1.一種適用于制作發(fā)光二極管的石墨基座，其特征在于，所述石墨基座呈圓盤狀，所述石墨基座上設(shè)有若干凹槽，所述凹槽的側(cè)壁上設(shè)有用于將所述發(fā)光二極管懸空放置在所述凹槽內(nèi)的若干凸塊，所述凸塊包括沿所述凹槽的延伸方向依次設(shè)置的第一臺階、第二臺階和第三臺階，所有所述第一臺階所圍區(qū)域的面積大于所有所述第二臺階所圍區(qū)域的面積，所有所述第二臺階所圍區(qū)域的面積大于所述發(fā)光二極管的尺寸，所有所述第三臺階所圍區(qū)域的面積小于所述發(fā)光二極管的尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨基座，其特征在于，所有所述第一臺階所圍區(qū)域的面積沿所述凹槽的延伸方向逐漸減小，所有所述第二臺階所圍區(qū)域的面積沿所述凹槽的延伸方向逐漸增大，所有所述第三臺階所圍區(qū)域的面積保持不變。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座，其特征在于，所述第一臺階的寬度沿所述凹槽的延伸方向逐漸減小，所述第二臺階的寬度沿所述凹槽的延伸方向逐漸減小，所述第三臺階的寬度保持不變。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨基座，其特征在于，所述第一臺階的平均寬度大于所述第二臺階的平均寬度，所述第二臺階的平均寬度大于所述第三臺階的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座，其特征在于，所述第一臺階垂直于寬度方向的長度與所述第二臺階垂直于寬度方向的長度的比值為1:1～1：100。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的石墨基座，其特征在于，所述第二臺階垂直于寬度方向的長度為所述第一臺階垂直于寬度方向的長度的6～10倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座，其特征在于，所述第一臺階的高度為所述第二臺階的高度的50～55倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座，其特征在于，所述凹槽的橫截面為圓形，同一個所述凹槽內(nèi)設(shè)置的所有所述凸塊均勻分布在所述圓形的邊緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的石墨基座，其特征在于，所有所述凹槽的圓心連成與所述圓盤的圓心同心的內(nèi)圓環(huán)和外圓環(huán)，所述外圓環(huán)的直徑大于所述內(nèi)圓環(huán)的直徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的石墨基座，其特征在于，分布在所述外圓環(huán)上的所述凹槽的數(shù)量大于分布在所述內(nèi)圓環(huán)上的所述凹槽的數(shù)量。