本發(fā)明實(shí)施例涉及具有放大的柵電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件用于各個(gè)電子應(yīng)用中，諸如筆記本、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。通常通過(guò)在半導(dǎo)體襯底上方連續(xù)地沉積絕緣體或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層以及使用光刻圖案化各個(gè)層來(lái)制造半導(dǎo)體器件以在其上形成電路組件和元件。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的改進(jìn)的性能的一個(gè)重要的來(lái)源是較高水平的電路的集成。這通過(guò)最小化或縮小給定芯片上的器件尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)。在能夠縮小芯片上的尺寸上容差起到重要的作用。

然而，盡管現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝對(duì)于它們的預(yù)期的目的通常已經(jīng)足夠，但是隨著器件持續(xù)地按比例縮放，它們并不是在所有方面都是滿(mǎn)意的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：柵極堆疊結(jié)構(gòu)，形成在襯底上方，其中，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括：柵電極結(jié)構(gòu)，具有第一部分和第二部分；和第一導(dǎo)電層，位于所述柵電極結(jié)構(gòu)下面，其中，所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分位于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分上方，以及所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的頂面的寬度大于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分的底面的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，還提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：鰭結(jié)構(gòu)，形成在襯底上方；以及柵極堆疊結(jié)構(gòu)，形成為跨越所述鰭結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括：柵電極結(jié)構(gòu)，具有第一部分、位于所述第一部分下面的第二部分和位于所述第二部分下面的第三部分；以及第一導(dǎo)電層，位于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分和所述第三部分周?chē)?，其中，所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的頂面的寬度大于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第三部分的底面的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例，還提供了一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：在襯底上方形成溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁和底部上形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層上方形成硬掩模層；通過(guò)實(shí)施第一蝕刻工藝蝕刻所述硬掩模層以在所述溝槽的下部中形成阻擋結(jié)構(gòu)；通過(guò)實(shí)施第二蝕刻工藝蝕刻所述第一導(dǎo)電層的未被所述阻擋結(jié)構(gòu)覆蓋的部分；去除所述阻擋結(jié)構(gòu)；以及通過(guò)柵電極層填充所述溝槽。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1a至圖1p是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的透視圖。

圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的沿著圖1p中示出的線(xiàn)a-a’示出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的截面圖。

圖3a至圖3b是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖表示。

圖4a至圖4b是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c的截面圖表示。

圖5a至圖5b是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖表示。

圖6a至圖6d是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的截面圖表示。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為了便于描述，在此可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，并且在此使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作出相應(yīng)的解釋。

提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的實(shí)施例及其形成方法。半導(dǎo)體器件可以包括柵極堆疊結(jié)構(gòu)，柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層和形成在導(dǎo)電層上方的柵電極結(jié)構(gòu)。在形成柵電極結(jié)構(gòu)之前，回蝕刻導(dǎo)電層的一些部分使得可以擴(kuò)大用于形成柵電極結(jié)構(gòu)的空間。

圖1a至圖1p是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a的各個(gè)階段的透視圖。如圖1a所示，根據(jù)一些實(shí)施例接收襯底102。襯底102可以是半導(dǎo)體晶圓，諸如硅晶圓?？蛇x地或額外的，襯底102可以包括元素半導(dǎo)體材料、化合物半導(dǎo)體材料和/或合金半導(dǎo)體材料。元素半導(dǎo)體材料的實(shí)例可以是，但不限于，晶體硅、多晶硅、非晶硅、鍺和/或金剛石?；衔锇雽?dǎo)體材料的實(shí)例可以是，但不限于，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦。合金半導(dǎo)體材料的實(shí)例可以是，但不限于，sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp和/或gainasp

此外，襯底102可以包括諸如摻雜區(qū)、層間介電(ild)層的結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電部件和/或隔離結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。此外，襯底102可以進(jìn)一步包括將被圖案化的單個(gè)或多個(gè)材料層。例如，材料層可以包括硅層、介電層和/或摻雜的多晶硅層。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1a所示，在襯底102上方形成介電層104和掩模層106，以及在掩模層104上方形成光敏層108。介電層104可以用作襯底102和掩模層106之間的粘合層。此外，介電層104也可以用作蝕刻停止層以用于蝕刻掩模層106。在一些實(shí)施例中，介電層104由氧化硅形成?？梢酝ㄟ^(guò)使用熱氧化工藝來(lái)形成介電層104，盡管在其他實(shí)施例中，可以使用其他沉積工藝。

在隨后的光刻工藝期間，掩模層106可以用作硬掩模。在一些實(shí)施例中，掩模層106由氮化硅制成。掩模層106可以通過(guò)使用低壓化學(xué)汽相沉積(pecvd)或等離子體化學(xué)汽相沉積(pecvd)來(lái)形成，盡管在其他實(shí)施例中，可以使用其他沉積工藝。

接下來(lái)，如圖1b所示，根據(jù)一些實(shí)施例，通過(guò)穿過(guò)光敏層108順序地蝕刻掩模層106、介電層104和襯底102來(lái)形成鰭結(jié)構(gòu)110。此后，去除光敏層108。

