的基板上涂布，通過(guò)肉眼調(diào)查 剛涂布后的涂膜有無(wú)針孔。具體而言，在一邊為17mm的正方形的基板上剛涂布的涂膜上以 直徑為0.1mm以上的針孔的個(gè)數(shù)判斷其有無(wú)，將針孔為1個(gè)以上者評(píng)價(jià)設(shè)為"有針孔"，沒(méi)有 針孔者設(shè)為"無(wú)針孔"。而且，調(diào)查實(shí)施例1~13及比較例1~8的燒結(jié)后的LaNi0 3薄膜有沒(méi)有 產(chǎn)生龜裂。具體而言，使用倍率10倍的光學(xué)顯微鏡觀察LaNi03薄膜的表面，將存在龜裂時(shí)設(shè) 為"有龜裂"，不存在龜裂時(shí)設(shè)為"無(wú)龜裂"。另外，對(duì)于產(chǎn)生沉淀物的不進(jìn)行涂膜評(píng)價(jià)。將其 結(jié)果示于表1。
[0052][表1]
[0053]
[0054] 由表1可知，LaNi03前驅(qū)體的含有比例小于1質(zhì)量％的比較例2中在涂膜產(chǎn)生針孔， 且涂膜的厚度不均勻，LaNi0 3前驅(qū)體的含有比例超過(guò)20質(zhì)量％的比較例3中，組合物產(chǎn)生沉 淀。并且，有機(jī)溶劑的HSP值的dD較小的比較例4中組合物產(chǎn)生沉淀，有機(jī)溶劑的HSP值的dD 較大的比較例5中組合物產(chǎn)生沉淀。并且，在有機(jī)溶劑的HSP值的dP較大的比較例6中在涂 膜產(chǎn)生針孔，且涂膜的厚度不均勻，有機(jī)溶劑的HSP值的dP較小的比較例7中組合物產(chǎn)生沉 淀。而且，有機(jī)溶劑的HSP值的dH較大的比較例1中在涂膜產(chǎn)生針孔，且涂膜的厚度不均勻， 有機(jī)溶劑的HSP值的dH較小的比較例8中組合物產(chǎn)生沉淀。相對(duì)于這些，溶劑的HSP值的dD、 dP及dH為適當(dāng)?shù)臄?shù)值的實(shí)施例1~13中涂膜完全沒(méi)有產(chǎn)生針孔，且涂膜厚度均勻。因此，實(shí) 施例1~13中燒結(jié)后的LaNi03薄膜未產(chǎn)生龜裂。
[0055]具體而言，LaNi03前驅(qū)體的含有比例少至0.8質(zhì)量％的比較例2中，組合物雖未產(chǎn) 生沉淀，但涂膜中產(chǎn)生針孔，且涂膜的厚度不均勻，LaNi03前驅(qū)體的含有比例多至22質(zhì)量％ 的比較例3中組合物產(chǎn)生沉淀，相對(duì)于此，LaNi0 3前驅(qū)體的含有比例分別為1質(zhì)量％及20質(zhì) 量％的適當(dāng)量的實(shí)施例5及實(shí)施例6中，組合物完全沒(méi)有產(chǎn)生沉淀，并且，在涂膜完全沒(méi)有產(chǎn) 生針孔，且涂膜厚度均勻。
[0056]并且，在有機(jī)溶劑的HSP值的dD小至14.0的比較例4中組合物產(chǎn)生沉淀，有機(jī)溶劑 的HSP值的dD大至20.0的比較例5中組合物產(chǎn)生沉淀，相對(duì)于此，有機(jī)溶劑的HSP值的dD分別 為14.5及19.4的適當(dāng)?shù)闹档膶?shí)施例8及實(shí)施例9中，組合物完全沒(méi)有產(chǎn)生沉淀，并且，涂膜完 全沒(méi)有產(chǎn)生針孔，且涂膜厚度均勻。
[0057]并且，有機(jī)溶劑的HSP值的dP小至3.0的比較例7中組合物產(chǎn)生沉淀，有機(jī)溶劑的 HSP值的dP大至26.2的比較例6中組合物雖未產(chǎn)生沉淀，但在涂膜產(chǎn)生針孔，且涂膜的厚度 不均勻，相對(duì)于此，有機(jī)溶劑的HSP值的dP為3.1及25.5的適當(dāng)?shù)闹档膶?shí)施例10及實(shí)施例11 中組合物未產(chǎn)生沉淀，并且，在涂膜完全沒(méi)有產(chǎn)生針孔，且涂膜厚度均勻。
[0058]而且，有機(jī)溶劑的HSP值的dH小至3.0的比較例8中在組合物產(chǎn)生沉淀，有機(jī)溶劑的 HSP值的dH大至42.3的比較例1中在組合物雖未產(chǎn)生沉淀，但在涂膜產(chǎn)生針孔，且涂膜的厚 度不均勻，相對(duì)于此，溶劑的HSP值的dH分別為3.5及28.4的適當(dāng)?shù)闹档膶?shí)施例12及實(shí)施例 13中，在組合物未產(chǎn)生沉淀，并且在涂膜完全沒(méi)有產(chǎn)生針孔，且涂膜厚度均勻。
