本公開涉及光電轉換膜、固態(tài)圖像傳感器和電子設備。
背景技術：
：近年來，隨著固態(tài)圖像傳感器中的像素的數量增加，固態(tài)圖像傳感器的像素的尺寸已經減小。然而，在廣泛使用的平面型固態(tài)圖像傳感器中，由于光電轉換單元二維地排列作為像素，因此當像素的尺寸減小時，光電轉換單元的面積也減小。因此，在平面型固態(tài)圖像傳感器中，隨著像素數量的增加，開口率和集光效率降低，并且敏感度降低。這里，近年來，已經提出了通過使用由有機材料形成的光電轉換膜層疊光電轉換單元而在光入射方向上分離光的垂直分光型固態(tài)圖像傳感器。例如，專利文獻1披露了一種用于吸收藍色光、綠色光和紅色光的有機光電轉換膜層疊的固態(tài)圖像傳感器。在專利文獻1所披露的固態(tài)圖像傳感器中，各顏色的信號通過在各有機光電轉換膜中對與該顏色對應的光進行光電轉換而被提取。此外，在專利文獻2中，披露了一種用于吸收綠色光的有機光電轉換膜和硅光電二極管層疊的固態(tài)圖像傳感器。在專利文獻2所披露的固態(tài)圖像傳感器中，首先，有機光電轉換膜中的綠色光的信號被提取，然后硅光電二極管中的光穿透深度的差被用于藍色光和紅色光的色離，并且提取藍色光和紅色光的信號。引用文獻列表專利文獻專利文獻1：JP2003-234460A專利文獻2：JP2005-303266A技術實現(xiàn)要素：技術問題這里，為了改善成像特性，有必要使垂直分光型固態(tài)圖像傳感器中的光電轉換單元選擇性地吸收特定波長范圍的光并透過吸收波長范圍以外的光。特別地，有必要使對應于綠色光的光電轉換單元選擇性地吸收綠色光用于光電轉換并且充分地透過短波長側的藍色光和長波長側的紅色光。具體地，能夠選擇性地吸收綠色光的光電轉換膜是必要的。通過使用這樣的光電轉換膜，固態(tài)圖像傳感器可以增大綠色光、藍色光和紅色光的敏感度，并改善成像特性。因此，本公開提供了能夠提高固態(tài)圖像傳感器的成像特性的新穎改進的光電轉換膜、包括該光電轉換膜的固態(tài)圖像傳感器和包括該固態(tài)圖像傳感器的電子設備。解決問題的方案根據本公開，提供了一種光電轉換膜，其包含：由以下通式(1)表示的亞酞菁衍生物，[化學式1]其中，在通式(1)中，X表示選自鹵素、羥基、巰基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一個獨立地表示取代或未取代的環(huán)結構，和R1～R3中的至少一個包括在所述環(huán)結構中的至少一個雜原子。根據本公開，提供了一種固態(tài)圖像傳感器，其包括：光電轉換膜，所述光電轉換膜包含由以上通式(1)表示的亞酞菁衍生物。根據本公開，提供了一種電子設備，其包括：固態(tài)圖像傳感器，所述固態(tài)圖像傳感器包括包含由以上通式(1)表示的亞酞菁衍生物的光電轉換膜；被構造成將入射光引導到所述固態(tài)圖像傳感器的光學系統(tǒng)；和被構造成對從所述固態(tài)圖像傳感器輸出的信號進行運算處理的運算處理電路。根據本公開，光電轉換膜可以選擇性地吸收綠色光并充分地透過藍色光和紅色光。發(fā)明的有益效果根據上述的本公開，可以改善固態(tài)圖像傳感器的成像特性。需要注意的是，上述效果不一定是限制性的。連同或代替這些上述效果，可以實現(xiàn)本說明書中記載的任一種效果或可以從本說明書把握的其他效果。附圖說明圖1示出了分別圖示包括根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器(A)和根據比較例的固態(tài)圖像傳感器(B)的說明圖。圖2是示出了SubPc-Cl的光吸收光譜的圖形。圖3是示出了根據本公開實施方案的示例性光電轉換元件的示意圖。圖4是示出了亞酞菁衍生物的光吸收光譜的圖形。圖5是示出了根據實施例9的光電轉換元件的電流密度相對于偏置電壓的變化的圖形。圖6是示出了根據本公開實施方案的光電轉換元件適用的固態(tài)圖像傳感器的結構的示意圖。圖7是示出了根據本公開實施方案的光電轉換元件適用的固態(tài)圖像傳感器中的單位像素的示意性結構的截面圖。圖8是示出了根據本公開實施方案的光電轉換元件適用的電子設備的構成的框圖。具體實施方式以下，將參照附圖詳細地說明本公開的優(yōu)選實施方案。需要注意的是，在本說明書和附圖中，使用相同的附圖標記表示具有大體相同的功能和結構的構成要素，并且省略對這些構成要素的重復說明。以下，將按照以下順序進行說明。1.本公開的技術背景2.本公開的實施方案2.1.根據本公開實施方案的光電轉換膜2.2.根據本公開實施方案的光電轉換元件2.3.根據本公開實施方案的實施例3.根據本公開實施方案的光電轉換膜的應用例3.1.固態(tài)圖像傳感器的構成3.2.電子設備的構成4.結論<1.本公開的技術背景>將參照圖1和圖2說明本公開的技術背景。圖1(A)是根據本公開實施方案的垂直分光型固態(tài)圖像傳感器的示意圖。圖1(B)是根據比較例的平面型固態(tài)圖像傳感器的示意圖。以下，在本說明書中，當描述“某一波長的光被吸收”時，它指的是該波長的光的約70％以上被吸收。此外，相反地，當描述“某一波長的光透過”或“某一波長的光未被吸收”時，它指的是該波長的光的約70％以上透過且該光的約30％以下被吸收。首先，將參照圖1(A)說明根據本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1。如圖1(A)所示，根據本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1具有如下的構成：被構造成吸收綠色光2G的綠色光電轉換元件3G、被構造成吸收藍色光2B的藍色光電轉換元件3B和被構造成吸收紅色光2R的紅色光電轉換元件3R層疊。例如，綠色光電轉換元件3G是選擇性地吸收波長大于或等于450nm且小于600nm的綠色光的有機光電轉換元件。藍色光電轉換元件3B是選擇性地吸收波長大于或等于400nm且小于450nm的藍色光的有機光電轉換元件。紅色光電轉換元件3R是選擇性地吸收波長大于或等于600nm的紅色光的有機光電轉換元件。在根據本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1中，藍色光電轉換元件3B和紅色光電轉換元件3R可以是利用相對于固態(tài)圖像傳感器1的光的穿透深度的差異而使顏色分離為藍色光2B和紅色光2R的光電二極管。例如，光電二極管可以是吸收例如波長等于或小于1100nm的光的硅光電二極管。具體地，因為紅色光2R具有較長波長且比藍色光2B更不容易散射，所以紅色光2R穿透至遠離入射表面的深度。