如圖1c所示，根據(jù)一些實(shí)施例，在形成鰭結(jié)構(gòu)110之后，形成絕緣層112以覆蓋襯底102上方的鰭結(jié)構(gòu)110。在一些實(shí)施例中，絕緣層112由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟摻雜的硅酸鹽玻璃(fsg)或其他低k介電材料制成?？梢酝ㄟ^(guò)使用高密等離子體(hdp)cvd工藝來(lái)形成絕緣層112，盡管在其他實(shí)施例中，可以使用其他沉積工藝。

接下來(lái)，如圖1d所示，根據(jù)一些實(shí)施例，使絕緣層112凹進(jìn)以在鰭結(jié)構(gòu)110周?chē)纬筛綦x結(jié)構(gòu)114，諸如淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^(guò)濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝使絕緣層112凹進(jìn)。此外，去除掩模層106和介電層104。

此后，偽柵極結(jié)構(gòu)116形成為跨越鰭結(jié)構(gòu)110以及在隔離結(jié)構(gòu)114上方延伸。在一些實(shí)施例中，偽柵極結(jié)構(gòu)116包括偽柵極介電層118以及形成在偽柵極介電層118上方的偽柵電極層120。在一些實(shí)施例中，偽柵極介電層118由氧化硅制成。在一些實(shí)施例中，偽柵電極層120由多晶硅制成。

根據(jù)一些實(shí)施例，在形成偽柵極結(jié)構(gòu)116之后，在偽柵極結(jié)構(gòu)116的側(cè)壁上形成間隔件122。在一些實(shí)施例中，間隔件122由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅或其他適用的介電材料制成。間隔件122可以包括單層或多層。

接下來(lái)，如圖1e所示，根據(jù)一些實(shí)施例，在鰭結(jié)構(gòu)110中形成源極/漏極結(jié)構(gòu)124。在一些實(shí)施例中，使鰭結(jié)構(gòu)110的鄰近偽柵極結(jié)構(gòu)116的部分凹進(jìn)以在鰭結(jié)構(gòu)110的兩側(cè)處形成凹槽，以及通過(guò)外延工藝在凹槽中形成外延材料以形成源極/漏極結(jié)構(gòu)124。此外，應(yīng)變材料的晶格常數(shù)可以不同于襯底102的晶格常數(shù)。在一些實(shí)施例中，源極/漏極結(jié)構(gòu)124包括ge、sige、inas、ingaas、insb、gaas、gasb、inalp、inp等。

在形成源極/漏極結(jié)構(gòu)124之后，如圖1f所示，根據(jù)一些實(shí)施例，在襯底上方形成接觸蝕刻停止層(cesl)126，以及在接觸蝕刻停止層(cesl)126上方形成層間介電(ild)層128。在一些實(shí)施例中，接觸蝕刻停止層126由氮化硅、氮氧化硅和/或其他適用的材料制成。接觸蝕刻停止層126可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)cvd、低壓cvd、ald或其他適用的工藝形成。

層間介電層128可以包括由多種介電材料制成的多層，多種介電材料諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅酸鹽玻璃(psg)、硼硅酸鹽玻璃(psg)、硼磷硅酸鹽玻璃(bpsg)和/或其他適用的低k介電材料?？梢酝ㄟ^(guò)化學(xué)汽相沉積(cvd)、物理汽相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)、旋轉(zhuǎn)涂覆或其他適用的工藝來(lái)形成層間介電層128。

接下來(lái)，根據(jù)一些實(shí)施例，對(duì)層間介電層128和接觸蝕刻停止層126實(shí)施拋光工藝以暴露偽柵極結(jié)構(gòu)116的頂面。在一些實(shí)施例中，實(shí)施化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝直到暴露偽柵極結(jié)構(gòu)116的頂面。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1g所示，在實(shí)施拋光工藝之后，去除偽柵極結(jié)構(gòu)116使得形成溝槽130a。如圖1g所示，襯底102上方的層間介電層128中形成溝槽130a。在一些實(shí)施例中，通過(guò)實(shí)施干蝕刻工藝去除偽柵極結(jié)構(gòu)116。在一些實(shí)施例中，通過(guò)實(shí)施干蝕刻工藝和濕蝕刻工藝去除偽柵極結(jié)構(gòu)116。為了最小化或縮小給定襯底上的器件的尺寸，偽柵極可以具有相對(duì)小的寬度。因此，生成的溝槽130a也可以均具有相對(duì)小的寬度。在一些實(shí)施例中，溝槽130a具有從約10nm至約50nm的范圍內(nèi)的寬度。

