本實(shí)用新型涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種抗振動(dòng)的耐高溫二極管。

背景技術(shù)：

二極管的分類有很多種，其中一種是為了交流電的整流而使用的二極管，該類二極管也適用于機(jī)動(dòng)車中的整流器。目前用于汽車的整流二極管，通過(guò)與汽車發(fā)動(dòng)機(jī)連接起到整流作用?，F(xiàn)有技術(shù)中的該類二極管的管芯均采用二次焊接的方式，這種二次焊接制作二極管的方法中又具體分為兩種工藝制作。第一種為全環(huán)氧樹(shù)脂實(shí)體封裝方式，雖然環(huán)氧樹(shù)脂與芯片及管座的熱膨脹系數(shù)較匹配，在工作中具有一定的抑制熱應(yīng)力能力，但由于該種結(jié)構(gòu)二極管管殼較薄，在壓入極板的過(guò)程中壓入應(yīng)力極易傳遞至芯片，導(dǎo)致芯片受損，產(chǎn)品失效，因此采用全環(huán)氧封裝的二極管抗機(jī)械應(yīng)力能力較差，在二極管壓入過(guò)程中易失效。第二種為全硅橡膠實(shí)體封裝方式，其采用硅橡膠封裝，雖然壓入時(shí)能釋放一定的機(jī)械應(yīng)力；但由于硅橡膠與芯片及管座的熱膨脹系數(shù)不匹配，導(dǎo)致長(zhǎng)期工作時(shí)的抑制熱應(yīng)力能力較弱，因此其壽命水平較低。同時(shí)，由于二極管焊接到電路板上時(shí)，需要將引線彎折，這樣就極易引起引線內(nèi)部出現(xiàn)斷裂、松動(dòng)，使得產(chǎn)品失去電連接性能而成為廢品。而即使采用了墩頭結(jié)構(gòu)，也由于墩頭厚度不夠造成墩頭抗應(yīng)力能力不足，導(dǎo)致應(yīng)力傳導(dǎo)到引線與芯片的直接接觸面，造成芯片拉傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種抗振動(dòng)的耐高溫二極管，采用半環(huán)氧樹(shù)脂半硅橡膠封裝制作，使得該二極管同時(shí)具有良好的耐高溫、抗振動(dòng)、及抗引線彎曲能力；且其壓入時(shí)應(yīng)力釋放能力較好，使用時(shí)具有較高的抑制應(yīng)力能力，可以有效避免二極管壓入及使用過(guò)程中失效，延長(zhǎng)其使用壽命；同時(shí)，在引腳增加了墩頭，增大了引腳的抗應(yīng)力能力，避免應(yīng)力直接傳導(dǎo)到引線與芯片的直接接觸面，防止二極管內(nèi)部芯片拉傷和引線出現(xiàn)斷裂、松動(dòng)。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：一種抗振動(dòng)的耐高溫二極管，包括第一底座、第二底座和二極管本體，所述第一底座的上表面設(shè)有和第二底座相匹配的第一凹槽，所述第二底座的底部設(shè)有DAF膜，所述第二底座通過(guò)DAF膜固定在第一凹槽內(nèi)，所述第二底座的上表面設(shè)有和二極管本體相匹配的第二凹槽，所述二極管本體的底部設(shè)有DAF膜，所述二極管本體通過(guò)DAF膜固定在第二凹槽內(nèi)，所述第二凹槽填充有環(huán)氧樹(shù)脂層，所述環(huán)氧樹(shù)脂層覆蓋二極管本體，所述第一凹槽填充有硅橡膠層，所述硅橡膠層覆蓋第二底座，所述二極管本體的上表面左右兩側(cè)分別設(shè)有引腳，所述引腳的尾部向外依次穿過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂層和硅橡膠層延伸至第一底座的外部。

作為優(yōu)選方式，所述二極管底座包括芯片、金屬觸點(diǎn)和引線，所述芯片的上表面設(shè)有DAF膜，所述引腳通過(guò)DAF膜固定在芯片的上表面，所述芯片的左右兩側(cè)分別設(shè)有金屬觸點(diǎn)，所述芯片的左側(cè)的金屬觸點(diǎn)通過(guò)引線和左側(cè)引腳電性連接，所述芯片的右側(cè)金屬觸點(diǎn)通過(guò)引線和右側(cè)引腳電性連接。

作為優(yōu)選方式，所述芯片的外表面設(shè)有鈍化材料層，所述鈍化材料層采用聚酰亞胺及添加物材料制成。更具體的，該添加物為一種稀釋劑，其包括有羧基有機(jī)物。