另一方面，因為藍色光2B具有較短波長且比紅色光2R更容易散射，所以藍色光2B只穿透至接近入射表面的深度。因此，當紅色光電轉換元件3R配置在遠離固態(tài)圖像傳感器1的入射表面的位置時，可以單獨地檢測到紅色光2R與藍色光2B。因此，即使當硅光電二極管被用作藍色光電轉換元件3B和紅色光電轉換元件3R時，也可以利用光的穿透深度的差異而使藍色光2B和紅色光2R分離，并且可以提取各顏色的信號。接下來，將參照圖1(B)說明根據比較例的平面型固態(tài)圖像傳感器。如圖1(B)所示，平面型固態(tài)圖像傳感器5包括光電二極管7R、7G和7B以及形成在光電二極管7R、7G和7B上的濾光片6R、6G和6B。濾光片6R、6G和6B是選擇性地僅使特定波長范圍的光透過的膜。例如，濾光片6R選擇性地使波長大于或等于600nm的紅色光2R透過。濾光片6G選擇性地使波長大于或等于450nm且小于600nm的綠色光2G透過。濾光片6B選擇性地使波長大于或等于400nm且小于450nm的藍色光2B透過。此外，光電二極管7R、7G和7B是被構造成吸收寬波長范圍的光的光電檢測元件。例如，光電二極管7R、7G和7B可以是被構造成吸收波長等于或小于1100nm的光的硅光電二極管。這里，在圖1(B)所示的固態(tài)圖像傳感器5中，由于光電二極管7R、7G和7B吸收寬波長范圍的光，因此難于只使用光電二極管7R、7G和7B進行色分離。因此，在固態(tài)圖像傳感器5中，只有對應于各顏色的光被濾色器6R、6G和6B選擇性地透過，從而進行色分離。由于只有對應于各顏色的紅色光2R、綠色光2G和藍色光2B由于濾光片6R、6G和6B的原因而入射到光電二極管7R、7G和7B上，因此光電二極管7R、7G和7B可以提取各顏色的信號。然而，在圖1(B)所示的固態(tài)圖像傳感器5中，入射到光電二極管7R、7G和7B上的光以外的光都被濾光片6R、6G和6B吸收。具體而言，在光電二極管7R上，只有紅色光2R入射，綠色光2G和藍色光2B被濾光片6R吸收。此外，在光電二極管7G上，只有綠色光2G入射，紅色光2R和藍色光2B被濾光片6G吸收。在光電二極管7B上，只有藍色光2B入射，紅色光2R和綠色光2G被濾光片6B吸收。因此，光電二極管7R、7G和7B可能基本上只使用了1/3的入射光用于光電轉換。因此，在圖1(B)所示的固態(tài)圖像傳感器5中，難于增大各顏色的檢測敏感度。另一方面，在根據本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1中，光電轉換元件可以選擇性地吸收對應于紅色、綠色或藍色的特定波長范圍的光。因此，在根據本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1中，由于不需要使入射在光電轉換元件上的光進行色分離的濾光片，因此全部的入射光可以被用于光電轉換。因此，由于根據本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1可以使用于光電轉換的光增加至根據比較例的固態(tài)圖像傳感器5的大約3倍，所以可以進一步增大各顏色的檢測敏感度。在根據本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1中，光電轉換元件3G、3B和3R需要選擇性地吸收對應于紅色、綠色或藍色的特定波長范圍的光并且使具有吸收波長范圍以外的波長的光透過。特別地，為了增加配置在綠色光電轉換元件3G下方的藍色光電轉換元件3B和紅色光電轉換元件3R的色分離，有必要使綠色光電轉換元件3G充分地吸收綠色光并且充分地透過藍色光和紅色光。具體地，有必要使綠色光電轉換元件3G具有其中在450nm～600nm的波長范圍內表現(xiàn)出陡峭峰的吸收光譜。例如，由以下結構式表示的亞酞菁氯化物(SubPc-Cl)被提出作為在綠色光電轉換元件3G中的綠色光吸收材料。[化學式2]這里，SubPc-Cl的光吸收特性示于圖2。圖2是示出通過可見紫外分光光度計測得的SubPc-Cl的光吸收光譜的圖形。使用通過在石英基板上沉積50nm的SubPc-Cl而獲得的樣品來測量圖2所示的SubPc-Cl的光吸收光譜，并歸一化，使得最大吸收波長處的吸光度為90％。如圖2的結果所示，可以理解的是，SubPc-Cl具有一般在長波長側表現(xiàn)出峰的光吸收特性，并且強烈吸收比綠色光更長波長范圍的光。具體地，可以理解的是，SubPc-Cl在600nm的波長附近具有最大吸收波長，并且強烈吸收波長大于或等于600nm的光。因此，當SubPc-C1被用于形成綠色光電轉換元件3G時，由于綠色光電轉換元件3G也吸收波長對應于紅色光的光，所以紅色光的敏感度可能在下方的紅光電轉換元件3R中降低。因此，有必要提供一種適于其中吸收范圍比SubPc-Cl在更短波長側且長波長范圍的光的吸收降低的綠色光電轉換元件3G的亞酞菁衍生物。鑒于上述情形，本公開的發(fā)明人廣泛地研究了適于綠色光電轉換元件3G的光電轉換膜，并且完成了根據本公開的技術。以下，將說明適于這樣的固態(tài)圖像傳感器中的綠色光電轉換元件3G的光電轉換膜。<2.本公開的實施方案>[2.1.根據本公開實施方案的光電轉換膜]根據本公開實施方案的光電轉換膜是包含由以下通式(1)表示的亞酞菁衍生物的光電轉換膜。[化學式3]在通式(1)中，X表示選自鹵素、羥基、巰基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一個獨立地表示取代或未取代的環(huán)結構，和R1～R3中的至少一個包括在所述環(huán)結構中的至少一個雜原子。在通式(1)中，中心的硼原子和氮原子之間的鍵是配位鍵。如將在后述的實施例中證明的，由通式(1)表示的亞酞菁衍生物在R1～R3的環(huán)結構中包括至少一個雜原子，因此可以具有適于作為吸收綠色光的光電轉換膜的光吸收特性。具體地，由通式(1)表示的亞酞菁衍生物具有長波長范圍的光的吸收可以降低并且綠色光范圍(例如，波長大于或等于450nm且小于600)的光可以選擇性地吸收的光吸收特性。此外，在通式(1)中，R1～R3中的至少一個優(yōu)選地具有包括取代基的環(huán)結構。具體地，當R1～R3中的至少一個具有包括取代基的環(huán)結構時，由通式(1)表示的亞酞菁衍生物可以在后述的合成方法中更高產率地合成。特別地，在其中R1～R3中的至少一個用吸電子基團取代的環(huán)結構中，由通式(1)表示的亞酞菁衍生物可以更高產率地合成，所以這是優(yōu)選的。