1.一種后側(cè)照射型固體攝像器件，其包括：
像素晶體管，所述像素晶體管形成于第一層上；
光電二極管，所述光電二極管形成于第二層上，所述第二層與所述第一層在深度方向上分離；以及
傳輸晶體管，所述傳輸晶體管被配置成控制所述光電二極管的電荷傳輸，
其中，所述傳輸晶體管以埋入在所述第一層中的方式而被形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，所述傳輸晶體管的柵極形成于所述第二層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其還包括浮動(dòng)擴(kuò)散部，所述浮動(dòng)擴(kuò)散部被配置成檢測(cè)從所述光電二極管傳輸過(guò)來(lái)的電荷，
其中，所述浮動(dòng)擴(kuò)散部形成于含有所述第二層的一個(gè)位置處。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中
所述浮動(dòng)擴(kuò)散部的一部分被形成得與所述光電二極管的一部分在光的入射方向上具有同一深度，并且
在具有所述同一深度的所述浮動(dòng)擴(kuò)散部的所述一部分與所述光電二極管的所述一部分之間形成有溝道，所述溝道的打開(kāi)或關(guān)閉由所述傳輸晶體管控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，所述浮動(dòng)擴(kuò)散部的整體構(gòu)造是一體化結(jié)構(gòu)，所述浮動(dòng)擴(kuò)散部穿透所述第一層，并且所述浮動(dòng)擴(kuò)散部形成于含有所述第二層的一個(gè)位置處。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，所述浮動(dòng)擴(kuò)散部以在所述第一層和所述第二層各者中分離的方式而被形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，所述浮動(dòng)擴(kuò)散部形成于所述第二層中，并且
通過(guò)以穿透所述第一層的方式進(jìn)行挖掘而形成有與所述浮動(dòng)擴(kuò)散部電連接的接觸部。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，在所述第一層中在與所述像素晶體管的漏極相鄰的位置及與所述像素晶體管的源極相鄰的位置處形成有氧化物膜，且這兩個(gè)位置處的所述氧化物膜把所述像素晶體管夾在中間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，在所述第二層中在與所述第一層的所述氧化物膜對(duì)應(yīng)的位置處形成有作為延續(xù)結(jié)構(gòu)的埋入式氧化物膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，通過(guò)p型外延生長(zhǎng)而在所述第二層上形成有所述光電二極管的前表面釘扎層，并且所述前表面釘扎層被設(shè)置為所述第一層與所述第二層之間的邊界表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，所述前表面釘扎層是通過(guò)原位摻雜外延生長(zhǎng)而被形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，在所述浮動(dòng)擴(kuò)散部與所述傳輸晶體管的柵極之間形成有具有不小于柵極氧化物膜厚度的厚度的氧化物膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，所述浮動(dòng)擴(kuò)散部形成于所述第二層中，并且
通過(guò)以穿透所述第一層的方式進(jìn)行挖掘而形成有與所述浮動(dòng)擴(kuò)散部電連接的金屬布線。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，具有不小于柵極氧化物膜厚度的厚度的所述氧化物膜以圍繞所述傳輸晶體管的柵極的方式而被形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的后側(cè)照射型固體攝像器件，其中，所述傳輸晶體管的柵極的僅僅底部以延伸得跨過(guò)所述浮動(dòng)擴(kuò)散部和所述光電二極管的方式而被形成，所述傳輸晶體管的柵極的其它部位被形成得具有比所述底部的直徑小的直徑。
16.一種后側(cè)照射型固體攝像器件制造方法，所述后側(cè)照射型固體攝像器件包括：
像素晶體管，所述像素晶體管形成于第一層上；
光電二極管，所述光電二極管形成于第二層上，所述第二層與所述第一層在深度方向上分離；以及
傳輸晶體管，所述傳輸晶體管被配置成控制所述光電二極管的電荷傳輸，
其中，所述傳輸晶體管以埋入在所述第一層中的方式而被形成，
所述制造方法包括：
形成所述第一層，然后在所述第一層中形成挖掘部，所述挖掘部使得所述傳輸晶體管的柵極能夠被形成于所述第二層中；以及
以讓所述柵極形成于所述第二層中的方式，在所述挖掘部中形成所述傳輸晶體管。
17.一種電子設(shè)備，其設(shè)置有后側(cè)照射型固體攝像器件，所述后側(cè)照射型固體攝像器件包括：
像素晶體管，所述像素晶體管形成于第一層上；
光電二極管，所述光電二極管形成于第二層上，所述第二層與所述第一層在深度方向上分離；以及
傳輸晶體管，所述傳輸晶體管被配置成控制所述光電二極管的電荷傳輸，
其中，所述傳輸晶體管以埋入在所述第一層中的方式而被形成。