在去除偽柵極結(jié)構(gòu)116之后，根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1h所示，形成柵極介電層132以?xún)?nèi)襯于溝槽130a。如圖1h所示，柵極介電層132形成在溝槽130a的側(cè)壁和底面上。在一些實(shí)施例中，柵極介電層132由氧化硅制成。在一些實(shí)施例中，柵極介電層132由高k介電材料制成，諸如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅酸鹽、過(guò)渡金屬氧化物、過(guò)渡金屬氮化物、過(guò)渡金屬硅酸鹽或金屬的氮氧化物。高k介電材料的實(shí)例包括，但不限于，氧化鉿(hfo2)、氧化鉿硅(hfsio)、氮氧化鉿硅(hfsion)、氧化鉿鉭(hftao)、氧化鉿鈦(hftio)、氧化鉿鋯(hfzro)、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋁、二氧化鉿-氧化鋁(hfo2-al2o3)合金或其他適用的介電材料。

此后，根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1h所示，在柵極介電層132上方形成導(dǎo)電層134。如圖1h所示，導(dǎo)電層134形成在溝槽130的側(cè)壁和底面上方。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層134是金屬層。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層134由配置為具有合適的功函的功函金屬制成。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層134由tixny、w、tixaly、tixalyn、taxaly、taxalynz、tixsiynz、taxsiynz、taxny、hfxoy、tixtaynz制成。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層134具有從約至約的范圍的厚度。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1h所示，在形成導(dǎo)電層134之后，在導(dǎo)電層134上方形成另一導(dǎo)電層136。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層134和導(dǎo)電層136由不同的材料制成。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層134和導(dǎo)電層136由在濕蝕刻工藝中具有相對(duì)高的蝕刻選擇性的不同的材料制成。

在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層136是金屬層。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層136由配置為具有合適的功函的功函金屬制成。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層136由tixny、w、tixaly、tixalyn、taxaly、taxalynz、tixsiynz、taxsiynz、taxny、hfxoy、tixtaynz制成。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層134具有從約至約的范圍的厚度。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1i所示，在形成導(dǎo)電層134和導(dǎo)電層136之后，在導(dǎo)電層136上方形成硬掩模層138a。如圖1i所示，溝槽130a填充有硬掩模層138a。在一些實(shí)施例中，硬掩模層138a由基于碳的材料、基于氧化物的材料、基于硅的材料或它們的組合制成。

接下來(lái)，根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1j所示，在硬掩模層138a上實(shí)施第一蝕刻工藝140a。在一些實(shí)施例中，第一蝕刻工藝140a是干蝕刻工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1j所示，在第一蝕刻工藝140a期間，去除硬掩模層138a的設(shè)置在溝槽130a的上部的部分，使得形成阻擋結(jié)構(gòu)142a。在第一蝕刻工藝140a之后，阻擋結(jié)構(gòu)142a形成在溝槽130a的下部中，使得通過(guò)阻擋結(jié)構(gòu)142a覆蓋導(dǎo)電層136的形成在溝槽130a的下部處的部分同時(shí)暴露導(dǎo)電層136的形成在溝槽130a的上部處的部分。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1k所示，在形成阻擋結(jié)構(gòu)142a之后，通過(guò)第二蝕刻工藝144a蝕刻導(dǎo)電層136的被阻擋結(jié)構(gòu)142a覆蓋的部分。在一些實(shí)施例中，第二蝕刻工藝144a是濕蝕刻工藝。如前所述，導(dǎo)電層134和導(dǎo)電層136由不同的材料制成。然而，由于導(dǎo)電層134和導(dǎo)電層136由諸如金屬的材料制成，因此它們?cè)诟晌g刻工藝中具有差的蝕刻選擇性。因此，根據(jù)一些實(shí)施例，實(shí)施濕蝕刻工藝以去除導(dǎo)電層136的未被阻擋結(jié)構(gòu)142a覆蓋的部分，使得在濕蝕刻工藝期間僅蝕刻小量的導(dǎo)電層134。

此外，當(dāng)通過(guò)是濕蝕刻工藝的第二蝕刻工藝144a實(shí)施蝕刻導(dǎo)電層136時(shí)，導(dǎo)電層136具有傾斜的(斜的)頂面。傾斜的頂面可以使得柵電極的填充變得更容易(下面將詳細(xì)地討論)。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1l所示，在實(shí)施第二蝕刻工藝144a之后，去除阻擋結(jié)構(gòu)142a以暴露溝槽130a的下部133a。如圖1l所示，在去除阻擋結(jié)構(gòu)142a之后，溝槽130a具有在截面圖中具有較寬上部131a的漏斗形狀。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1m所示，接下來(lái)，在襯底102上方形成柵電極層146a。更具地地，柵電極層146a形成在導(dǎo)電層134和136上方，以及溝槽130a的上部131a和下部133a均填充有柵電極層146a。如上所述，由于溝槽130a具有較寬上部以及導(dǎo)電層136具有傾斜的頂面，因此對(duì)于柵電極層146a應(yīng)當(dāng)更容易地形成在溝槽130a中。在一些實(shí)施例中，柵電極層146a由諸如鎢、鋁、銅、鈦、鉭或其他適用的材料的導(dǎo)電材料制成。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1n所示，在形成柵電極層146a之后，實(shí)施拋光工藝直到暴露層間介電層128的頂面。在一些實(shí)施例中，拋光工藝是化學(xué)機(jī)械拋光。如圖1n所示，形成柵電極結(jié)構(gòu)148a。根據(jù)一些實(shí)施例，由于柵電極結(jié)構(gòu)148a形成在溝槽130a中，因此柵電極結(jié)構(gòu)148a在其截面圖中也具有漏斗形狀。此外，導(dǎo)電層134、導(dǎo)電層136和柵電極結(jié)構(gòu)148a可以被視為柵極堆疊結(jié)構(gòu)150a。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1o所示，此后可以在柵電極結(jié)構(gòu)148a上實(shí)施回蝕刻工藝。在回蝕刻工藝期間，蝕刻?hào)烹姌O結(jié)構(gòu)148a的上部和導(dǎo)電層134的上部。在實(shí)施回蝕刻工藝之后形成凹槽152。接下來(lái)，根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1p所示，在凹槽152中形成硬掩模結(jié)構(gòu)154。在一些實(shí)施例中，硬掩模結(jié)構(gòu)154形成在柵極堆疊結(jié)構(gòu)150a上方以及由氮化硅制成。

圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的沿著圖1p中示出的線(xiàn)a-a’示出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的截面圖表示。如圖2所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a包括跨越鰭結(jié)構(gòu)110形成的柵極堆疊結(jié)構(gòu)150a以及柵極堆疊結(jié)構(gòu)150a包括導(dǎo)電層134、導(dǎo)電層136和柵電極結(jié)構(gòu)148a。

如上所述，偽柵極結(jié)構(gòu)116(如圖1f中所示)可以具有相對(duì)小的寬度以用于器件尺寸縮小，以及因此柵極堆疊結(jié)構(gòu)150a也可以具有相對(duì)小的寬度。在一些實(shí)施例中，柵極堆疊結(jié)構(gòu)150a具有在從約10nm至約25nm的范圍的寬度。然而，盡管柵極堆疊結(jié)構(gòu)150a的寬度相對(duì)小，但是柵電極結(jié)構(gòu)148a的寬度也可以相對(duì)大，這是由于實(shí)施第二蝕刻工藝144a以去除導(dǎo)電層136的上部使得用于形成柵電極結(jié)構(gòu)148a的空間擴(kuò)大。

如圖2所示，根據(jù)一些實(shí)施例，柵電極結(jié)構(gòu)148a在截面圖中具有漏斗形狀。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，柵電極結(jié)構(gòu)148a包括第一部分156a、第二部分158a和第三部分160a。第一部分156a位于第二部分158a上方，以及第二部分158a位于第三部分160a上方。在一些實(shí)施例中，第二部分158a在其截面圖中具有錐形形狀。

如圖2所示，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電層136形成在第二部分158a和第三部分160a周?chē)遣恍纬稍跂烹姌O結(jié)構(gòu)148a的第一部分156a的側(cè)壁上方。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電層134位于導(dǎo)電層136周?chē)约霸诘谝徊糠?56a的側(cè)壁上方延伸。

如上所述，實(shí)施第二蝕刻工藝144a，使得柵電極結(jié)構(gòu)148a具有較寬的上部(例如，第一部分156a)。如圖2所示，根據(jù)一些實(shí)施例，柵電極結(jié)構(gòu)148a的頂面的寬度(例如，第一部分156a的頂面的寬度)大于柵電極結(jié)構(gòu)148a的底面的寬度(例如，第三部分160a的底面的寬度或第二部分158a的底面的寬度)。在一些實(shí)施例中，第一部分156a的頂面的寬度大于第二部分158a的底面的寬度。

在一些實(shí)施例中，柵電極結(jié)構(gòu)148a的頂面的寬度在從約5nm至約300nm的范圍。在一些實(shí)施例中，柵電極結(jié)構(gòu)148a的底面的寬度在從約1埃至約300nm的范圍。如上所述，去除導(dǎo)電層136的上部使得用于形成柵電極結(jié)構(gòu)148a的空間擴(kuò)大并且具有較大的上部。因此，形成在較大的上部中的柵電極結(jié)構(gòu)148a也且具有較大的上部(如，第一部分156a)，以及可以相應(yīng)地減小柵極堆疊件150a的電阻。

此外，由于實(shí)施第二蝕刻工藝144a，由此導(dǎo)電層136具有傾斜的頂面，該頂面也被視為柵電極結(jié)構(gòu)148a的第二部分158a的側(cè)壁。如圖2所示，第一部分156a的側(cè)壁具有第一傾斜度，第二部分158a的側(cè)壁具有第二傾斜度，以及第三部分160a的側(cè)壁具有第三傾斜度。根據(jù)一些實(shí)施例，第一傾斜度、第二傾斜度和第三傾斜度彼此不同。

