本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種適用于制作發(fā)光二極管的石墨基座。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體發(fā)光二極管(英文：Light Emitting Diodes，簡(jiǎn)稱LED)具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，尤其是利用大功率LED可能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體固態(tài)照明，有望成為新一代光源進(jìn)入千家萬(wàn)戶，引起人類照明史的革命。

LED在制作過(guò)程中通常放置在石墨基座上。石墨基座是采用高純石墨作基材，上面鍍有一層SiC涂層的圓盤。圓盤上設(shè)有多個(gè)凹槽，多個(gè)LED分別懸空放置在不同的凹槽內(nèi)。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題：

制作LED時(shí)，石墨基座會(huì)不斷轉(zhuǎn)動(dòng)，加熱絲提供的熱能通過(guò)石墨基座傳導(dǎo)到凹槽內(nèi)的LED。在離心力的作用下，LED的側(cè)面會(huì)緊貼凹槽內(nèi)靠近石墨基座的邊緣的側(cè)壁，LED與石墨基座接觸的側(cè)面溫度明顯高于其它側(cè)面溫度，影響LED的均勻性和邊緣良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種適用于制作發(fā)光二極管的石墨基座。所述技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種適用于制作發(fā)光二極管的石墨基座，所述石墨基座呈圓盤狀，所述石墨基座上設(shè)有若干凹槽，所述凹槽的側(cè)壁上設(shè)有用于將所述發(fā)光二極管懸空放置在所述凹槽內(nèi)的若干凸塊，所述凸塊包括沿所述凹槽的延伸方向依次設(shè)置的第一臺(tái)階、第二臺(tái)階和第三臺(tái)階，所有所述第一臺(tái)階所圍區(qū)域的面積大于所有所述第二臺(tái)階所圍區(qū)域的面積，所有所述第二臺(tái)階所圍區(qū)域的面積大于所述發(fā)光二極管的尺寸，所有所述第三臺(tái)階所圍區(qū)域的面積小于所述發(fā)光二極管的尺寸。

可選地，所有所述第一臺(tái)階所圍區(qū)域的面積沿所述凹槽的延伸方向逐漸減小，所有所述第二臺(tái)階所圍區(qū)域的面積沿所述凹槽的延伸方向逐漸增大，所有所述第三臺(tái)階所圍區(qū)域的面積保持不變。

可選地，所述第一臺(tái)階的寬度沿所述凹槽的延伸方向逐漸減小，所述第二臺(tái)階的寬度沿所述凹槽的延伸方向逐漸減小，所述第三臺(tái)階的寬度保持不變。

優(yōu)選地，所述第一臺(tái)階的平均寬度大于所述第二臺(tái)階的平均寬度，所述第二臺(tái)階的平均寬度大于所述第三臺(tái)階的寬度。

可選地，所述第一臺(tái)階垂直于寬度方向的長(zhǎng)度與所述第二臺(tái)階垂直于寬度方向的長(zhǎng)度的比值為1:1～1：100。

優(yōu)選地，所述第二臺(tái)階垂直于寬度方向的長(zhǎng)度為所述第一臺(tái)階垂直于寬度方向的長(zhǎng)度的6～10倍。

可選地，所述第一臺(tái)階的高度為所述第二臺(tái)階的高度的50～55倍。

可選地，所述凹槽的橫截面為圓形，同一個(gè)所述凹槽內(nèi)設(shè)置的所有所述凸塊均勻分布在所述圓形的邊緣。

優(yōu)選地，所有所述凹槽的圓心連成與所述圓盤的圓心同心的內(nèi)圓環(huán)和外圓環(huán)，所述外圓環(huán)的直徑大于所述內(nèi)圓環(huán)的直徑。

更優(yōu)選地，分布在所述外圓環(huán)上的所述凹槽的數(shù)量大于分布在所述內(nèi)圓環(huán)上的所述凹槽的數(shù)量。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是：

通過(guò)沿凹槽的延伸方向依次設(shè)置第一臺(tái)階、第二臺(tái)階和第三臺(tái)階，所有第一臺(tái)階所圍區(qū)域的面積大于所有第二臺(tái)階所圍區(qū)域的面積，所有第二臺(tái)階所圍區(qū)域的面積大于發(fā)光二極管的尺寸，所有第三臺(tái)階所圍區(qū)域的面積小于發(fā)光二極管的尺寸，發(fā)光二極管擱置在第三臺(tái)階上，第一臺(tái)階和第二臺(tái)階同時(shí)將發(fā)光二極管限制在凹槽內(nèi)，同時(shí)由于所有第一臺(tái)階所圍區(qū)域的面積大于所有第二臺(tái)階所圍區(qū)域的面積，發(fā)光二極管在離心力的作用下只與第二臺(tái)階緊貼，減小了發(fā)光二極管與石墨基座接觸的側(cè)面面積，有效避免溫度不均勻，提高了發(fā)光二極管的均勻性和邊緣良率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的石墨基座的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的圖2中凸塊A-A方向的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的圖2中凸塊B向的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的圖4中凸塊C處的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實(shí)施例

