本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，tft-lcd)的發(fā)展趨勢勢必為超窄邊框、超低成本。為了實(shí)現(xiàn)這樣的目的，已經(jīng)有越來越多的面板廠引入了goa(gatedriveronarray，陣列基板行驅(qū)動)技術(shù)，即直接將閘極驅(qū)動電路制作在陣列基板上。

但隨著窄邊框和高分辨率面板的發(fā)展，goa區(qū)電路設(shè)計(jì)占用顯示區(qū)兩側(cè)的面積越來越多，導(dǎo)致框膠可占用的面積不斷縮減，最終不可避免的占到goa區(qū)電路上。而goa區(qū)電路由于信號的傳遞，會設(shè)計(jì)大量的過孔，對于面板下側(cè)陣列基板而言，每一處過孔均有ito處在最上層，用于連接不同層上的信號線，成盒后就會與框膠直接接觸。而目前市面上的框膠材料，應(yīng)用于面板后，在經(jīng)過高溫高濕的測試階段，均會因吸水性或粘著性問題，導(dǎo)致框膠下goa電路區(qū)的ito出現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象，最終造成面板出現(xiàn)顯示異常等失效模式，影響面板的生產(chǎn)良率和使用性能。

故，有必要提供一種陣列基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法，可以避免陣列基板上的goa電路區(qū)的ito出現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象，提高面板的生產(chǎn)良率和使用性能。

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括goa區(qū)域，所述goa區(qū)域從下至上依次形成第一金屬層、絕緣層、第二金屬層和保護(hù)層；其中，

所述第二金屬層通過過孔與所述第一金屬層連接，所述保護(hù)層覆蓋所述第二金屬層，用于保護(hù)所述goa區(qū)域的電路免受腐蝕。

在本發(fā)明的陣列基板中，所述第一金屬層為柵極金屬層，所述絕緣層為柵極絕緣層，所述第二金屬層為源漏極金屬層，所述保護(hù)層為鈍化層。

在本發(fā)明的陣列基板中，在所述絕緣層和所述第二金屬層之間還形成有源層。

在本發(fā)明的陣列基板中，所述過孔貫穿所述絕緣層。

在本發(fā)明的陣列基板中，所述第二金屬層延伸至所述過孔，并與所述第一金屬層連接。

在本發(fā)明的陣列基板中，所述保護(hù)層的厚度為1-2微米。

依據(jù)本發(fā)明的上述目的，還提供一種陣列基板的制作方法，其包括：

在基板的goa區(qū)域上依次形成第一金屬層、絕緣層；

在所述絕緣層形成過孔，所述過孔的底部為所述第一金屬層；

在所述絕緣層上形成第二金屬層，所述第二金屬層通過所述過孔與所述第一金屬層連接；以及

在所述第二金屬層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述第二金屬層，用于保護(hù)所述goa區(qū)域的電路免受腐蝕。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，在所述絕緣層與所述第二金屬層之間還形成有源層。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述第一金屬層為柵極金屬層，所述絕緣層為柵極絕緣層，所述第二金屬層為源漏極極金屬層，所述保護(hù)層為鈍化層。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述第二金屬層延伸至所述過孔，并與所述第一金屬層連接。

本發(fā)明的陣列基板及其制作方法，第二金屬層通過過孔與第一金屬層直接連接，并在該第二金屬層上形成保護(hù)層，避免了金屬與框膠的直接接觸，從而使得陣列基板上的goa區(qū)域的電路免受腐蝕，提高面板的生產(chǎn)良率和使用性能。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的goa區(qū)域的膜層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參閱圖1，圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板，包括顯示區(qū)域101和非顯示區(qū)域(圖中未標(biāo)示)，該非顯示區(qū)域包括goa區(qū)域102。其中，顯示區(qū)域101上交叉設(shè)置有數(shù)據(jù)線1012和掃描線1011；goa區(qū)域102設(shè)置在顯示區(qū)域101兩側(cè)，該goa區(qū)域101上集成有g(shù)oa電路，該goa電路包括多個(gè)goa單元1021，用于輸出掃描信號，該掃描信號輸出至陣列基板的顯示區(qū)域101，用于驅(qū)動顯示區(qū)域101中像素的開啟或關(guān)閉。

特別地，在制作顯示面板時(shí)，通常會在陣列基板上粘貼框膠，隨著窄邊框和高分辨率面板的發(fā)展，框膠不可避免的會粘貼在

goa區(qū)域102上，本發(fā)明通過改變陣列基板上goa區(qū)域102的膜層結(jié)構(gòu)，從而避免了框膠與用于傳遞信號的金屬線的直接接觸，使得陣列基板上的goa區(qū)域的電路免受腐蝕，提高面板的生產(chǎn)良率和使用性能。

下面對陣列基板的goa區(qū)域的膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的描述。參閱圖2，圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的goa區(qū)域的膜層結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板，在goa區(qū)域上，從下至上依次形成第一金屬層201、絕緣層202、第二金屬層203和保護(hù)層204；其中，該第二金屬層203通過過孔205(圖中虛線框標(biāo)示的區(qū)域即是過孔所在的區(qū)域)與該第一金屬層201連接，該保護(hù)層204覆蓋第二金屬層203，用于保護(hù)該goa區(qū)域的電路免受腐蝕。