在一些實(shí)施例中，第一部分156a的側(cè)壁和第二部分158a的側(cè)壁之間的角度在從約90°至約175°的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，第二部分158a的側(cè)壁和第三部分160a的側(cè)壁之間的角度在從約95°至約175°的范圍內(nèi)。柵電極結(jié)構(gòu)148a形成為具有這樣的形狀，使得柵電極層146a的填充可以更加地容易以及可以降低在沉積工藝期間形成間隙的風(fēng)險(xiǎn)。

在一些實(shí)施例中，第一部分156a具有在從約0nm至約100nm的范圍的厚度t1。在一些實(shí)施例中，第一部分156a具有在從約2nm至約100nm的范圍的厚度t1。在一些實(shí)施例中，第二部分158a具有在從約2nm至約50nm的范圍的厚度t2。在一些實(shí)施例中，第三部分160a具有在從約2nm至約50nm的范圍的厚度t3。通過(guò)實(shí)施第二蝕刻工藝144a，也可以擴(kuò)大柵電極結(jié)構(gòu)148a的尺寸，以及可以減小柵極堆疊件150a的電阻。

圖3a至圖3b是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b的截面圖表示。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b類(lèi)似于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a，除了形成額外的導(dǎo)電層之外。用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b的材料和工藝可以類(lèi)似于，或相同于，以上描述的用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a的那些材料和工藝，并且在此不再重復(fù)。

更具體地，可以實(shí)施圖1a至圖1h示出的工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，在溝槽130b中形成導(dǎo)電層134和136，以及在導(dǎo)電層136上方形成額外的導(dǎo)電層236。接下來(lái)，可以在溝槽130b的下部133b處形成阻擋結(jié)構(gòu)142b，以及可以實(shí)施第二蝕刻工藝144b。在一些實(shí)施例中，第二蝕刻工藝144b是濕蝕刻工藝。在第二蝕刻工藝144b期間，蝕刻導(dǎo)電層236和導(dǎo)電層134以擴(kuò)大用于沉積隨后形成的柵電極結(jié)構(gòu)的空間。此后，可以實(shí)施圖1l至圖1p所示的工藝以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b。

如圖3b所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b包括在襯底(例如，襯底102)上方跨越鰭結(jié)構(gòu)110形成的柵極堆疊結(jié)構(gòu)150b以及柵極堆疊結(jié)構(gòu)150b包括導(dǎo)電層134、導(dǎo)電層136、導(dǎo)電層236和柵電極結(jié)構(gòu)148b。柵電極結(jié)構(gòu)148b包括第一部分156b、第二部分158b和第三部分160b。此外，在柵電極結(jié)構(gòu)148b上方形成硬掩模層154。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層236包括tixny、w、tixaly、tixalyn、taxaly、taxalynz、tixsiynz、taxsiynz、taxny、hfxoy、tixtaynz。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電層134、導(dǎo)電層136和導(dǎo)電層236由不同的材料制成。

由于對(duì)導(dǎo)電層136和導(dǎo)電層236實(shí)施第二蝕刻工藝144b，因此，導(dǎo)電層136和導(dǎo)電層236可以具有傾斜的頂面，傾斜的頂面有助于在傾斜的頂面上沉積柵電極層。此外，通過(guò)實(shí)施第二蝕刻工藝144b，擴(kuò)大用于形成柵電極結(jié)構(gòu)148b的空間，以及因此擴(kuò)大柵電極結(jié)構(gòu)148b。通過(guò)形成具有較大柵電極結(jié)構(gòu)148b的柵極堆疊結(jié)構(gòu)150b，可以減小柵極堆疊結(jié)構(gòu)150b的電阻，以及可以改進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b的性能。

圖4a至圖4b是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c的截面圖表示。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c類(lèi)似于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a，除了在第二蝕刻工藝期間形成額外的導(dǎo)電層之外。用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c的材料和工藝可以類(lèi)似于，或相同于，以上描述的用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a的那些材料和工藝，并且在此不再重復(fù)。

更具體地，可以實(shí)施圖1a至圖1j示出的工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，在溝槽130c的下部中在導(dǎo)電層134’和導(dǎo)電層136上方形成阻擋結(jié)構(gòu)142c之后，實(shí)施第二時(shí)刻工藝144c。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層134’由tixny、w、tixaly、tixalyn、taxaly、taxalynz、tixsiynz、taxsiynz、taxny、hfxoy、tixtaynz制成。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電層134’和導(dǎo)電層136由不同的材料制成。在第二蝕刻工藝144c期間，蝕刻導(dǎo)電層134’和導(dǎo)電層136。此后，可以實(shí)施圖1l至圖1p所示的工藝。

如圖4b所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c包括在襯底上方跨越鰭結(jié)構(gòu)110形成的柵極堆疊結(jié)構(gòu)150c，以及柵極堆疊結(jié)構(gòu)150c包括導(dǎo)電層134’、導(dǎo)電層136和柵電極結(jié)構(gòu)148c。柵電極結(jié)構(gòu)148c包括第一部分156c、第二部分158c和第三部分160c。此外，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)150c上方形成硬掩模層154。

