本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法、噴嘴清洗裝置。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域中，濕法單片清洗機由于其高質(zhì)量的缺陷去除效果，正逐步取代傳統(tǒng)的槽式濕法清洗機。濕法單片清洗機一般采用的都是噴嘴噴灑的工藝，硅片進(jìn)入工藝腔體后噴嘴開始噴灑化學(xué)藥液，沒有硅片作業(yè)的時候噴嘴在原點位置等候，這個工作特點導(dǎo)致了單片清洗機噴灑藥液時起始位置缺陷較高的問題。由于機臺內(nèi)部的氛圍，噴嘴及其周邊殘存的藥液會逐漸凝固甚至出現(xiàn)結(jié)晶，這就形成了污染硅片的污染源。當(dāng)機臺從作業(yè)時，污染源就被轉(zhuǎn)移到硅片上去，特別在化學(xué)藥液開始噴的一瞬間，由于噴嘴受到化學(xué)藥液的突然沖擊，產(chǎn)生的震動使該問題更為明顯。為改善這一情況，請參考圖1，目前的通常做法是當(dāng)噴嘴1在原點位置等候的時候定時噴灑化學(xué)藥液，提前把噴嘴上的結(jié)晶清除掉，則噴嘴1的污染物3落在了等候區(qū)的范圍內(nèi)，然后對硅片2進(jìn)行噴灑作業(yè)。請參考圖2a-2c，另一種做法是在噴嘴1處理硅片之前預(yù)先噴一定量的化學(xué)藥液，避免結(jié)晶掉在硅片表面，此時噴嘴1的污染物3落在了等候區(qū)的范圍內(nèi)，如圖2a所示；然后對硅片2進(jìn)行清洗作業(yè)，如圖2b所示；最后將噴嘴1從硅片2的位置移出，如圖2c所示。這兩種方法在一定程度上解決了噴嘴上污染源的問題，但對于同為污染源的噴嘴周邊效果不顯著，對于噴嘴周邊殘存藥液形成的污染源問題，目前的手法一般就只有停機人為清掃，頻繁的停機清掃造成了機臺使用率的低下。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，以解決半導(dǎo)體制造技術(shù)中濕法單片清洗機的噴嘴處的污染源以及噴嘴周邊的污染源和殘留藥液形成的污染源，克服了噴嘴的噴灑起始位置的工藝缺陷。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，包括以下步驟：通過在濕法單片清洗機上加裝一個裝有清洗液的噴嘴清洗裝置，將噴嘴放入噴嘴清洗裝置的清洗液中清洗，以去除堆積在濕法單片清洗機的噴嘴處的污染源、以及噴嘴殘留藥液形成的污染源，避開了在未進(jìn)行晶片清洗作業(yè)時噴嘴的定時定量噴灑或預(yù)先噴灑化學(xué)藥液時對周邊環(huán)境的污染，以克服噴嘴的噴灑起始位置的工藝缺陷。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，對噴嘴的清洗采用在噴嘴清洗裝置的清洗液中進(jìn)行定時清洗的方式。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，所述噴嘴清洗裝置包括自帶的清洗槽，清洗槽內(nèi)儲存有清洗液，將噴嘴清洗裝置與濕法單片清洗機建立通訊連接，判斷濕法單片清洗機是否存在晶片；當(dāng)濕法單片清洗機內(nèi)沒有晶片時，將噴嘴放入噴嘴清洗裝置內(nèi)按照設(shè)定程序?qū)娮爝M(jìn)行清洗；當(dāng)濕法單片清洗機內(nèi)有晶片需要進(jìn)行清洗時，先將清洗后的噴嘴進(jìn)行干燥，然后再將干燥后的噴嘴投入濕法單片清洗機中對晶片進(jìn)行清洗作業(yè)。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，還包括噴嘴在進(jìn)入噴嘴清洗裝置之前采用密封套管封住濕法單片清洗機的化學(xué)藥液進(jìn)出口的步驟。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，還包括定時更換噴嘴清洗裝置內(nèi)的清洗液的步驟。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，通過在濕法單片清洗機上加裝的噴嘴清洗裝置，對噴嘴進(jìn)行清洗，以去除堆積在濕法單片清洗機的噴嘴處的污染源、噴嘴周邊的污染源以及噴嘴殘留藥液形成的污染源，克服了噴嘴的噴灑起始位置的工藝缺陷，從而提高了噴嘴工藝在濕法單片清洗機的清洗工藝的產(chǎn)品質(zhì)量。與現(xiàn)有的噴嘴工藝相比，本發(fā)明避免了將噴嘴在等候區(qū)定時預(yù)先噴灑一定量的化學(xué)藥液的步驟，避免了噴嘴在噴灑過程中掉落的污染物對周邊環(huán)境的造成的污染；本發(fā)明節(jié)省了噴嘴定時定量或預(yù)先噴灑的步驟，節(jié)省了化學(xué)藥液的使用量，避免了浪費。本發(fā)明對噴嘴進(jìn)行清洗之后，去除了噴嘴處的污染源以及殘留藥液形成的污染源。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種噴嘴清洗裝置，包括裝有清洗液的清洗槽，所述清洗槽可將噴嘴插入其內(nèi)的清洗液中對噴嘴進(jìn)行清洗，以去除堆積在濕法單片清洗機的噴嘴處的污染源、以及噴嘴殘留藥液形成的污染源，避開了在未進(jìn)行晶片清洗作業(yè)時噴嘴的定時定量噴灑或預(yù)先噴灑化學(xué)藥液時對周邊環(huán)境的污染。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的噴嘴清洗裝置，所述噴嘴清洗裝置與濕法單片清洗機電路連接，當(dāng)濕法單片清洗機內(nèi)沒有晶片時，噴嘴進(jìn)入噴嘴清洗裝置內(nèi)按照設(shè)定程序?qū)娮爝M(jìn)行清洗。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的噴嘴清洗裝置，還包括對清洗后的噴嘴進(jìn)行干燥的干燥室。

