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一種基于量子點(diǎn)的oled白光器件及其制作方法

文檔序號(hào):8262652閱讀:519來源:國知局
一種基于量子點(diǎn)的oled白光器件及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基于量子點(diǎn)的OLED白光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]白光OLED技術(shù)在過去20年間取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,成本低、響應(yīng)時(shí)間短、亮度高、驅(qū)動(dòng)電壓低以及可實(shí)現(xiàn)柔性光源等優(yōu)勢(shì)使其成為有著廣泛發(fā)展空間的光源技術(shù)。常用的多發(fā)光層白光OLED通過不同的發(fā)光層發(fā)射的單色光混合成白光,通過調(diào)整各個(gè)發(fā)光層的厚度和摻雜濃度可以有效地調(diào)節(jié)器件的色純度。這種器件結(jié)構(gòu)最大的不足之處在于,隨著驅(qū)動(dòng)電壓的升高,器件中的載流子復(fù)合區(qū)域發(fā)生很大變化,從而造成色坐標(biāo)的漂移。
[0003]下轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)白光OLED是在藍(lán)光OLED的一側(cè)制備綠光和紅光的下轉(zhuǎn)換層,通過電致藍(lán)光激發(fā)產(chǎn)生光致綠光和紅光,最后與未被吸收而透射出來的藍(lán)光混合在一起,形成白光發(fā)射。由于有機(jī)材料的光致發(fā)光光譜較寬,因此有必要尋求光譜更窄的轉(zhuǎn)換材料。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的主要目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種基于量子點(diǎn)的新型OLED白光器件及其制作方法。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0006]一種基于量子點(diǎn)的OLED白光器件,包括基板、藍(lán)光OLED器件、量子點(diǎn)層以及薄膜封裝層,且層疊配置以使得所述藍(lán)光OLED器件發(fā)射的光激發(fā)所述量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn),所述量子點(diǎn)層向所述OLED白光器件外出射光,從所述量子點(diǎn)層中出射的光是所述藍(lán)光OLED器件發(fā)射的光與量子點(diǎn)發(fā)射的光合成的白光。
[0007]進(jìn)一步地:
[0008]所述量子點(diǎn)層包括交替層疊的聚合物層和無機(jī)層,所述量子點(diǎn)存在于至少一層聚合物層中。
[0009]所述至少一層聚合物層包括第一聚合物子層、第二聚合物子層和位于所述第一聚合物子層與所述第二聚合物子層之間的量子點(diǎn)薄膜。
[0010]所述量子點(diǎn)薄膜是用微升滴定管將量子點(diǎn)溶液滴在第一聚合物子層表面,進(jìn)行旋涂后形成的。
[0011]所述量子點(diǎn)薄膜的厚度為2-3層單量子點(diǎn)的厚度。
[0012]所述至少一層聚合物層是在聚合物中分散量子點(diǎn)而形成的層。
[0013]所述藍(lán)光OLED器件位于所述基板上,所述量子點(diǎn)層位于所述藍(lán)光OLED器件上,所述薄膜封裝層位于所述基板的另一側(cè),所述基板為透明或不透明基板。
[0014]所述藍(lán)光OLED器件位于所述基板上,所述薄膜封裝層位于所述藍(lán)光OLED器件上,所述量子點(diǎn)層位于所述基板的另一側(cè),所述基板為透明基板。
[0015]所述量子點(diǎn)層位于所述基板上,所述藍(lán)光OLED器件位于所述量子點(diǎn)層上,所述薄膜封裝層位于所述量子點(diǎn)層上,所述基板為透明基板。
[0016]一種制作所述OLED白光器件的方法,包括以層疊方式制作基板、藍(lán)光OLED器件、量子點(diǎn)層以及薄膜封裝層,且配置成使得所述藍(lán)光OLED器件發(fā)射的光激發(fā)所述量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn),所述量子點(diǎn)層向所述OLED白光器件外出射光,從所述量子點(diǎn)層中出射的光是所述藍(lán)光OLED器件發(fā)射的光與量子點(diǎn)發(fā)射的光合成的白光。
[0017]本發(fā)明的有益效果:
[0018]本發(fā)明提供一種基于量子點(diǎn)的OLED白光器件,該白光器件由基板、藍(lán)光OLED器件、量子點(diǎn)層以及薄膜封裝層構(gòu)成,藍(lán)光OLED器件發(fā)射的藍(lán)光激發(fā)量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn),從量子點(diǎn)層中出射的光是藍(lán)光OLED發(fā)射的光與量子點(diǎn)發(fā)射的光合成的白光。在一些實(shí)施例中,量子點(diǎn)層同時(shí)也起到封裝的作用,防止水或氧的滲透對(duì)OLED以及量子點(diǎn)造成危害。
[0019]本發(fā)明可帶來以下優(yōu)點(diǎn):
[0020](I)可以不改變材料的化學(xué)組分而只通過調(diào)節(jié)量子點(diǎn)的尺寸來調(diào)節(jié)器件的發(fā)光顏色,發(fā)光波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)。比如CdSe量子點(diǎn)發(fā)光顏色從紅到藍(lán)色連續(xù)可調(diào);(2)發(fā)光效率高,量子效率高達(dá)85%以上;(3)激子發(fā)光帶線寬窄(一般< 30nm),色純度高,光穩(wěn)定性極好;