由于對(duì)導(dǎo)電層134’和導(dǎo)電層136實(shí)施第二蝕刻工藝144c，因此，導(dǎo)電層134’和導(dǎo)電層136可以具有傾斜的頂面。傾斜的頂面有助于在傾斜的頂面上沉積柵電極層。此外，通過(guò)實(shí)施第二蝕刻工藝144c，擴(kuò)大用于形成柵電極結(jié)構(gòu)148c的空間，以及因此擴(kuò)大在此空間中形成的柵電極結(jié)構(gòu)148c。通過(guò)形成具有較大柵電極結(jié)構(gòu)148c的柵極堆疊結(jié)構(gòu)150c，可以減小柵極堆疊結(jié)構(gòu)150c的電阻，以及可以改進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c的性能。

圖5a至圖5b是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d的截面圖表示。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d類(lèi)似于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a，除了僅形成一個(gè)導(dǎo)電層之外。用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d的材料和工藝可以類(lèi)似于，或相同于，以上描述的用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a的那些材料和工藝，并且在此不再重復(fù)。

更具體地，可以實(shí)施圖1a至圖1h示出的工藝。然而，根據(jù)一些實(shí)施例，在溝槽130d中僅形成一個(gè)導(dǎo)電層136’。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層136’由tixny、w、tixaly、tixalyn、taxaly、taxalynz、tixsiynz、taxsiynz、taxny、hfxoy、tixtaynz制成。在形成導(dǎo)電層136’之后，在溝槽130d的下部中形成阻擋結(jié)構(gòu)142d，以及實(shí)施第二蝕刻工藝144d以蝕刻導(dǎo)電層136’的上部。在實(shí)施第二蝕刻工藝144d之后，可以實(shí)施圖1l至圖1p所示的工藝。

如圖5b所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d包括在襯底上方跨越鰭結(jié)構(gòu)110形成的柵極堆疊結(jié)構(gòu)150d，以及柵極堆疊結(jié)構(gòu)150d包括導(dǎo)電層136’和柵電極結(jié)構(gòu)148d。此外，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)150d上方形成硬掩模層154。

類(lèi)似地，導(dǎo)電層136’也具有傾斜的頂面以及擴(kuò)大的柵電極結(jié)構(gòu)148d，并且因此可以減小柵極堆疊結(jié)構(gòu)150d的電阻，以及可以改進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d的性能。

圖6a至圖6d是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e的各個(gè)階段的截面圖表示。用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e的材料和工藝可以類(lèi)似于，或相同于，以上描述的用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a的那些材料和工藝，并且在此不再重復(fù)。

可以形成類(lèi)似于如圖4a所示的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，以及用于形成該結(jié)構(gòu)的方法可以類(lèi)似于，或相同于以上描述的那些。更具體地，在襯底上方跨越鰭結(jié)構(gòu)110形成偽柵極結(jié)構(gòu)，以及在偽柵極結(jié)構(gòu)周?chē)纬砷g隔件122、接觸蝕刻停止層126和層間介電層128。接下來(lái)，去除偽柵極結(jié)構(gòu)以在間隔件122之間形成溝槽130e，在溝槽130e的底部和側(cè)壁上方形成導(dǎo)電層634和導(dǎo)電層636。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層634和導(dǎo)電層636各自由tixny、w、tixaly、tixalyn、taxaly、taxalynz、tixsiynz、taxsiynz、taxny、hfxoy、tixtaynz制成。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層634和導(dǎo)電層636由不同的材料制成。

此后，在溝槽130e的下部中形成阻擋結(jié)構(gòu)142e，以及實(shí)施第二蝕刻工藝144e以蝕刻導(dǎo)電層634和導(dǎo)電層636。如圖6a所示，根據(jù)一些實(shí)施例，在實(shí)施第二蝕刻工藝144e之后，導(dǎo)電層634和導(dǎo)電層636具有傾斜的頂面。

如圖6b所示，根據(jù)一些實(shí)施例，接下來(lái)，去除阻擋結(jié)構(gòu)142e，以及現(xiàn)溝槽130e包括上部130e和下部133e。如圖6b所示，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電層636圍繞溝槽130e的下部133e。此后，如圖6c所示，在溝槽130e中形成另一導(dǎo)電層638。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層638由tixny、w、tixaly、tixalyn、taxaly、taxalynz、tixsiynz、taxsiynz、taxny、hfxoy、tixtaynz制成。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層634、636和638由不同的材料制成。

更具體地，導(dǎo)電層638覆蓋溝槽130e的側(cè)壁的上部、導(dǎo)電層634和導(dǎo)電層636的傾斜的頂面。在一些實(shí)施例中，溝槽130e的下部133e完全填充有導(dǎo)電層638。也就是，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電層638具有被導(dǎo)電層636圍繞的延伸部分。