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種適用于制作發(fā)光二極管的石墨基座，參見(jiàn)圖1和圖2，石墨基座10呈圓盤狀，石墨基座10上設(shè)有若干凹槽20，凹槽20的側(cè)壁上設(shè)有用于將發(fā)光二極管懸空放置在凹槽20內(nèi)的若干凸塊30，參見(jiàn)圖3和圖4，凸塊30包括沿凹槽的延伸方向依次設(shè)置的第一臺(tái)階31、第二臺(tái)階32和第三臺(tái)階33，所有第一臺(tái)階31所圍區(qū)域41的面積大于所有第二臺(tái)階32所圍區(qū)域42的面積，所有第二臺(tái)階32所圍區(qū)域42的面積大于發(fā)光二極管的尺寸，所有第三臺(tái)階33所圍區(qū)域43的面積小于發(fā)光二極管的尺寸。

可選地，參見(jiàn)圖3，所有第一臺(tái)階31所圍區(qū)域41的面積可以沿凹槽20的延伸方向逐漸減小，所有第二臺(tái)階32所圍區(qū)域42的面積可以沿凹槽20的延伸方向逐漸增大，所有第三臺(tái)階33所圍區(qū)域43的面積可以保持不變。

具體地，所有第一臺(tái)階31所圍區(qū)域41的最大面積可以為直徑100.85mm～101.15mm的圓形，所有第二臺(tái)階32所圍區(qū)域42的最大面積可以為直徑100.55～100.85mm的圓形，所有第三臺(tái)階33所圍區(qū)域43的面積可以為直徑98.55～98.85mm的圓形。

可選地，參見(jiàn)圖4和圖5，第一臺(tái)階31的寬度可以沿凹槽20的延伸方向逐漸減小，第二臺(tái)階32的寬度可以沿凹槽20的延伸方向逐漸減小，第三臺(tái)階33的寬度可以保持不變。

優(yōu)選地，參見(jiàn)圖4和圖5，第一臺(tái)階31的平均寬度可以大于第二臺(tái)階32的平均寬度，第二臺(tái)階32的平均寬度可以大于第三臺(tái)階33的寬度。

具體地，第一臺(tái)階31的側(cè)邊可以為直徑3.18mm的圓環(huán)邊緣，第二臺(tái)階32的側(cè)邊可以為直徑3mm的圓環(huán)邊緣，第三臺(tái)階33的寬度可以為5mm。

可選地，第一臺(tái)階31垂直于寬度方向的長(zhǎng)度與第二臺(tái)階32垂直于寬度方向的長(zhǎng)度的比值可以為1:1～1：100。

優(yōu)選地，第二臺(tái)階32垂直于寬度方向的長(zhǎng)度可以為第一臺(tái)階31垂直于寬度方向的長(zhǎng)度的6～10倍。

可選地，第一臺(tái)階31的高度可以為第二臺(tái)階32的高度的50～55倍。

具體地，第一臺(tái)階31的高度可以為0.03mm，第二臺(tái)階32的高度可以為0.68～0.76mm。

可選地，凹槽20的橫截面可以為圓形，同一個(gè)凹槽20內(nèi)設(shè)置的所有凸塊30可以均勻分布在圓形的邊緣。

優(yōu)選地，參見(jiàn)圖1，所有凹槽20的圓心可以連成與圓盤的圓心同心的內(nèi)圓環(huán)51和外圓環(huán)52，外圓環(huán)52的直徑大于內(nèi)圓環(huán)51的直徑。

更優(yōu)選地，分布在外圓環(huán)52上的凹槽20的數(shù)量可以大于分布在內(nèi)圓環(huán)51上的凹槽20的數(shù)量。

具體地，參見(jiàn)圖1，分布在外圓環(huán)52上的凹槽20的數(shù)量可以為10個(gè)，分布在內(nèi)圓環(huán)51上的凹槽20的數(shù)量可以為4個(gè)。

進(jìn)一步地，參見(jiàn)圖1，分布在外圓環(huán)52上的凹槽20可以均勻分布在外圓環(huán)52上，分布在內(nèi)圓環(huán)51上的凹槽20可以均勻分布在內(nèi)圓環(huán)51上。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)沿凹槽的延伸方向依次設(shè)置第一臺(tái)階、第二臺(tái)階和第三臺(tái)階，所有第一臺(tái)階所圍區(qū)域的面積大于所有第二臺(tái)階所圍區(qū)域的面積，所有第二臺(tái)階所圍區(qū)域的面積大于發(fā)光二極管的尺寸，所有第三臺(tái)階所圍區(qū)域的面積小于發(fā)光二極管的尺寸，發(fā)光二極管擱置在第三臺(tái)階上，第一臺(tái)階和第二臺(tái)階同時(shí)將發(fā)光二極管限制在凹槽內(nèi)，同時(shí)由于所有第一臺(tái)階所圍區(qū)域的面積大于所有第二臺(tái)階所圍區(qū)域的面積，發(fā)光二極管在離心力的作用下只與第二臺(tái)階緊貼，減小了發(fā)光二極管與石墨基座接觸的側(cè)面面積，有效避免溫度不均勻，提高了發(fā)光二極管的均勻性和邊緣良率。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。