本發(fā)明提供的噴嘴清洗裝置，將噴嘴插入其內(nèi)的清洗液中對噴嘴進(jìn)行清洗，以去除堆積在濕法單片清洗機的噴嘴處的污染源、噴嘴周邊的污染源以及噴嘴殘留藥液形成的污染源，從而克服了噴嘴的噴灑起始位置的工藝缺陷，提高了噴嘴工藝在濕法單片清洗機的清洗工藝的產(chǎn)品質(zhì)量。與現(xiàn)有的噴嘴工藝相比，本發(fā)明避免了將噴嘴在等候區(qū)定時預(yù)先噴灑一定量的化學(xué)藥液的步驟，避免了噴嘴在噴灑過程中掉落的污染物對周邊環(huán)境的造成的污染；本發(fā)明節(jié)省了噴嘴定時定量或預(yù)先噴灑的步驟，節(jié)省了化學(xué)藥液的使用量，避免了浪費。本發(fā)明對噴嘴進(jìn)行清洗之后，去除了噴嘴處的污染源以及殘留藥液形成的污染源。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種噴嘴污染物處理方法的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a-2c是現(xiàn)有技術(shù)的另一種噴嘴污染物處理方法的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a-3c是本發(fā)明一實施例的噴嘴清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的噴嘴清洗裝置與濕法單片清洗機的電路連接的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作詳細(xì)描述：

實施例一

本實施例一提供一種改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，包括以下步驟：通過在濕法單片清洗機上加裝一個裝有清洗液的噴嘴清洗裝置，將噴嘴放入噴嘴清洗裝置的清洗液中清洗，以去除堆積在濕法單片清洗機的噴嘴處的污染源、以及噴嘴殘留藥液形成的污染源，避開了在未進(jìn)行晶片清洗作業(yè)時噴嘴的定時定量噴灑或預(yù)先噴灑化學(xué)藥液時對周邊環(huán)境的污染，以克服噴嘴的噴灑起始位置的工藝缺陷。本實施例一中，晶片一般為硅片，但不限于硅片。