在形成導(dǎo)電層638之后，可以實(shí)施類(lèi)似于圖1m至圖1p的工藝以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e。如圖6d所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e包括在襯底上方跨越鰭結(jié)構(gòu)110形成的柵極堆疊結(jié)構(gòu)150e，以及柵極堆疊結(jié)構(gòu)150e包括導(dǎo)電層634、導(dǎo)電層636、導(dǎo)電層638和柵電極結(jié)構(gòu)148e。柵電極結(jié)構(gòu)148e包括第一部分156e和第二部分158e。此外，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)150e上方形成硬掩模層154。

在一些實(shí)施例中，第二部分158e具有尖端的底部。在一些實(shí)施例中，第二部分158e在其截面圖中具有三角形形狀。如圖6d所示，導(dǎo)電層638設(shè)置在導(dǎo)電層636和柵電極結(jié)構(gòu)148e之間以及覆蓋第一部分156e和第二部分158e的側(cè)壁。

通過(guò)實(shí)施第二蝕刻工藝144e，去除導(dǎo)電層634和導(dǎo)電層636的上部。因此，在形成導(dǎo)電層638之后，溝槽130e的上部131e仍然具有足夠的空間以用于形成柵電極結(jié)構(gòu)148e，盡管溝槽130e的下部133e填充有導(dǎo)電層638。因此，盡管柵極堆疊結(jié)構(gòu)150e的寬度相對(duì)窄，但是在溝槽的下部133e中仍可以形成許多導(dǎo)電層，以及仍然存在用于將要形成的柵電極結(jié)構(gòu)148e的足夠的空間。

應(yīng)當(dāng)注意，盡管圖中所示的以及先前描述的一些結(jié)構(gòu)分為若干部分，但是繪制和描述它們以用于更好地理解本發(fā)明的概念。然而，在它們之間可以存在真實(shí)的邊界或界面。此外，在各個(gè)實(shí)施例中，柵極堆疊結(jié)構(gòu)可以包括一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層，以及不旨在限制本發(fā)明的范圍。

如上所述，根據(jù)一些實(shí)施例，柵極堆疊結(jié)構(gòu)(如，柵極堆疊結(jié)構(gòu)150a至150e)包括導(dǎo)電層(如，導(dǎo)電層134、136、236、134’、136’、634、636和638)和形成在導(dǎo)電層上方的柵電極結(jié)構(gòu)(如，柵電極結(jié)構(gòu)148a至148e)。此外，在形成柵電極結(jié)構(gòu)之前，實(shí)施蝕刻工藝(如，第二蝕刻工藝144a至144e),使得擴(kuò)大用于形成柵電極結(jié)構(gòu)的空間。因此，柵極堆疊結(jié)構(gòu)具有較大的諸如由鎢形成的柵電極結(jié)構(gòu)，以及因此可以減小柵極堆疊結(jié)構(gòu)的電阻。

此外，根據(jù)一些實(shí)施例，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)上方形成硬掩模層(如，硬掩模154)。由于實(shí)施蝕刻工藝以擴(kuò)大柵極堆疊結(jié)構(gòu)的上部的空間，因此也存在用于形成硬掩模層的足夠的空間。因此，也可以降低由于薄硬掩模導(dǎo)致的形成短路的風(fēng)險(xiǎn)。此外，盡管形成硬掩模層，但是剩余的柵電極結(jié)構(gòu)仍具有足夠的尺寸，以及可以改進(jìn)柵極堆疊結(jié)構(gòu)的性能。

此外，在一些實(shí)施例中，蝕刻工藝是濕蝕刻工藝。當(dāng)形成若干導(dǎo)電層時(shí)，濕蝕刻工藝對(duì)每個(gè)導(dǎo)電層可以具有更好的選擇性。此外，在蝕刻工藝之后，導(dǎo)電層可以具有傾斜的頂面，該傾斜的頂面幫助在傾斜的頂面上形成柵電極層(如，柵電極層146a)。此外，通過(guò)實(shí)施濕蝕刻工藝，也可以降低由于蝕刻導(dǎo)致的短路的風(fēng)險(xiǎn)。

提供了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)施例。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括柵極堆疊結(jié)構(gòu)。柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括柵電極結(jié)構(gòu)和形成在柵電極結(jié)構(gòu)下面的導(dǎo)電層。柵電極結(jié)構(gòu)包括寬上部和窄下部，使得可以減小柵極堆疊結(jié)構(gòu)的電阻。因此，可以改進(jìn)柵極堆疊結(jié)構(gòu)的性能。

在一些實(shí)施例中，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括形成在襯底上方的柵極堆疊結(jié)構(gòu)。柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括具有第一部分和第二部分的柵電極結(jié)構(gòu)以及位于柵電極結(jié)構(gòu)下面的第一導(dǎo)電層。此外，柵電極結(jié)構(gòu)的第一部分位于柵電極結(jié)構(gòu)的第二部分上方，以及柵電極結(jié)構(gòu)的第一部分的頂面的寬度大于柵電極結(jié)構(gòu)的第二部分的底面的寬度。