作為優(yōu)選方式，所述引腳包括置于第二凹槽內(nèi)部的第一墩頭和第二墩頭，所述第一墩頭與芯片接觸。

作為優(yōu)選方式，所述第一墩頭設(shè)為錐形凸頭狀，所述第二墩頭的厚度設(shè)置為0.15mm-1mm。

作為優(yōu)選方式，所述DAF膜設(shè)為耐高溫絕緣膜。

作為優(yōu)選方式，所述DAF膜的厚度設(shè)為不大于25μm。

本實(shí)用新型的有益效果是：

1、采用半環(huán)氧樹(shù)脂半硅橡膠封裝制作，使得該二極管同時(shí)具有良好的耐高溫、抗振動(dòng)、及抗引線彎曲能力；且其壓入時(shí)應(yīng)力釋放能力較好，使用時(shí)具有較高的抑制應(yīng)力能力，可以有效避免二極管壓入及使用過(guò)程中失效，延長(zhǎng)其使用壽命。

2、芯片的引腳增加墩頭，焊接中由于墩頭的存在和尺寸的加厚，增大了引腳的抗應(yīng)力能力，能夠防止應(yīng)力直接傳導(dǎo)到引線與芯片的直接接觸面，防止二極管內(nèi)部芯片拉傷和引線出現(xiàn)斷裂、松動(dòng)；

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型二極管本體的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實(shí)用新型二極管本體的芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：

第一底座-1 第二底座-2 二極管本體-3

DAF膜-4 第二凹槽-5 第一凹槽-6

環(huán)氧樹(shù)脂層-7 硅橡膠層-8 芯片-31

引腳-32 金屬觸點(diǎn)-33 引線-34

第一墩頭-35 第二墩頭-36 鈍化材料層-37

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行說(shuō)明。

參照?qǐng)D1、圖2和圖3所示，一種抗振動(dòng)的耐高溫二極管，包括第一底座1、第二底座2和二極管本體3，所述第一底座1的上表面設(shè)有和第二底座2相匹配的第一凹槽6，所述第二底座2的底部設(shè)有DAF膜4，所述第二底座2通過(guò)DAF膜4固定在第一凹槽6內(nèi)，所述第二底座2的上表面設(shè)有和二極管本體3相匹配的第二凹槽5，所述二極管本體3的底部設(shè)有DAF膜4，所述二極管本體3通過(guò)DAF膜4固定在第二凹槽5內(nèi)，所述第二凹槽5填充有環(huán)氧樹(shù)脂層7，所述環(huán)氧樹(shù)脂層7覆蓋二極管本體3，所述第一凹槽6填充有硅橡膠層8，所述硅橡膠層8覆蓋第二底座2，所述二極管本體3的上表面左右兩側(cè)分別設(shè)有引腳32，所述引腳32的尾部向外依次穿過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂層7和硅橡膠層8延伸至第一底座1的外部。采用半環(huán)氧樹(shù)脂層7、半硅橡膠層8封裝制作二極管，環(huán)氧樹(shù)脂與芯片31及第一底座1、第二底座2的熱膨脹系數(shù)較匹配,使二極管在工作中具有一定的抑制熱應(yīng)力能力,硅橡膠層8能在二極管壓入時(shí)釋放一定的機(jī)械應(yīng)力的優(yōu)點(diǎn)，使得該二極管同時(shí)具有良好的耐高溫、抗振動(dòng)、及抗引線彎曲能力，以及增強(qiáng)二極管壓入時(shí)應(yīng)力釋放的能力，使得二極管在使用時(shí)具有較高的抑制應(yīng)力能力，可以有效避免二極管壓入及使用過(guò)程中失效，延長(zhǎng)其使用壽命

所述二極管本體3包括芯片31、金屬觸點(diǎn)33和引線34，所述芯片31的上表面設(shè)有DAF膜4，所述引腳32通過(guò)DAF膜4固定在芯片31的上表面，所述芯片31的左右兩側(cè)分別設(shè)有金屬觸點(diǎn)33，所述芯片31的左側(cè)的金屬觸點(diǎn)33通過(guò)引線34和左側(cè)引腳32電性連接，所述芯片31的右側(cè)金屬觸點(diǎn)33通過(guò)引線34和右側(cè)引腳32電性連接。

所述芯片31的外表面設(shè)有鈍化材料層37。

所述引腳32包括置于第二凹槽5內(nèi)部的第一墩頭35和第二墩頭36，所述第一墩頭35與芯片31接觸。在引腳32增加了第一墩頭35和第二墩頭36，增大了引腳32的抗應(yīng)力能力，避免應(yīng)力直接傳導(dǎo)到引線34與芯片31的直接接觸面，防止二極管內(nèi)部芯片31拉傷和引線34出現(xiàn)斷裂、松動(dòng)。

所述第一墩頭35設(shè)為錐形凸頭狀，所述第二墩頭36的厚度設(shè)置為0.15mm-1mm。通過(guò)設(shè)定第一墩頭35的形狀和第二墩頭36的尺寸，增強(qiáng)引腳32的穩(wěn)定性。

所述DAF膜4設(shè)為耐高溫絕緣膜，保證了二極管的耐高溫性。

所述DAF膜4的厚度設(shè)為不大于25μm，降低整體封裝厚度。

上述實(shí)施例僅是顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。