(4)制作成本低、可以采用簡(jiǎn)單的溶液加工處理技術(shù)成膜。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的OLED白光器件的剖面示意圖;
[0022]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的一種藍(lán)光OLED器件的剖面示意圖;
[0023]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的一種量子點(diǎn)層的剖面示意圖;
[0024]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中量子點(diǎn)層中的一種聚合物層的剖面示意圖;
[0025]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中量子點(diǎn)層中的另一種聚合物層的剖面示意圖;
[0026]圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的OLED白光器件的剖面不意圖;
[0027]圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例中的一種藍(lán)光OLED器件的剖面不意圖;
[0028]圖8為本發(fā)明又一實(shí)施例的OLED白光器件的剖面不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作詳細(xì)說明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是,下述說明僅僅是示例性的,而不是為了限制本發(fā)明的范圍及其應(yīng)用。
[0030]參閱圖1、圖6和圖8,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,一種基于量子點(diǎn)的OLED白光器件,包括基板1、藍(lán)光OLED器件2、量子點(diǎn)層3以及薄膜封裝層4?;錓可以采用柔性透明或不透明基板。基板I可以是塑料基板。薄膜封裝層4可以采用單層薄膜、多層薄膜、有機(jī)&無機(jī)復(fù)合薄膜等。薄膜封裝層4的作用在于對(duì)基板I或藍(lán)光OLED器件2進(jìn)行封裝,防止水或氧的滲透對(duì)OLED以及量子點(diǎn)造成危害。
[0031]藍(lán)光OLED器件2的典型結(jié)構(gòu)中包含有陽極、電子傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、空穴傳輸層、陰極。為了提高該藍(lán)光OLED的性能,還可以進(jìn)行多種方式的優(yōu)化,比如還可以增加電子或空穴注入層等。
[0032]在一些實(shí)施例中,量子點(diǎn)層3優(yōu)選由聚合物層和無機(jī)層交替復(fù)合而成,量子點(diǎn)可以是存在于任意一層聚合物層中,可以不只是一層聚合物層中含有量子點(diǎn)。
[0033]在一種較佳實(shí)施例中,含有量子點(diǎn)的聚合物層可以是聚合物與量子點(diǎn)分層復(fù)合而成。在另一種較佳實(shí)施例中,含有量子點(diǎn)的聚合物層也可以是在聚合物中分散量子點(diǎn)而成。
[0034]藍(lán)光OLED器件2發(fā)射的藍(lán)光激發(fā)量子點(diǎn)層3中的量子點(diǎn),從量子點(diǎn)層3中出射的光是藍(lán)光OLED發(fā)射的光與量子點(diǎn)發(fā)射的光合成的白光。同時(shí)量子點(diǎn)層3是藍(lán)光OLED器件2的封裝層,防止水或氧的滲透對(duì)OLED以及量子點(diǎn)造成危害。
[0035]如圖1所示,一種具有量子點(diǎn)的柔性O(shè)LED白光器件,該白光器件包括基板1、藍(lán)光OLED器件2、量子點(diǎn)層3以及薄膜封裝層4。
[0036]基板I可以采用柔性透明或不透明塑料基板,如P1、PET、PEN等等,基板I采用薄膜封裝層4在其外側(cè)進(jìn)行封裝,防止水和氧氣的滲透。
[0037]薄膜封裝層4可以采用單層薄膜、多層薄膜、有機(jī)&無機(jī)復(fù)合薄膜。薄膜封裝層4的作用在于對(duì)柔性基板進(jìn)行封裝,防止水或氧的滲透對(duì)OLED以及量子點(diǎn)造成危害。
[0038]藍(lán)光OLED器件2位于基板I上,其典型結(jié)構(gòu)如圖2所示。該藍(lán)光OLED器件2具有反射式陽極20、電子傳輸層21、藍(lán)光發(fā)光層22、空穴傳輸層23、透明陰極24,該OLED還有緩沖層25用于光學(xué)匹配。該OLED陽極20位于基板I上。為了提高該藍(lán)光OLED器件2的性能,還可以進(jìn)行多種方式的優(yōu)化,比如還可以增加電子或空穴注入層等。
[0039]量子點(diǎn)層3位于藍(lán)光OLED器件2之上,藍(lán)光OLED器件2發(fā)射的藍(lán)光激發(fā)量子點(diǎn)層3中的量子點(diǎn),從量子點(diǎn)層3中出射的光是藍(lán)光OLED發(fā)射的光與量子點(diǎn)發(fā)射的光合成的白光。并且,量子點(diǎn)層3是藍(lán)光OLED器件2的封裝層。
[0040]從制作順序來看,該白光器件首先在柔性基板I的外側(cè)形成薄膜封裝層4,再以此為復(fù)合基板,在原來柔性基板的內(nèi)側(cè)順序形成藍(lán)光OLED器件2和量子點(diǎn)層3。
[0041]在優(yōu)選實(shí)施例中,量子點(diǎn)層3由聚合物層和無機(jī)層交替復(fù)合而成,并且與藍(lán)光OLED接觸的第一
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