本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種藥液槽承載晶圓的底座及提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法。

背景技術(shù)：

在濕法刻蝕工藝中，槽式濕法工藝仍然占據(jù)了很大的比例，隨著半導(dǎo)體器件尺寸的減小，對工藝的要求也越來越高，槽式濕法刻蝕機本身固有的某些缺陷也將被放大，刻蝕速率作為衡量濕法刻蝕的重要指標(biāo)之一，需要更加嚴格的控制。如圖1所示，在傳統(tǒng)槽式濕法刻蝕工藝中，藥液槽的設(shè)計決定了晶圓2在藥液槽底部位置的刻蝕速率往往較低，其原因是藥液槽底部存在承載晶圓的底座1，底座1僅設(shè)置了流通液體的主通道4，泵3將藥液通道管路輸送到藥液槽，該位置的藥液濃度及晶圓2表面藥液流速與其他位置有明顯不同，從而導(dǎo)致了刻蝕速率的差異，影響了整片晶圓2的刻蝕均勻性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種藥液槽承載晶圓的底座，以提高槽式濕法刻蝕工藝的均勻性。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種藥液槽承載晶圓的底座，在承載晶圓的底座正對應(yīng)晶圓的底部的中心位置設(shè)置有流通藥液的主通道，在承載晶圓的底座正對應(yīng)晶圓的底部的兩側(cè)位置均勻?qū)ΨQ分布設(shè)置有流通藥液的側(cè)通道，所述的主通道和兩側(cè)的所述的側(cè)通道平衡了流通晶圓的底部的藥液的流速分布，以使流通晶圓的底部的藥液濃度均勻化，從而提高濕法刻蝕的均勻性。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明又提供一種藥液槽承載晶圓的底座，在承載晶圓的底座正對應(yīng)晶圓的底部的兩側(cè)位置均勻?qū)ΨQ分布設(shè)置有流通藥液的側(cè)通道，兩側(cè)的所述的側(cè)通道平衡了流通晶圓的底部的藥液的流速分布，以使流通晶圓的底部的藥液濃度均勻化，從而提高濕法刻蝕的均勻性。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，上述的藥液槽承載晶圓的底座，通過主通道和兩側(cè)的側(cè)通道或者單獨通過兩側(cè)的側(cè)通道平衡了藥液槽承載晶圓的底座的藥液的流速分布，以使流通晶圓的底部的藥液濃度均勻化，以提高槽式濕法刻蝕的均勻性。

進一步的，本發(fā)明提供的提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，包括以下步驟，首先，找出藥液槽承載晶圓的底座的局部微循環(huán)流量與藥液槽的整體微循環(huán)流量的關(guān)系；其次，實時反饋藥液槽承載晶圓的底座的局部微循環(huán)流量與藥液槽的整體微循環(huán)流量的狀況；再次，補償藥液槽承載晶圓的底座的局部微循環(huán)流量，從而實現(xiàn)藥液槽承載晶圓的底座的局部微循環(huán)流量與藥液槽的整體微循環(huán)流量的動態(tài)平衡，以提高槽式濕法刻蝕的均勻性。

進一步的，本發(fā)明提供的提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，實時反饋藥液槽的整體微循環(huán)流量的狀況通過軟件程序進行。

進一步的，本發(fā)明提供的提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，補償藥液槽承載晶圓的底座的局部微循環(huán)流量為通過流量閥自動調(diào)節(jié)。

進一步的，本發(fā)明提供的提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，補償藥液槽承載晶圓的底座的局部微循環(huán)流量為通過流量閥手動調(diào)節(jié)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過對傳統(tǒng)槽式濕法工藝設(shè)備承載晶圓底座的改進，通過主通道和兩側(cè)的側(cè)通道或者單獨通過兩側(cè)的側(cè)通道平衡了藥液槽承載晶圓的底座的藥液的流速分布，以使流通晶圓的底部的藥液濃度均勻化，以提高槽式濕法刻蝕的均勻性，克服了晶圓在藥液槽底部位置的刻蝕速率過低的問題。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)技術(shù)的用于藥液槽的承載晶圓的底座的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明提供的藥液槽的承載晶圓的底座的結(jié)構(gòu)示意圖。

現(xiàn)有技術(shù)圖示：1、底座，2、晶圓，3、泵，4、主通道。

本發(fā)明圖示：10、底座，11、主通道，12、側(cè)通道，20、晶圓，30、泵。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作詳細描述：

