技術(shù)編號(hào)：9769284
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及一種用于通過(guò)化學(xué)溶液法(Chemical Solution Deposition，CSD法） 形成在薄膜電容器、鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric Random Access Memory，F(xiàn)eRAM)用電容 器、壓電元件或熱釋電型紅外線檢測(cè)元件等的電極中使用的LaNi03薄膜的組合物以及使用 該組合物形成LaNi0 3薄膜的方法。更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及一種極少產(chǎn)生針孔，且能夠均勻 成膜的LaNi03薄膜形成用組合物以及使用該組合物形成La...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。