例如，在通式(1)中，R1～R3中的至少一個可以具有包括鹵素作為取代基的環(huán)結構。這里，在通式(1)中，R1～R3可以具有其中一些氫原子被取代基取代的環(huán)結構或可以具有其中所有的氫原子被取代基取代的環(huán)結構。此外，取代基可以在R1～R3的環(huán)結構中被取代，使得由通式(1)表示的亞酞菁衍生物具有對稱性，或者可以在R1～R3的環(huán)結構中被取代，使得由通式(1)表示的亞酞菁衍生物不具有對稱性。此外，在通式(1)中，R1～R3優(yōu)選地具有包括π-共軛系結構的環(huán)結構。當R1～R3具有包括π-共軛系結構的環(huán)結構時，由通式(1)表示的亞酞菁衍生物可以具有適于吸收波長大于或等于450nm且小于600nm的綠色光的吸收光譜。另一方面，當R1～R3中的至少一個具有不具有π-共軛系結構的環(huán)結構時，在由通式(1)表示的亞酞菁衍生物中，所有分子的共軛系的長度縮短，并且吸收范圍顯著移動到短波長側。因此，由于波長范圍比綠色光短的藍色光的吸收增加，所以由通式(1)表示的亞酞菁衍生物不是優(yōu)選的。此外，在通式(1)中，R1～R3可以具有包括任何數量的環(huán)構成原子的環(huán)結構。此外，R1～R3可以具有單環(huán)結構或稠環(huán)結構。然而，優(yōu)選地，R1～R3具有包括3個以上和8個以下環(huán)構成原子的環(huán)結構，更優(yōu)選地，環(huán)結構包括6個環(huán)構成原子。例如，當環(huán)構成原子的數量小于6時，因為在環(huán)結構中可能發(fā)生扭曲并且由通式(1)表示的亞酞菁衍生物變得不穩(wěn)定，所以這不是優(yōu)選的。此外，當環(huán)構成原子的數量大于6時，這不是優(yōu)選的，因為由通式(1)表示的亞酞菁衍生物的分子量增大，處理困難。此外，R1～R3的環(huán)結構中包含的雜原子優(yōu)選是氮原子。當氮原子被包含在R1～R3的環(huán)結構中時，由于吸收范圍移動到短波長側并且長波長范圍的光的吸收降低，所以由通式(1)表示的亞酞菁衍生物可以適用于吸收綠色光的光電轉換膜。環(huán)結構中包含的R1～R3的雜原子可以包含在R1～R3的環(huán)結構中，使得由通式(1)表示的亞酞菁衍生物具有對稱特性，或者可以包含在R1～R3的環(huán)結構中，使得由通式(1)表示的亞酞菁衍生物不具有對稱性。這里，由通式(1)表示的亞酞菁衍生物的環(huán)結構的具體例子由以下結構例(1)～(17)表示。根據本公開實施方案的光電轉換膜中包含的亞酞菁衍生物是具有由以下結構例(1)～(17)表示的環(huán)結構的化合物。然而，根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物的環(huán)結構不限于以下結構例(1)～(17)。[化學式4][化學式5]在結構例(1)～(17)中，X表示選自鹵素、羥基、巰基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基。此外，由通式(1)表示的亞酞菁衍生物的具體化合物的例子由以下通式(2)～(7)表示。然而，根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物不限于由以下通式(2)～(7)表示的化合物的例子。[化學式6]這里，在通式(2)～(7)，X表示選自鹵素、羥基、巰基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基。在通式(1)～(7)和結構例(1)～(17)中，X不限定于上述的取代基，而是可以是能夠與硼(B)原子結合的任意取代基。然而，X優(yōu)選是鹵素。當X是鹵素時，由于由通式(1)表示的亞酞菁衍生物的熱穩(wěn)定性增加，所以可以提高光電轉換膜的穩(wěn)定性。上述的包含由通式(1)表示的亞酞菁衍生物的光電轉換膜可以形成為包含作為n型光電轉換材料的由通式(1)表示的亞酞菁衍生物的本體異質混合膜。例如，本體異質混合膜是具有如下微細結構的膜：在微細結構中，形成混合膜的p型光電轉換材料和n型光電轉換材料中的一者處于結晶微粒狀態(tài)且另一者處于非晶狀態(tài)，并且非晶層均勻地覆蓋結晶微粒的表面。在這樣的本體異質混合膜中，因為誘使電荷分離的pn結的面積被微細結構增大，所以可以更有效地誘使電荷分離并且增大光電轉換效率?？蛇x擇地，本體異質混合膜可以是具有如下微細結構的膜：在微細結構中，形成膜的p型光電轉換材料和n型光電轉換材料這二者都處于微細結晶狀態(tài)并且混合。在根據本公開實施方案的光電轉換膜中，當由通式(1)表示的亞酞菁衍生物被包含作為n型光電轉換材料時，具有電荷輸送性的各種化合物可以用作作為p型光電轉換材料的被包含的化合物。具體地，根據本公開實施方案的光電轉換膜中包含的p型光電轉換材料優(yōu)選具有空穴傳輸性和電子傳輸性中的至少一種，無論吸收波長如何。例如，p型光電轉換材料可以是喹吖啶酮衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、方酸菁衍生物、萘或二萘嵌苯衍生物、花青衍生物、部花青衍生物、若丹明衍生物、二苯基甲烷或三苯基甲烷衍生物、呫噸衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪衍生物、喹啉衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、噁嗪衍生物、噻嗪衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、靛藍或硫靛衍生物、吡咯衍生物、吡啶衍生物、jipirin衍生物、吲哚衍生物、吡咯并吡咯二酮衍生物、香豆素衍生物、芴衍生物、熒蒽衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、三芳基胺衍生物(如三苯基胺、萘胺或苯乙烯基胺)、咔唑衍生物、苯二胺衍生物或聯(lián)苯胺衍生物、菲咯啉衍生物、咪唑衍生物、噁唑啉衍生物、噻唑啉衍生物、三唑衍生物、噻二唑衍生物、噁二唑衍生物、噻吩衍生物、硒吩衍生物、噻咯衍生物、germole衍生物、二苯乙烯衍生物或對苯撐乙烯衍生物、并五苯衍生物、紅熒烯衍生物、噻吩并噻吩衍生物、苯并二噻吩衍生物、迫呫噸并呫噸衍生物或富勒烯衍生物。此外，p型光電轉換材料可以是具有上述取代基作為單元結構的連接體、單體、聚合物、共聚物或嵌段共聚物。特別地，喹吖啶酮衍生物優(yōu)選作為根據本公開實施方案的光電轉換膜中包含的p型光電轉換材料。