實施例一

請參考圖2，本實施例一提供一種藥液槽承載晶圓的底座，在承載晶圓的底座10正對應(yīng)晶圓20的底部的中心位置設(shè)置有流通藥液的主通道11，承載晶圓的底座10正對應(yīng)晶圓20的底部的兩側(cè)位置均勻?qū)ΨQ分布設(shè)置有流通藥液的側(cè)通道12，所述的主通道11和兩側(cè)的所述的側(cè)通道12平衡了流通晶圓20的底部的藥液的流速分布，以使流通晶圓20的底部的藥液濃度均勻化，從而提高濕法刻蝕的均勻性。如圖2中左側(cè)區(qū)域或右側(cè)區(qū)域的主通道11和位于主通道11兩側(cè)的對稱分布的側(cè)通道12。其中，本實施例的晶圓20為硅片。本實施例一中，還包括泵30，其通過管路將化學(xué)藥液輸送到藥液槽及承載晶圓的底座20內(nèi)，并通過主通道11和兩側(cè)的側(cè)通道12輸送到晶圓20的底部，從而提高了濕法刻蝕的均勻性。

實施例二

本實施例二提供一種藥液槽承載晶圓的底座，在承載晶圓的底座10正對應(yīng)晶圓20的底部的兩側(cè)位置對稱于垂直中心位置均勻分布設(shè)置有流通藥液的側(cè)通道12，兩側(cè)的所述的側(cè)通道12平衡了流通晶圓20的底部的藥液的流速分布，以使流通晶圓20的底部的藥液濃度均勻化，從而提高濕法刻蝕的均勻性。本實施例二為實施例一的簡化版，去掉了實施例一中的主通道11，主要依靠兩側(cè)的側(cè)通道12平衡了流通晶圓20的底部的藥液的流速分布，以使流通晶圓20的底部的藥液濃度均勻化，從而提高濕法刻蝕的均勻性。如圖2中中間區(qū)域?qū)ΨQ分布的側(cè)通道12。

實施例三

本實施例三提供一種提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，采用實施例一或二所述的藥液槽承載晶圓的底座10，通過主通道11和兩側(cè)的側(cè)通道12或者單獨通過兩側(cè)的側(cè)通道12平衡了藥液槽承載晶圓的底座10的藥液的流速分布，以使流通晶圓20的底部的藥液濃度均勻化，以提高槽式濕法刻蝕的均勻性。

較為較佳的實施方式，本實施例三提供的提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，包括以下步驟，首先，找出藥液槽承載晶圓的底座10的局部微循環(huán)流量與藥液槽的整體微循環(huán)流量的關(guān)系；其次，實時反饋藥液槽承載晶圓的底座10的局部微循環(huán)流量與藥液槽的整體微循環(huán)流量的狀況；再次，補償藥液槽承載晶圓的底座10的局部微循環(huán)流量，從而實現(xiàn)藥液槽承載晶圓的底座10的局部微循環(huán)流量與藥液槽的整體微循環(huán)流量的動態(tài)平衡，以提高槽式濕法刻蝕的均勻性。

較為較佳的實施方式，本實施例三提供的提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，實時反饋藥液槽的整體微循環(huán)流量的狀況通過軟件程序進行。其具有控制方便、節(jié)省人工成本，準(zhǔn)確率高等優(yōu)點。

較為較佳的實施方式，本實施例三提供的提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，補償藥液槽承載晶圓的底座10的局部微循環(huán)流量為通過流量閥自動調(diào)節(jié)。通過流量閥自動調(diào)節(jié)，具有控制準(zhǔn)確，監(jiān)測方便，實時調(diào)節(jié)的優(yōu)點。

較為較佳的實施方式，本實施例三提供的提高槽式濕法刻蝕均勻性的方法，補償藥液槽承載晶圓的底座10的局部微循環(huán)流量為通過流量閥手動調(diào)節(jié)。流量閥手動調(diào)節(jié)，具有人為可控性，避免機器誤判。實際操作時，可與流量閥自動調(diào)節(jié)進行配合使用。

本發(fā)明通過對傳統(tǒng)槽式濕法工藝設(shè)備承載晶圓底座的改進，通過主通道和兩側(cè)的側(cè)通道或者單獨通過兩側(cè)的側(cè)通道平衡了藥液槽承載晶圓的底座的藥液的流速分布，以使流通晶圓的底部的藥液濃度均勻化，以提高槽式濕法刻蝕的均勻性，克服了晶圓在藥液槽底部位置的刻蝕速率過低的問題。