技術特征：

1.一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，依次包括襯底、第一電極、第一發(fā)光單元、中間連接層、第二發(fā)光單元和第二電極。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述中間連接層含有擴散阻隔層，所述中間連接層的結構為N型摻雜層/擴散阻隔層/電子接收層。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述N型摻雜層由低功函數(shù)金屬或低功函數(shù)金屬的化合物摻雜在有機電子傳輸材料中形成，N型摻雜層的厚度為1-200 nm；低功函數(shù)金屬摻雜比例為0.1~50wt%，低功函數(shù)金屬的化合物摻雜比例為1~200wt%；所述低功函數(shù)金屬包括Li、K、Rb、Cs和Mg中的一種以上；所述低功函數(shù)金屬的化合物包括8-羥基喹啉鋰、Li₂CO₃、Cs₂CO₃、CsN、KBH₄和K₂CO₃中的一種以上。

4.根據(jù)權利要求2所述的一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述N型摻雜層由低功函數(shù)金屬或低功函數(shù)金屬的化合物摻雜在有機電子傳輸材料中形成；低功函數(shù)金屬摻雜比例為1~10wt%，低功函數(shù)金屬的化合物摻雜比例為10~100wt%；所述低功函數(shù)金屬為Li或Cs。

5.根據(jù)權利要求2所述的一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述擴散阻隔層為有機電子傳輸材料或無機材料；當擴散阻隔層為有機電子傳輸材料時，擴散阻隔層的厚度為0.1-20 nm；當擴散阻隔層為無機材料時，擴散阻隔層的厚度為0.1-10nm；所述無機材料為化學性質穩(wěn)定的功函數(shù)大于4 eV的高功函數(shù)金屬材料，包括Ag或Al。

6.根據(jù)權利要求2所述的一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述擴散阻隔層為有機電子傳輸材料或無機材料；當擴散阻隔層為有機電子傳輸材料時，擴散阻隔層的厚度為2-10 nm；當擴散阻隔層為無機材料時，擴散阻隔層的厚度為0.2-5nm。

7.根據(jù)權利要求3-6任一項所述的一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機電子傳輸材料為電子遷移率＞空穴遷移率的電子傳輸型材料，且作為擴散阻隔層的有機電子傳輸材料與作為N型摻雜層主體材料的有機電子傳輸材料之間的LUMO能級符合以下條件：-0.5 eV≤LUMO_{有機電子傳輸材料} – LUMO _{N型摻雜層主體材料}≤0.5 eV；所述有機電子傳輸材料包括雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹、甲基環(huán)戊烯醇酮、吩基吡啶鈹、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、三(8-羥基喹啉)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-羥基)鋁、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、雙(二對甲苯胺)苯基環(huán)己烷、4,6-雙(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯中的一種以上。

8.根據(jù)權利要求3-6任一項所述的一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機電子傳輸材料為電子遷移率＞空穴遷移率的電子傳輸型材料，且作為擴散阻隔層的有機電子傳輸材料與作為N型摻雜層主體材料的有機電子傳輸材料之間的LUMO能級符合以下條件：LUMO_{電子傳輸型材料} – LUMO _{N型摻雜層主體材料} = 0 eV；所述有機電子傳輸材料為4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹和甲基環(huán)戊烯醇酮中的一種以上。

9.根據(jù)權利要求2所述的一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子接收層即為P型摻雜層，厚度為5-200 nm；所述電子接收層的材料為有機材料或無機材料；所述有機材料為LUMO能級位于-7 eV至-4.5 eV間的有機材料，包括HAT-CN或者F4-TCNQ類TCNQ的有機衍生物；所述無機材料為金屬氧化物型的無機材料，包括MoO₃、WO₃或V₂O₅。

10.根據(jù)權利要求1所述的一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極和第二電極為透明、半透明或不透明電極，包括ITO、IZO、AZO、Ag、Mo、Al或AU，但第一電極和第二電極不能同時為不透明電極；所述第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元均包含有空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，厚度均為0.05-200nm，每個發(fā)光單元至少包含一個有機發(fā)光層；所述疊層有機電致發(fā)光器件的發(fā)光單元的串聯(lián)層數(shù)不限，層數(shù)滿足n≥2。