此外，根據本公開實施方案的光電轉換膜可以是其中作為n型光電轉換材料的由通式(1)表示的亞酞菁衍生物和p型光電轉換材料層疊而形成異質結的平面異質結膜。不必說根據本公開實施方案的光電轉換膜可以包含由通式(1)表示的亞酞菁衍生物作為p型光電轉換材料。此外，根據本公開實施方案的光電轉換膜可以形成為只包含由通式(1)表示的亞酞菁衍生物的單層膜。如上所述，當根據本公開實施方案的光電轉換膜包含由通式(1)表示的亞酞菁衍生物時，可以降低長波長范圍的光的吸收并且選擇性地吸收綠色光。因此，根據本公開實施方案的光電轉換膜適于作為固態(tài)圖像傳感器中的綠色光電轉換元件，并且改善各色光的色分離。因此，可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度并改善成像特性。[2.2.根據本公開實施方案的光電轉換元件]接下來，將參照圖3說明根據本公開實施方案的光電轉換元件。圖3是示出了根據本公開實施方案的示例性光電轉換元件的示意圖。如圖3所示，根據本公開實施方案的光電轉換元件100包括基板102、設置在基板102之上的下電極104、設置在下電極104之上的p緩沖層106、設置在p緩沖層106之上的光電轉換層108、設置在光電轉換層108之上的n緩沖層110和設置在n緩沖層110之上的上電極112。圖3中所示的光電轉換元件100的結構只是一個例子。根據本公開實施方案的光電轉換元件100的結構不限于圖3中所示的結構。例如，可以省略p緩沖層106和n緩沖層110中的至少一個?；?02是其中形成光電轉換元件100的各層層疊配置的支撐體。作為基板102，可以使用一般的光電轉換元件中使用的基板。例如，基板102可以是各種類型的玻璃基板(例如，高應變點玻璃基板、鈉玻璃基板和硼硅酸鹽玻璃基板)、石英基板、半導體基板和塑料基板(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚酰亞胺或聚碳酸酯基板)。在光電轉換元件100中，當入射光透過到相對側時，優(yōu)選地，基板102由透明材料制成。下電極104和上電極112由導電材料制成。此外，下電極104配置在基板102上方，上電極112配置在n緩沖層110上方。具體地，下電極104和上電極112的至少一個由透明的導電材料制成，如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。當在光電轉換元件100中入射光透過到相對側時，優(yōu)選地，下電極104和上電極112由諸如ITO等透明的導電材料制成。作為透明導電材料，可以使用氧化錫(TO)、其中添加摻雜劑的氧化錫(SnO2)系材料或其中摻雜劑被添加到氧化鋅(ZnO)中的氧化鋅系材料。作為氧化鋅系材料，例如，可以例舉出的有其中鋁(Al)作為摻雜劑添加的鋁鋅氧化物(AZO)、其中鎵(Ga)被添加的鎵鋅氧化物(GZO)和其中銦(In)被添加的銦鋅氧化物(IZO)。除此之外，作為透明導電材料，可以使用CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIN2O4、CO、ZnSnO3等。此外，作為透明導電材料，可以使用銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵氧化物(IGO)、鋁鎵鋅氧化物(AGZO)、石墨烯、金屬薄膜和PEDOT。此外，向下電極104和上電極112施加偏置電壓。例如，施加偏置電壓以設定極性，使得在光電轉換層108中產生的電荷之中的電子向上電極112移動并且空穴向下電極104移動。此外，不必說施加偏置電壓以設定極性，使得在光電轉換層108中產生的電荷之中的空穴向上電極112移動并且電子向下電極104移動。在這種情況下，在圖3所示的光電轉換元件100中，p緩沖層106和n緩沖層110的位置可以切換。p緩沖層106是配置在下電極104上方并且提供從光電轉換層108高效率地提取空穴的功能的層。具體地，p緩沖層106包含具有空穴傳輸性和電子傳輸性中的至少一種的p型光電轉換材料。作為p型光電轉換材料，例如，可以例舉出的有喹吖啶酮衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、方酸菁衍生物、萘或二萘嵌苯衍生物、花青衍生物、部花青衍生物、若丹明衍生物、二苯基甲烷或三苯基甲烷衍生物、呫噸衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪衍生物、喹啉衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、噁嗪衍生物、噻嗪衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、靛藍或硫靛衍生物、吡咯衍生物、吡啶衍生物、jipirin衍生物、吲哚衍生物、吡咯并吡咯二酮衍生物、香豆素衍生物、芴衍生物、熒蒽衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、三芳基胺衍生物(如三苯基胺、萘胺或苯乙烯基胺)、咔唑衍生物、苯二胺衍生物或聯(lián)苯胺衍生物、菲咯啉衍生物、咪唑衍生物、噁唑啉衍生物、噻唑啉衍生物、三唑衍生物、噻二唑衍生物、噁二唑衍生物、噻吩衍生物、硒吩衍生物、噻咯衍生物、germole衍生物、二苯乙烯衍生物或對苯撐乙烯衍生物、并五苯衍生物、紅熒烯衍生物、噻吩并噻吩衍生物、苯并二噻吩衍生物、迫呫噸并呫噸衍生物或富勒烯衍生物。此外，p型光電轉換材料可以是具有上述取代基作為單元結構的連接體、單體、聚合物、共聚物或嵌段共聚物。p型光電轉換材料吸收的光的波段沒有特別限制，可以是任何波段。更具體地，p緩沖層106可以由空穴傳輸材料形成，并且可以由芳基胺、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、二苯乙烯、聚芳基烷、卟啉、蒽、芴酮、肼或其衍生物形成。例如，p緩沖層106可以由N,N’-雙(3-甲基苯基)-(1,1’-聯(lián)苯基)-4,4’-二胺(TPD)、4,4’-雙[N-(萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯基(α-NPD)、4,4’,4”-三(N-(3-甲基苯基)N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、四苯基卟啉銅、酞菁或銅酞菁形成。