進(jìn)一步的，在該絕緣層202和該第二金屬層203之間還形成有源層206，該過孔205貫穿絕緣層202。

具體而言，該第一金屬層201形成在一基板200上，該基板200可以是玻璃基板，其中，該玻璃基板材質(zhì)均勻，具有高透明度和低反射率，并且有好的熱穩(wěn)定性，從而能在多次高溫工藝之后保持性質(zhì)穩(wěn)定。本優(yōu)選實(shí)施例不對基板200進(jìn)行限制，在制作陣列基板時(shí)，工藝人員可以根據(jù)具體需要選擇基板200。

其中，第一金屬層201可以是多層金屬形成的金屬化合物導(dǎo)電層。該第一金屬層201通常通過氣相沉積技術(shù)形成，然后經(jīng)過蝕刻工藝等形成各種信號線。

絕緣層202覆蓋在第一金屬層201之上，該絕緣層202可以為一層，其可由氧化物、氮化物或者氮氧化合物形成。當(dāng)然，為了進(jìn)一步提高膜層的質(zhì)量，絕緣層202還可以是兩層。

有源層206形成在絕緣層202之上，為非晶硅層或多晶硅層。

第二金屬層203形成在有源層206之上，該第二金屬層203通常通過氣相沉積技術(shù)形成，然后經(jīng)過蝕刻工藝等形成各種信號線。需要說明的是，在陣列基板的goa區(qū)域上，為了減小電阻，常常需要將用于傳遞同一信號的信號線設(shè)置在不同膜層上，故需要通過過孔將用于傳遞同一信號的信號線連接起來。

具體地，第二金屬層203延伸至該過孔205，并與第一金屬層201連接，從而將用于傳遞同一信號且位于不同膜層上信號線連接起來。

該保護(hù)層204形成在第二金屬層203之上。需要說明的是，該保護(hù)層204形成后將直接與框膠接觸，由于保護(hù)層204在陣列基板中不參與任何信號的傳遞，可以保護(hù)陣列基板的goa區(qū)域上的電路免受腐蝕。進(jìn)一步的，該保護(hù)層204的厚度為1-2微米。

本優(yōu)選實(shí)施例中的陣列基板，該第一金屬層201為柵極金屬層，該絕緣層202為柵極絕緣層，該第二金屬層203為源漏極金屬層，該保護(hù)層204為鈍化層。

本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板，第二金屬層通過過孔與第一金屬層直接連接，并在該第二金屬層上形成保護(hù)層，避免了金屬與框膠的直接接觸，從而使得陣列基板上的goa區(qū)域的電路免受腐蝕，提高面板的生產(chǎn)良率和使用性能。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，參閱圖3，圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖。如圖3所示，該方法包括以下步驟：

步驟s301，在基板的goa區(qū)域上依次形成第一金屬層、絕緣層；

步驟s302，在所述絕緣層中形成過孔，所述過孔的底部為所述第一金屬層；

步驟s303，在所述絕緣層上形成第二金屬層，所述第二金屬層通過所述過孔與所述第一金屬層連接；以及，

步驟s304，在所述第二金屬層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述第二金屬層，用于保護(hù)所述goa區(qū)域的電路免受腐蝕。

進(jìn)一步的，在該絕緣層與該第二金屬層之間還形成有源層。

具體而言，該第一金屬層形成在一基板上，該基板可以是玻璃基板，其中，該玻璃基板材質(zhì)均勻，具有高透明度和低反射率，并且有好的熱穩(wěn)定性，從而能在多次高溫工藝之后保持性質(zhì)穩(wěn)定。本優(yōu)選實(shí)施例不對基板進(jìn)行限制，在制作陣列基板時(shí)，工藝人員可以根據(jù)具體需要選擇基板。

其中，第一金屬層可以是多層金屬形成的金屬化合物導(dǎo)電層。該第一金屬層通常通過氣相沉積技術(shù)形成，然后經(jīng)過蝕刻工藝等形成各種信號線。

絕緣層覆蓋在第一金屬層之上，該絕緣層可以為一層，其可由氧化物、氮化物或者氮氧化合物形成。當(dāng)然，為了進(jìn)一步提高膜層的質(zhì)量，絕緣層還可以是兩層。

有源層形成在絕緣層之上，為非晶硅層或多晶硅層。

第二金屬層形成在有源層之上，該第二金屬層通常通過氣相沉積技術(shù)形成，然后經(jīng)過蝕刻工藝等形成各種信號線。需要說明的是，在陣列基板的goa區(qū)域上，為了減小電阻，常常需要將用于傳遞同一信號的信號線設(shè)置在不同膜層上，故需要通過過孔將用于傳遞同一信號的信號線連接起來。

具體地，第二金屬層延伸至該過孔，并與第一金屬層連接，從而將用于傳遞同一信號且位于不同膜層上信號線連接起來。

該保護(hù)層形成在第二金屬層之上。需要說明的是，該保護(hù)層形成后將直接與框膠接觸，由于保護(hù)層在陣列基板中不參與任何信號的傳遞，可以保護(hù)陣列基板的goa區(qū)域上的電路免受腐蝕。進(jìn)一步的，該保護(hù)層的厚度為1-2微米。

本優(yōu)選實(shí)施例中的陣列基板的制作方法，該第一金屬層為柵極金屬層，該絕緣層為柵極絕緣層，該第二金屬層為源漏極金屬層，該保護(hù)層為鈍化層。

本發(fā)明的陣列基板及其制作方法，第二金屬層通過過孔與第一金屬層直接連接，并在該第二金屬層上形成保護(hù)層，避免了金屬與框膠的直接接觸，從而使得陣列基板上的goa區(qū)域的電路免受腐蝕，提高面板的生產(chǎn)良率和使用性能。

綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。