在一些實(shí)施例中，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括形成在襯底上方的鰭結(jié)構(gòu)以及跨越鰭結(jié)構(gòu)形成的柵極堆疊結(jié)構(gòu)。柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括具有第一部分、位于第一部分下面的第二部分和位于第二部分下面的第三部分的柵電極結(jié)構(gòu)以及具有形成在柵電極結(jié)構(gòu)的第二部分和第三部分周?chē)牡谝粚?dǎo)電層。此外，柵電極層的第一部分的頂面的寬度大于柵電極層的第三部分的底面的寬度。

在一些實(shí)施例中，提供了一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括在襯底上方形成溝槽以及在溝槽的側(cè)壁和底部上形成第一導(dǎo)電層。用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法還包括在第一導(dǎo)電層上方形成硬掩模層，以及通過(guò)實(shí)施第一蝕刻工藝蝕刻硬掩模層以在溝槽的下部中形成阻擋結(jié)構(gòu)。用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法還包括通過(guò)實(shí)施第二蝕刻工藝蝕刻第一導(dǎo)電層的未被阻擋結(jié)構(gòu)覆蓋的部分以及去除阻擋層。用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法還包括通過(guò)柵電極層填充溝槽。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：柵極堆疊結(jié)構(gòu)，形成在襯底上方，其中，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括：柵電極結(jié)構(gòu)，具有第一部分和第二部分；和第一導(dǎo)電層，位于所述柵電極結(jié)構(gòu)下面，其中，所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分位于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分上方，以及所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的頂面的寬度大于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分的底面的寬度。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，在所述柵電極結(jié)構(gòu)的截面圖中，所述柵電極結(jié)構(gòu)具有漏斗形狀。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述第一導(dǎo)電層形成在所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分的側(cè)壁上方但是不形成在所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的側(cè)壁上方。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)還包括：第二導(dǎo)電層，形成在所述第一導(dǎo)電層周?chē)⑶以谒鰱烹姌O結(jié)構(gòu)的所述第一部分的側(cè)壁上方延伸。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)還包括：第三導(dǎo)電層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層和所述柵電極結(jié)構(gòu)之間以及覆蓋所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的側(cè)壁。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述柵電極結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分的下面的第三部分，以及所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第三部分被所述第一導(dǎo)電層圍繞。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第三部分的底面的寬度小于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的頂面的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，還提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：鰭結(jié)構(gòu)，形成在襯底上方；以及柵極堆疊結(jié)構(gòu)，形成為跨越所述鰭結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括：柵電極結(jié)構(gòu)，具有第一部分、位于所述第一部分下面的第二部分和位于所述第二部分下面的第三部分；以及第一導(dǎo)電層，位于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分和所述第三部分周?chē)渲?，所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的頂面的寬度大于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第三部分的底面的寬度。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的側(cè)壁未被所述第一導(dǎo)電層覆蓋。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述第一導(dǎo)電層具有傾斜的頂面。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的側(cè)壁具有第一傾斜度，以及所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分的側(cè)壁具有不同于所述第一傾斜度的第二傾斜度。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)還包括：第二導(dǎo)電層，位于所述第一導(dǎo)電層周?chē)⑶腋采w所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的側(cè)壁，其中，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層由不同的材料制成。

在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，在所述柵電極結(jié)構(gòu)的截面圖中，所述柵電極結(jié)構(gòu)具有漏斗形狀。

根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例，還提供了一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：在襯底上方形成溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁和底部上形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層上方形成硬掩模層；通過(guò)實(shí)施第一蝕刻工藝蝕刻所述硬掩模層以在所述溝槽的下部中形成阻擋結(jié)構(gòu)；通過(guò)實(shí)施第二蝕刻工藝蝕刻所述第一導(dǎo)電層的未被所述阻擋結(jié)構(gòu)覆蓋的部分；去除所述阻擋結(jié)構(gòu)；以及通過(guò)柵電極層填充所述溝槽。

在上述用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中，所述第二蝕刻工藝是濕蝕刻工藝。

在上述用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中，所述第一蝕刻工藝是干蝕刻工藝。

在上述用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中，還包括：

在形成所述第一導(dǎo)電層之前，形成第二導(dǎo)電層，

其中，在所述第二蝕刻工藝期間，未蝕刻所述第二導(dǎo)電層。

在上述用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中，還包括：在去除所述阻擋結(jié)構(gòu)之后，在所述第一導(dǎo)電層上方形成第三導(dǎo)電層，其中，在所述第三導(dǎo)電層上方形成所述柵電極結(jié)構(gòu)。

在上述用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中，所述柵電極結(jié)構(gòu)具有第一部分和位于所述第一部分下面的第二部分，以及所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第一部分的頂面的寬度大于所述柵電極結(jié)構(gòu)的所述第二部分的底面的寬度。

在上述用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中，在層間介電層中形成所述溝槽包括：在所述襯底上方形成鰭結(jié)構(gòu)；跨越所述鰭結(jié)構(gòu)形成偽柵極結(jié)構(gòu)；在所述偽柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成間隔件；以及去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)以形成所述溝槽。

上面概述了若干實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與在此所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。