光電轉換層108是配置在p緩沖層106上方并且提供選擇性地吸收綠色光(例如，波長大于或等于450nm且小于600nm的光)和光電轉換吸收的光的功能的層。在根據本公開實施方案的光電轉換元件中，光電轉換層108包含上述的由通式(1)表示的亞酞菁衍生物。例如，光電轉換層108可以是包含由通式(1)表示的亞酞菁衍生物作為n型光電轉換材料和喹吖啶酮衍生物作為p型光電轉換材料的本體異質混合膜。光電轉換層108可以形成為其中n型光電轉換材料和p型光電轉換材料以單一比例混合的單層。此外，光電轉換層108可以由其中n型光電轉換材料和p型光電轉換材料的混合比在層疊方向上變化的多層形成。例如，光電轉換層108可以具有其中從p緩沖層106側由p型光電轉換材料形成的p層、其中n型光電轉換材料和p型光電轉換材料混合的i層和由n型光電轉換材料形成的n層層疊的多層結構。在根據本公開實施方案的光電轉換元件中，只要包含由通式(1)表示的亞酞菁衍生物，則光電轉換層108不限于本體異質混合膜，并且可以由單層膜、平面異質結膜等形成。n緩沖層110是配置在光電轉換層108上方并且提供從光電轉換層108高效率地提取電子的功能的層。具體地，n緩沖層110由電子傳輸性材料形成，并且可以例如由富勒烯、碳納米管、噁二唑、三唑化合物、蒽醌二甲烷、二苯基醌、聯(lián)苯乙烯、噻咯化合物或其衍生物形成。具體地，n緩沖層110可以由1,3-雙(4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑基)苯撐(OXD-7)、浴銅靈、紅菲咯啉或三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)形成。此外，在圖3所示的光電轉換元件100的結構中，形成除了光電轉換層108以外的各層的材料沒有特別限制，也可以使用用于光電轉換元件的已知材料。這里，上述的根據本公開實施方案的光電轉換元件100中的各層可以通過根據材料選擇的適宜成膜法而形成，例如，真空沉積法、濺射法和各種涂布法。例如，在形成根據本公開實施方案的光電轉換元件100的各層中，下電極104和上電極112可以通過包括電子束沉積法、熱絲沉積法和真空沉積法的沉積法、濺射法、化學氣相沉積法(CVD法)、離子鍍法和蝕刻法的組合、諸如絲網印刷法、噴墨印刷法和金屬掩模印刷法等各種類型的印刷法、鍍法(電鍍法和化學鍍法)等而形成。此外，在形成根據本公開第一實施方案的光電轉換元件100的各層中，例如，諸如p緩沖層106、光電轉換層108和n緩沖層110等各層可以通過諸如真空沉積法等沉積法、諸如絲網印刷法和噴墨印刷法等印刷法、激光轉印法或諸如旋涂法等涂布法而形成。以上，已經說明了根據本公開實施方案的光電轉換元件100的示例性構成。[2.3.根據本公開實施方案的實施例]以下，將參照實施例和比較例詳細地說明根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物、光電轉換膜和光電轉換元件。然而，以下實施例只是例子，并且根據本公開實施方案的光電轉換膜和光電轉換元件不限于以下例子。(模擬分析)首先，通過模擬分析評價根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物的光譜特性。具體地，對由以下結構式表示的亞酞菁衍生物進行模擬分析，并且計算最大吸收波長λmax。為了比較，對根據比較例的亞酞菁衍生物(SubPc-Cl，SubPc-F)進行模擬分析，并計算最大吸收波長λmax。[化學式7]在模擬分析中，使用根據密度泛函理論(DFT)的分子軌道計算，使用Gaussian03作為計算程序，并且在“B3LYP”的泛函水平下使用“6-311++G”作為基礎函數。具體地，首先，針對各亞酞菁衍生物通過自洽場(SCF)進行結構最優(yōu)化計算，并計算各分子軌道的能級。接下來，實施時間依賴性密度泛函理論(TD-DFT)，計算紫外-可見光吸收(UV-VIS)光譜，并計算最大吸收波長λmax。表1中示出了通過模擬分析計算出的各亞酞菁衍生物的最大吸收波長λmax。此外，由于表1中示出的亞酞菁衍生物的最大吸收波長λmax是單分子中的模擬分析結果，所以絕對值與將要說明的溶液中實際測量的吸收光譜的實測值并不匹配。然而，如從將要說明的溶液中的吸收光譜的實測值可以理解的是，下面的模擬分析結果和實測結果的傾向匹配。[表1]λmax[nm]實施例1SubNPc-F456.8實施例2pyri-SubNPc-F463.8實施例3isopyri-SubNPc-F466.7實施例4imida-SubNPc-F431.1實施例56Cl-SubNPc-Cl464.3實施例66Me-SubNPc-Cl459.4實施例76F-SubNPc-Cl458.3實施例86F-SubNPc-F460.6比較例1SubPc-Cl496.0比較例2SubPc-F499.5如表1中的結果所示，可以理解的是，與根據比較例1和2的亞酞菁衍生物相比，根據實施例1～8的亞酞菁衍生物具有較短的最大吸收波長λmax并且具有更加降低的長波長范圍的光吸收。具體地，比較實施例1和比較例1和2，可以理解的是，無論與中心的硼原子結合的取代基如何，當作為雜原子的氮原子被引入通式(1)的R1～R3的環(huán)結構中時，λmax都變?yōu)槎滩ㄩL。此外，比較實施例1和5～7，可以理解的是，即使取代基被引入到通式(1)的R1～R3的環(huán)結構中，類似地，λmax也變?yōu)檩^短波長。此外，比較實施例1～4，可以理解的是，無論通式(1)的R1～R3的環(huán)結構的環(huán)構成原子的數量如何以及無論R1～R3的環(huán)結構中包含的雜原子的數量和其位置如何，λmax都變?yōu)檩^短波長。因此，可以理解的是，在根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物中，至少一個雜原子被包含在通式(1)的R1～R3中的至少一個的環(huán)結構中，因而最大吸收波長可以變?yōu)楦滩ㄩL。[亞酞菁衍生物的合成]接下來，將說明根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物的合成方法。根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物可以通過以下反應式1表示的一般化的合成方法來合成。下面將要說明的合成方法只是例子，并且根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物的合成方法不限于以下例子。