[0059] 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0060]本發(fā)明的LaNi03薄膜形成用組合物能夠用于薄膜電容器、電容器、IPD、DRAM存儲(chǔ) 用電容器、層疊電容器、鐵電存儲(chǔ)器用電容器、熱釋電型紅外線檢測(cè)元件、壓電元件、電光元 件、致動(dòng)器、諧振器、超聲波馬達(dá)、電氣開(kāi)關(guān)、光學(xué)開(kāi)關(guān)或LC噪聲濾波器元件等電子組件的制 造。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種LaNi〇3薄膜形成用組合物，其特征在于， 所述LaNi03薄膜形成用組合物包含LaNi03前驅(qū)體、有機(jī)溶劑及穩(wěn)定劑， 相對(duì)于所述LaNi〇3前驅(qū)體、所述有機(jī)溶劑及所述穩(wěn)定劑的總計(jì)100質(zhì)量％，所述LaNi〇3 前驅(qū)體的混合比例換算成氧化物為1~20質(zhì)量％， 所述有機(jī)溶劑的HSP值的分散成分dD、極化成分dP及氫鍵成分dH分別滿足14<dD<20、 3<dP<26 及 3<dH<30 的關(guān)系。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LaNi03薄膜形成用組合物，其中， 所述LaNi03前驅(qū)體為金屬羧酸鹽、金屬硝酸鹽、金屬醇鹽、金屬二醇絡(luò)合物、金屬三醇絡(luò) 合物、金屬β-二酮絡(luò)合物、金屬β-二酮酯絡(luò)合物、金屬β-亞氨基酮絡(luò)合物或金屬氨絡(luò)合物。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的LaNi03薄膜形成用組合物，其中， 在所述LaNi03前驅(qū)體之中，成為L(zhǎng)a源的LaNi03前驅(qū)體或成為Ni源的LaNi0 3前驅(qū)體的至 少一方為乙酸鹽。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的LaNi03薄膜形成用組合物，其中， 在所述LaNi03前驅(qū)體之中，成為L(zhǎng)a源的LaNi03前驅(qū)體或成為Ni源的LaNi0 3前驅(qū)體的至 少一方為硝酸鹽。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的LaNi03薄膜形成用組合物，其中， 所述有機(jī)溶劑為選自由乙二醇單丙醚、乙二醇單異丙醚、3-甲氧基-1-丁醇、乙醇、乙 酸、六亞甲基四胺、乙酸異戊酯、丙三醇1，2_碳酸酯、碳酸二乙酯及乳酸中的一種單一溶劑 或兩種以上的混合溶劑。6. -種LaNi〇3薄膜的形成方法，其使用權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的LaNi〇3薄膜形成 用組合物。7. -種LaNi03薄膜的形成方法，其包含如下工序： 在耐熱性基板上涂布權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的LaNi03薄膜形成用組合物而形成涂 膜；以及 在大氣壓的氧化氣氛或含水蒸氣氣氛中臨時(shí)燒結(jié)具有所述涂膜的基板之后，或者在反 復(fù)進(jìn)行2次以上從所述涂膜的形成至臨時(shí)燒結(jié)為止的工序，直至成為所期望的厚度之后，通 過(guò)以晶化溫度以上的溫度燒結(jié)，形成在（100)面擇優(yōu)取向的LaNi0 3薄膜。8. -種電子組件，其具有通過(guò)權(quán)利要求6或7所述的方法而形成的LaNi03薄膜。
【專利摘要】LaNiO3薄膜形成用組合物包含LaNiO3前驅(qū)體、有機(jī)溶劑及穩(wěn)定劑。并且，相對(duì)于LaNiO3前驅(qū)體、有機(jī)溶劑與穩(wěn)定劑的總計(jì)100質(zhì)量％，LaNiO3前驅(qū)體的混合比例換算成氧化物為1～20質(zhì)量％。而且，有機(jī)溶劑的HSP值的分散成分dD、極化成分dP及氫鍵成分dH分別滿足14＜dD＜20、3＜dP＜26及3＜dH＜30的關(guān)系。
【IPC分類】H01L21/822, H01L21/288, C01G53/00, H01B3/12, H01G4/33, H01L21/8246, H01L41/29, H01L27/04, H01L41/047, H01L27/105, H01B13/00, H01L41/319
【公開(kāi)號(hào)】CN105531798
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480050492
【發(fā)明人】藤井順, 櫻井英章, 曽山信幸
【申請(qǐng)人】三菱綜合材料株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2014年10月6日
【公告號(hào)】EP3041032A1, WO2015056587A1