與現(xiàn)有的噴嘴工藝相比，本發(fā)明避免了將噴嘴在等候區(qū)定時定量或者預(yù)先噴灑一定量的化學(xué)藥液的步驟，避免了噴嘴在噴灑過程中掉落的污染物對周邊環(huán)境的造成的污染；本發(fā)明節(jié)省了噴嘴定時定量或預(yù)先噴灑的步驟，節(jié)省了化學(xué)藥液的使用量，避免了浪費。本發(fā)明對噴嘴進(jìn)行清洗之后，去除了噴嘴處的污染源以及殘留藥液形成的污染源。

作為較佳的實施方式，本實施例一提供的改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，對噴嘴的清洗采用在噴嘴清洗裝置的清洗液中進(jìn)行定時清洗的方式。

請參考圖3a-3c、圖4，本實施例一提供的改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，所述噴嘴清洗裝置包括自帶的清洗槽40，清洗槽40內(nèi)儲存有清洗液41，將噴嘴清洗裝置與濕法單片清洗機建立通訊連接，判斷濕法單片清洗機是否存在晶片20；當(dāng)濕法單片清洗機內(nèi)沒有晶片20時，將噴嘴10放入噴嘴清洗裝置內(nèi)按照設(shè)定程序?qū)娮爝M(jìn)行清洗；當(dāng)濕法單片清洗機內(nèi)有晶片10需要進(jìn)行清洗時，噴嘴清洗裝置先將清洗后的噴嘴10進(jìn)行干燥，然后再將干燥后的噴嘴投入濕法單片清洗機中對晶片20進(jìn)行清洗作業(yè)。

為了保證噴嘴清洗裝置自帶的清洗液41不混進(jìn)噴嘴內(nèi)部造成化學(xué)藥液11的交叉污染，本實施例一提供的改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，還包括噴嘴在進(jìn)入噴嘴清洗裝置之前采用密封套管封住濕法單片清洗機的化學(xué)藥液11進(jìn)出口的步驟。

為保證清洗液自身的干凈，本實施例一提供的改善單片清洗機的噴嘴工藝的方法，還包括定時更換噴嘴清洗裝置內(nèi)的清洗液的步驟。

實施例二

請參考圖3a，本實施例二提供一種噴嘴清洗裝置，包括裝有清洗液41的清洗槽40，所述清洗槽40可將噴嘴10插入其內(nèi)的清洗液41中對噴嘴10進(jìn)行清洗，以去除堆積在濕法單片清洗機的噴嘴10處的污染源、以及噴嘴10殘留藥液形成的污染源，避開了在未進(jìn)行晶片清洗作業(yè)時噴嘴10的定時定量噴灑或預(yù)先噴灑化學(xué)藥液時對周邊環(huán)境的污染。

請參考圖4，本實施例二提供的噴嘴清洗裝置，所述噴嘴清洗裝置與濕法單片清洗機電路連接，當(dāng)濕法單片清洗機內(nèi)沒有晶片時，噴嘴10進(jìn)入噴嘴清洗裝置內(nèi)按照設(shè)定程序?qū)娮?0進(jìn)行清洗。

請參考圖3b，本實施例二提供的噴嘴清洗裝置，還包括對清洗后的噴嘴10進(jìn)行干燥的干燥室50。

請參考圖3c，對噴嘴10清洗或者干燥后，將噴嘴10對準(zhǔn)晶片20，將化學(xué)藥液11噴灑在晶片20上，對晶片20進(jìn)行濕法清洗作業(yè)。

本實施例二提供的噴嘴清洗裝置，將噴嘴10插入其內(nèi)的清洗液41中對噴嘴10進(jìn)行清洗，以去除堆積在濕法單片清洗機的噴嘴10處的污染源以及噴嘴10殘留藥液形成的污染源，避開了在未進(jìn)行晶片清洗作業(yè)時噴嘴10的定時定量噴灑或預(yù)先噴灑化學(xué)藥液41時對周邊環(huán)境的污染，克服了噴嘴10的噴灑起始位置的工藝缺陷，提高了噴嘴工藝在濕法單片清洗機的清洗工藝的產(chǎn)品質(zhì)量。

本發(fā)明不限于上述具體實施方式，凡在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)所作出的各種變化，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。