[化學式8]反應式(1)如反應式1所示，當2,3-二氰基吡嗪衍生物和三氯化硼在溶劑中混合并加熱至回流時，可以合成根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物。在反應式1中，盡管在2,3-二氰基吡嗪衍生物中取代的取代基Y被描述為相同的取代基，但是不必說，在2,3-二氰基吡嗪衍生物中的取代基Y可以彼此不同。此外，通過例舉具體化合物來說明合成根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物的具體方法。SubNPc-Cl的合成通過下述方法合成由以下結構式表示的SubNPc-Cl。[化學式9]將2,3-二氰基吡嗪(在反應式1中，Y＝H)3mmol和三氯化硼(二氯甲烷溶液)1mmol(1ml)加入到燒瓶中，并在溶劑中使用3ml1-氯萘加熱至回流。將Dimroth冷卻器連接至燒瓶口，Dimroth冷卻器的上部額外地由橡膠管引導到通氣裝置的排氣口，低沸點成分逐漸蒸發(fā)。燒瓶的浴溫度被設定為190℃并加熱回流約16小時。加熱至回流后，將混合物放置過夜，過濾，并進一步用二氯甲烷洗滌。濾液通過柱色譜純化，從而獲得6mg紅色成分SubNPc-Cl(產率1.3％)。當在CDCl3溶劑中對獲得的SubNPc-Cl進行1H-核磁共振(NMR)測定時，確定主峰是芳族區(qū)域的一個單峰(δ＝9.240)，反應產物是SubNPc-Cl。6Cl-SubNPc-Cl的合成此外，根據類似于SubNPc-Cl的合成方法，合成由以下結構式表示的6Cl-SubNPc-Cl。[化學式10]通過類似方法進行上述的SubNPc-Cl的合成，除了5,6-二氯-2,3-二氰基吡嗪(在反應式1中，Y＝Cl)用作起始原料來代替2,3-二氰基吡嗪，獲得6Cl-SubNPc-Cl。6Cl-SubNPc-Cl的產率是11％。2Cl-SubNPc-Cl，4Cl-SubNPc-Cl的合成此外，例如，通過以下反應式2表示的合成方法，可以合成具有不同的R1～R3的環(huán)結構的亞酞菁衍生物(2Cl-SubNPc-Cl和4Cl-SubNPc-Cl)。[化學式11](反應式2)將3mmol的鄰苯二甲腈和5,6-二氯-2,3-二氰基吡嗪(摩爾比1：1)的混合物與三氯化硼(二氯甲烷溶液)1mmol(1ml)加入到燒瓶中并在溶劑中使用3ml1-氯苯加熱至回流。將Dimroth冷卻器連接至燒瓶口，Dimroth冷卻器的上部額外地由橡膠管引導到通氣裝置的排氣口，低沸點成分逐漸蒸發(fā)。燒瓶的浴溫度被設定為190℃并加熱回流約16小時。加熱至回流后，將混合物放置過夜，過濾，并進一步用二氯甲烷洗滌。濾液通過柱色譜純化，從而獲得反應式2中的四種類型的衍生物(SubPc-Cl、2Cl-SubNPc-Cl、4Cl-SubNPc-Cl和6Cl-SubNPc-Cl)。根據上述的合成方法，可以合成具有不同的R1～R3的環(huán)結構的2Cl-SubNPc-Cl和4Cl-SubNPc-Cl。[亞酞菁衍生物的評價]接下來，通過溶液法評價上面合成的SubNPc-Cl和6Cl-SubNPc-Cl的光譜特性。此外，為了比較，通過類似方法評價SubPc-Cl的光譜特性。具體地，將各亞酞菁衍生物溶解在鄰二甲苯中，并且使用石英室通過可見紫外分光光度計獲得光吸收光譜。所獲得的亞酞菁衍生物的光吸收光譜示于圖4。圖4中所示的光吸收光譜被歸一化，使得各亞酞菁衍生物在最大吸收波長的吸光度為1。如從圖4中所示的結果可以看出的，可以理解的是，作為根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物的SubNPc-Cl和6Cl-SubNPc-Cl具有比根據比較例的SubPc-Cl短的最大吸收波長。此外，可以理解的是，測得的6Cl-SubNPc-Cl和SubPc-Cl的最大吸收波長的傾向與上述模擬分析的實施例5和比較例1的最大吸收波長的傾向匹配，并且上述模擬分析是適當的。[光電轉換元件的評價]此外，上面合成的6Cl-SubNPc-Cl被用來制作根據本公開實施方案的光電轉換元件并且確認該光電轉換元件用作光電轉換元件。(實施例9)首先，銦錫氧化物(ITO)通過濺射法在石英基板上形成100nm的膜，形成的ITO薄膜通過光刻法圖案化，然后蝕刻以形成透明下電極。接下來，通過UV/臭氧處理清洗形成的透明電極，蔭罩用于進行真空沉積，使得6Cl-SubNPc-Cl和喹吖啶酮的膜形成比率為1：1，由此形成光電轉換層。隨后，使用蔭罩將鋁(Al)真空沉積在光電轉換層上，從而形成上電極。根據上述制造方法，制作出光電轉換元件。[化學式12]隨后，評價制作的根據實施例9的光電轉換元件的光電轉換功能。具體地，使用連接到半導體參數分析儀的探針，偏置電壓施加到根據實施例1的光電轉換元件的上電極和下電極，測定通過石英基板有和沒有照射時的電流值。根據實施例9的光電轉換元件的光電轉換功能的評價結果示于圖5。圖5是示出了根據實施例9的光電轉換元件的電流密度相對于偏置電壓的變化的圖形。如從圖5所示的結果可以看出，可以理解的是，在根據實施例9的光電轉換元件中，在0～-3V的偏置電壓范圍內，照射下的電流密度比未照射時的電流密度增加更多，并且提供光電轉換功能。因此，可以理解的是，根據本公開實施方案的亞酞菁衍生物可以適于用作光電轉換膜中包含的光電轉換材料。如從上面結果可以理解的是，當根據本公開實施方案的光電轉換膜包含由通式(1)表示的亞酞菁衍生物時，可以降低長波長范圍的光的吸收并選擇性地吸收綠色光。因此，可以理解的是，根據本公開實施方案的光電轉換膜可以適于用作固態(tài)圖像傳感器中的綠色光電轉換元件，并且可以改善固態(tài)圖像傳感器的成像特性。<3.根據本公開實施方案的光電轉換元件的應用例>以下，將參照圖6～圖8說明包括根據本公開實施方案的光電轉換膜的光電轉換元件的應用例。[3.1.固態(tài)圖像傳感器的構成]首先，將參照圖6和圖7說明應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器的構成。圖6是示出了應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器的結構的示意圖。這里，在圖6中，像素區(qū)域201、211和231是設置有包括根據本公開實施方案的光電轉換膜的光電轉換元件的區(qū)域。此外，控制電路202、212和242是被構造成控制固態(tài)圖像傳感器中的各部件的運算處理電路。邏輯電路203、223和243是被構造成對通過像素區(qū)域中的光電轉換元件的光電轉換而獲得的信號進行處理的信號處理電路。