技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置，一方面，該薄膜晶體管包括：襯底基板，以及位于所述襯底基板上的柵極、漏極、源極和有源層，所述有源層包括溝道區(qū)域和位于所述溝道區(qū)域相對兩側(cè)的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域分別電連接于對應(yīng)的所述源極和所述漏極，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域均為氧化物半導(dǎo)體。本發(fā)明實施例的技術(shù)方案通過在溝道區(qū)域和源漏極之間設(shè)有氧化物半導(dǎo)體區(qū)域，利用氧化物半導(dǎo)體對光照和溫度的穩(wěn)定性，有效改善了TFT器件漏電流的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：文亮
受保護的技術(shù)使用者：廈門天馬微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.16
技術(shù)公布日：2017.07.11