例如，如圖6A所示，在應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器中，像素區(qū)域201、控制電路202和邏輯電路203可以形成在一個半導體芯片200內。此外，如圖6B所示，應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器可以是像素區(qū)域211和控制電路212形成在第一半導體芯片210內且邏輯電路223形成在第二半導體芯片220內的層疊型固態(tài)圖像傳感器。此外，如圖6C所示，應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器可以是像素區(qū)域231形成在第一半導體芯片230內且控制電路242和邏輯電路243形成在第二半導體芯片240內的層疊型固態(tài)圖像傳感器。在圖6B和圖6C所示的固態(tài)圖像傳感器中，控制電路和邏輯電路中的至少一個被形成在與形成有像素區(qū)域的半導體芯片分開的半導體芯片內。因此，由于圖6B和圖6C所示的固態(tài)圖像傳感器可以使像素區(qū)域延伸地比圖6A所示的固態(tài)圖像傳感器多，所以像素區(qū)域中容納的像素數量增加。因此，可以增大固態(tài)圖像傳感器的平面分辨率。為此，更優(yōu)選的是，應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器是圖6B和圖6C所示的層疊型固態(tài)圖像傳感器。隨后，將參照圖7說明應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器的具體結構。圖7是示出了應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器中的單位像素的概略結構的截面圖。此外，圖7中所示的固態(tài)圖像傳感器300是光從與形成有像素晶體管等的面相對的面入射的背面照射型固態(tài)圖像傳感器。此外，相對于該圖，上側是光接收面，下側是形成有像素晶體管和周邊電路的電路形成面。如圖7所示，固態(tài)圖像傳感器300具有如下的構成：在光電轉換區(qū)域320中，在光的入射方向上層疊有包括形成在半導體基板330中的第一光電二極管PD1的光電轉換元件、包括形成在半導體基板330中的第二光電二極管PD2的光電轉換元件和包括形成在半導體基板330的背面?zhèn)鹊挠袡C光電轉換膜310的光電轉換元件。第一光電二極管PD1和第二光電二極管PD2形成在作為由硅制成的半導體基板330的第一導電型(例如，p型)半導體區(qū)域的阱區(qū)域331中。第一光電二極管PD1包括取決于形成在半導體基板330的光接收面?zhèn)鹊牡诙щ娦?例如，n型)雜質的n型半導體區(qū)域332和通過延伸一部分以到達半導體基板330的表面?zhèn)榷纬傻难由觳?32a。延伸部332a的表面上形成有用作電荷累積層的高濃度p型半導體區(qū)域334。此外，延伸部332a被形成為用于將在第一光電二極管PD1的n型半導體區(qū)域332中累積的信號電荷提取至半導體基板330的表面?zhèn)鹊奶崛?。第二光電二極管PD2包括形成在半導體基板330的光接收面?zhèn)鹊膎型半導體區(qū)域336和形成在半導體基板330的表面?zhèn)惹矣米麟姾衫鄯e層的高濃度p型半導體區(qū)域338。在第一光電二極管PD1和第二光電二極管PD2中，當半導體基板330的界面處形成有p型半導體區(qū)域時，可以抑制在半導體基板330的界面處產生的暗電流。這里，例如，形成在離光接收面最遠的區(qū)域中的第二光電二極管PD2是吸收紅色光且進行光電轉換的紅色光電轉換元件。此外，例如，形成在比第二光電二極管PD2更接近光接收面?zhèn)鹊牡谝还怆姸O管PD1是吸收藍色光且進行光電轉換的藍色光電轉換元件。經由防反射膜302和絕緣膜306在半導體基板330的背面上形成有機光電轉換膜310。此外，有機光電轉換膜310夾設在上電極312和下電極308之間而形成光電轉換元件。這里，例如，有機光電轉換膜310是吸收波長大于或等于450nm且小于600nm的綠色光且進行光電轉換的有機膜，并且被形成為上述的根據本公開實施方案的光電轉換膜。此外，例如，上電極312和下電極308由諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)等透明導電材料制成。此外，下電極308被連接至經由貫通防反射膜302的接觸插頭304而從半導體基板330的背面?zhèn)刃纬芍帘砻鎮(zhèn)鹊拇怪眰鬏斅窂?48。垂直傳輸路徑348被形成為具有其中連接部340、勢壘層342、電荷累積層344和p型半導體區(qū)域346從半導體基板330的背面?zhèn)葘盈B的結構。連接部340包括形成在半導體基板330的背面?zhèn)鹊母唠s質濃度的n型雜質區(qū)域且形成為與接觸插頭304歐姆接觸。勢壘層342包括低濃度的p型雜質區(qū)域且形成連接部340與電荷累積層344之間的勢壘。電荷累積層344累積從有機光電轉換膜310傳輸的信號電荷，并且形成在濃度比連接部340低的n型雜質區(qū)域中。此外，高濃度的p型半導體區(qū)域346形成在半導體基板330的表面上。利用p型半導體區(qū)域346，可以抑制在半導體基板330的界面處產生的暗電流。這里，在半導體基板330的表面?zhèn)?，經由層間絕緣層351形成有包括層疊在多層中的配線358的多層配線層350。此外，在半導體基板330的表面附近，形成有對應于第一光電二極管PD1、第二光電二極管PD2和有機光電轉換膜310的讀取電路352、354和356。讀取電路352、354和356讀取從各光電轉換元件輸出的信號且將信號傳輸至邏輯電路(未圖示)。此外，多層配線層350的表面上形成有支撐基板360。另一方面，在上電極312的光接收面?zhèn)?，遮光?16被形成為遮擋第一光電二極管PD1的延伸部332a和垂直傳輸路徑348。這里，遮光膜316之間的間隔區(qū)域是光電轉換區(qū)域320。此外，經由平坦化膜314在遮光膜316之上形成有片上透鏡318。上面已經說明了應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器300。此外，在應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器300中，因為在縱向方向上對單位像素進行色分離，所以不用設置濾光片等。[3.2.電子設備的構成]接下來，將參照圖8說明應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的電子設備的構成。圖8是示出了應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的電子設備的構成的框圖。如圖8所示，電子設備400包括光學系統(tǒng)402、固態(tài)圖像傳感器404、數字信號處理器(DSP)電路406、控制單元408、輸出單元412、輸入單元414、幀存儲器416、記錄單元418和電源單元420。這里，DSP電路406、控制單元408、輸出單元412、輸入單元414、幀存儲器416、記錄單元418和電源單元420經由總線410彼此連接。光學系統(tǒng)402獲得來自被寫體的入射光且在固態(tài)圖像傳感器404的成像面上形成圖像。此外，固態(tài)圖像傳感器404包括根據本公開實施方案的光電轉換元件，將通過光學系統(tǒng)402而聚焦在成像面上的入射光的強度轉換成以像素為單位的電信號，并且作為像素信號輸出結果。DSP電路406對從固態(tài)圖像傳感器404傳輸的像素信號進行處理且將結果輸出至輸出單元412、幀存儲器416、記錄單元418等。此外，例如，控制單元408包括運算處理電路，并且控制電子設備400中的各部件的操作。例如，輸出單元412是諸如液晶顯示器和有機電致發(fā)光顯示器等面板型顯示裝置，并且顯示利用固態(tài)圖像傳感器404成像的視頻或靜止圖像。這里，輸出單元412還可以包括諸如揚聲器和頭戴式耳機等聲音輸出裝置。這里，例如，輸入單元414是諸如觸摸面板和按鈕等用于輸入用戶的操作的裝置，并且根據用戶的操作而發(fā)出針對電子設備400的各種功能的操作指令。幀存儲器416臨時地存儲利用固態(tài)圖像傳感器404成像的視頻、靜止圖像等。此外，記錄單元418將利用固態(tài)圖像傳感器404成像的視頻、靜止圖像等存儲在諸如磁盤、光盤、磁光盤和半導體存儲器等可移動存儲介質中。電源單元420將用作DSP電路406、控制單元408、輸出單元412、輸入單元414、幀存儲器416和記錄單元418的操作電源的各種類型的電力適宜地供給這些供給對象。上面已經說明了應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的電子設備400。例如，應用根據本公開實施方案的光電轉換元件的電子設備400可以是成像裝置。<4.結論>如上所述，當根據本公開實施方案的光電轉換膜包含由通式(1)表示的亞酞菁衍生物時，可以降低長波長側的吸收并選擇性地吸收綠光范圍的光。此外，由于根據本公開實施方案的光電轉換膜可以選擇性地吸收綠色光，所以適于用作固態(tài)圖像傳感器中的綠色光電轉換元件。因此，由于根據本公開實施方案的光電轉換膜可以改善各色光的色分離，所以可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度并改善成像特性。特別地，由于根據本公開實施方案的光電轉換膜增大了長波長側的紅色光的透過性，所以可以增大固態(tài)圖像傳感器中的紅色光的敏感度。上面已經參照附圖說明了本公開的優(yōu)選實施方案，但是本公開不限于上述例子。本領域技術人員可以在所附權利要求的范圍內發(fā)現(xiàn)各種替換和修改，并且應該理解的是，這些自然地屬于本公開的技術范圍。此外，本說明書中記載的效果僅僅是說明性或例示性的效果，而不是限制性的。即，連同或代替上述效果，基于本說明書的記載，根據本公開的技術可以實現(xiàn)對本領域技術人員顯而易見的其他效果。此外，本技術還可以如下構成。(1)一種光電轉換膜，其包含：由以下通式(1)表示的亞酞菁衍生物，[化學式13]其中，在通式(1)中，X表示選自鹵素、羥基、巰基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一個獨立地表示取代或未取代的環(huán)結構，和R1～R3中的至少一個包括在所述環(huán)結構中的至少一個雜原子。(2)根據(1)所述的光電轉換膜，其中R1～R3中的至少一個具有包括取代基的環(huán)結構。(3)根據(2)所述的光電轉換膜，其中R1～R3的取代基是鹵素。(4)根據(1)～(3)中任一項所述的光電轉換膜，其中R1～R3具有包括π-共軛系結構的環(huán)結構。(5)根據(1)～(4)中任一項所述的光電轉換膜，其中R1～R3具有包括3個以上和8個以下環(huán)構成原子的環(huán)結構。(6)根據(5)所述的光電轉換膜，其中R1～R3具有包括6個環(huán)構成原子的環(huán)結構。(7)根據(1)～(6)中任一項所述的光電轉換膜，其中R1～R3的環(huán)結構中包含的雜原子是氮原子。(8)根據(1)～(7)所述的光電轉換膜，其中X是鹵素。(9)一種固態(tài)圖像傳感器，其包括：光電轉換膜，所述光電轉換膜包含由以下通式(1)表示的亞酞菁衍生物，[化學式14]其中，在通式(1)中，X表示選自鹵素、羥基、巰基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一個獨立地表示取代或未取代的環(huán)結構，和R1～R3中的至少一個包括在所述環(huán)結構中的至少一個雜原子。(10)根據(9)所述的固態(tài)圖像傳感器，其中所述光電轉換膜吸收波長大于或等于450nm且等于或小于600nm的綠色光并且光電轉換所吸收的綠色光。(11)根據(9)或(10)所述的固態(tài)圖像傳感器，其被構造為層疊型固態(tài)圖像傳感器，包括：形成有所述光電轉換膜的第一芯片；和形成有被構造成對由所述光電轉換膜的光電轉換而獲得的信號進行處理的信號處理電路的第二芯片，第二芯片與第一芯片層疊。(12)一種電子設備，其包括：固態(tài)圖像傳感器，所述固態(tài)圖像傳感器包括包含由以下通式(1)表示的亞酞菁衍生物的光電轉換膜；被構造成將入射光引導到所述固態(tài)圖像傳感器的光學系統(tǒng)；和被構造成對從所述固態(tài)圖像傳感器輸出的信號進行運算處理的運算處理電路，[化學式15]其中，在通式(1)中，X表示選自鹵素、羥基、巰基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一個獨立地表示取代或未取代的環(huán)結構，和R1～R3中的至少一個包括在所述環(huán)結構中的至少一個雜原子。附圖標記列表100光電轉換元件102基板104下電極106p緩沖層108光電轉換層110n緩沖層112上電極當前第1頁1 2 3